專利名稱：：熱粗糙檢測方法,熱粗糙消除方法,磁盤裝置及其重試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及熱粗糙(thermalasperity)檢測方法，熱粗糙消除方法，磁盤裝置及其重試方法，更具體地說，涉及一種檢測磁盤裝置中的熱粗糙的方法，消除所述熱粗糙的方法，具有用于檢測并消除所述熱粗糙的裝置的磁盤裝置，和通過檢測磁盤裝置中的熱粗糙進(jìn)行重試的重試方法。近來，已經(jīng)提供了具有磁阻效應(yīng)型(MR)磁頭的磁盤裝置，其中使用磁阻(MR)元件。此外，隨著磁盤記錄密度的增加，MR磁頭和磁盤之間的浮動距離變小。因此，MR磁頭可能和在磁盤上不可避免地存在的缺陷，即磁盤上的凸起相碰撞。當(dāng)MR磁頭和磁盤上的這種凸起碰撞時，由于摩擦便產(chǎn)生熱，并使由MR磁頭從磁盤上再現(xiàn)的信號波形由于所產(chǎn)生的熱而波動。這種現(xiàn)象被叫作“熱粗糙”。在近年來磁盤裝置的存儲容量不斷增加，而增加的存儲容量主要是由于磁盤的記錄密度的增加。為了增加磁盤的記錄密度，一種方法是增加磁盤徑向的數(shù)據(jù)磁道數(shù)量，另一種方法是增加磁盤周向的記錄密度。MR磁頭適用于利用后一種方法增加記錄密度的磁盤。此外，為了進(jìn)一步增加記錄密度，有一種方法是減小MR磁頭和磁盤表面之間的浮動距離，從而使MR磁頭輸出的信噪(S/N)比增加。MR磁頭具有這樣一種特性，即其電阻根據(jù)外部磁場的改變而改變。因此，MR磁頭利用它的這一特性，通過對其MR元件加一恒定電流而以電壓信號的形式讀出磁盤上的磁化。此外，不象感應(yīng)性磁頭，MR磁頭即使在磁盤以低速旋轉(zhuǎn)時也能容易地讀出信號，因而MR磁頭適合用于既要增加存儲容量又要減小磁盤裝置的體積的磁盤裝置中。然而，為了增加磁盤的記錄密度而減小MR磁頭和磁盤表面之間的浮動距離時，MR磁頭便和在磁盤上不可避免地存在的缺陷即磁盤上的凸起相碰撞。當(dāng)MR磁頭撞擊這種凸起時，MR元件的熱阻改變，即由于摩擦而產(chǎn)生的熱使熱阻增加。當(dāng)MR元件的熱阻增加時，由MR磁頭從磁盤上再現(xiàn)的信號波形便波動，因而引起熱粗糙。更具體地說，當(dāng)熱粗糙發(fā)生時，在從磁盤再現(xiàn)的信號波形的直流分量中便產(chǎn)生一個突然的變化，因而不能正確地再現(xiàn)磁盤上記錄的數(shù)據(jù)。在常規(guī)情況下，提出的用于抑制不希望的熱粗糙的影響的方法是，檢測熱粗糙，并增加在數(shù)據(jù)讀出部分內(nèi)的模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器的輸入動態(tài)范圍。按照這種常規(guī)的方法，在數(shù)據(jù)讀出部分內(nèi)的鎖相環(huán)(PLL)和自動增益控制(AGC)環(huán)的操作被固定，并增加數(shù)據(jù)讀出部分輸入端的交流耦合的截止頻率。這種方法例如在日本的專利申請公開No.6-28785中披露了。然而，按照常規(guī)的對熱粗糙采取的措施，不可能完全消除由磁盤再現(xiàn)的信號波形的直流分量的突然變化。此外，當(dāng)在檢測到熱粗糙之后進(jìn)行重試讀出操作時，需要進(jìn)行三種操作，即固定PLL和AGC環(huán)的操作，增加A/D轉(zhuǎn)換器的輸入動態(tài)范圍以及增加數(shù)據(jù)讀出部分的輸入的交流耦合的截止頻率。結(jié)果，存在著需要復(fù)雜的控制的問題。此外，當(dāng)PLL和AGC的操作被固定時，在固定期間便不可能跟隨數(shù)據(jù)。但是，因為信號電平和目標(biāo)值之間的偏差以及采樣相位中的誤差將產(chǎn)生數(shù)據(jù)誤差，所以需要使固定時間減到最小。在另一方面，當(dāng)A/D轉(zhuǎn)換器的輸入的動態(tài)范圍增加時，分辨率則變差。而且，當(dāng)增加數(shù)據(jù)讀出部分的輸入端的交流耦合的截止頻率時用來進(jìn)行轉(zhuǎn)換的模擬電路一般容易受到噪聲的影響，因而采取措施克服噪聲是重要的。因而，本發(fā)明的總的目的在于提供一種新的且有用的熱粗糙檢測方法，熱粗糙消除方法，和磁盤裝置及其重試方法，其中使上述問題得以消除。本發(fā)明的另一個并且更具體的目的在于提供一種可以可靠地檢測熱粗糙的熱粗糙檢測方法，一種可以可靠地檢測并消除熱粗糙的熱粗糙消除方法，一種可以可靠地檢測并消除熱粗糙的磁盤裝置，以及一種可用于這種磁盤裝置的重試方法。本發(fā)明的再一個目的在于提供一種熱粗糙檢測方法，包括下列步驟(a)使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器把從磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，(b)根據(jù)所述數(shù)字信號檢測熱粗糙，以及(c)利用固件自動地識別和管理在步驟(b)進(jìn)行的熱粗糙的檢測。按照本發(fā)明的熱粗糙檢測方法，可以可靠地檢測熱粗糙。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種熱粗糙消除方法，包括下列步驟(a)使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器把從磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，(b)使用檢測在步驟(a)之后的直流分量的數(shù)字濾波器消除由包括在模擬信號中的熱粗糙引起的直流分量。按照本發(fā)明的熱粗糙消除方法，能夠可靠地消除熱粗糙。此外，能夠抑制因進(jìn)行數(shù)字信號處理而帶來的不希望的噪聲的影響。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種磁盤裝置，其中包括用來把從磁盤再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，以及數(shù)字濾波器，用來消除模數(shù)轉(zhuǎn)換裝置的輸出中的由包括在模擬信號中的熱粗糙引起的直流分量。按照本發(fā)明的磁盤裝置，能夠可靠地消除熱粗糙。此外，能夠抑制因進(jìn)行數(shù)字信號處理而帶來的不希望的噪聲的影響。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種重試方法，該方法用于包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)字濾波器的裝置，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器用來把從磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，所述數(shù)字濾波器用來消除由包括在來自所述模數(shù)轉(zhuǎn)換裝置的輸出的模擬信號中的熱粗糙引起的直流分量，該方法包括下列步驟(a)根據(jù)數(shù)字信號檢測數(shù)據(jù)誤差，(b)根據(jù)數(shù)字信號檢測熱粗糙，以及(c)，當(dāng)檢測到數(shù)據(jù)誤差時，根據(jù)是否檢測到熱粗糙進(jìn)行讀出重試處理。按照本發(fā)明的重試方法，能夠同時實現(xiàn)重試處理和消除熱粗糙。本發(fā)明的其它目的和另外的特點通過結(jié)合附圖閱讀以下的詳細(xì)說明可以更清楚地看出。圖1是總體表示按照本發(fā)明的磁盤裝置的實施例的結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)方塊圖；圖2是表示圖1所示的磁盤裝置的重要部分的系統(tǒng)方塊圖；圖3是表示數(shù)字高通濾波器的實施例的系統(tǒng)方塊圖；圖4是表示偏移校正電路和A/D轉(zhuǎn)換器的實施例的系統(tǒng)方塊圖；圖5表示由磁頭再現(xiàn)的并被輸入到電壓控制的放大器的模擬信號；圖6表示沒有采取措施克服熱粗糙并且沒有提供數(shù)字高通濾波器和偏移校正電路時，A/D轉(zhuǎn)換器的輸出信號；圖7表示磁盤裝置的實施例的A/D轉(zhuǎn)換器的輸出信號；圖8表示由數(shù)字高通濾波器獲得的直流分量線圖；圖9是表示由數(shù)字高通濾波器消除直流分量之后的信號；圖10是熱粗糙檢測電路的實施例的系統(tǒng)方塊圖；圖11是數(shù)字均衡器的實施例及其外圍部分的系統(tǒng)方塊圖；圖12是數(shù)字高通濾波器的實施例和數(shù)字均衡器的系統(tǒng)方塊圖，其中數(shù)字均衡器具有在兩者之間公用的部分；圖13是用來說明當(dāng)進(jìn)行重試時主微處理器單元的操作的流程圖；以及圖14是用來說明圖13中的熱粗糙重試處理的圖。下面說明按照本發(fā)明的磁盤裝置的實施例。磁盤裝置的這一實施例使用了按照本發(fā)明的熱粗糙檢測方法的實施例，按照本發(fā)明熱粗糙消除方法的實施例和按照本發(fā)明的重試方法的實施例。圖1表示磁盤裝置的這一實施例的總體結(jié)構(gòu)。所述磁盤裝置一般包括磁盤機(jī)械部分30，前置放大器電路31，主微處理器單元(MPU)32，讀/寫控制器33，接口電路34，調(diào)制器/解調(diào)器(modem)電路35，以及按圖1所示連接的驅(qū)動電路36。磁盤機(jī)械部分30一般包括由主軸電機(jī)(未示出)旋轉(zhuǎn)的主軸11，固定在主軸11上的磁盤1，由磁頭致動器20支撐著的磁頭2，以及包括音圈電機(jī)(Voicecoilmotor，VCM，未示出)的托架部分22。在本實施例中，為方便起見，假定在磁盤機(jī)械部分30內(nèi)有3個磁盤1和4個磁頭2。圖1所示的磁盤裝置本身的基本結(jié)構(gòu)是已知的，因此，在本說明中將省略關(guān)于磁盤裝置的各個部件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的解釋和詳細(xì)說明。在一組磁盤1當(dāng)中，例如伺服信息被記錄在一個磁盤1的表面10上，而在另一個磁盤1的表面10上記錄數(shù)據(jù)。主MPU32控制磁盤裝置的每個部分，并控制在主MPU32和更高層或更高級的計算機(jī)之間進(jìn)行交換的數(shù)據(jù)和命令。讀/寫控制器33根據(jù)來自主MPU32的指令，通過前置放大器電路31控制關(guān)于磁盤機(jī)械部分30的數(shù)據(jù)的讀/寫。從讀/寫控制器33輸出的再現(xiàn)的信號通過調(diào)制解調(diào)器電路35和接口電路34被送到主MPU32。驅(qū)動電路36響應(yīng)來自主MPU32的查找命令，驅(qū)動并控制托架部分22，并控制在磁盤機(jī)械部分30內(nèi)的磁頭的位置。圖2表示圖1所示的磁盤裝置的重要部分，其中只示出和本發(fā)明的主題直接相關(guān)的并位于由前置放大器電路31，讀/寫控制器33和調(diào)制解調(diào)器電路35構(gòu)成的電路部分內(nèi)的再現(xiàn)系統(tǒng)。這再現(xiàn)系統(tǒng)使用部分響應(yīng)最大似然(PRML)技術(shù)。該再現(xiàn)系統(tǒng)包括電壓控制的放大器41，模擬濾波器42，A/D轉(zhuǎn)換器43，數(shù)字高通濾波器44，偏移校正電路45，定時控制電路46，數(shù)字均衡器47，增益控制電路48，電壓控制的振蕩器49，最大似然(Viterbi解調(diào)器)電路51，9/8譯碼器52，熱粗糙(TA)檢測電路55，TA檢測位寄存器56，級設(shè)定寄存器58和啟動寄存器59，它們按照圖2所示相互連接。由磁頭2從磁盤1再現(xiàn)的模擬信號通過電壓控制的放大器41被放大到一個最合適的幅值。這一電壓控制的放大器41通過來自增益控制電路48的反饋被最佳化。模擬濾波器42對來自電壓控制的放大器的模擬信號輸出進(jìn)行部分響應(yīng)波形均衡。A/D轉(zhuǎn)換器43把來自模似濾波器42的模擬信號輸出轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，通過以由定時控制電路46和電壓控制的振蕩器49決定的最佳采樣周期對模擬信號進(jìn)行采樣完成所述轉(zhuǎn)換。數(shù)字高通濾波器44從來自A/D轉(zhuǎn)換器43的數(shù)字信號輸出獲得直流分量，并把直流分量送到偏移校正電路45。此外，數(shù)字高通濾波器44輸出消除掉直流分量的數(shù)字信號。所述直流分量相應(yīng)于熱粗糙。偏移校正電路45把直流分量轉(zhuǎn)換成電壓。A/O轉(zhuǎn)換器43從由模擬濾波器42接收的模擬信號中減去從偏移校正電路45接收的電壓，并對減得的差進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。因而，能夠阻止A/D轉(zhuǎn)換器43的輸入超過A/D轉(zhuǎn)換器43的輸入動態(tài)范圍并且飽和。例如，A/D轉(zhuǎn)換器43的輸入動態(tài)范圍是400mVpp’，從A/D轉(zhuǎn)換器43輸出6位二進(jìn)制補碼。數(shù)字高通濾波器44的輸出數(shù)字信號被送到定時控制電路46，增益控制電路48和數(shù)字均衡器47。數(shù)字均衡器47用來精細(xì)地調(diào)整波形均衡。來自數(shù)字均衡器47的數(shù)字信號輸出被送到定時控制電路46，增益控制電路48和最大似然(ML)譯碼器電路51。定時控制電路46通過電壓控制的振蕩器49根據(jù)數(shù)字高通濾波器44的輸出數(shù)字信號和數(shù)字均衡器47的輸出數(shù)字信號，產(chǎn)生用于控制采樣定時，即A/D轉(zhuǎn)換器43的采樣周期的信號。增益控制電路48根據(jù)數(shù)字高通濾波器44的輸出數(shù)字信號和數(shù)字均衡器47的輸出數(shù)字信號產(chǎn)生用于控制電壓控制的放大器41的增益的信號。例如，可以使用在日本專利申請公開No.6-11478中提出的方法作為用增益控制電路48調(diào)整增益的方法。ML譯碼器電路51對數(shù)字均衡器47的輸出數(shù)字信號譯碼，并產(chǎn)生串行數(shù)據(jù)。此外，9/8譯碼器52對來自ML譯碼器電路51的串行數(shù)據(jù)譯碼并將其轉(zhuǎn)換成并行數(shù)據(jù)。并行數(shù)據(jù)通過圖1所示的接口電路34被送到主MPU32作為再現(xiàn)的數(shù)據(jù)。TA檢測電路55通過檢測A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出數(shù)字信號中相同極性的異常幅值來檢測熱粗糙?？梢圆捎镁哂幸阎Y(jié)構(gòu)的電路作為TA檢測電路55，例如，可以使用在日本專利申請公開No.6-28785中提出的電路作為TA檢測電路55。當(dāng)TA檢測電路55檢測到熱粗糙時，TA檢測電路55便在TA檢測位寄存器56中設(shè)置TA檢測位。圖1所示的主MPU32和較高層次的計算機(jī)可以參考TA檢測位寄存器56的內(nèi)容。通過有固件檢查TA檢測位寄存器56，可以確認(rèn)是否發(fā)生了熱粗糙。啟動寄存器59存儲當(dāng)啟動數(shù)字高通濾波器44時被設(shè)置的1位的啟動信息。啟動寄存器59可從主MPU32和較高層的計算機(jī)被置位與復(fù)位。因為啟動寄存器59在正常時被復(fù)位，所以數(shù)字高通濾波器44在正常時被禁止，從而阻止由于數(shù)字高通濾波器44的操作而使S/N比變劣。在另一方面，當(dāng)如下所述的讀出誤差發(fā)生，并從TA檢測位寄存器56檢測到熱粗糙時，啟動寄存器59被置位，借以啟動數(shù)字高通濾波器44并使其能夠消除直流分量。級設(shè)置寄存器58存儲3位的級設(shè)置信息，用來設(shè)置形成數(shù)字高通濾波器44的移位寄存器的級數(shù)。級設(shè)置寄存器58可從主MPU32和在較高層的計算機(jī)被設(shè)置。在本實施例中，級設(shè)置寄存器58通過3位級設(shè)置信息可以設(shè)置3種級，并能夠通過改變所設(shè)置的級數(shù)改變數(shù)字高通濾波器44的截止頻率。當(dāng)發(fā)生數(shù)據(jù)誤差并從TA檢測位寄存器56檢測到熱粗糙時，進(jìn)行讀出重試。如果在此重試期間再次發(fā)生讀出誤差，則通過固件改變在級設(shè)定寄存器58內(nèi)的級設(shè)置信息。圖3表示數(shù)字高通濾波器44的實施例。數(shù)字高通濾波器44包括移位寄存器61，選擇器62，減法器63，加法器64，觸發(fā)器65，1/n除法器66，和減法器67，其連接方式如圖3所示。在圖3中，來自A/D轉(zhuǎn)換器43的6位數(shù)字信號輸出被輸入到輸入端60，并在具有32級的移位寄存器61中被連續(xù)地移位。選擇器62接收分別被移位寄存器61延遲8，16和32級的3種信號。選擇器62還接收來自圖2所示的級設(shè)置寄存器58的3位選擇信號(級設(shè)置信息)。因而，從分別由移位寄存器61延遲8，16和32級的3種信號當(dāng)中通過選擇信號選擇1種信號，并從選擇器62輸出。選擇器62輸出的數(shù)字信號被送到減法器63，減法器63從由輸入端60直接獲得的A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出數(shù)字信號中減去從選擇器62接收的數(shù)字信號，并獲得兩個數(shù)字信號之差。如圖3所示的方式相連的加法器64和觸發(fā)器65形成累加器，用來累加由減法器63獲得的差。觸發(fā)器65響應(yīng)來自圖2所示的啟動寄存器59的啟動信號(啟動信息)被啟動。由累加器獲得的累加結(jié)果被送到1/n除法器66。1/n除法器66也接收來自如圖2所示的級設(shè)置寄存器58的3位選擇信號。因而，如果由選擇器62選擇n＝8，則來自累加器的12位累加結(jié)果被向著最低有效位(LSB)移動3位，并且通過在1/n除法器66內(nèi)的選擇器(未示出)進(jìn)行的轉(zhuǎn)換，從1/n除法器輸出通過對12位的累加結(jié)果乘以1/8而得到的6位信號。來自1/n除法器66的這一6位的信號作為熱粗糙的直流分量從輸出端68輸出，并被送到如圖2所示的偏移校正電路45。在另一方面，如果選擇器62選擇n＝16，則來自累加器的12位的累加結(jié)果向LSB移4位，并通過在1/n除法器66內(nèi)的選擇器進(jìn)行的轉(zhuǎn)換，從1/n除法器66輸出通過對12位的累加結(jié)果乘以1/16而得到的6位信號。類似地如果選擇器62選擇n＝32，則來自累加器的12位的累加結(jié)果被向著LSB移5位，并通過在1/n除法器66內(nèi)的選擇器進(jìn)行的轉(zhuǎn)換，從1/n除法器66輸出通過對12位的累加結(jié)果乘以1/32所得到的6位信號。從1/n除法器66輸出的6位信號也被送到減法器67。減法器67也接收從輸入端60直接獲得的A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出數(shù)字信號。這樣，減法器67便從A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出數(shù)字信號中減去熱粗糙的直流分量，從而輸出被消除直流分量的數(shù)字信號。減法器67的輸出數(shù)字信號通過輸出端69被輸出，并被送到如圖2所示的定時控制電路46，數(shù)字均衡器47和增益控制電路48。被送到觸發(fā)器65的啟動信號被輸入到觸發(fā)器65的清除端。因而，當(dāng)啟動信號為OFF時，觸發(fā)器65被清除，并且從輸出端68輸出的直流分量為零。在這種情況下，數(shù)字高通濾波器被禁止，只有A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出信號被從輸出端69輸出。圖4表示偏移校正電路45和A/D轉(zhuǎn)換器43的實施例。偏移校正電路45包括按圖4所示連接的數(shù)模(D/A)轉(zhuǎn)換器電路451和環(huán)增益電路452。環(huán)增益電路452具有0.8環(huán)增益。在另一方面，A/D轉(zhuǎn)換器43包括按圖4所示連接的模擬減法器431和A/D轉(zhuǎn)換器電路432。當(dāng)然，環(huán)增多益電路452的環(huán)增益不限于0.8，環(huán)增益可被設(shè)為例如通過模擬所獲得的最佳值。從數(shù)字高通濾波器44的輸出端68獲得的直流分量通過輸入端450被送到D/A轉(zhuǎn)換器電路451，并被轉(zhuǎn)換成模擬電壓。這模擬電壓通過環(huán)增益電路452被提供給A/D轉(zhuǎn)換器43的模擬減法器431。模擬減法器431還接收來自圖2所示的模擬濾波器42的模擬信號。因而，模擬減法器431從由模擬濾波器42接收的模擬信號中減去從環(huán)增益電路452收到的模擬電壓，并把減得的結(jié)果送入A/D轉(zhuǎn)換器電路432。從A/D轉(zhuǎn)換器電路432輸出的6位數(shù)字信號通過輸出端433被送到如圖2所示的數(shù)字高通濾波器44。在本實施例中，A/D轉(zhuǎn)換器電路432的輸入動態(tài)范圍為400mVpp’，并且由A/D轉(zhuǎn)換器電路432產(chǎn)的6位輸出的1位的加權(quán)為6.25mV。此外，D/A轉(zhuǎn)換器電路451還使用和A/D轉(zhuǎn)換器電路432相同的加權(quán)產(chǎn)生±200mV(500mVpp)的輸出。下表表示D/A轉(zhuǎn)換器電路451的輸入和輸出之間的關(guān)系。表<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="877">輸入輸出(mV)0111110000010000001111111000012006.250-6.25-200</table></tables>圖5表示由磁頭2再現(xiàn)的并輸入到圖2所示的電壓控制的放大器41的模擬信號。在圖5中，縱坐標(biāo)以任意單位表示幅值，橫坐標(biāo)以ns表示時間。圖5表示從1000ns附近產(chǎn)生熱粗糙的情況。圖6表示在不采取措施克服熱粗糙的情況下，并且不提供圖2所示的數(shù)字高通濾波器44和偏移校正電路45時A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出信號。在圖6中，縱坐標(biāo)以任意單位表示輻值，橫坐標(biāo)以ns表示時間。在這種情況下，由圖6可見，在時間A期間A/D轉(zhuǎn)換飽和，在時間B期間的幅值和熱粗糙發(fā)生以前在時間A期間的幅值相比，其幅值減小，并且在時間C期間發(fā)生3相位誤差。在另一方面，當(dāng)在本實施例中提供如圖2所示的數(shù)字高通濾波器44和偏移校正電路45時，已經(jīng)證實圖5所示的模擬信號的A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出信號如圖7所示。此外，已經(jīng)證實從數(shù)字高通濾波器44獲得的直流分量如圖8所示，并且由數(shù)字高通濾波器44消除了直流分量的信號如圖9所示。在圖7到圖9中，縱坐標(biāo)以任意單位表示幅值，橫坐標(biāo)以ns表示時間。可以認(rèn)為在圖7的時間D期間A/D轉(zhuǎn)換飽和，并且在圖9的時間D期間不能進(jìn)行數(shù)據(jù)再現(xiàn)。然而，在時間D之后，沒有發(fā)現(xiàn)幅值減小和相位誤差，因此證明本實施例對于熱粗糙是極其有效的。圖10表示圖2所示的TA檢測電路55的實施例。TA檢測電路55包括按圖10所示連接的AND電路551，絕對值電路552，電平比較器553，閉鎖電路554和555，“異”電路556，n位移位寄存器557和閉鎖電路558。圖2所示的A/D轉(zhuǎn)換器43的輸出數(shù)字信號被輸入到圖10所示的輸入端560。在另一方面，用于啟動/禁止TA檢測電路的操作的控制信號被輸入到輸入端561。這控制信號可由在較高層中的計算機(jī)或主MPU32提供。另外，也可以從可由較高層中的計算機(jī)或主MPU32能夠訪問的寄存器(未示出)提供這控制信號。AND電路551通過輸入端560和561獲得收到的信號的“與”信號，并把這AND電路551的輸出信號送到絕對值電路552和閉鎖電路554。絕對值電路552獲得AND電路551的輸出信號的絕對值，并把其送到電平比較器553。電平比較器553比較通過輸入端562輸入的TA限幅電平和絕對值電路552的輸出信號(絕對值)。所述TA限幅電平可由較高層的計算機(jī)或主MPU32提供。另外，也可以由可被較高層的計算機(jī)或主MPU32訪問的寄存器(未示出)提供這一TA限幅電平。電平比較器553的輸出信號被送到N位移位寄存器和閉鎖電路554和555的時鐘輸入端CLK。閉鎖電路554和555和“異-或”電路556形成極性檢查部分。閉鎖電路554的輸出信號被送到閉鎖電路555和“異-或”電路556。此外，閉鎖電路的輸出信號也被送到“異-或”電路556。“異-或”電路556的輸出信號作為復(fù)位脈沖被送到N位移位寄存器557的復(fù)位端。當(dāng)這復(fù)位脈沖具有高電平(邏輯值為“1”)時，N位移位寄存器557被復(fù)位。在另一方面，被輸入到輸入端563的N位置位信號被送到N位移位寄存器557的清除端。這N位置位信號可由較高層中的計算機(jī)或主MPU32提供。另外，也可以由可被較高層中的計算機(jī)或主MPU32訪問的寄存器(未示出)提供所述N位置位信號。N位移位寄存器557的輸出信號被送到閉鎖電路558的置位端。閉鎖電路558的輸出信號作為TA檢測位被送到圖2所示的TA檢測位寄存器56。被輸入到輸入端564的TA檢測位清除信號被送到閉鎖電路558的復(fù)位端。這TA檢測位清除信號可以由較高層中的計算機(jī)或主MPU32提供。另外，也可以由可被較高層的計算機(jī)或主MPU32訪問的寄存器(未示出)提供這個TA檢測位清除信號。圖11表示帶有外圍部分的數(shù)字均衡器47的實施例。在圖11中，和圖2中相同的部分用相同的標(biāo)號表示，并省略其說明。在本實施例中，為簡便起見，假定A/D轉(zhuǎn)換器43是6位的A/D轉(zhuǎn)換器。數(shù)字均衡器47包括按圖11所示連接的延遲(D)觸發(fā)器471到474，系數(shù)乘法器481到484，以及加法器491。加法器491的輸出信號被送到圖2所示的ML譯碼器電路51。在圖11中，由粗線(或雙線)表示的信號線是總線。因為D觸發(fā)器471到474形成移位寄存器，所以如果在數(shù)字高通濾波器44內(nèi)的移位寄存器的至少一部分可以和數(shù)字均衡器47的移位寄存器共同被使用將是方便的。因而，下面的說明將針對這樣一種實施例給出，即其中在數(shù)字高通濾波器44內(nèi)的移位寄存器的至少一部分被和數(shù)字均衡器47共同使用。圖12表示數(shù)字高通濾波器44和數(shù)字均衡器47的實施例，在兩者之間有一公用部分。在圖12中，和圖11相同的部分用相同的符號表示，并省略其說明。在這一實施例中，通過使數(shù)字高通濾波器44的移位寄存器的一部分和數(shù)字均衡器47的移位寄存器公用而使電路大小和反饋環(huán)的級數(shù)減少了。此外，為簡便起見，在本實施例中也假定A/D轉(zhuǎn)換器43是6位的A/D轉(zhuǎn)換器。在圖12中，形成數(shù)字高通濾波器44的觸發(fā)器471到475當(dāng)中，觸發(fā)器471到474和數(shù)字均衡器47的移位寄存器公用。為此，因為在本實施例中使用了6位A/D轉(zhuǎn)換器43，所以和數(shù)字高通濾波器44的移位寄存器和數(shù)字均衡器47的移位寄存器被單獨提供的情況相比，可以省去6×4＝24個觸發(fā)器。通過使數(shù)字高通濾波器44和數(shù)字均衡器47之間公共使用觸發(fā)器而實現(xiàn)的電路大小的減小取決于數(shù)字均衡器47抽頭的數(shù)量和數(shù)字高通濾波器44內(nèi)移位寄存器的級數(shù)。下面參照圖13和14說明按照本發(fā)明的重試方法的實施例。圖13表示當(dāng)進(jìn)行讀出重試時圖1所示的主MPU32的操作流程圖。此外，圖14用于說明圖13中的TA重試處理。在圖13中，在步S101開始進(jìn)行圖1所示的磁盤單元的操作。在這開始狀態(tài)下，步S114通過啟動寄存器59禁止圖2所示的數(shù)字高通濾波器44，并把讀/寫參數(shù)設(shè)定為缺省值或調(diào)準(zhǔn)值。在步S102，讀出由磁頭2再現(xiàn)的數(shù)據(jù)。在步S103確定是否發(fā)生了數(shù)據(jù)錯誤。如果步S103確定的結(jié)果是NO，則在步S105判斷數(shù)據(jù)讀取已正常結(jié)束，并在步S106結(jié)束處理。在另一方面，如果在步S103的判斷結(jié)果是YES，則在步S104就確定數(shù)據(jù)錯誤是否可由錯誤校正碼(ECC)校正。如果在步S104的確定結(jié)果為YES，則在步S107向較高層的計算機(jī)報告這一可校正的錯誤，并在步S106結(jié)束處理。如果在步S104的確定結(jié)果是NO，則步S108確定是否重試步驟已經(jīng)結(jié)束。如果步S108中的確定結(jié)果是YES，則步S109就向較高層的計算機(jī)報告不能校正的錯誤，并在步S106結(jié)束處理。在另一方面，如果在步S108確定結(jié)果是NO，則步S110訪問圖2所示的TA檢測位寄存器56，并確定TA檢測位是否是ON，即是否被設(shè)置。如果在步S110確定的結(jié)果是NO，則在步S111進(jìn)行正常的讀出重試處理。更具體地說，步S111只改變讀/寫參數(shù)，例如圖14所示的磁頭2的檢測電流，并根據(jù)啟動寄存器59的內(nèi)容禁止數(shù)字高通濾波器44。在正常讀出重試處理期間，數(shù)字高通濾波器44的設(shè)置不改變。在步S111之后，處理返回步S102。此外，如果在步S110確定結(jié)果是YES，則在步S112進(jìn)行TA重試處理。更具體地說，步S112根據(jù)級設(shè)置寄存器58的內(nèi)容改變在數(shù)字高通濾波器44內(nèi)的移位寄存器的級數(shù)。此外，和進(jìn)行正常讀重試處理時的情況類似，步S112改變讀/寫參數(shù)。另外，步S112根據(jù)啟動寄存器59的內(nèi)容啟動數(shù)字高通濾波器。在步S112之后，處理轉(zhuǎn)到步S102。換句話說，當(dāng)進(jìn)行TA重試處理時，除去改變圖14所示的讀/寫參數(shù)之外，還改變圖14所示的數(shù)字高通濾波器44的設(shè)置。在本實施例中，數(shù)字高通濾波器44的設(shè)置包括移位寄存器的級數(shù)和數(shù)字高通濾波器44的啟動/禁止?fàn)顟B(tài)。此外，讀/寫參數(shù)包括磁頭2的檢測電流，磁頭2的偏移量，模擬濾波器42的中心頻率Fc，模擬濾波器42的放大系數(shù)以及ML譯碼器電路51的維特比(Viterbi)限制電平。設(shè)定這些參數(shù)的組合為圖14所示的63級范圍內(nèi)的有效的一個。此外，本發(fā)明不限于這些實施例，不脫離本發(fā)明的范圍可以作出各種改變和改型。權(quán)利要求1.一種熱粗糙檢測方法，其特征在于包括下列步驟(a)使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(43)把從磁記錄介質(zhì)(1)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；(b)根據(jù)所述數(shù)字信號檢測熱粗糙；(c)由固件自動地識別和管理通過所述步驟(b)進(jìn)行的所述熱粗糙的檢測。2.一種熱粗糙消除方法，其特征在于，包括下列步驟(a)使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(43)把從磁記錄介質(zhì)(1)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；(b)使用用來檢測在所述步(a)之后的直流分量的數(shù)字濾波器(44)消除由包括在模擬信號中的熱粗糙引起的直流分量。3.如權(quán)利要求2所述的熱粗糙消除方法，其特征在于還包括下列步驟(c)通過根據(jù)由數(shù)字濾波器檢測到的直流分量形成對于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的負(fù)反饋，并從模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入中減去相當(dāng)于直流分量的信號來進(jìn)行偏移校正。4.如權(quán)利要求2或3所述的熱粗糙消除方法，其特征在于還包括以下步驟(c)檢測所述熱粗糙，只有當(dāng)所述步驟(c)檢測到熱粗糙時，所述步驟(b)才消除所述直流分量。5.一種磁盤裝置，其特征在于包括模數(shù)轉(zhuǎn)換裝置(43)，用于把從磁記錄介質(zhì)(1)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；以及數(shù)字濾波器(44)，用于消除所述模數(shù)轉(zhuǎn)換裝置的輸出中的包括在模擬信號中的由熱粗糙產(chǎn)生的直流分量。6.如權(quán)利要求5所述的磁盤裝置，其特征在于還包括校正裝置(45)，用于通過根據(jù)由所述數(shù)字濾波器檢測到的直流分量對所述模數(shù)轉(zhuǎn)換裝置形成負(fù)反饋并從所述模數(shù)轉(zhuǎn)換裝置的輸入中減去相當(dāng)于直流分量的信號來進(jìn)行偏移校正。7.如權(quán)利要求5或6所述的磁盤裝置，其特征在于還包括檢測裝置(55)，用于根據(jù)數(shù)字信號檢測熱粗糙；所述數(shù)字濾波器只有當(dāng)所述檢測裝置檢測到熱粗糙時才消除直流分量。8.如權(quán)利要求5至7中任一個所述的磁盤裝置，其特征在于所述數(shù)字濾波器包括具有n級的并用于接收數(shù)字信號的移位寄存器(61)，其中n是整數(shù)；減法裝置(63)，用于獲得所述移位寄存器的輸出和數(shù)字信號之間的差；累加器(64，65)，用于累加從所述減法裝置輸出的差；以及除法裝置(66)，用于用n除從所述累加器輸出的累加結(jié)果。9.如權(quán)利要求8所述的磁盤裝置，其特征在于還包括用于對所述移位寄存器和所述除法器裝置可變地設(shè)置所述n的裝置。10.如權(quán)利要求5至9任一個所述的磁盤裝置，其特征在于還包括自動增益控制環(huán)，用于根據(jù)所述數(shù)字濾波器的輸出進(jìn)行自動增益控制；鎖相環(huán)，用于根據(jù)所述數(shù)字濾波器的輸出進(jìn)行相位鎖定控制；數(shù)字均衡器(47)，用于根據(jù)所述數(shù)字濾波器的輸出進(jìn)行均衡處理；以及譯碼器裝置(51，52)，用于根據(jù)所述自動增益控制環(huán)，所述鎖相環(huán)和所述數(shù)字均衡器的輸出對數(shù)字信號進(jìn)行譯碼。11.如權(quán)利要求10所述的磁盤裝置，其特征在于，所述數(shù)字濾波器具有第一移位寄存器，所述數(shù)字均衡器具有第二移位寄存器，并且至少第一移位寄存器的一部分和第二移位寄存器共用。12.如權(quán)利要求5，6，8，9，10和11任一個所述的磁盤裝置，其特征在于還包括第一檢測裝置，用于根據(jù)所述數(shù)字信號檢測數(shù)據(jù)錯誤；以及第二檢測裝置，用于根據(jù)所述數(shù)字信號檢測熱粗糙；只有當(dāng)所述第一檢測裝置檢測到數(shù)據(jù)錯誤并且所述第二檢測裝置檢測到熱粗糙時，所述數(shù)字濾波器才消除直流分量。13.如權(quán)利要求12所述的磁盤裝置，其特征在于還包括重試裝置，用于當(dāng)所述第一檢測裝置檢測到所述數(shù)據(jù)錯誤時，根據(jù)第二檢測裝置是否檢測到熱粗糙來進(jìn)行讀出重試處理。14.一種用于一種裝置的重試方法，所述裝置包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器裝置，用于把從磁記錄介質(zhì)(1)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，以及數(shù)字濾波器(44)，用于消除所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器裝置(43)的輸出中的由包含在模擬信號中的熱粗糙引起的直流分量，其特征在于，所述方法包括下列步驟(a)根據(jù)所述數(shù)字信號檢測數(shù)據(jù)錯誤；(b)根據(jù)所述數(shù)字信號檢測熱粗糙；以及(c)當(dāng)檢測到數(shù)據(jù)錯誤時，根據(jù)是否檢測到熱粗糙進(jìn)行讀出重試處理。15.如權(quán)利要求14所述的重試方法，其特征在于還包括下述步驟(d)只有當(dāng)在所述步驟(a)檢測到數(shù)據(jù)錯誤且在所述步驟(b)檢測到熱粗糙時，才控制所述數(shù)字濾波器消除直流分量。全文摘要一種熱粗糙檢測方法,包括下列步驟:(a)使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(43)把從磁記錄介質(zhì)(1)再現(xiàn)的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號;(b)根據(jù)所述數(shù)字信號檢測熱粗糙;以及(c)利用固件自動地識別和管理熱粗糙的檢測。文檔編號G11B5/39GK1178363SQ9711026公開日1998年4月8日申請日期1997年4月7日優(yōu)先權(quán)日1996年9月30日發(fā)明者大森秀樹,鐘江昌英,富田勇申請人:富士通株式會社