對(duì)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行三維尋址的制作方法
【專利摘要】對(duì)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)的三維尋址可以包括多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體、多個(gè)移位寄存器、行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)、列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以及存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)。
【專利說明】
對(duì)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器進(jìn)行三維尋址
【背景技術(shù)】
[0001]存儲(chǔ)器是系統(tǒng)中用以存儲(chǔ)信息的重要元件。存儲(chǔ)器可以通過創(chuàng)建并維護(hù)諸如“O”、“I”之類的多個(gè)不同的狀態(tài)來實(shí)現(xiàn)?？刹脸删幊讨蛔x存儲(chǔ)器(EPROM)是一種類型的非易失性存儲(chǔ)器，其包括獨(dú)立編程的浮柵晶體管的陣列，用于存儲(chǔ)通過存儲(chǔ)晶體管的電導(dǎo)率編碼的存儲(chǔ)器單元(例如，比特)。
[0002]集成打印頭(IPH)可以包括存儲(chǔ)器。IPH存儲(chǔ)器可以用以存儲(chǔ)如筆ID、唯一ID、模擬序列號(hào)(ASN)、安全信息以及其它IPH特征增強(qiáng)信息的信息。
【附圖說明】
[0003]圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的打印頭存儲(chǔ)設(shè)備的例子的示意圖。
[0004]圖2A是根據(jù)本公開內(nèi)容示出用于EPROM的三維尋址方案的例子的表。
[0005 ]圖2B是根據(jù)本公開內(nèi)容示出用于EPROM的三維尋址方案的例子的表。
[0006]圖3是一種用于對(duì)集成打印頭的EPROM單元進(jìn)行三維尋址的方法的例子的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]集成打印頭(IPH)可以利用多種不同的存儲(chǔ)器技術(shù)。例如，IPH可以使用金屬保險(xiǎn)絲存儲(chǔ)器技術(shù)來存儲(chǔ)信息。然而，可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)通過金屬保險(xiǎn)絲技術(shù)提供益處，這是因?yàn)?對(duì)于EPROM選擇器晶體管的尺寸需求相對(duì)較小、在編程EPROM時(shí)不必潛在地破壞機(jī)械力、以及不能在對(duì)EPROM進(jìn)行目視檢查的情況下識(shí)別狀態(tài)。
[0008]IPH平臺(tái)用以實(shí)現(xiàn)功能的能力可以受其具有的存儲(chǔ)器的容量(例如，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的可尋址存儲(chǔ)器單元的數(shù)量)限制。換言之，在IPH上可以存儲(chǔ)的信息越多，在IPH上能夠?qū)崿F(xiàn)的特性越多。用于IPH的可尋址存儲(chǔ)器單元(例如，比特)的數(shù)量可以受多種因素限制。
[0009]傳統(tǒng)的IPH EPROM尋址是使用直接尋址來完成的。直接尋址針對(duì)EPROM的每個(gè)存儲(chǔ)體(bank)利用獨(dú)立的數(shù)據(jù)信號(hào)。作為結(jié)果，直接尋址對(duì)于每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體需要一個(gè)寄存器(例如，移位寄存器)，以便對(duì)對(duì)應(yīng)的EPROM存儲(chǔ)體的EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。
[0010]可用于給定寄存器和相關(guān)聯(lián)的EPROM的硅(Si)資產(chǎn)的數(shù)量可以受多種因素限制。例如，由IPH尺寸和/或功能施加的尺寸約束可以用作限制可用的硅資產(chǎn)。此外，與制造給定的IPH相關(guān)聯(lián)的成本約束可以限制可用于其寄存器和對(duì)應(yīng)的EPROM存儲(chǔ)體的硅資產(chǎn)的數(shù)量。IPH硅資產(chǎn)限制轉(zhuǎn)移給IPH寄存器和EPROM存儲(chǔ)體限制，其相應(yīng)地轉(zhuǎn)移到可尋址存儲(chǔ)器單元約束。
[0011]本公開內(nèi)容的例子包括打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備，其利用用于EPROM的三維尋址方案連同用于對(duì)EPROM存儲(chǔ)器單元的三維尋址的系統(tǒng)和方法。該打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備、系統(tǒng)和方法可以利用多個(gè)移位寄存器以產(chǎn)生三維EPROM地址，每個(gè)移位寄存器連接到多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體。三維EPROM地址可以包括行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)、列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以及存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)。行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以指定獨(dú)立EPROM存儲(chǔ)器單元地址的行部分，列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以指定獨(dú)立EPROM地址的列部分，以及存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以指定多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的與由第一和第二移位寄存器指定的獨(dú)立EPROM存儲(chǔ)器單元地址相關(guān)聯(lián)的EPROM存儲(chǔ)體。作為結(jié)果，本公開內(nèi)容的利用三維EPROM地址的例子可以在較多數(shù)量的EPROM存儲(chǔ)體中對(duì)EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址的同時(shí)，利用相比傳統(tǒng)方法而言較少的硅資產(chǎn)(例如，較少的移位寄存器，這是因?yàn)槊總€(gè)EPROM存儲(chǔ)體不需要對(duì)應(yīng)的移位寄存器來對(duì)其尋址)。
[0012]圖1示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備110的例子。打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備110可以集成到任何IPH設(shè)計(jì)中。例如，打印頭存儲(chǔ)器110可以是具有集成到墨盒中的打印頭的噴墨I(xiàn)PH的一部分。與打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備110相關(guān)聯(lián)的IPH可以包括例如外罩、墨室、與墨室進(jìn)行流體通信的多個(gè)入口和出口、多個(gè)放電電阻、各種電觸點(diǎn)以及控制器?？刂破骺梢园ù蛴☆^存儲(chǔ)器設(shè)備110。
[0013]打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備110可以包括多個(gè)移位寄存器112-1……112-N。雖然在圖1中示出了三個(gè)移位寄存器112-1……112-N，但是本發(fā)明并不限于此。例如，多個(gè)移位寄存器112-1……112-N可以是在可用硅資產(chǎn)的約束內(nèi)的任何數(shù)量的移位寄存器。
[0014]在一些例子中，多個(gè)移位寄存器112-1……112-N中的每個(gè)可以包括具有共享了公共時(shí)鐘的兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)的級(jí)聯(lián)觸發(fā)器電路。每個(gè)觸發(fā)器電路可以連接到級(jí)聯(lián)中的下一觸發(fā)器電路的數(shù)據(jù)輸入，這樣產(chǎn)生的電路通過在時(shí)鐘輸入的每次轉(zhuǎn)換時(shí)移入在其輸入處接收的數(shù)據(jù)以及移出存儲(chǔ)的比特陣列中的最末比特來對(duì)該陣列進(jìn)行移位。移位寄存器的每個(gè)觸發(fā)器電路可以稱為級(jí)。多個(gè)移位寄存器112-1……112-N可以包括任何數(shù)量的級(jí)。例如，移位寄存器可以包括如在圖1中描繪的8個(gè)級(jí)。
[0015]移位寄存器112-1……112-N可以是任何類型的移位寄存器。例如，多個(gè)移位寄存器112-1……112-N中的每個(gè)可以是串進(jìn)并出移位寄存器。
[0016]移位寄存器112-1……112-N可以經(jīng)由任何數(shù)量的輸入線路接受多個(gè)輸入信號(hào)(例如，選擇信號(hào)Sl-1……S4-N、數(shù)據(jù)信號(hào)Dl……D-N等)。選擇信號(hào)Sl-1……S4-N可以用以對(duì)接收選擇信號(hào)Sl-1……S4-N的移位寄存器112-1……112-N進(jìn)行預(yù)充電以及提前。例如，移位寄存器112-1可以通過重復(fù)地將選擇信號(hào)Sl-1……S4-N脈沖調(diào)制而被提前，其中，每次通過四個(gè)選擇信號(hào)Sl-1……S4-N進(jìn)行循環(huán)使得移位寄存器112-1提前一個(gè)級(jí)。選擇信號(hào)Sl-1……S4-N可以是獨(dú)立信號(hào)或者公共信號(hào)。例如，選擇信號(hào)Sl-1……S4-N可以是公共信號(hào)而不是不同的信號(hào)。對(duì)于選擇信號(hào)32-1、32-2、324、選擇信號(hào)33-1、33-2、334以及選擇信號(hào)S4-1、S4-2、S4-N同樣也是如此。
[0017]數(shù)據(jù)信號(hào)Dl……D-N可以用作啟動(dòng)信號(hào)并可以傳送EPROM存儲(chǔ)器單元的行和列地址。由信號(hào)Dl……D-N輸入的數(shù)據(jù)可以任意分配給移位寄存器112-1……112-N的任何移位寄存器，使得特定的移位寄存器112-1……112-N不限于接收特定類型的數(shù)據(jù)輸入。
[0018]多個(gè)移位寄存器112-1……112-N中的每個(gè)可以連接到多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N。任何數(shù)量的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N也是可以的。然而，打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備110的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N的數(shù)量可以受多個(gè)移位寄存器112-1……112-N以及移位寄存器112-1……112-N中的每個(gè)的級(jí)和周期的數(shù)量限制，這是因?yàn)閷?duì)多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N尋址包括具有充足的移位寄存器/移位寄存器級(jí)/移位寄存器周期以在多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N的存儲(chǔ)器單元之間進(jìn)行區(qū)分。
[0019]每個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N可以是可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元(例如，比特等)的陣列。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N可以是具有任何數(shù)量的獨(dú)立EPROM存儲(chǔ)器單元地址的任何尺寸的EPROM陣列。例如，邏輯上，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N可以是八行乘八列的形成64個(gè)獨(dú)立可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元的EPROM陣列?？蓪ぶ繁忍氐倪壿嫴贾煤蛿?shù)量可以受移位寄存器112-1……112-N中的每個(gè)的級(jí)和周期的數(shù)量限制，這是因?yàn)閷?duì)多個(gè)獨(dú)立可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元尋址包括具有充足的移位寄存器級(jí)/移位寄存器周期以在這多個(gè)獨(dú)立可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元間進(jìn)行區(qū)分。
[0020]每個(gè)移位寄存器112-1……112-N可以產(chǎn)生多個(gè)輸出(例如，行選擇信號(hào)(RS) 118、列選擇信號(hào)(CS)120、存儲(chǔ)體選擇信號(hào)(BS)122)。雖然圖1示出的信號(hào)RS 118,CS 120和BS122是從不同的移位寄存器112-1……112-N產(chǎn)生的，但是本公開內(nèi)容不限于此。一個(gè)以上的信號(hào)可以從多個(gè)移位寄存器112-1……112-N中的獨(dú)立移位寄存器產(chǎn)生。例如，如果存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N中的每個(gè)包括的EPROM陣列邏輯上包含八行乘八列的形成64個(gè)獨(dú)立可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元的EPROM陣列，并且每個(gè)移位寄存器112-1……112-N是16級(jí)的移位寄存器112-1……112-N，那么特定的移位寄存器(例如，移位寄存器112-1)可以產(chǎn)生信號(hào)RS118和CS 120兩者，當(dāng)所述二者與信號(hào)BS 122配對(duì)時(shí)，足以對(duì)所述陣列中的任何陣列的可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元的行和列進(jìn)行尋址。移位寄存器112-1……112-N的級(jí)的數(shù)量和可獨(dú)立尋址EPROM存儲(chǔ)器單元的數(shù)量之間的關(guān)系可以確定特定的移位寄存器(例如，移位寄存器112-1)可以產(chǎn)生多少信號(hào)。只要特定的移位寄存器(例如，移位寄存器112-1)包括足夠在一旦與信號(hào)BS 122配對(duì)時(shí)對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N的EPROM陣列的任何EPROM陣列的EPROM存儲(chǔ)器單元地址的列和行部分兩者進(jìn)行尋址的級(jí)，那么該特定的移位寄存器(例如，移位寄存器112-1)可以產(chǎn)生信號(hào)RS 118和CS 120兩者。
[0021]數(shù)據(jù)信號(hào)Dl可以用以產(chǎn)生RS信號(hào)118AS信號(hào)118可以標(biāo)識(shí)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N的EPROM陣列的任何EPROM陣列內(nèi)的可獨(dú)立尋址的EPROM存儲(chǔ)器單元的地址的邏輯行部分。RS信號(hào)118可以通過在特定的選擇信號(hào)Sl-1……S4-N的特定周期期間應(yīng)用數(shù)據(jù)信號(hào)Dl來產(chǎn)生。
[0022]數(shù)據(jù)信號(hào)D2可以用以產(chǎn)生CS信號(hào)120XS信號(hào)120可以標(biāo)識(shí)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N的EPROM陣列中的任何EPROM陣列內(nèi)的可獨(dú)立尋址的EPROM存儲(chǔ)器單元的地址的邏輯列部分。CS信號(hào)120可以通過在特定的選擇信號(hào)Sl-1……S4-N的特定周期期間在特定的移位寄存器112-2中應(yīng)用數(shù)據(jù)信號(hào)D2來產(chǎn)生。
[0023]數(shù)據(jù)信號(hào)D-N可以用以產(chǎn)生BS信號(hào)122AS信號(hào)122可以標(biāo)識(shí)多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N中的特定的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體，其中獨(dú)立可尋址的EPROM存儲(chǔ)器單元邏輯地或物理地位于該特定的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體中。當(dāng)BS信號(hào)122與RS信號(hào)118和CS信號(hào)120配對(duì)時(shí)，三維EPROM存儲(chǔ)器單元地址被指定。換句話說，RS信號(hào)118和CS信號(hào)120表示二維EPROM地址，其指定在對(duì)EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N中的任何EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體中的EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址時(shí)可適用的邏輯行(例如，RS信號(hào)118)和邏輯列(例如，CS 120) AS信號(hào)122向EPROM地址引入第三維度，其指定了RS信號(hào)118和CS信號(hào)120所尋址到的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N。在多個(gè)實(shí)施例，BS信號(hào)122可以指定多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N的單個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體。
[0024]替換地，BS信號(hào)122可以指定多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N中的一個(gè)以上的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體，以允許并行的三維EPROM尋址。例如，D-N可以在選擇信號(hào)SI……S4的多個(gè)周期期間應(yīng)用，以對(duì)所指定的多個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N中的一個(gè)以上的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的行和列進(jìn)行尋址。
[0025]RS信號(hào)118、CS信號(hào)120和BS信號(hào)122可以由對(duì)應(yīng)的晶體管輸入。例如，RS信號(hào)118可以由RS晶體管輸入、CS信號(hào)120可以由CS晶體管輸入，而BS信號(hào)122可以由BS晶體管輸入。RS、CS以及BS晶體管可以是NMOS晶體管。RS、CS以及BS晶體管可以以任何方式來布置，該任何方式允許產(chǎn)生三維EPROM地址。例如，BS晶體管可以與CS晶體管和RS晶體管以級(jí)聯(lián)/串聯(lián)方式連接。在另一例子中，BS晶體管可以連接到CS晶體管和RS晶體管的柵極。在又一例子中，BS晶體管可以通過額外的解碼器與CS晶體管和RS晶體管連接。
[0026]圖1的示例打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備110演示了三維存儲(chǔ)器尋址方案，其允許較少移位寄存器112-1……112-N利用較少的尋址周期來對(duì)相比于傳統(tǒng)方法而言更多的可尋址EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。例如，利用具有四個(gè)16級(jí)移位寄存器的傳統(tǒng)的直接尋址方法，僅可以對(duì)四個(gè)對(duì)應(yīng)的具有八乘八的存儲(chǔ)器單元EPROM存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體進(jìn)行尋址。換言之，傳統(tǒng)的直接尋址方法需要四個(gè)16級(jí)移位寄存器來對(duì)256個(gè)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。與傳統(tǒng)方法并列地，本公開內(nèi)容的一些例子會(huì)允許三個(gè)8級(jí)移位寄存器112-1……112-N針對(duì)具有八乘八的存儲(chǔ)器單元EPROM存儲(chǔ)器陣列的八個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體114-1……114-N產(chǎn)生三維EPROM存儲(chǔ)器單元地址。換言之，本公開內(nèi)容的例子允許三個(gè)8級(jí)移位寄存器112-1……112-N對(duì)512個(gè)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。本公開內(nèi)容可以允許較少的和/或較小的移位寄存器。在上面的例子中，有三個(gè)而不是四個(gè)移位寄存器，并且這三個(gè)移位寄存器是8級(jí)而不是16級(jí)，這在移位寄存器的數(shù)量和尺寸方面節(jié)省了空間。
[0027]圖2A和圖2B是用于EPROM的三維尋址方案的例子的示意圖。圖2A圖示了表格230，其演示了用于本公開內(nèi)容的EPROM的三維尋址方案的例子。表230由多個(gè)行和列組成，這多個(gè)行和列分別對(duì)應(yīng)于其應(yīng)用的信號(hào)和定時(shí)。在表230中，信號(hào)被示出為在“I”而不是“O”出現(xiàn)在表230矩陣時(shí)應(yīng)用。
[0028]表230的行S1、S2、S3和S4表示可以應(yīng)用到每個(gè)移位寄存器以對(duì)每個(gè)移位寄存器進(jìn)行預(yù)充電以及提前的選擇信號(hào)S1、S2、S3和S4。在表230中，選擇信號(hào)S1、S2、S3和S4不必是一個(gè)移位寄存器的選擇信號(hào)。換言之，選擇信號(hào)S1、S2、S3和S4可以象征應(yīng)用到正接受數(shù)據(jù)信號(hào)的移位寄存器中的任何移位寄存器的任何選擇信號(hào)。為了進(jìn)一步闡明，回看圖1，表230的SI可以表示選擇信號(hào)S1-1、S1-2、S1_3和/或Sl-Ν。另外，表230的S2、S3和S4可以分別表示:S2-1、S2-2、S2-3和/或S2-N; S3-1、S3-2、S3-3和/或S3-N ；以及S4-1、S4-2、S4-3和/或S4-N。相應(yīng)地，表230可以示出類似的選擇信號(hào)S1、S2、S3和S4被應(yīng)用以對(duì)多個(gè)不同的移位寄存器進(jìn)行預(yù)充電以及提前。
[0029]表230的每個(gè)列表示移位寄存器周期(例如，周期1、周期2、周期3、周期4、周期5、周期6、周期7、周期8)，其中，周期I是要進(jìn)行移入的第一周期。由于周期可以對(duì)應(yīng)于對(duì)選擇信號(hào)S1-S4的應(yīng)用，所以表230的每個(gè)周期對(duì)應(yīng)于對(duì)選擇信號(hào)S1、S2、S3和S4的四次應(yīng)用。因此，每個(gè)周期對(duì)應(yīng)于八個(gè)編號(hào)類似的周期列，其中在這八個(gè)編號(hào)類似的周期列上應(yīng)用了行S1、S2、S3和S4的選擇信號(hào)。
[0030]表230還示出了行D1(RS)、D2(CS)以及D3(BS)的數(shù)據(jù)信號(hào)。行Dl(RS)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以對(duì)應(yīng)于對(duì)用于EPROM的三維地址的行進(jìn)行指定的數(shù)據(jù)信號(hào)Dl，行D2(CS)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以對(duì)應(yīng)于對(duì)用于EPROM的三維地址的列進(jìn)行指定的數(shù)據(jù)信號(hào)D2，行D3(BS)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以對(duì)應(yīng)于與EPROM的三維地址的存儲(chǔ)體相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)D3。如上所述，在行Dl (RS)、D2(CS)以及D3(BS)中示出的數(shù)據(jù)信號(hào)D1、數(shù)據(jù)信號(hào)D2以及數(shù)據(jù)信號(hào)D3可以是在不同的移位寄存器中應(yīng)用的數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0031]總而言之，表230示出了應(yīng)用前述信號(hào)(例如，如在表230的地址行中輸出的RS2、CS3、BSI)以提供用于EPROM的三維地址的定時(shí)。例如，表230示出了數(shù)據(jù)信號(hào)DI可以在與8級(jí)移位寄存器的S2對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)的第七周期期間應(yīng)用。當(dāng)在此時(shí)間應(yīng)用時(shí)，Dl產(chǎn)生意味著行選擇2(RS2)的行選擇(RS)信號(hào)232。進(jìn)一步在表230中示出地，數(shù)據(jù)信號(hào)D2可以在移位寄存器的選擇信號(hào)S2的第六周期期間應(yīng)用，以產(chǎn)生意味著列選擇3(CS3)的列選擇(CS)信號(hào)234。表230還示出了數(shù)據(jù)信號(hào)D3可以在移位寄存器的選擇信號(hào)S2的第八周期期間應(yīng)用，以產(chǎn)生意味著存儲(chǔ)體選擇I(BSl)的存儲(chǔ)體選擇(BS)信號(hào)236。當(dāng)被合并時(shí)，RS、CS以及BS信號(hào)指定用于EPR0M存儲(chǔ)器單元的三維地址。在圖2A的例子中，三維地址是RS2、CS3、BS1，用于對(duì)第一 EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的第三列的第二行的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。
[0032]圖2B示出了表240，其演示了用于本公開內(nèi)容的EPROM的三維并行尋址方案的例子。表240由多個(gè)行和列組成，這多個(gè)行和列分別對(duì)應(yīng)于其應(yīng)用的信號(hào)和定時(shí)。如與表230那樣，信號(hào)被示出為被應(yīng)用在“I”而不是“O”出現(xiàn)在表240矩陣時(shí)。除了以并行尋址方案實(shí)現(xiàn)夕卜，表240的行和列示出了表230的相同基本原理。表240的并行尋址方案可以通過額外應(yīng)用數(shù)據(jù)信號(hào)D3來實(shí)現(xiàn)。通過在額外的時(shí)間應(yīng)用數(shù)據(jù)信號(hào)D3，與由兩個(gè)BS信號(hào)246-1和246-2指定的兩個(gè)EPROM存儲(chǔ)體并行地，可應(yīng)用RS信號(hào)242和CS信號(hào)244。
[0033]例如，表240示出了應(yīng)用前述信號(hào)(例如，如在表240的地址行中輸出的RS2、CS3、BSl以及RS2、CS3、BS2)以提供用于EPROM的三維地址的定時(shí)。例如，表240示出了數(shù)據(jù)信號(hào)Dl可以在與8級(jí)移位寄存器的S2對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)的第七周期期間應(yīng)用。當(dāng)在此時(shí)間應(yīng)用時(shí)，Dl產(chǎn)生意味著行選擇2(RS2)的行選擇(RS)信號(hào)242。進(jìn)一步在表240中示出地，數(shù)據(jù)信號(hào)D2可以在移位寄存器的選擇信號(hào)S2的第六周期期間應(yīng)用，以產(chǎn)生意味著列選擇3(CS3)的列選擇(CS)信號(hào)244。表240還示出了數(shù)據(jù)信號(hào)D3可以在移位寄存器240的選擇信號(hào)S2的第七和第八周期兩者期間應(yīng)用，以產(chǎn)生分別意味著存儲(chǔ)體選擇I (BSl)和存儲(chǔ)體選擇2(BS2)的兩個(gè)BS信號(hào)246-1和246-2。當(dāng)被合并時(shí)，RS、CS以及BS信號(hào)指定用于EPROM的并行三維存儲(chǔ)器單元地址。在圖28的例子中，三維地址是1^2、053、851以及1?2、053、852。1?2、053、851要對(duì)第一EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的第三列的第二行的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。RS2、CS3、BS2要對(duì)第二EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的第三列的第二行的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。用于在表240中示出的EPROM的三維并行尋址方案是存儲(chǔ)體間并行讀取方案。換言之，用于在表240中示出的EPROM的三維并行尋址方案同時(shí)對(duì)不同的EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體間的行和列進(jìn)行尋址。另一替代方案(未示出)是存儲(chǔ)體內(nèi)并行尋址方案。在存儲(chǔ)體內(nèi)并行尋址方案中，Dl和/或D2信號(hào)可以應(yīng)用多次以產(chǎn)生多個(gè)RS和/或CS信號(hào)。因此，存儲(chǔ)體內(nèi)并行尋址方案可以同時(shí)對(duì)同一 EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的多個(gè)行和/或列進(jìn)行尋址。
[0034]本公開內(nèi)容的例子可以包括用于打印設(shè)備上的EPROM的三維尋址的系統(tǒng)。這種系統(tǒng)可以包括多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體。這些EPROM存儲(chǔ)體可以位于打印設(shè)備上。例如，這些EPROM存儲(chǔ)體可以位于集成打印頭上。這些EPROM存儲(chǔ)體中的每個(gè)都可以是EPROM存儲(chǔ)器陣列。EPROM存儲(chǔ)器陣列可以是被組織成行和列的EPROM存儲(chǔ)器單元的陣列。
[0035]該系統(tǒng)可以包括多個(gè)移位寄存器。這多個(gè)移位寄存器可以是串進(jìn)并出移位寄存器。換言之，數(shù)據(jù)串可以串行輸入到移位寄存器，但以并行格式輸出到多個(gè)輸出端。例如，經(jīng)由單個(gè)物理輸入端(例如，一條線纜)接收的串行輸入的數(shù)據(jù)可以經(jīng)由多個(gè)物理輸出端(例如，多條線纜)輸出以同時(shí)對(duì)移位寄存器連接到的多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體進(jìn)行尋址。
[0036]該系統(tǒng)的移位寄存器中的每個(gè)移位寄存器可以同步到其對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)。換言之，被輸入到移位寄存器以對(duì)移位寄存器進(jìn)行預(yù)充電并對(duì)移位寄存器進(jìn)行提前的選擇信號(hào)可以包括時(shí)鐘脈沖，該時(shí)鐘脈沖確定移位寄存器的每次移位發(fā)生的時(shí)間。例如，可以有四個(gè)重復(fù)的選擇信號(hào)(例如，S1、S2、S3和S4)用作時(shí)鐘脈沖。一組四個(gè)選擇信號(hào)可以是用于移位寄存器的一個(gè)時(shí)鐘周期(clock cycle)。在本公開內(nèi)容的例子中，移位寄存器可以在移入數(shù)據(jù)以產(chǎn)生RS、CS和BS信號(hào)時(shí)利用時(shí)鐘周期。與移位寄存器相關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘周期的數(shù)量可以確定EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的數(shù)量以及每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體的EPROM存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。例如，EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的數(shù)量可以等于與產(chǎn)生BS信號(hào)的移位寄存器相關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘周期的數(shù)量，這是因?yàn)槊總€(gè)時(shí)鐘周期可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的一個(gè)EPROM存儲(chǔ)體。額外地，每個(gè)EPROM存儲(chǔ)器陣列中的EPROM存儲(chǔ)器單元的行數(shù)和列數(shù)可以等于與指定CS和/或RS信號(hào)的移位寄存器相關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘周期的數(shù)量，這是因?yàn)槊總€(gè)時(shí)鐘周期可以對(duì)應(yīng)于EPROM存儲(chǔ)器陣列的行和/或列名稱中的一個(gè)。
[0037]該系統(tǒng)可以包括行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以指定用于EPROM的三維地址的行部分。例如，行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以包括對(duì)EPROM存儲(chǔ)器陣列內(nèi)由用于EPROM的三維地址尋址的EPROM存儲(chǔ)器單元的行的指示。行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)移位寄存器中的第一移位寄存器。例如，行選擇信號(hào)可以作為數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到第一移位寄存器中，并且可以基于數(shù)據(jù)信號(hào)何時(shí)適用于多個(gè)選擇信號(hào)來指定用于EPROM的三維地址的行部分。
[0038]該系統(tǒng)還可以包括列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以指定用于EPROM的三維地址的行部分。例如，列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以包括對(duì)EPROM存儲(chǔ)器陣列內(nèi)由用于EPROM的三維地址尋址的EPROM存儲(chǔ)器單元的列的指示。列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)移位寄存器中的第二移位寄存器。例如，列選擇信號(hào)可以作為數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到第二移位寄存器中，并且可以基于數(shù)據(jù)信號(hào)何時(shí)適用于多個(gè)選擇信號(hào)來指定用于EPROM的三維地址的行部分。
[0039]在該系統(tǒng)中可以包括的存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)指定用于EPROM的三維地址尋址的EPROM存儲(chǔ)體部分。例如，存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以包括對(duì)多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的、列選擇信號(hào)的列和行選擇信號(hào)的行對(duì)其進(jìn)行尋址的EPROM存儲(chǔ)體的指示。存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)移位寄存器中的第三移位寄存器。例如，存儲(chǔ)體選擇信號(hào)可以作為數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到第三移位寄存器中，并且可以基于數(shù)據(jù)信號(hào)何時(shí)適用于多個(gè)選擇信號(hào)來指定用于EPROM的三維地址的行部分。
[0040]圖3示出了用于對(duì)集成打印頭的EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行三維尋址的方法370的例子的流程圖。在372處，方法370可以包括接收多個(gè)移位寄存器處的多個(gè)輸入信號(hào)，其中，多個(gè)輸入信號(hào)可以包括選擇信號(hào)以及數(shù)據(jù)信號(hào)，選擇信號(hào)用以對(duì)多個(gè)移位寄存器中的移位寄存器進(jìn)行預(yù)充電以及提前。移位寄存器中的每個(gè)都可以連接到多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體。例如，每個(gè)移位寄存器可以與多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體進(jìn)行通信，使得其可以發(fā)送和/或接收來自EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體中的每個(gè)EPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)體的數(shù)據(jù)。
[0041]在374處，方法370可以包括在多個(gè)移位寄存器中的第一移位寄存器處產(chǎn)生行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其用于指定三維EPROM地址的行部分。
[0042]在376處，方法370可以包括在多個(gè)移位寄存器中的第二移位寄存器處產(chǎn)生列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其用于指定三維EPROM地址的列部分。
[0043]在378處，方法370可以包括在多個(gè)移位寄存器中的移位寄存器處產(chǎn)生存儲(chǔ)體選擇信號(hào)，其用于指定多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的與行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)和列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)聯(lián)的EPROM存儲(chǔ)體。
[0044]在380處，方法370可以包括基于行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)、列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以及存儲(chǔ)體選擇信號(hào)以三個(gè)維度來對(duì)獨(dú)立EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。三維EPROM存儲(chǔ)器單元地址可以在多個(gè)移位寄存器的八個(gè)周期內(nèi)產(chǎn)生。例如，多個(gè)移位寄存器可以在接收數(shù)據(jù)信號(hào)的移位寄存器的八個(gè)周期內(nèi)產(chǎn)生行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)、列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以及存儲(chǔ)體選擇信號(hào)。
[0045]在本公開內(nèi)容的詳細(xì)描述中，參照了構(gòu)成其一部分的附圖，并且在該附圖中，通過圖示方式示出了可以如何實(shí)踐本公開內(nèi)容的例子。足夠詳細(xì)地描述了這些例子，以使得本領(lǐng)域那些普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本公開內(nèi)容的例子，并且應(yīng)當(dāng)理解地是，在不脫離本公開內(nèi)容的范圍的情況下可以使用其它例子，并且可以進(jìn)行過程上的、電氣上的和/或結(jié)構(gòu)上的改變。
[0046]此外，在附圖中提供的元件的比例和相對(duì)縮放旨在示出本公開內(nèi)容的例子，而不應(yīng)當(dāng)視作是為了進(jìn)行限制。如本文使用地，指示標(biāo)記“N”(特別參照附圖中的附圖標(biāo)記)表明多個(gè)如此指定的特定特征可以包括在本公開內(nèi)容的多個(gè)例子中。如本文使用地，“一個(gè)”或“多個(gè)”某物可以指一個(gè)或多個(gè)這種事物。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種打印頭存儲(chǔ)器設(shè)備，包括: 集成打印頭上的多個(gè)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)存儲(chǔ)體，每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體包括EPROM存儲(chǔ)器陣列；以及 多個(gè)移位寄存器，每個(gè)移位寄存器連接到所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體，以產(chǎn)生三維EPROM地址，包括: 行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其指定所述三維EPROM地址的行部分， 列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其指定所述三維EPROM地址的列部分，以及 存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其指定所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的與所述行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)和所述列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)聯(lián)的EPROM存儲(chǔ)體。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)指定所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中與所述行選擇數(shù)據(jù)和所述列選擇數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的一個(gè)以上的EPROM存儲(chǔ)體，以產(chǎn)生并行的三維EPROM地址。3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)是由所述多個(gè)移位寄存器中的第一移位寄存器產(chǎn)生的，所述列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)是由多個(gè)移位寄存器中的所述第一移位寄存器產(chǎn)生的，以及所述存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)是由所述多個(gè)移位寄存器中的第二移位寄存器產(chǎn)生的。4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)是由所述多個(gè)移位寄存器中的第一移位寄存器產(chǎn)生的，所述列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)是由多個(gè)移位寄存器中的第二移位寄存器產(chǎn)生的，以及所述存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)是由所述多個(gè)移位寄存器中的第三移位寄存器產(chǎn)生的。5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)移位寄存器中的每個(gè)移位寄存器接受多個(gè)輸入，所述多個(gè)輸入包括對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)和多個(gè)對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)。6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的移位寄存器并指定所述三維EPROM地址的所述行部分和所述列部分。7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)對(duì)對(duì)應(yīng)的移位寄存器進(jìn)行預(yù)充電以及提前。8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，在通過所述對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)中的四個(gè)進(jìn)行循環(huán)后，所述對(duì)應(yīng)的移位寄存器被提前一個(gè)級(jí)。9.一種系統(tǒng)，包括: 打印設(shè)備上的多個(gè)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)存儲(chǔ)體，每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體包括EPROM存儲(chǔ)器陣列； 多個(gè)移位寄存器，其具有串行的數(shù)據(jù)輸入以及多個(gè)并行輸出，其中，所述多個(gè)移位寄存器中的每個(gè)移位寄存器連接到所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體； 行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)移位寄存器中的第一移位寄存器，用以指定三維EPROM地址的行部分； 列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)移位寄存器中的第二移位寄存器，用以指定所述三維EPROM地址的列部分； 存儲(chǔ)體選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，其對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)移位寄存器中的第三移位寄存器，用以指定所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的EPROM存儲(chǔ)體作為所述三維EPROM地址的一部分。10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)移位寄存器中的每個(gè)移位寄存器同步到具有四個(gè)重復(fù)的選擇信號(hào)的對(duì)應(yīng)組，具有所述四個(gè)重復(fù)的選擇信號(hào)的對(duì)應(yīng)組累計(jì)表示多個(gè)時(shí)鐘周期中的與對(duì)應(yīng)的移位寄存器相關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘周期。11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)存儲(chǔ)體的數(shù)量是通過與對(duì)應(yīng)的移位寄存器相關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘周期的數(shù)量確定的。12.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體的所述EPROM陣列的存儲(chǔ)器單元的行數(shù)和列數(shù)是通過與對(duì)應(yīng)的移位寄存器相關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘周期的數(shù)量確定的。13.—種用于對(duì)集成打印頭的可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行三維尋址的方法，包括: 接收多個(gè)移位寄存器處的多個(gè)輸入信號(hào)，其中，所述多個(gè)輸入信號(hào)包括選擇信號(hào)以及數(shù)據(jù)信號(hào)，所述選擇信號(hào)用以對(duì)所述多個(gè)移位寄存器的移位寄存器進(jìn)行預(yù)充電以及提前； 在所述多個(gè)移位寄存器中的第一移位寄存器處產(chǎn)生行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，所述行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)指定三維EPROM地址的行部分； 在所述多個(gè)移位寄存器中的第二移位寄存器處產(chǎn)生列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)，所述列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)指定所述三維EPROM地址的列部分； 在所述多個(gè)移位寄存器中的移位寄存器處產(chǎn)生存儲(chǔ)體選擇信號(hào)，所述存儲(chǔ)體選擇信號(hào)指定多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的與所述行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)和所述列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)聯(lián)的EPROM存儲(chǔ)體；以及 基于所述行選擇數(shù)據(jù)信號(hào)、所述列選擇數(shù)據(jù)信號(hào)以及所述存儲(chǔ)體選擇信號(hào)，以三個(gè)維度對(duì)獨(dú)立EPROM存儲(chǔ)器單元進(jìn)行尋址。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述多個(gè)移位寄存器中的每個(gè)移位寄存器連接到所述多個(gè)EPROM存儲(chǔ)體中的每個(gè)EPROM存儲(chǔ)體。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述方法包括利用所述多個(gè)移位寄存器的八個(gè)周期來產(chǎn)生一個(gè)三維EPROM地址。
【文檔編號(hào)】G11C16/08GK105940454SQ201480074342
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2014年1月31日
【發(fā)明人】B·B·吳, H·R·戈伊
【申請(qǐng)人】惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)