技術編號：9260488
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及于一種存儲器，且特別涉及具有鰭式場效晶體管(Fin FET)的一次編程存儲器及其相關存儲單元結構。背景技術眾所周知，非易失性存儲器在斷電之后仍舊可以保存其資料內容。一般來說，當非易失性存儲器制造完成并出廠后，使用者即可以編程(program)非易失性存儲器，進而將資料記錄在非易失性存儲器中。而根據(jù)編程的次數(shù)，非易失性存儲器可進一步區(qū)分為多次編程存儲器(mult1-time programming memory,簡稱MTP存儲器)，或者一次編程存儲...
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