專利名稱：半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部功能識(shí)別方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位轉(zhuǎn)換內(nèi)部功能的半導(dǎo)體裝置，尤其涉及具有由特定壓焊區(qū)的設(shè)定電位確定數(shù)據(jù)輸出波形的轉(zhuǎn)換速率控制(Slew Rate Control)功能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
半導(dǎo)體裝置、特別是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有各種各樣的用途，對(duì)應(yīng)于不同的用途所要求的性能/功能也不同。例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中使用的字結(jié)構(gòu)隨著用途的不同而不同。這種字結(jié)構(gòu)不同時(shí)，例如在×8位結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器和×16位結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器中，內(nèi)部有效的地址位及轉(zhuǎn)換成可工作狀態(tài)的輸入輸出緩沖電路的數(shù)量不同。內(nèi)部電路的結(jié)構(gòu)相同，只是字結(jié)構(gòu)不同而要求的工作特性相同時(shí)，包含各種字結(jié)構(gòu)在內(nèi)設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器時(shí)，在內(nèi)部電路的工作特性相同的情況下，設(shè)計(jì)效率很低。在這種情況下，設(shè)計(jì)成能實(shí)現(xiàn)兩種字結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器，隨著用途的不同，進(jìn)行字結(jié)構(gòu)的切換。通過(guò)用1個(gè)芯片可實(shí)現(xiàn)多種存儲(chǔ)器，能用相同的制造工序制作多種存儲(chǔ)器，可改善設(shè)計(jì)效率。這種字結(jié)構(gòu)的切換可根據(jù)所要求的字結(jié)構(gòu)設(shè)定特定的壓焊區(qū)的電位來(lái)進(jìn)行。
通過(guò)利用壓焊絲或掩模布線設(shè)定這種特定的壓焊區(qū)電位來(lái)變更字結(jié)構(gòu)變換等的規(guī)格的結(jié)構(gòu)還被用于其它安裝工作方式及性能/功能的設(shè)定中。在以下的說(shuō)明中，“內(nèi)部功能”這一術(shù)語(yǔ)除了這種字結(jié)構(gòu)、以及用EDO(擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)和靜態(tài)列方式的工作方式、8K更新周期及4K更新周期這樣的規(guī)格規(guī)定的結(jié)構(gòu)外，還包括以下說(shuō)明的存儲(chǔ)器輸出數(shù)據(jù)時(shí)數(shù)據(jù)的變化速度的設(shè)定等的全部結(jié)構(gòu)。即，“內(nèi)部功能”表示根據(jù)特定的壓焊區(qū)電位能設(shè)定其方式/形態(tài)的“壓焊選擇”的全部功能/結(jié)構(gòu)。


圖15是表示用壓焊區(qū)電位設(shè)定內(nèi)部功能的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖15中，壓焊區(qū)PD通過(guò)內(nèi)部布線INL導(dǎo)電性地連接著壓焊選擇功能電路BOF。這里，“導(dǎo)電性地連接”表示在被連接的兩者之間形成電流能流過(guò)的路徑。壓焊選擇功能電路BOF根據(jù)壓焊區(qū)PD的電位決定實(shí)現(xiàn)的功能。壓焊區(qū)PD通過(guò)壓焊絲B1導(dǎo)電性地連接在供給第1基準(zhǔn)電位即電源電壓Vdd的幀引線端子VFd上、或者通過(guò)壓焊絲B2導(dǎo)電性地連接在傳遞第2基準(zhǔn)電位或接地電壓Vss的幀引線端子VFs上。通過(guò)將壓焊區(qū)PD設(shè)定成電源電壓Vdd的電平或接地電壓Vss的電平，能決定壓焊選擇功能電路BOF實(shí)現(xiàn)的功能。
為了保護(hù)半導(dǎo)體裝置不受機(jī)械損傷而用樹脂將其密封或裝在封殼中。這時(shí)，不能從外部與壓焊區(qū)PD接觸。幀引線VFd及VFs只能通過(guò)外部引線端子從外部接觸。因此，將半導(dǎo)體裝置裝在封殼中后(樹脂密封后)，從外部不能知道壓焊區(qū)PD的電位呈電源電壓Vdd電平還是呈接地電壓Vss電平，因此不容易判斷壓焊選擇功能電路BOF是否實(shí)現(xiàn)所要求的內(nèi)部功能。為了判斷壓焊選擇功能電路BOF實(shí)現(xiàn)的內(nèi)部功能，必須去掉該密封樹脂，使壓焊區(qū)PD部分露出來(lái)。這時(shí)該半導(dǎo)體裝置就不能再使用了。
因此，產(chǎn)品出廠時(shí)有可能生產(chǎn)出具有不同的內(nèi)部功能的半導(dǎo)體裝置。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能從外部容易地測(cè)定實(shí)現(xiàn)壓焊選擇功能的特定的壓焊區(qū)的設(shè)定電位的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種能從外部容易地識(shí)別是否象所要求的那樣準(zhǔn)確地設(shè)定了數(shù)據(jù)輸出時(shí)改變其輸出端的信號(hào)波形的轉(zhuǎn)換速率控制功能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有與賦與決定內(nèi)部功能的電位的特定壓焊區(qū)分開設(shè)置的與內(nèi)部電路作導(dǎo)電性連接的普通壓焊區(qū)；以及接收檢查指示信號(hào)和該特定壓焊區(qū)的電位，當(dāng)檢查指示信號(hào)活化時(shí)被激活后根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位將普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接在基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的檢查用裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的普通壓焊區(qū)包含與第1內(nèi)部電路導(dǎo)電性連接的第1壓焊區(qū)，及與該第1壓焊區(qū)分開設(shè)置且與第2內(nèi)部電路導(dǎo)電性連接的第2壓焊區(qū)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的檢查用裝置接收檢查指示信號(hào)和特定壓焊區(qū)的電位，具有當(dāng)檢查指示信號(hào)活化時(shí)根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位將第1壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第1裝置，以及當(dāng)檢查指示信號(hào)活化時(shí)根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位與第1裝置互補(bǔ)工作將第2壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第2裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的檢查用裝置具有當(dāng)檢查指示信號(hào)活化時(shí)將普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到第1基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第1裝置；以及當(dāng)檢查指示信號(hào)活化時(shí)根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位與第1裝置互補(bǔ)工作將普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到與第1基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)的電位電平不同的電壓電平的第2基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第2裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是一種檢索自如地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，其內(nèi)部功能在于將數(shù)據(jù)輸出到裝置外部的輸出電路的輸出節(jié)點(diǎn)的電位變化速度。根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位設(shè)定該電位變化速度。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的存儲(chǔ)器是與從裝置外部反復(fù)輸入的時(shí)鐘脈沖信號(hào)同步取入來(lái)自外部的信號(hào)及數(shù)據(jù)的時(shí)鐘脈沖同步型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，檢查指示信號(hào)與來(lái)自篩選方式檢查裝置的篩選方式檢查信號(hào)通用。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部功能識(shí)別方法是一種根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位設(shè)定內(nèi)部功能的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部功能識(shí)別方法，它包括將檢查指示信號(hào)送給該半導(dǎo)體裝置的步驟；測(cè)定在導(dǎo)電性地與該半導(dǎo)體裝置的預(yù)定的內(nèi)部電路連接的引線端子上產(chǎn)生的漏電流的步驟；以及根據(jù)測(cè)定的漏電流值鑒別半導(dǎo)體裝置的設(shè)定的內(nèi)部功能的步驟。半導(dǎo)體裝置包括輸入檢查指示信號(hào)后根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位將預(yù)定的引線端子有選擇地連接到裝置內(nèi)部的基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的裝置。
當(dāng)檢查指示信號(hào)活化時(shí)，根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位普通壓焊區(qū)被有選擇地導(dǎo)電性地連接在基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上。普通壓焊區(qū)被導(dǎo)電性地連接在內(nèi)部電路上，從而被導(dǎo)電性地連接在外部引線端子上。通過(guò)該外部引線端子測(cè)定普通壓焊區(qū)上產(chǎn)生的漏電流，由此能識(shí)別普通壓焊區(qū)是否被導(dǎo)電性地連接在基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上。該普通壓焊區(qū)和基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)之間導(dǎo)電性地連接/非連接對(duì)應(yīng)于特定壓焊區(qū)的電位。因此，通過(guò)測(cè)定漏電流，能鑒別特定壓焊區(qū)的電位，相應(yīng)地能鑒別設(shè)定的內(nèi)部功能。
圖1是本發(fā)明的第1半導(dǎo)體裝置的總體結(jié)構(gòu)略圖。
圖2(A)是圖1所示的篩選檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)之一例圖，(B)是其工作波形圖。
圖3(A)是圖1所示的單元選擇控制電路的結(jié)構(gòu)之一例圖，(B)是其工作波形圖。
圖4是圖1所示的輸出緩沖電路的結(jié)構(gòu)之一例圖。
圖5是說(shuō)明輸出緩沖電路的轉(zhuǎn)換速度控制功能用的圖。
圖6是說(shuō)明利用轉(zhuǎn)換速度功能的波形用的圖。
圖7是圖1所示的檢查用電路的第1結(jié)構(gòu)略圖。
圖8是表示使用圖7所示的檢查用電路時(shí)的半導(dǎo)體裝置的測(cè)試環(huán)境的圖。
圖9是本發(fā)明的檢查用電路的第2結(jié)構(gòu)略圖。
圖10是本發(fā)明的檢查用電路的第3結(jié)構(gòu)略圖。
圖11是表示使用圖10所示的檢查用電路時(shí)的測(cè)試環(huán)境的圖。
圖12是本發(fā)明的檢查用電路的第4結(jié)構(gòu)略圖。
圖13是激活檢查用電路用的檢查指示信號(hào)發(fā)生電路的另一結(jié)構(gòu)略圖。
圖14是本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)略圖。
圖15是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)略圖。圖1是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體裝置的總體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)略框圖。圖1中作為半導(dǎo)體裝置示出了與時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK同步取入來(lái)自外部的控制信號(hào)及數(shù)據(jù)的時(shí)鐘脈沖同步型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
圖1中半導(dǎo)體裝置含有靜態(tài)型存儲(chǔ)單元被排列成行列狀的存儲(chǔ)單元陣列1；根據(jù)送來(lái)的行地址信號(hào)將存儲(chǔ)單元陣列1的對(duì)應(yīng)的行(字線)驅(qū)動(dòng)到選擇狀態(tài)的行選擇電路2；以及根據(jù)送來(lái)的列地址信號(hào)選擇存儲(chǔ)單元陣列1的對(duì)應(yīng)的列(位線對(duì))的列選擇電路3。該行選擇電路2含有對(duì)送來(lái)的行地址信號(hào)進(jìn)行譯碼的行譯碼器，以及根據(jù)來(lái)自行譯碼器的譯碼信號(hào)將配置在對(duì)應(yīng)的行上的字線驅(qū)動(dòng)到選擇狀態(tài)的字線驅(qū)動(dòng)器。列選擇電路3含有對(duì)送來(lái)的列地址信號(hào)進(jìn)行譯碼并生成列選擇信號(hào)的列譯碼器，以及根據(jù)來(lái)自列譯碼器的列譯碼信號(hào)選擇存儲(chǔ)單元陣列1的對(duì)應(yīng)的列(位線對(duì))并連接到內(nèi)部數(shù)據(jù)總線(寫入/讀出數(shù)據(jù)總線)上的列選擇門電路。
半導(dǎo)體裝置還含有與通過(guò)時(shí)鐘脈沖輸入端子5輸入的時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的上升同步將送給輸入端子4a～4f的寫入控制信號(hào)/GW、/MBW、/BW1、/BW2、/BW3及/BW4取入并產(chǎn)生內(nèi)部寫入控制信號(hào)的寫入控制緩沖器6；根據(jù)來(lái)自寫入控制緩沖器6的內(nèi)部寫入控制信號(hào)控制對(duì)存儲(chǔ)單元陣列1的寫入工作的寫入控制電路7；以及根據(jù)來(lái)自寫入控制電路7的寫入控制信號(hào)和從輸入寄存器8送來(lái)的寫入數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元陣列1的選擇存儲(chǔ)單元的寫入驅(qū)動(dòng)器9。
信號(hào)/GW是全局寫入信號(hào)，指示同時(shí)寫入從輸入寄存器8送來(lái)的32位的全部數(shù)據(jù)。信號(hào)/MBW是主字節(jié)寫入信號(hào)，它活化時(shí)能以字節(jié)為單位對(duì)從32位的輸入寄存器8送來(lái)的數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入控制。信號(hào)/BW1、/BW2、/BW3及/BW4是字節(jié)寫入信號(hào)，用來(lái)進(jìn)行32位數(shù)據(jù)分別與第1字節(jié)、第2字節(jié)、第3字節(jié)、第4字節(jié)對(duì)應(yīng)的寫入控制。寫入控制電路7與時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的上升同步鎖存從該寫入控制緩沖器6送來(lái)的寫入控制信號(hào)，以字節(jié)為單位控制寫入。輸入寄存器8與時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK同步取入通過(guò)數(shù)據(jù)輸入端子10送來(lái)的32位數(shù)據(jù)，送給寫入驅(qū)動(dòng)器9。在寫入驅(qū)動(dòng)器9中，根據(jù)來(lái)自該寫入控制電路7的寫入控制信號(hào)，對(duì)指定寫入的字節(jié)設(shè)的驅(qū)動(dòng)電路被激活，將從該輸入寄存器8送來(lái)的寫入數(shù)據(jù)寫入對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元字節(jié)。半導(dǎo)體裝置還含有與時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的上升同步取入通過(guò)輸入端子11a、11b及11c送來(lái)的信號(hào)/CS、/ADSC及/ADSP，當(dāng)信號(hào)/CS活化時(shí)，對(duì)信號(hào)/ADSC及/ADSP進(jìn)行譯碼，根據(jù)該譯碼結(jié)果給出地址取入指示信號(hào)及地址取入時(shí)間的地址控制緩沖器12；響應(yīng)來(lái)自地址控制緩沖器12的地址取入指示信號(hào)，將信號(hào)/CS鎖存起來(lái)的片選擇寄存器13；來(lái)自地址控制緩沖器12的地址取入指示信號(hào)活化時(shí)被激活后將來(lái)自外部的地址信號(hào)鎖存起來(lái)的地址寄存器14；以及根據(jù)來(lái)自地址控制緩沖器12的地址取入指示信號(hào)及地址取入時(shí)間指示信號(hào)，取入來(lái)自地址寄存器14的地址后產(chǎn)生內(nèi)部地址信號(hào)的地址發(fā)生電路15。
信號(hào)/CS是片選擇信號(hào)，表示該半導(dǎo)體裝置處于選擇狀態(tài)。來(lái)自片選擇寄存器13的內(nèi)部片選擇信號(hào)ZCS活化時(shí)，該半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部電路工作，進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入/讀出。信號(hào)/ADSC是地址狀態(tài)控制信號(hào)，表示從存儲(chǔ)控制器給出了地址。信號(hào)/ADSP是地址狀態(tài)處理信號(hào)，表示從處理機(jī)給出地址取入指示信號(hào)。當(dāng)該信號(hào)/ADSC及/ADSP兩者之一處于活化狀態(tài)時(shí)，地址控制緩沖器12給出地址取入時(shí)間及地址取入指示信號(hào)。當(dāng)從地址控制緩沖器12給出地址取入指示信號(hào)時(shí)，地址發(fā)生電路15便取入來(lái)自地址寄存器14的內(nèi)部地址信號(hào)，將該取入的地址信號(hào)送給行選擇電路2及列選擇電路3。
地址控制緩沖器12還與時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的上升同步取入被送給輸入端子11d的地址超前指示信號(hào)/ADV，并送給地址發(fā)生電路15。當(dāng)時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK上升而該地址超前指示信號(hào)/ADV處于活化狀態(tài)時(shí)，地址發(fā)生電路15改變?nèi)∪氲牡刂?，生成?nèi)部地址信號(hào)，送給行選擇電路2及列選擇電路3。該地址發(fā)生電路15根據(jù)地址超前指示信號(hào)/ADV自動(dòng)地生成地址信號(hào)時(shí)，地址的變化順序由送給輸入端子16的信號(hào)MODE決定。該信號(hào)MODE被設(shè)定為高電平或低電平時(shí)，該地址變化形態(tài)被設(shè)定為交錯(cuò)方式或線性方式。在線性方式的情況下，地址發(fā)生電路15將取入的地址作為初始地址，依次改變地址。為交錯(cuò)方式時(shí)，地址發(fā)生電路15將低位的2位互相顛倒，生成內(nèi)部地址信號(hào)。這時(shí)，地址發(fā)生電路15能連續(xù)地生成地址，這是假定只有4個(gè)地址的結(jié)構(gòu)。該地址發(fā)生電路15依次生成內(nèi)部地址信號(hào)的方式稱為“脈沖串方式”。
半導(dǎo)體裝置還含有根據(jù)從連接端子17送來(lái)的流程通過(guò)指示信號(hào)FT，設(shè)定數(shù)據(jù)輸出方式，而且接收由存儲(chǔ)單元陣列1的列選擇電路3選擇的存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的輸出寄存器18；以及當(dāng)送給輸入端子19的輸出允許信號(hào)/OE活化時(shí)被激活后對(duì)從輸出寄存器18送來(lái)的數(shù)據(jù)進(jìn)行緩沖處理，再輸出到輸出端子10的輸出緩沖器20。當(dāng)流程通過(guò)指示信號(hào)FT處于活化狀態(tài)(高電平)時(shí)，輸出寄存器18被設(shè)定為通過(guò)狀態(tài)，只對(duì)存儲(chǔ)單元陣列1中的選擇存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)進(jìn)行緩沖處理，并進(jìn)行傳遞。另一方面，當(dāng)流程通過(guò)指示信號(hào)FT被設(shè)定在非活化狀態(tài)時(shí)，輸出寄存器18將與時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK同步從存儲(chǔ)單元陣列1讀出的數(shù)據(jù)鎖存起來(lái)，送給輸出緩沖器20。輸出緩沖器20根據(jù)特定的壓焊區(qū)22的電位電平，設(shè)定輸出節(jié)點(diǎn)(數(shù)據(jù)輸入輸出端子10)的驅(qū)動(dòng)速度。因此能實(shí)現(xiàn)具有與處理用途相適應(yīng)的數(shù)據(jù)輸出速度的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
半導(dǎo)體裝置還含有根據(jù)時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK和方式信號(hào)MODE檢測(cè)是否指定了篩選方式的篩選檢測(cè)電路24；當(dāng)來(lái)自篩選檢測(cè)電路24的篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI活化時(shí)，變更行選擇電路2及列選擇電路3的活化期間的單元選擇控制電路26；以及根據(jù)壓焊區(qū)22的設(shè)定電位SR(轉(zhuǎn)換速率控制信號(hào))和篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI，有選擇地將與內(nèi)部電路連接的端子28連接到基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的檢查用電路30。
當(dāng)該篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI活化時(shí)，單元選擇控制電路26使行選擇電路2及列選擇電路3處于正常工作狀態(tài)。另一方面，當(dāng)該篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI非活化時(shí)，單元選擇控制電路26檢測(cè)來(lái)自地址發(fā)生電路15的地址信號(hào)的變化，只在從檢測(cè)出該變化的時(shí)刻算起的規(guī)定時(shí)間內(nèi)使行選擇電路2及列選擇電路3處于活化狀態(tài)。
在本實(shí)施形態(tài)1中，由壓焊區(qū)22的設(shè)定電位(轉(zhuǎn)換速率控制信號(hào)SR)規(guī)定的內(nèi)部功能是輸出緩沖器20的輸出節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)速度。
圖2是圖1所示的篩選檢測(cè)電路24的結(jié)構(gòu)之一例圖。圖2中，篩選檢測(cè)電路24包含將方式信號(hào)MODE延遲規(guī)定時(shí)間且將該邏輯反相的反相延遲電路24a；接收方式信號(hào)MODE和反相延遲電路24a的輸出信號(hào)的AND電路24b；以及在時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的上升邊取入AND電路24b的輸出信號(hào)的D鎖存器24c。從該D鎖存器24c的輸出端Q輸出篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI。其次參照?qǐng)D2(B)所示的波形圖說(shuō)明工作情況。
方式信號(hào)MODE和時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK以相同的周期交替地反復(fù)進(jìn)行高電平及低電平的變化。這時(shí)，當(dāng)時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK上升時(shí)，方式信號(hào)MODE為高電平。反相延遲電路24a將該方式信號(hào)MODE的邏輯反相且延遲規(guī)定時(shí)間。從而，響應(yīng)方式信號(hào)MODE的上升，具有反相延遲電路24a的延遲時(shí)間的高電平信號(hào)被從AND電路24b送到D型觸發(fā)電路24c的D輸入端。該AND電路24b的輸出信號(hào)在時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的上升邊由D型觸發(fā)電路24c取入。因此，在AND電路24b的輸出信號(hào)變?yōu)楦唠娖狡陂g，即在方式信號(hào)MODE從低電平回到向高電平上升的動(dòng)作期間，來(lái)自該D型觸發(fā)電路24c的篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI被保持在高電平。當(dāng)方式信號(hào)MODE被固定在低電平時(shí)，AND電路24b的輸出信號(hào)也被固定在低電平。因此在該狀態(tài)下，當(dāng)時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK上升時(shí)，AND電路24b的輸出信號(hào)為低電平，來(lái)自該D型觸發(fā)電路24c的篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI變?yōu)榈碗娖?，指示篩選方式結(jié)束。
該半導(dǎo)體裝置的用途一旦確定后，便固定地設(shè)定地址順序(因?yàn)樵撁}沖串地址順序根據(jù)適用的程序的種類設(shè)定)。因此，利用在高電平和低電平期間觸發(fā)方式信號(hào)MODE的工作方式來(lái)檢測(cè)篩選方式，使用者不會(huì)錯(cuò)誤地設(shè)定篩選方式。篩選方式是在產(chǎn)品出廠前進(jìn)行的最后測(cè)試，使用者不使用這種方式，通過(guò)用使用者不使用的工作方式設(shè)定篩選方式，能防止使用者在實(shí)際使用半導(dǎo)體裝置時(shí)錯(cuò)誤地設(shè)定篩選方式。
該圖2(A)所示的篩選檢測(cè)電路24的結(jié)構(gòu)只是一例，也可以采用這樣的結(jié)構(gòu)，即用使用者通常工作時(shí)不使用的信號(hào)狀態(tài)的組合設(shè)定篩選方式。圖3(A)是圖1所示的單元選擇控制電路26的結(jié)構(gòu)之一例略圖。在圖3(A)中，單元選擇控制電路26含有檢測(cè)從地址發(fā)生電路15給出內(nèi)部地址信號(hào)的變化的地址變化檢測(cè)電路26a；響應(yīng)來(lái)自地址變化檢測(cè)電路26a的地址變化檢測(cè)信號(hào)ATD，發(fā)生具有規(guī)定的時(shí)間間隔的單觸發(fā)脈沖信號(hào)PU的單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路26b；以及接收篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI和來(lái)自單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路26b的單觸發(fā)脈沖信號(hào)PU的OR電路26c。從OR電路26c給出使圖1所示的行選擇電路2及列選擇電路3呈活化狀態(tài)的信號(hào)ACT。當(dāng)該信號(hào)ACT呈活化狀態(tài)時(shí)，行選擇電路2及列選擇電路3處于工作狀態(tài)。圖3(B)是表示圖3(A)所示的單元選擇控制電路26工作的波形圖。以下，參照?qǐng)D3(B)所示的波形圖說(shuō)明圖3(A)所示的單元選擇控制電路26的工作情況。
內(nèi)部地址變化后，地址變化檢測(cè)電路26a檢測(cè)該變化，生成具有規(guī)定的時(shí)間間隔的單觸發(fā)脈沖信號(hào)的脈沖變化檢測(cè)信號(hào)ATD。單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路26b響應(yīng)該地址變化檢測(cè)信號(hào)ATD的上升，生成單觸發(fā)脈沖信號(hào)。當(dāng)篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI為低電平時(shí)，作為活化信號(hào)從OR電路26c給出來(lái)自該單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路26b的脈沖信號(hào)PU。因此，當(dāng)篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI呈低電平的非活化狀態(tài)時(shí)，即在正常工作方式時(shí)，不管按照地址變化時(shí)鐘脈沖信號(hào)CLK的循環(huán)周期如何，行選擇電路2及列選擇電路3只在一定的時(shí)間間隔呈活化狀態(tài)。
另一方面，當(dāng)篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI為高電平時(shí)，根據(jù)地址變化檢測(cè)信號(hào)ATD生成脈沖信號(hào)PU，但不管該脈沖信號(hào)PU如何，活化信號(hào)ACT被固定在高電平的活化狀態(tài)。在篩選方式時(shí)，將電壓加在各電路構(gòu)成元件上。因此，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)的周期長(zhǎng)時(shí)，使行選擇電路2及列選擇電路3在該時(shí)鐘脈沖周期長(zhǎng)的期間工作，足夠大的電壓加在各電路上。
在該圖3(A)所示的單元選擇控制電路26的結(jié)構(gòu)中，地址變化檢測(cè)電路26a也可以這樣構(gòu)成，即只在內(nèi)部片選擇信號(hào)ZCS活化時(shí)生成地址變化檢測(cè)信號(hào)ATD。例如對(duì)應(yīng)于地址信號(hào)的各位設(shè)延遲電路，通過(guò)采用接收與該延遲電路的輸出對(duì)應(yīng)的地址信號(hào)位的一致檢測(cè)電路，就能容易地實(shí)現(xiàn)地址變化檢測(cè)電路。圖4是圖1所示的輸出緩沖器20的結(jié)構(gòu)略圖。圖4中示出了對(duì)1位數(shù)據(jù)輸入輸出端子10a設(shè)的輸出緩沖電路的結(jié)構(gòu)。圖4中，輸出緩沖器20含有當(dāng)輸出允許信號(hào)/OE活化時(shí)被激活后對(duì)來(lái)自內(nèi)部的讀出數(shù)據(jù)RD進(jìn)行緩沖處理，然后傳遞到數(shù)據(jù)輸入輸出端子10a的緩沖電路20a；以及根據(jù)圖1所示的壓焊區(qū)22的設(shè)定電位(用信號(hào)SR表示)調(diào)整供給該緩沖電路20a的電流量的驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20b、20C。
緩沖電路20a根據(jù)從該驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20b及20c供給的電流量，將該輸入輸出端子10a驅(qū)動(dòng)到與內(nèi)部讀出數(shù)據(jù)RD對(duì)應(yīng)的電位電平。驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20b含有連接在內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)和緩沖電路20a的一個(gè)工作電源節(jié)點(diǎn)之間、其柵極的接地電壓為Vss的p溝道MOS晶體管PQ1；以及與該MOS晶體管PQ1并聯(lián)設(shè)置、其柵極接收將壓焊區(qū)22的設(shè)定電位的邏輯反相后的信號(hào)ZSR的p溝道MOS晶體管PQ2。使MOS晶體管PQ2的電流供給能力比MOS晶體管PQ1的大。MOS晶體管PQ1處于經(jīng)常導(dǎo)通狀態(tài)，具有由選通脈寬和選通脈高之比決定的電流供給能力，從電源節(jié)點(diǎn)向緩沖電路20a的一個(gè)工作電源節(jié)點(diǎn)供給電流。
驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20c含有連接在緩沖電路20a的另一個(gè)工作電源節(jié)點(diǎn)和接地節(jié)點(diǎn)之間、且其柵極接收電源電壓Vdd的n溝道MOS晶體管NQ1；以及與該MOS晶體管NQ1并聯(lián)連接、且其柵極接收壓焊區(qū)22(參照?qǐng)D1)的設(shè)定電位(信號(hào)SR)的n溝道MOS晶體管NQ2。使MOS晶體管NQ2的電流供給能力比MOS晶體管NQ1的大。MOS晶體管NQ1的柵極接收電源電壓Vdd，經(jīng)常導(dǎo)通，并吸收緩沖電路20a的放電電流。
壓焊區(qū)22被固定在電源電壓Vdd電平時(shí)，信號(hào)SR變成高電平信號(hào)。在該狀態(tài)下，激勵(lì)功率調(diào)整電路20b中的p溝道MOS晶體管PQ2及驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20c中的n溝道MOS晶體管NQ2都處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20b通過(guò)MOS晶體管PQ1及PQ2，從電源節(jié)點(diǎn)向緩沖電路20a的一個(gè)工作電源節(jié)點(diǎn)供給電流，另一方面，驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20c通過(guò)MOS晶體管NQ1及NQ2將電流從緩沖電路20a的另一個(gè)工作電源節(jié)點(diǎn)放到接地節(jié)點(diǎn)。因此，如圖5所示，緩沖電路20a的數(shù)據(jù)輸入輸出端子10a驅(qū)動(dòng)力增大，數(shù)據(jù)輸入輸出端子10a上的數(shù)據(jù)DQa高速變化。
另一方面，壓焊區(qū)22被設(shè)定在接地電壓電平時(shí)，信號(hào)SR變成低電平，MOS晶體管PQ2及NQ2都呈截止?fàn)顟B(tài)。在該狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20b只通過(guò)MOS晶體管PQ1向緩沖電路20a供給電流，驅(qū)動(dòng)力調(diào)整電路20c通過(guò)MOS晶體管NQ1將來(lái)自緩沖電路20a的放電電流放到接地節(jié)點(diǎn)。因此在該狀態(tài)下，如圖5所示，緩沖電路20a的電流驅(qū)動(dòng)力減小，其數(shù)據(jù)輸入輸出端子10a上的數(shù)據(jù)DQa較慢地變化。
因此，通過(guò)將該壓焊區(qū)22的電位設(shè)定成電源電壓Vdd電平或接地電壓Vss電平，就能設(shè)定輸出緩沖器20的工作速度(輸出負(fù)載相同時(shí))。
通過(guò)固定該壓焊區(qū)22的電位(信號(hào)SR)的電平，能用一個(gè)芯片實(shí)現(xiàn)高速輸出數(shù)據(jù)的芯片和以較低的速度輸出數(shù)據(jù)的芯片。特別是在時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體裝置的情況下，與時(shí)鐘信號(hào)同步進(jìn)行數(shù)據(jù)的抽樣。因此在該時(shí)鐘信號(hào)的上升邊，數(shù)據(jù)必須呈可靠的確定狀態(tài)。因此，必須確保該時(shí)鐘脈沖信號(hào)的讀出數(shù)據(jù)的準(zhǔn)備時(shí)間和保持時(shí)間。通過(guò)有選擇地設(shè)定該壓焊區(qū)22的電位，根據(jù)使用的工作環(huán)境(時(shí)鐘頻率)，能設(shè)定其輸出節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)速度及準(zhǔn)備時(shí)間。
如圖6所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器40和處理機(jī)50互相用電路板上的布線BIL連接時(shí)，該板上的布線BIL的電阻及電容隨板上的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器40和處理機(jī)50的配置情況的不同而不同。因此該板上的布線BIL的負(fù)載較小時(shí)，輸出緩沖器的驅(qū)動(dòng)力減小，該板上的布線BIL的負(fù)載大時(shí)，該輸出緩沖器的驅(qū)動(dòng)力增大。這時(shí)，輸出緩沖器20達(dá)到與板上的布線BIL的負(fù)載對(duì)應(yīng)的電流供給能力(輸出節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)力)。因此，在用相同的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率工作的環(huán)境中，通過(guò)使板上的布線BIL的負(fù)載一致來(lái)調(diào)整輸出緩沖器的驅(qū)動(dòng)力，不會(huì)發(fā)生振鈴等，能可靠地生成正確的數(shù)據(jù)，能實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)性能相應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。圖7是圖1所示的檢查用電路的結(jié)構(gòu)圖。在圖7中作為導(dǎo)電性地連接在內(nèi)部電路上的通常的壓焊區(qū)28，作為一例示出了與接收字節(jié)寫入信號(hào)/BW1的端子4c連接的壓焊區(qū)。因此，通過(guò)內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地連接在該壓焊區(qū)28上的內(nèi)部電路50與圖1所示的寫入控制緩沖器6對(duì)應(yīng)。內(nèi)部電路50在其輸入初級(jí)包含由p溝道MOS晶體管及n溝道MOS晶體管構(gòu)成的CMOS反相器50a。
檢查用電路30包含接收篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI和壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)的雙輸入AND電路30a，以及連接在內(nèi)部布線51和接地節(jié)點(diǎn)Vss之間且其柵極接收AND電路30a的輸出信號(hào)的n溝道MOS晶體管30b。壓焊區(qū)22通過(guò)圖7中用虛線表示的壓焊絲設(shè)定為電源電壓Vdd電平或接地電壓Vss電平。其次說(shuō)明工作情況。
在通常工作方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI呈低電平，AND電路30a的輸出信號(hào)固定在低電平。因此在該狀態(tài)下，MOS晶體管30b呈截止?fàn)顟B(tài)，內(nèi)部電路50(寫入控制緩沖器6)根據(jù)通過(guò)其引線端子4c的壓焊區(qū)28及內(nèi)部布線51送給的信號(hào)而工作。
被指定為篩選方式后，篩選方式檢測(cè)信號(hào)BI變成高電平，AND電路30a作為緩沖電路工作。壓焊區(qū)22被設(shè)定為電源電壓Vdd電平時(shí)，信號(hào)SR為高電平，AND電路30a的輸出信號(hào)變成高電平，MOS晶體管30b變成導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面，壓焊區(qū)22被設(shè)定為接地電壓Vss電平時(shí)，信號(hào)SR變?yōu)榈碗娖?，AND電路30a的輸出信號(hào)也變?yōu)榈碗娖?，MOS晶體管30b變成截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)部電路50的輸入初級(jí)緩沖器50a的構(gòu)成元件即MOS晶體管的柵極連接在內(nèi)部布線51上。因此不存在從該內(nèi)部布線51流經(jīng)輸入初級(jí)緩沖器50a的電流路徑。因此通過(guò)將高電平信號(hào)送給該引線端子4c，根據(jù)MOS晶體管30b的導(dǎo)通狀態(tài)/截止?fàn)顟B(tài)，如果構(gòu)成電流有選擇地從壓焊區(qū)28經(jīng)過(guò)內(nèi)部布線51流到接地節(jié)點(diǎn)Vss的路徑，則用外部的測(cè)試器就能識(shí)別MOS晶體管30b是處于導(dǎo)通狀態(tài)還是處于截止?fàn)顟B(tài)，即能識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電壓電平。通過(guò)識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電壓電平，能識(shí)別輸出緩沖器的轉(zhuǎn)換速率是否降低了。
設(shè)定為篩選方式時(shí)，半導(dǎo)體裝置被設(shè)定在初始狀態(tài)，字節(jié)寫入信號(hào)/BW1呈高電平。因此在篩選方式時(shí)，用通常的測(cè)試器就能識(shí)別該半導(dǎo)體裝置的被設(shè)定的內(nèi)部功能(輸出節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)速度)。
圖8是表示進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部功能識(shí)別的測(cè)試環(huán)境的結(jié)構(gòu)略圖。在圖8中，按規(guī)定的順序?qū)⑿盘?hào)(電壓)從測(cè)試器60加到半導(dǎo)體裝置40的引線端子40a、40b及4c上。該測(cè)試器60包含存儲(chǔ)該半導(dǎo)體裝置40測(cè)試時(shí)加的信號(hào)波形且按規(guī)定的順序施加信號(hào)(電壓)的測(cè)試控制電路60a，以及連接在測(cè)試控制電路60a和引線端子4c之間、將測(cè)試控制電路60a的輸出信號(hào)和普通壓焊區(qū)28導(dǎo)電性地連接起來(lái)的電流計(jì)60b。通過(guò)測(cè)試控制電路60a設(shè)定篩選方式。這時(shí)，測(cè)試控制電路60a將高電平信號(hào)輸出給引線端子4c。通過(guò)測(cè)定流過(guò)該電流計(jì)60b的電流量，能測(cè)定半導(dǎo)體裝置40的引線端子4c有無(wú)漏電流，從而能識(shí)別該半導(dǎo)體裝置40的轉(zhuǎn)換速率是否已調(diào)整。
在引線端子4c上在準(zhǔn)備時(shí)存在允許的漏電流。MOS晶體管30b供給比該允許的漏電流大的電流即可，MOS晶體管30b不要求那么大的電流驅(qū)動(dòng)力。通常在篩選方式時(shí)，可同時(shí)測(cè)試多個(gè)半導(dǎo)體裝置。因此，同時(shí)對(duì)用同一制造工序制造的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行篩選試驗(yàn)時(shí)，即使檢查用電路30中的漏電流小，但由于將這些多個(gè)同時(shí)進(jìn)行篩選測(cè)試的半導(dǎo)體裝置的引線端子的漏電流相加，所以該電流值增大，即使各半導(dǎo)體裝置40的檢查用電路30中的MOS晶體管30b的電流驅(qū)動(dòng)力小，但利用該電流計(jì)60b能充分地識(shí)別半導(dǎo)體裝置40中是否通過(guò)檢查用電路30將普通壓焊區(qū)28與接地節(jié)點(diǎn)導(dǎo)電性地連接起來(lái)。圖9是檢查用電路的變更例的結(jié)構(gòu)圖。圖9所示的檢查用電路包含接收篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI和壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)的NOR電路30c，以及NOR電路30c的輸出信號(hào)活化時(shí)將內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地連接到接地節(jié)點(diǎn)上的n溝道MOS晶體管30b。篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI在篩選方式設(shè)定時(shí)呈低電平，在通常工作方式時(shí)呈高電平。另一結(jié)構(gòu)與圖7所示的結(jié)構(gòu)相同，對(duì)應(yīng)的部分標(biāo)以相同的參照編號(hào)，它們的說(shuō)明從略。
在該圖9所示的檢查用電路結(jié)構(gòu)的情況下，在通常工作方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI為高電平，NOR電路30c的輸出信號(hào)變成低電平，內(nèi)部布線51從接地節(jié)點(diǎn)導(dǎo)電性地?cái)嚅_。在該狀態(tài)下，內(nèi)部電路50輸出與送給壓焊區(qū)28的信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)。設(shè)定在篩選方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI變?yōu)榈碗娖?，NOR電路30c作為反相電路工作。因此，當(dāng)壓焊區(qū)22的電位為電源電壓Vdd電平時(shí)，信號(hào)SR變?yōu)楦唠娖剑琋OR電路30c的輸出信號(hào)變成低電平。另一方面，當(dāng)壓焊區(qū)22的電位被設(shè)定為接地電壓Vss電平時(shí)，信號(hào)SR變?yōu)榈碗娖?，NOR電路30c的輸出信號(hào)變成高電平。
因此，該MOS晶體管30b對(duì)應(yīng)于信號(hào)SR的電位電平，被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)。因此在與外部引線端子4c導(dǎo)電性地連接的壓焊區(qū)28處形成電流路徑。將高電平信號(hào)送給引線端子4c，測(cè)定該引線端子4c的漏電流，根據(jù)該漏電流的大小(有無(wú))能識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電位電平。即當(dāng)壓焊區(qū)22被設(shè)定為電源電壓Vdd電平時(shí)，引線端子4c不產(chǎn)生漏電流(或漏電流極小只內(nèi)部電路50有漏電流)，當(dāng)壓焊區(qū)22被設(shè)定為接地電壓Vss電平時(shí)，引線端子4c流過(guò)很大的漏電流。圖10是按照本發(fā)明構(gòu)成的檢查用電路的第3種結(jié)構(gòu)圖。在圖10中，與圖9所示的結(jié)構(gòu)相同，對(duì)內(nèi)部布線51設(shè)有根據(jù)壓焊區(qū)22的電位(信號(hào)SR)和篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI，導(dǎo)電性地連接到內(nèi)部布線51的接地節(jié)點(diǎn)上的檢查用電路30。該內(nèi)部布線51將內(nèi)部電路50導(dǎo)電性地連接在與外部引線端子4a連接的壓焊區(qū)28上。圖1所示的全局寫入信號(hào)/GW被送給該引線端子4a。檢查用電路30包含接收篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI和壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)的NOR電路30c，以及根據(jù)該NOR電路30c的輸出信號(hào)將內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地連接到接地節(jié)點(diǎn)上的n溝道MOS晶體管30b。
在圖10所示的結(jié)構(gòu)中，還對(duì)內(nèi)部布線56設(shè)有第2檢查用電路62，該內(nèi)部布線56將與內(nèi)部電路50分開設(shè)置的內(nèi)部電路54導(dǎo)電性地連接在另外的壓焊區(qū)52上。壓焊區(qū)52被導(dǎo)電性地連接在接收主字節(jié)寫入信號(hào)/MBW的引線端子4b上。
檢查用電路62包含接收壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)的反相器62a；接收反相器62a的輸出信號(hào)和篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI的NOR電路62b；以及根據(jù)NOR電路62b的輸出信號(hào)將內(nèi)部布線56導(dǎo)電性地連接到接地節(jié)點(diǎn)上的n溝道MOS晶體管62c。其次說(shuō)明工作情況。
在通常工作方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI為高電平，NOR電路30c及62b都輸出低電平信號(hào)，MOS晶體管30b及62c都處于截止?fàn)顟B(tài)。因此內(nèi)部布線51及56都被從接地節(jié)點(diǎn)導(dǎo)電性地?cái)嚅_，內(nèi)部電路50及54根據(jù)分別通過(guò)壓焊區(qū)28及52從引線端子4a及4b送來(lái)的信號(hào)工作。
在篩選方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI為低電平，NOR電路30c及62b作為反相器工作。信號(hào)SR(壓焊區(qū)22上的電位)被送給NOR電路30c，信號(hào)SR通過(guò)反相器62a被送給NOR電路62b。因此，該檢查用電路30及62在篩選方式時(shí)彼此互補(bǔ)地工作。即壓焊區(qū)22被設(shè)定為電源電壓Vdd電平，當(dāng)信號(hào)SR為高電平時(shí)，檢查用電路62的MOS晶體管62c變成導(dǎo)通狀態(tài)，內(nèi)部配線56被導(dǎo)電性地連接在接地節(jié)點(diǎn)上。另一方面，檢查用電路30的MOS晶體管30b為截止?fàn)顟B(tài)，內(nèi)部配線51被從接地節(jié)點(diǎn)導(dǎo)電性地?cái)嚅_。因此，當(dāng)壓焊區(qū)22被設(shè)定為電源電壓Vdd電平時(shí)，漏電流流過(guò)引線端子4b，引線端子4a上沒(méi)有漏電流(或極小)。
另一方面，當(dāng)壓焊區(qū)22被設(shè)定為接地電壓Vss電平時(shí)，信號(hào)SR為低電平時(shí)，檢查用電路30的MOS晶體管30b為導(dǎo)通狀態(tài)，另一方面，檢查用電路62的MOS晶體管62c變成截止?fàn)顟B(tài)。因此，在該狀態(tài)下，內(nèi)部配線51被導(dǎo)電性地連接在接地節(jié)點(diǎn)上，內(nèi)部配線56被從接地節(jié)點(diǎn)導(dǎo)電性地?cái)嚅_，漏電流流過(guò)引線端子4a，引線端子4b上不產(chǎn)生漏電流(或產(chǎn)生極小的漏電流)。這時(shí)，在進(jìn)行壓焊區(qū)電位檢測(cè)時(shí)，高電平信號(hào)被加在引線端子4a及4b上。因此，通過(guò)識(shí)別漏電流流過(guò)引線端子4a及4b中的哪一個(gè)，能鑒別壓焊區(qū)22的設(shè)定電位。
圖11是表示進(jìn)行具有圖10所示的檢查用電路的半導(dǎo)體裝置的測(cè)試的結(jié)構(gòu)略圖。在圖11中，遵照規(guī)定順序的信號(hào)(電壓)被從測(cè)試器60送給半導(dǎo)體裝置40的引線端子4a、4b、…、40c。測(cè)試器60包含按規(guī)定順序?qū)⑿盘?hào)加在半導(dǎo)體裝置40的各引線端子4a、4b、…、40c上的測(cè)試控制電路60a，以及設(shè)在引線端子4a及4b和測(cè)試控制電路60a的輸出端之間的電流計(jì)60ba及60bb。來(lái)自測(cè)試控制電路60a的信號(hào)通過(guò)電流計(jì)60ba及60bb被送給引線端子4a及4b。設(shè)定為篩選方式時(shí)，用該電流計(jì)60ba及60bb測(cè)定流過(guò)的電流，識(shí)別具有允許漏電流以上大小的漏電流流過(guò)哪一個(gè)引線端子，鑒別該半導(dǎo)體裝置40的壓焊區(qū)22的電位、即半導(dǎo)體裝置40的內(nèi)部功能(轉(zhuǎn)換速率調(diào)整)。
即使采用圖10所示的檢查用電路，也不需要任何另外的壓焊區(qū)及引線端子，只在現(xiàn)有的測(cè)試器中附加電流計(jì)，就能鑒別半導(dǎo)體裝置40被設(shè)定的內(nèi)部功能(轉(zhuǎn)換速率調(diào)整功能)。
圖12是檢查用電路的第4種結(jié)構(gòu)略圖。在圖12中，檢查用電路30根據(jù)指定為篩選方式時(shí)壓焊區(qū)22的設(shè)定電位，將通過(guò)壓焊區(qū)28把內(nèi)部電路50導(dǎo)電性地連接在外部引線端子65上的內(nèi)部布線51有選擇地導(dǎo)電性地連接在電源節(jié)點(diǎn)或接地節(jié)點(diǎn)兩者中的一個(gè)上。即檢查用電路30包含接收篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI和壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)的雙輸入NOR電路30c；根據(jù)NOR電路30c的輸出信號(hào)將內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地且有選擇地連接到接地節(jié)點(diǎn)上的n溝道MOS晶體管30b；將壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)的邏輯反相的反相器30d；接收篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI和反相器30d的輸出信號(hào)的OR電路30e；以及根據(jù)OR電路30e的輸出信號(hào)將內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地且有選擇地連接在電源節(jié)點(diǎn)上的p溝道MOS晶體管30f。其次說(shuō)明工作情況。
在通常工作方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI為高電平，NOR電路30c的輸出信號(hào)為低電平，OR電路30e的輸出信號(hào)變成高電平，MOS晶體管30b及30f都變成截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)部電路50根據(jù)從引線端子65送來(lái)的信號(hào)工作。
指定為篩選方式時(shí)，篩選方式檢測(cè)信號(hào)ZBI被設(shè)定為低電平，NOR電路30c作為反相器工作，OR電路30e作為緩沖電路工作。壓焊區(qū)22被設(shè)定為電源電壓Vdd電平時(shí)，NOR電路30c的輸出信號(hào)變成低電平，OR電路30e的輸出信號(hào)變成低電平。因此MOS晶體管30b變成截止?fàn)顟B(tài)，MOS晶體管30f變成導(dǎo)通狀態(tài)。內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地連接在電源節(jié)點(diǎn)上。
另一方面，當(dāng)壓焊區(qū)22被設(shè)定為接地電壓Vss電平時(shí)，NOR電路30c的輸出信號(hào)為高電平，OR電路30e的輸出信號(hào)變成高電平，MOS晶體管30f變成截止?fàn)顟B(tài)，MOS晶體管30b變成導(dǎo)通狀態(tài)。在該狀態(tài)下，內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地被連接在接地節(jié)點(diǎn)上。在圖12所示的檢查用電路30的情況下，作為識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電位的方法可考慮以下方法。
首先，作為方法之一，先將高電平信號(hào)加在引線端子65上，檢查有無(wú)漏電流。當(dāng)MOS晶體管30f處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，內(nèi)部布線51導(dǎo)電性地被連接在電源節(jié)點(diǎn)上，引線端子65的漏電流在允許值以下。當(dāng)MOS晶體管30b處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)流過(guò)大的漏電流。因此能識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電位。這時(shí)還可增加這樣的步驟，即接著將低電平信號(hào)加在引線端子65上，檢查有無(wú)漏電流。當(dāng)MOS晶體管30f處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電流從檢查用電路30流到端子65。當(dāng)MOS晶體管30b處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，漏電流在允許值以下。因此，當(dāng)加在引線端子65上的電壓呈低電平時(shí)，識(shí)別電流是否從引線端子65流出。經(jīng)過(guò)2個(gè)步驟能可靠地識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電位。
作為另一種方法，將電源電壓Vdd和接地電壓Vss的中間電壓信號(hào)加在引線端子65上。在該狀態(tài)下，檢查通過(guò)引線端子65流的漏電流的大小及方向。當(dāng)MOS晶體管30f處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電流從檢查用電路30流向引線端子65。另一方面，當(dāng)MOS晶體管30b處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，漏電流從引線端子65流向檢查用電路30。因此通過(guò)識(shí)別該漏電流的大小及其方向，能識(shí)別壓焊區(qū)22的設(shè)定電位，從而能識(shí)別設(shè)定的內(nèi)部功能(轉(zhuǎn)換速率調(diào)整功能)。
這時(shí)用的測(cè)試環(huán)境與圖1所示的相同。
在上述實(shí)施例中，內(nèi)部電路采用信號(hào)輸入電路。該輸入電路的輸入初級(jí)由CMOS反相器構(gòu)成，不存在從內(nèi)部布線51流經(jīng)內(nèi)部電路的輸入初級(jí)的電流路徑，因此能根據(jù)壓焊區(qū)的設(shè)定電位可靠地識(shí)別是否形成了電流路徑。之所以不使用信號(hào)輸出電路，是因?yàn)樵诤Y選方式時(shí)，檢查用電路工作，所以要抑制在信號(hào)輸出電路的最后輸出級(jí)形成多余的電流路徑，另外還為了防止由最后輸出級(jí)的電流路徑產(chǎn)生的漏電流對(duì)壓焊區(qū)電位鑒別的不良影響。因此，作為該檢查指示信號(hào)不使用篩選方式檢查信號(hào)，而使用另外的信號(hào)(專用信號(hào))時(shí)，在檢查指示信號(hào)活化時(shí)輸出緩沖器被設(shè)定在高輸出阻抗?fàn)顟B(tài)的情況下，也可以有選擇地對(duì)與這種輸出緩沖器連接的壓焊區(qū)形成電流路徑。圖13是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的變更例的主要部分的結(jié)構(gòu)略圖。在該圖13所示的結(jié)構(gòu)中包含接收來(lái)自外部的信號(hào)、片選擇信號(hào)/CS、可輸出信號(hào)/OE、可寫入信號(hào)/WE及特定的地址信號(hào)位Ad(也可是多位)，且當(dāng)這些信號(hào)被設(shè)定在預(yù)定的狀態(tài)時(shí)使檢查指示信號(hào)TE呈活化狀態(tài)的檢查指示信號(hào)發(fā)生電路70，以及來(lái)自該檢查指示信號(hào)發(fā)生電路70的檢查指示信號(hào)TE活化時(shí)被激活、根據(jù)壓焊區(qū)22上的電位(信號(hào)SR)將內(nèi)部布線51及壓焊區(qū)28導(dǎo)電性地連接在接地節(jié)點(diǎn)(基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn))上的檢查用電路30。
當(dāng)使用者在通常不使用的狀態(tài)下設(shè)定了外部信號(hào)/CS、/OE、、WE及Ad時(shí)，該檢查指示信號(hào)發(fā)生電路70將檢查指示信號(hào)TE激活。作為這種信號(hào)狀態(tài)的組合，例如使片選擇信號(hào)/CS為高電平，信號(hào)/OE及/WE都為低電平，而且將多個(gè)地址信號(hào)位Ad設(shè)定為特定的邏輯電平。
在該圖13所示的結(jié)構(gòu)中，為了指示檢查方式，用專用的信號(hào)TE使檢查用電路30活化/非活化。因此，將檢查用電路30設(shè)在壓焊區(qū)22附近的壓焊區(qū)28，能將檢查指示信號(hào)發(fā)生電路70配置在該檢查用電路30附近，該檢查用電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)布局變得容易了。
該半導(dǎo)體裝置不僅可以是與時(shí)鐘信號(hào)同步工作的時(shí)鐘同步型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也可以是通常的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。另外，既可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，也可以是其它存儲(chǔ)器(例如快擦寫存儲(chǔ)器)[其它應(yīng)用例2]圖14是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另一種結(jié)構(gòu)略圖。在圖14中，半導(dǎo)體裝置包含根據(jù)壓焊區(qū)80的設(shè)定電位設(shè)定其實(shí)現(xiàn)的內(nèi)部功能的壓焊選擇功能電路82。該壓焊選擇功能電路82可以是根據(jù)壓焊區(qū)80的設(shè)定電位確定字結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)輸入輸出電路，也可以是設(shè)定更新周期數(shù)(DRAM的情況下)的更新地址系統(tǒng)電路部分，或者還可以是設(shè)定數(shù)據(jù)輸出方式(EDO方式或靜態(tài)列方式、或設(shè)定其工作方式即鎖存輸出方式、寄存輸出方式及透明輸出方式之類的數(shù)據(jù)輸出定時(shí)的方式)的電路。
半導(dǎo)體裝置還包含根據(jù)輸出信號(hào)的狀態(tài)發(fā)生檢查指示信號(hào)TE的檢查指示信號(hào)發(fā)生電路84，以及接收壓焊區(qū)80上的電位(信號(hào)PS)和來(lái)自檢查指示信號(hào)發(fā)生電路84的檢查指示信號(hào)TE、當(dāng)該檢查指示信號(hào)TE活化時(shí)被活化后根據(jù)信號(hào)PS的邏輯將內(nèi)部布線89導(dǎo)電性地連接到規(guī)定的基準(zhǔn)電位源(電源電壓Vdd供給節(jié)點(diǎn)或接地電壓Vss供給節(jié)點(diǎn))上的檢查用電路86。該內(nèi)部布線89通過(guò)壓焊區(qū)90將內(nèi)部電路88導(dǎo)電性地連接在外部引線端子92上。內(nèi)部電路88可以是在該檢查用電路86活化時(shí)從內(nèi)部布線89經(jīng)過(guò)內(nèi)部電路88不形成電流路徑的電路。因此內(nèi)部電路88不僅可以是信號(hào)輸入電路，也可以是不工作時(shí)被設(shè)定在高輸出阻抗?fàn)顟B(tài)的輸出電路。
如該圖14所示的半導(dǎo)體裝置所示，根據(jù)壓焊區(qū)80的設(shè)定電位確定內(nèi)部功能時(shí)，通過(guò)利用檢查用電路86，能從外部容易地鑒別該半導(dǎo)體裝置是否被設(shè)定在規(guī)定的內(nèi)部功能即是否實(shí)現(xiàn)了該內(nèi)部功能。
設(shè)定壓焊區(qū)22或80的電位時(shí)，可以采用通過(guò)壓焊絲將壓焊區(qū)22或80導(dǎo)電性地連接在電源引線端子或接地引線端子中的一個(gè)端子上的結(jié)構(gòu)。也可以采用下述結(jié)構(gòu)代替這種結(jié)構(gòu)，即在壓焊區(qū)22或80附近只設(shè)一個(gè)引線端子(電源引線或接地引線)，根據(jù)有無(wú)對(duì)該附近的引線端子的壓焊連接，設(shè)定特定壓焊區(qū)的電位。例如可以采用這樣的結(jié)構(gòu)，即無(wú)壓焊絲時(shí)，壓焊區(qū)22或80的電位被設(shè)定在電源電位電平，接地端子設(shè)在附近，當(dāng)壓焊區(qū)22或80通過(guò)壓焊絲被連接在接地端子上時(shí)，該壓焊區(qū)22或80的電位被設(shè)定在接地電位電平?？稍趬汉腹ば驎r(shí)設(shè)定這些壓焊區(qū)22或80的電位，從而能設(shè)定內(nèi)部功能。
如上所述，如果按照本發(fā)明，在根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位設(shè)定內(nèi)部功能的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)該特定壓焊區(qū)的電位和檢查方式指示，將預(yù)定的內(nèi)部電路連接的普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接在內(nèi)部基準(zhǔn)電位源上，從外部檢測(cè)該普通壓焊區(qū)上連接的引線端子的漏電流，因此能容易地識(shí)別特定壓焊區(qū)的電位即設(shè)定的內(nèi)部功能。
另外，如果這樣來(lái)構(gòu)成，即，使用2個(gè)壓焊區(qū)作為普通壓焊區(qū)，根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位，將這2個(gè)壓焊區(qū)中的一個(gè)導(dǎo)電性地連接在基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上，則根據(jù)哪一個(gè)端子上有漏電流流過(guò)，能可靠地鑒別特定壓焊區(qū)的電位即設(shè)定的內(nèi)部功能。
另外，如果根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位，在檢查方式時(shí)將普通壓焊區(qū)有選擇地連接在第1及第2基準(zhǔn)電位源中的一個(gè)上，則只用一個(gè)壓焊區(qū)檢測(cè)漏電流的方向，就能可靠地檢測(cè)特定壓焊區(qū)的電位即設(shè)定的內(nèi)部功能。
另外，在調(diào)整輸出電路的輸出節(jié)點(diǎn)的速度的轉(zhuǎn)換速率控制功能的情況下，能用簡(jiǎn)單的測(cè)試方法容易地識(shí)別用通常的工作方法不容易檢測(cè)的內(nèi)部功能，能可靠地防止產(chǎn)品的誤出廠。
另外，通過(guò)使用篩選方式檢查信號(hào)作為檢查指示信號(hào)，不需要特別設(shè)置設(shè)定檢查方式用的檢測(cè)電路，就能與篩選方式時(shí)一致地識(shí)別內(nèi)部功能，不需要設(shè)專用的測(cè)試器或測(cè)試方式，不會(huì)降低測(cè)試效率。另外，在半導(dǎo)體裝置內(nèi)部不需要設(shè)已有的方式檢測(cè)電路，能減少半導(dǎo)體裝置的檢查用電路的占有面積。
另外，只檢測(cè)外部引線端子有無(wú)漏電流，就能識(shí)別內(nèi)部功能，能簡(jiǎn)單地用非破壞方法檢測(cè)內(nèi)部功能。
權(quán)利要求
1.一種能根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位確定內(nèi)部功能的半導(dǎo)體裝置，其特征在于具有與上述特定壓焊區(qū)分開設(shè)置的、與內(nèi)部電路導(dǎo)電性地連接的普通壓焊區(qū)；以及接收檢查指示信號(hào)和上述特定壓焊區(qū)的電位，當(dāng)上述檢查指示信號(hào)活化時(shí)被激活后根據(jù)上述特定壓焊區(qū)的電位將上述普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接在基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的檢查用裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述普通壓焊區(qū)包含與第1內(nèi)部電路導(dǎo)電性連接的第1壓焊區(qū)；以及與上述第1壓焊區(qū)分開設(shè)置且與第2內(nèi)部電路導(dǎo)電性連接的第2壓焊區(qū)，上述檢查用裝置具有接收上述檢查指示信號(hào)和上述特定壓焊區(qū)的電位，當(dāng)上述檢查指示信號(hào)活化時(shí)根據(jù)上述特定壓焊區(qū)的電位將上述第1壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到上述基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第1裝置；以及當(dāng)上述檢查指示信號(hào)活化時(shí)根據(jù)上述特定壓焊區(qū)的電位，與上述第1裝置互補(bǔ)工作，將上述第2壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到上述基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第2裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述檢查用裝置具有當(dāng)上述檢查指示信號(hào)活化時(shí)將上述普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到第1基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第1裝置；以及當(dāng)上述檢查指示信號(hào)活化時(shí)根據(jù)上述特定壓焊區(qū)的電位，與上述第1裝置互補(bǔ)工作，將上述普通壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接到其電壓電平與上述第1基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)的電位電平不同的的第2基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的第2裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述半導(dǎo)體裝置是一種檢索自如地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，上述內(nèi)部功能是將數(shù)據(jù)輸出到裝置外部的輸出電路的輸出節(jié)點(diǎn)的電位變化速度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述存儲(chǔ)器是與從裝置外部反復(fù)輸入的時(shí)鐘信號(hào)同步取入來(lái)自外部的信號(hào)及數(shù)據(jù)的時(shí)鐘同步型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，上述檢查指示信號(hào)與來(lái)自檢測(cè)是否指定了篩選方式的篩選方式檢查裝置的篩選方式檢測(cè)信號(hào)通用。
6.一種半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部功能識(shí)別方法，該方法是根據(jù)特定壓焊區(qū)的電位確定內(nèi)部功能的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部功能識(shí)別方法，其特征在于包括將檢查指示信號(hào)送給上述半導(dǎo)體裝置的步驟；測(cè)定在導(dǎo)電性地與上述半導(dǎo)體裝置的預(yù)定的內(nèi)部電路連接的引線端子上產(chǎn)生的漏電流的步驟；以及根據(jù)上述測(cè)定步驟中測(cè)定的漏電流值鑒別上述半導(dǎo)體裝置的設(shè)定的內(nèi)部功能的步驟，上述半導(dǎo)體裝置包括輸入檢查指示信號(hào)后根據(jù)上述特定壓焊區(qū)的電位將上述預(yù)定的引線端子有選擇地導(dǎo)電性地連接到內(nèi)部的基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的裝置。
全文摘要
根據(jù)壓焊區(qū)的電位從外部用非破壞方法檢測(cè)設(shè)定內(nèi)部功能的壓焊選擇功能。設(shè)有活化時(shí)根據(jù)特定壓焊區(qū)(22)的電位將連接內(nèi)部電路的壓焊區(qū)有選擇地導(dǎo)電性地連接到基準(zhǔn)電位源節(jié)點(diǎn)上的檢查用電路(30)。該檢查用電路(30)在篩選方式檢查信號(hào)(BI)活化時(shí)呈活化狀態(tài)。通過(guò)檢測(cè)該電路連接的壓焊區(qū)導(dǎo)電性地連接的引線端子的漏電流,能在外部鑒別特定壓焊區(qū)的電位即設(shè)定的內(nèi)部功能。
文檔編號(hào)G11C11/401GK1181505SQ9710994
公開日1998年5月13日 申請(qǐng)日期1997年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月5日
發(fā)明者池谷正之, 大林茂樹 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社