存儲(chǔ)單元也可以組合成存儲(chǔ)器陣列，其編程運(yùn)作與讀取運(yùn)作與第三實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0152]由以上的說(shuō)明可知，本發(fā)明細(xì)提出OTP存儲(chǔ)器及其相關(guān)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。其可將二存儲(chǔ)單元制作的非常靠近，并且仍舊可以正常操作存儲(chǔ)單元。
[0153]再者，由于本發(fā)明OTP存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元之間距離非常的短，可以有效的提高存儲(chǔ)單元的密度，增加OTP存儲(chǔ)器的容量。
[0154]再者，上述實(shí)施例中皆以P型基板以及N型摻雜區(qū)域所組成的N型晶體管來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，在此領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)然也可以利用N型基板以及P型摻雜區(qū)所形成的P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。再者，于實(shí)際的運(yùn)用上，P型基板可以由P型阱區(qū)域(P-well reg1n)來(lái)取代，同樣也可以達(dá)到發(fā)明的成效。
[0155]再者，上述的四個(gè)實(shí)施例皆以相鄰的二個(gè)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。然而，在此領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)然也可以僅制作一個(gè)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，并組合成OTP存儲(chǔ)器陣列。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)一個(gè)鰭狀晶體管作為開(kāi)關(guān)晶體管，并且串接一儲(chǔ)存晶體管形成一存儲(chǔ)單元，并利用多個(gè)存儲(chǔ)單元的連接形成OTP存儲(chǔ)器陣列。
[0156]綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種一次編程存儲(chǔ)器,包括: 一第一型區(qū)域； 一鰭狀結(jié)構(gòu)，凸出于該第一型區(qū)域，且該鰭狀結(jié)構(gòu)中具有一第一第二型摻雜區(qū)域、一第二第二型摻雜區(qū)域； 一第一柵極結(jié)構(gòu)，形成于該鰭狀結(jié)構(gòu)上且位于該第一第二型摻雜區(qū)域與該第二第二型摻雜區(qū)域之間，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面；以及 一第二柵極結(jié)構(gòu)，形成于該鰭狀結(jié)構(gòu)上且位于該第二第二型摻雜區(qū)域的一側(cè)，其中該第二柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面； 其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第一第二型摻雜區(qū)域、該第二第二型摻雜區(qū)域與該第一柵極結(jié)構(gòu)形成一第一存儲(chǔ)單元中的一第一開(kāi)關(guān)晶體管；該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第二第二型摻雜區(qū)域與該第二柵極結(jié)構(gòu)形成該第一存儲(chǔ)單元中的一第一儲(chǔ)存晶體管，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至一第一字元線，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至一第一位元線，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第一儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第一儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第一儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至一第一控制線。2.根據(jù)權(quán)利要求1的一次編程存儲(chǔ)器，其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)中具有一第三第二型摻雜區(qū)域、一第四第二型摻雜區(qū)域，且該一次編程存儲(chǔ)器還包括: 一第三柵極結(jié)構(gòu)，形成于該鰭狀結(jié)構(gòu)上且位于該第三第二型摻雜區(qū)域與該第四第二型摻雜區(qū)域之間，其中該第三柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面；以及 一第四柵極結(jié)構(gòu)，形成于該鰭狀結(jié)構(gòu)上且位于該第四第二型摻雜區(qū)域的一側(cè)，其中該第四柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面； 其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第三第二型摻雜區(qū)域、該第四第二型摻雜區(qū)域與該第三柵極結(jié)構(gòu)形成一第二存儲(chǔ)單元中的一第二開(kāi)關(guān)晶體管；該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第四第二型摻雜區(qū)域與該第四柵極結(jié)構(gòu)形成該第二存儲(chǔ)單元中的一第二儲(chǔ)存晶體管，該第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至一第二字元線，該第二開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至該第一位元線，該第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第二儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第二儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第二儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至一第二控制線。3.根據(jù)權(quán)利要求2的一次編程存儲(chǔ)器，還包括: 一第三存儲(chǔ)單元，包括一第三開(kāi)關(guān)晶體管與一第三儲(chǔ)存晶體管，其中該第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至該第一字元線，該第三開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至一第二位元線，該第三開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第三儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第三儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第三儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至該第一控制線；以及 一第四存儲(chǔ)單元，包括一第四開(kāi)關(guān)晶體管與一第四儲(chǔ)存晶體管，其中該第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至該第二字元線，該第四開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至該第二位元線，該第四開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第四儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第四儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第四儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至該第二控制線。4.根據(jù)權(quán)利要求2的一次編程存儲(chǔ)器，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)，包括一第一柵極氧化層覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面、一第一柵極層覆蓋于該第一柵極氧化層上、與一第一間隔件形成于該第一柵極層的側(cè)壁；該第二柵極結(jié)構(gòu)，包括一第二柵極氧化層覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面、一第二柵極層覆蓋于該第二柵極氧化層上、與一第二間隔件形成于該第二柵極層的側(cè)壁；該第三柵極結(jié)構(gòu)，包括一第三柵極氧化層覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面、一第三柵極層覆蓋于該第二柵極氧化層上、與一第三間隔件形成于該第三柵極層的側(cè)壁；以及該第四柵極結(jié)構(gòu)，包括一第四柵極氧化層覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)的上方以及二側(cè)表面、一第四柵極層覆蓋于該第四柵極氧化層上、與一第四間隔件形成于該第四柵極層的側(cè)壁。5.根據(jù)權(quán)利要求4的一次編程存儲(chǔ)器，其中該第二間隔件與該第四間隔件彼此重疊。6.根據(jù)權(quán)利要求5的一次編程存儲(chǔ)器，其中重疊的該第二間隔件與該第四間隔件的寬度小于三倍該第二柵極結(jié)構(gòu)的寬度。7.根據(jù)權(quán)利要求2的一次編程存儲(chǔ)器，其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)中該第二第二型摻雜區(qū)域與該第四第二型摻雜區(qū)域之間為一第一型半導(dǎo)體。8.根據(jù)權(quán)利要求7的一次編程存儲(chǔ)器，其中該第二柵極結(jié)構(gòu)與該第四柵極結(jié)構(gòu)之間的該鰭狀結(jié)構(gòu)為一第一型重?fù)诫s區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求1的一次編程存儲(chǔ)器，其中于一編程運(yùn)算時(shí)，開(kāi)啟該第一開(kāi)關(guān)晶體管且在該第一控制線與該第一位兀線之間提供一第一編程電壓，以破壞該第一儲(chǔ)存晶體管的該第二柵極結(jié)構(gòu)，使得該第一存儲(chǔ)單元記錄一第一儲(chǔ)存狀態(tài)；或者，開(kāi)啟該第一開(kāi)關(guān)晶體管且在該第一控制線與該第一位元線之間提供一第二編程電壓，以維持該第一儲(chǔ)存晶體管的該第二柵極結(jié)構(gòu)，使得該第一存儲(chǔ)單元記錄一第二儲(chǔ)存狀態(tài)。10.根據(jù)權(quán)利要求9的一次編程存儲(chǔ)器，其中于一讀取運(yùn)算時(shí)，開(kāi)啟該第一開(kāi)關(guān)晶體管且在該第一控制線與該第一位兀線之間提供一讀取電壓，使得該第一存儲(chǔ)單兀產(chǎn)生一存儲(chǔ)單元電流，用以判斷該第一存儲(chǔ)單元為該第一儲(chǔ)存狀態(tài)或者該第二儲(chǔ)存狀態(tài)。11.根據(jù)權(quán)利要求1的一次編程存儲(chǔ)器，其中該第一型區(qū)域?yàn)橐坏谝恍突寤蛘咭坏谝恍挖鍏^(qū)域。12.—種一次編程存儲(chǔ)器,包括: 一第一型區(qū)域； 一鰭狀結(jié)構(gòu)凸出于該第一型區(qū)域，且該鰭狀結(jié)構(gòu)中具有一第一第二型摻雜區(qū)域；以及 一第一柵極結(jié)構(gòu)位于該鰭狀結(jié)構(gòu)中該第一第二型摻雜區(qū)域的一側(cè)，且該第一柵極結(jié)構(gòu)包括一第一柵極氧化層覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)上方以及二側(cè)表面、一第一柵極層覆蓋于該第一柵極氧化層上、與一第一間隔件形成于該第一柵極層的側(cè)壁； 其中，該第一柵極氧化層包括一第一部分第一柵極氧化層與一第二部分第一柵極氧化層，且該第二部分第一柵極氧化層薄于該第一部分第一柵極氧化層； 其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第一第二型摻雜區(qū)域、該第一部分第一柵極氧化層與該第一柵極層形成一第一存儲(chǔ)單元中的一第一開(kāi)關(guān)晶體管；該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第二部分第一柵極氧化層與該第一柵極層形成該第一存儲(chǔ)單元中的一第一儲(chǔ)存晶體管，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至一第一字元線，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至一第一位元線，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第一儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第一儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第一儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至該第一字元線。13.根據(jù)權(quán)利要求12的一次編程存儲(chǔ)器，其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)中具有一第二第二型摻雜區(qū)域，且該一次編程存儲(chǔ)器還包括: 一第二柵極結(jié)構(gòu)位于該鰭狀結(jié)構(gòu)中該第二第二型摻雜區(qū)域的一側(cè)，且該第二柵極結(jié)構(gòu)包括一第二柵極氧化層覆蓋于該鰭狀結(jié)構(gòu)上方以及二側(cè)表面、一第二柵極層覆蓋于該第二柵極氧化層上、與一第二間隔件形成于該第二柵極層的側(cè)壁； 其中，該第二柵極氧化層包括一第一部分第二柵極氧化層與一第二部分第二柵極氧化層，且該第二部分第二柵極氧化層薄于該第一部分第二柵極氧化層； 其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第二第二型摻雜區(qū)域、該第一部分第二柵極氧化層與該第二柵極層形成一第二存儲(chǔ)單元中的一第二開(kāi)關(guān)晶體管；該鰭狀結(jié)構(gòu)、該第二部分第二柵極氧化層與該第二柵極層形成該第二存儲(chǔ)單元中的一第二儲(chǔ)存晶體管，該第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至一第二字元線，該第二開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至該第一位元線，該第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第二儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第二儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第二儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至該第二字元線。14.根據(jù)權(quán)利要求13的一次編程存儲(chǔ)器，還包括: 一第三存儲(chǔ)單元，包括一第三開(kāi)關(guān)晶體管與一第三儲(chǔ)存晶體管，其中該第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至該第一字元線，該第三開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至一第二位元線，該第三開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第三儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第三儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第三儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至該第一字元線；以及 一第四存儲(chǔ)單元，包括一第四開(kāi)關(guān)晶體管與一第四儲(chǔ)存晶體管，其中該第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端連接至該第二字元線，該第四開(kāi)關(guān)晶體管的第一漏/源端連接至該第二位元線，該第四開(kāi)關(guān)晶體管的第二漏/源端連接至該第四儲(chǔ)存晶體管的第一漏/源端，該第四儲(chǔ)存晶體管的第二漏/源端為浮接，該第四儲(chǔ)存晶體管的柵極端連接至該第二字元線。15.根據(jù)權(quán)利要求13的一次編程存儲(chǔ)器，其中該第一間隔件與該第二間隔件彼此重疊。16.根據(jù)權(quán)利要求15的一次編程存儲(chǔ)器，其中重疊的該第一間隔件與該第二間隔件的寬度小于三倍該第二柵極結(jié)構(gòu)的寬度。17.根據(jù)權(quán)利要求13的一次編程存儲(chǔ)器，其中，該鰭狀結(jié)構(gòu)中該第一第二型摻雜區(qū)域與該第二第二型摻雜區(qū)域之間為一第一型半導(dǎo)體。18.根據(jù)權(quán)利要求17的一次編程存儲(chǔ)器，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)與該第二柵極結(jié)構(gòu)之間的該鰭狀結(jié)構(gòu)為一第一型重?fù)诫s區(qū)域。19.根據(jù)權(quán)利要求12的一次編程存儲(chǔ)器，其中于一編程運(yùn)算時(shí)，開(kāi)啟該第一開(kāi)關(guān)晶體管且在該第一控制線與該第一位兀線之間提供一第一編程電壓，以破壞該第一儲(chǔ)存晶體管的該第二部分第一柵極氧化層，使得該第一存儲(chǔ)單元記錄一第一儲(chǔ)存狀態(tài)；或者，開(kāi)啟該第一開(kāi)關(guān)晶體管且在該第一控制線與該第一位元線之間提供一第二編程電壓，以維持該第一儲(chǔ)存晶體管的該第二部分第一柵極氧化層，使得該第一存儲(chǔ)單元記錄一第二儲(chǔ)存狀態(tài)。20.如根據(jù)權(quán)利要求19的一次編程存儲(chǔ)器，其中于一讀取運(yùn)算時(shí)，開(kāi)啟該第一開(kāi)關(guān)晶體管且在該第一字元線與該第一位元線之間提供一讀取電壓，使得該第一存儲(chǔ)單元產(chǎn)生一存儲(chǔ)單元電流，用以判斷該第一存儲(chǔ)單元為該第一儲(chǔ)存狀態(tài)或者該第二儲(chǔ)存狀態(tài)。21.根據(jù)權(quán)利要求12的一次編程存儲(chǔ)器,其中該第一型區(qū)域?yàn)橐坏谝恍突寤蛘咭坏谝恍挖鍏^(qū)域。
【專利摘要】一次編程存儲(chǔ)器，包括一第一存儲(chǔ)單元與一第二存儲(chǔ)單元。其中，第一存儲(chǔ)單元中包括一第一儲(chǔ)存晶體管，第二存儲(chǔ)單元中包括一第二儲(chǔ)存晶體管。第一儲(chǔ)存晶體管中的柵極結(jié)構(gòu)與第二儲(chǔ)存晶體管中的柵極結(jié)構(gòu)之間的距離很短，并且其間隔件彼此重疊。如此，可以制造出高容量的一次編程存儲(chǔ)器。
【IPC分類】G11C17/16
【公開(kāi)號(hào)】CN104979013
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410176024
【發(fā)明人】林崇榮
【申請(qǐng)人】林崇榮
【公開(kāi)日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2014年4月28日