本申請要求于2016年4月21日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0048952號(hào)韓國專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)裝置，更具體地，涉及一種非易失性存儲(chǔ)裝置以及一種包括所述非易失性存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)裝置用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并可分為易失性存儲(chǔ)裝置和非易失性存儲(chǔ)裝置。易失性存儲(chǔ)裝置在供電中斷時(shí)丟失其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而，非易失性存儲(chǔ)裝置即使在供電中斷時(shí)也保留數(shù)據(jù)。

作為非易失性存儲(chǔ)裝置的示例的閃存系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于例如通用串行總線(usb)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)字照相機(jī)、移動(dòng)電話、智能電話、平板電腦、個(gè)人計(jì)算機(jī)(pc)、存儲(chǔ)卡或固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)中。

包括在非易失性存儲(chǔ)裝置中的多編程存儲(chǔ)單元的閾值電壓可因諸如保持、浮柵耦合或隨時(shí)間的電荷損失的各種原因而改變。這些改變可降低讀取的數(shù)據(jù)的可靠性。由如上所述的各種原因引起的閾值電壓的改變將在下面被稱為“退化”。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)裝置和包括該存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)，在所述存儲(chǔ)裝置中如果在數(shù)據(jù)中生成不可校正的錯(cuò)誤則在存儲(chǔ)裝置中執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)裝置，所述存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；計(jì)數(shù)電路，配置為對(duì)從所述多個(gè)存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行計(jì)數(shù)以提供計(jì)數(shù)結(jié)果；以及控制邏輯，配置為在不涉及存儲(chǔ)控制器的情況下基于計(jì)數(shù)電路的計(jì)數(shù)結(jié)果執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)裝置，所述存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；計(jì)數(shù)電路，配置為對(duì)根據(jù)正常讀取操作讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行計(jì)數(shù)并提供計(jì)數(shù)結(jié)果；控制邏輯，配置為基于計(jì)數(shù)電路的計(jì)數(shù)結(jié)果執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作；以及存儲(chǔ)控制器，配置為控制存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)裝置將就緒/繁忙信號(hào)輸出至存儲(chǔ)控制器，并且基于計(jì)數(shù)結(jié)果在正常讀取操作之后的第一部分期間保持繁忙狀態(tài)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，一種存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；計(jì)數(shù)電路，配置為通過對(duì)從所述多個(gè)存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行計(jì)數(shù)操作獲得計(jì)數(shù)結(jié)果；以及控制邏輯，配置為在不涉及存儲(chǔ)控制器的情況下基于計(jì)數(shù)結(jié)果執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：存儲(chǔ)裝置，所述存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；計(jì)數(shù)電路，配置為通過對(duì)根據(jù)正常讀取操作讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行計(jì)數(shù)操作獲得計(jì)數(shù)結(jié)果；控制邏輯，配置為基于計(jì)數(shù)結(jié)果執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作；以及存儲(chǔ)控制器，配置為控制存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)裝置將就緒/繁忙信號(hào)輸出至存儲(chǔ)控制器，并且在正常讀取操作之后的第一部分期間基于計(jì)數(shù)結(jié)果保持繁忙狀態(tài)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：存儲(chǔ)裝置，包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元；以及存儲(chǔ)控制器，所述存儲(chǔ)控制器配置為命令存儲(chǔ)裝置以向存儲(chǔ)裝置發(fā)送讀取命令，存儲(chǔ)裝置配置為通過如下方式響應(yīng)讀取命令：從所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中指定具有在一個(gè)或更多個(gè)第一閾值電壓分布區(qū)域內(nèi)的閾值電壓的單元為退化單元，確定退化單元的總數(shù)，基于確定的總數(shù)和第一閾值確定在所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的錯(cuò)誤的數(shù)量是否超過錯(cuò)誤閾值，響應(yīng)于在所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的錯(cuò)誤的數(shù)量超過錯(cuò)誤閾值的確定來執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。

附圖說明

通過參照附圖對(duì)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的詳細(xì)描述，發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。附圖意在描繪發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，而不應(yīng)被解釋為對(duì)權(quán)利要求的意在的范圍的限制。除非明確指出，否則附圖不應(yīng)被視為按比例繪制。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示意性框圖；

圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的部分框圖；

圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖；

圖4是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的包括在存儲(chǔ)單元陣列中的存儲(chǔ)塊的示例的電路圖；

圖5是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的包括在存儲(chǔ)單元陣列中的存儲(chǔ)塊的另一個(gè)示例的電路圖；

圖6是圖5的存儲(chǔ)塊的透視圖；

圖7a是示出當(dāng)擦除狀態(tài)的閾值電壓分布由于干擾而轉(zhuǎn)移時(shí)的曲線圖；

圖7b是示出當(dāng)程序狀態(tài)的閾值電壓分布由于電荷損失而轉(zhuǎn)移時(shí)的曲線圖；

圖8a是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的在讀取操作下施加到字線以確定退化的電壓的示例的曲線圖；

圖8b是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的在讀取操作下施加到字線以確定退化的電壓的另一個(gè)示例的曲線圖；

圖9是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的確定存儲(chǔ)單元的退化電平的操作的流程圖；

圖10a和圖10b是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的設(shè)定分布區(qū)域以確定退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量的各種示例的曲線圖；

圖11是示出根據(jù)來自具有不同特性的兩個(gè)存儲(chǔ)裝置(例如，第一存儲(chǔ)芯片和第二存儲(chǔ)芯片)的計(jì)數(shù)結(jié)果的特性或錯(cuò)誤的曲線圖；

圖12是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖13a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖13b示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的隨時(shí)間流逝由存儲(chǔ)系統(tǒng)的元件執(zhí)行的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的操作；

圖14是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的包括數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖15是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的包括生成軟判決數(shù)據(jù)的操作的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖16是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖17是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖18是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖19是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖；

圖20是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖；

圖21是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖；

圖22a示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的隨時(shí)間流逝由存儲(chǔ)系統(tǒng)的元件執(zhí)行的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的操作；

圖22b是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的操作的曲線圖；

圖23是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)卡系統(tǒng)的框圖；以及

圖24是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的固態(tài)硬盤(ssd)系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

如在發(fā)明構(gòu)思的領(lǐng)域中的傳統(tǒng)的一樣，以功能塊、單元和/或模塊為單元描述并在附圖中示出實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，這些塊、單元和/或模塊通過可使用基于半導(dǎo)體制造技術(shù)或其他制造技術(shù)形成的諸如邏輯電路、分立組件、微處理器、硬連線電路、存儲(chǔ)元件、布線連接等電子(或光)電路物理地實(shí)現(xiàn)。在塊、單元和/或模塊由微處理器或類似物實(shí)現(xiàn)的情況下，它們可以使用軟件(例如，微代碼)編程以執(zhí)行在此討論的各種功能，并且可選地可由硬件和/或軟件驅(qū)動(dòng)?？商娲?，每個(gè)塊、單元和/或模塊可由專用硬件或作為執(zhí)行一些功能的專用硬件和為執(zhí)行其他功能的處理器(例如，一個(gè)或更多個(gè)編程的微處理器和相關(guān)聯(lián)的電路)的組合。此外，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的范圍的情況下，實(shí)施例的每個(gè)塊、單元和/或模塊可以物理地分離成兩個(gè)或更多個(gè)交互和離散的塊、單元和/或模塊。此外，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的范圍的情況下，實(shí)施例的塊、單元和/或模塊可以物理地組合成更復(fù)雜的塊、單元和/或模塊。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示意性框圖。

參照圖1，存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括存儲(chǔ)控制器10和存儲(chǔ)裝置20，存儲(chǔ)裝置20可包括存儲(chǔ)單元陣列100、計(jì)數(shù)電路200和控制邏輯300?？刂七壿?00可包括數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310。

響應(yīng)于來自主機(jī)host的寫入/讀取請求，存儲(chǔ)控制器10可讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置20中的數(shù)據(jù)或可控制存儲(chǔ)裝置20以將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)裝置20。更詳細(xì)地，存儲(chǔ)控制器10可將地址addr、命令cmd和控制信號(hào)ctrl提供至存儲(chǔ)裝置20，因此可控制關(guān)于存儲(chǔ)裝置20的程序(或?qū)懭?操作、讀取操作和擦除操作。此外，寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)data或讀取數(shù)據(jù)data可在存儲(chǔ)控制器10和存儲(chǔ)裝置20之間交換。

此外，存儲(chǔ)控制器10可通過使用各種標(biāo)準(zhǔn)接口與外部主機(jī)通信。例如，存儲(chǔ)控制器10可包括主機(jī)接口(未示出)，主機(jī)接口可在如主機(jī)和存儲(chǔ)控制器10之間提供各種標(biāo)準(zhǔn)接口。標(biāo)準(zhǔn)接口的示例可包括高級(jí)技術(shù)附件(ata)、串行ata(sata)、外部sata(e-sata)、小型計(jì)算機(jī)小型接口(scsi)、串行連接scsi(sas)、外圍組件互連(pci)、擴(kuò)展pci(pci-e)、ieee1394，通用串行總線(usb)、安全數(shù)字(sd)卡、多媒體卡(mmc)、嵌入式多媒體卡(emmc)、通用閃存存儲(chǔ)器(ufs)和緊湊型閃存(cf)卡接口。

存儲(chǔ)單元陣列100可包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元可為例如閃存單元。在下文中，描述將集中在將nand閃存單元作為多個(gè)存儲(chǔ)單元。然而，發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例不限于此，在其他實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)單元可為電阻存儲(chǔ)單元，諸如電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)(reram)、相變r(jià)am(pram)或磁/磁阻ram(mram)。

在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元陣列100可包括二維(2d)存儲(chǔ)單元陣列并包括在行方向和列方向上布置的多個(gè)單元串，將參照圖4對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元陣列100可包括三維(3d)存儲(chǔ)單元陣列，所述三維存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)nand串。每個(gè)nand串可包括分別連接至豎直堆疊在基底上的字線的存儲(chǔ)單元，將參照圖5和圖6對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。

3d存儲(chǔ)陣列單片形成在存儲(chǔ)單元的陣列的一個(gè)或更多個(gè)物理級(jí)中，所述存儲(chǔ)單元具有設(shè)置在硅基底上方的有源區(qū)域和與那些存儲(chǔ)單元的操作關(guān)聯(lián)的電路，無論這些關(guān)聯(lián)電路是在這些基底上方還是在這些基底中。術(shù)語“單片”意味著陣列的每個(gè)級(jí)別的層直接設(shè)置在陣列的每個(gè)下面的級(jí)別的層上。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例，3d存儲(chǔ)陣列包括豎直取向的豎直nand串，使得至少一個(gè)存儲(chǔ)單元位于另一個(gè)存儲(chǔ)單元上方。所述至少一個(gè)存儲(chǔ)單元可包括電荷陷阱層。通過引用全部包含于此的下述專利文獻(xiàn)描述了用于3d存儲(chǔ)陣列的合適的配置，其中，3d存儲(chǔ)陣列配置為多個(gè)級(jí)別，各級(jí)別之間共享字線和/或位線：u.s.pat.nos.7,679,133；8,553,466；8,654,587；8,559,235；以及uspat.pub.no.2011/0233648。此外，uspat.pub.no.2014/0376312通過引用全部包含于此。

計(jì)數(shù)電路200可基于存儲(chǔ)在頁緩沖器(未示出)中的數(shù)據(jù)計(jì)算存儲(chǔ)單元陣列100的存儲(chǔ)單元的數(shù)量，將在后面對(duì)此進(jìn)行描述。在本公開中，特別地，計(jì)數(shù)電路200可計(jì)算退化單元dc的數(shù)量。根據(jù)實(shí)施例，計(jì)數(shù)電路200的功能也可由控制邏輯300執(zhí)行。

基于從存儲(chǔ)控制器10接收的命令cmd、地址addr和控制信號(hào)ctrl，控制邏輯300可將用于寫入數(shù)據(jù)的各種控制信號(hào)輸出至存儲(chǔ)單元陣列100或從存儲(chǔ)單元陣列100讀取數(shù)據(jù)或擦除存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元陣列100中的數(shù)據(jù)。如此，控制邏輯300可整體地控制存儲(chǔ)裝置20中的操作。

控制邏輯300可包括數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310。數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可在不涉及存儲(chǔ)控制器10的情況下基于從計(jì)數(shù)電路200發(fā)送的計(jì)數(shù)結(jié)果來執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。例如，存儲(chǔ)裝置20可根據(jù)來自存儲(chǔ)控制器10的讀取命令對(duì)數(shù)據(jù)執(zhí)行第一讀取操作(例如，正常讀取操作)。如果在正常讀取操作中所讀取的數(shù)據(jù)中生成了無法校正的錯(cuò)誤(無法校正的ecc，uecc)，則數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可在不涉及存儲(chǔ)控制器10的情況下通過恢復(fù)算法恢復(fù)數(shù)據(jù)?；謴?fù)算法的非限制性示例可包括數(shù)據(jù)復(fù)原讀取、軟判決數(shù)據(jù)生成，將在后面對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述?？刂七壿?00可將恢復(fù)的數(shù)據(jù)發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。

根據(jù)上述實(shí)施例，存儲(chǔ)裝置20可基于對(duì)讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行的計(jì)數(shù)操作確定是否需要數(shù)據(jù)恢復(fù)、在不涉及存儲(chǔ)控制器10的情況下執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作并且將由于數(shù)據(jù)恢復(fù)操作而獲得的數(shù)據(jù)作為正常數(shù)據(jù)提供至存儲(chǔ)控制器10。因此，存儲(chǔ)控制器10無需從存儲(chǔ)裝置20接收無法校正的數(shù)據(jù)并且額外地將用于數(shù)據(jù)恢復(fù)的命令發(fā)送至存儲(chǔ)裝置20。此外，在存儲(chǔ)裝置20已經(jīng)發(fā)送具有無法校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)之后，不用執(zhí)行重新發(fā)送恢復(fù)的數(shù)據(jù)的進(jìn)程，因此，數(shù)據(jù)無需發(fā)送兩次。此外，存儲(chǔ)控制器10無需對(duì)具有無法校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤校正碼操作。

圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置20的部分框圖。

參照圖2，控制邏輯300可包括數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310和比較單元320。比較單元320可存儲(chǔ)參考值ref。例如，比較單元320可存儲(chǔ)至少一個(gè)參考值ref。此外，計(jì)數(shù)電路200可基于第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2執(zhí)行計(jì)數(shù)操作，并將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt輸出至比較單元320。計(jì)數(shù)結(jié)果cnt可對(duì)應(yīng)于計(jì)算的退化單元的數(shù)量，將在后面詳細(xì)描述其計(jì)算方法。數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310和比較單元320的功能可實(shí)現(xiàn)為硬件(例如，專用電路系統(tǒng)和/或?qū)Ｓ眉呻娐?asic))、處理器執(zhí)行軟件(例如，包括在執(zhí)行計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的控制邏輯300中或者可替代地實(shí)現(xiàn)該控制邏輯300的一個(gè)或更多個(gè)處理器)或者硬件和處理器執(zhí)行軟件的組合。

如在本公開中使用的，例如，術(shù)語“處理器”可以是指物理結(jié)構(gòu)化以執(zhí)行期望的操作的具有電路系統(tǒng)的硬件實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理裝置，所述期望的操作包括例如以包括在程序中的代碼和/或指令為代表的操作。上面涉及的硬件實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理裝置的示例包括但不限于微處理器、中央處理單元(cpu)、處理器核、多核處理器；多處理器、專用集成電路(asic)和現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)。執(zhí)行程序代碼的處理器為可編程的處理器，因此為專用計(jì)算機(jī)。

當(dāng)從計(jì)數(shù)電路200接收計(jì)數(shù)結(jié)果cnt時(shí)，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt與參考值ref進(jìn)行比較，并將與參考值ref的比較結(jié)果result提供至控制邏輯300。比較結(jié)果result可包括指示存儲(chǔ)單元的退化的程度的信息，并可包括例如指示在讀取的數(shù)據(jù)中是否生成無法校正的錯(cuò)誤的信息。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，比較單元320可比較參考值ref，參考值ref可作為無法校正的錯(cuò)誤的指標(biāo)。例如，比較單元320可利用計(jì)數(shù)結(jié)果cnt確定參考值ref是否與超出錯(cuò)誤校正能力(例如，存儲(chǔ)裝置20和/或存儲(chǔ)控制器10的錯(cuò)誤校正能力)的位錯(cuò)誤的數(shù)量對(duì)應(yīng)，并且如果計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于參考值ref，則比較單元320可將此比較結(jié)果result輸出至數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310。

一經(jīng)接收指示生成了無法校正錯(cuò)誤的比較結(jié)果result，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可根據(jù)預(yù)設(shè)的或可替代地期望的恢復(fù)算法來輸出恢復(fù)控制信號(hào)ctrl_rsetore。根據(jù)實(shí)施例，恢復(fù)算法可包括當(dāng)在讀取數(shù)據(jù)中生成了無法校正的錯(cuò)誤時(shí)在讀取重試操作期間執(zhí)行的各種類型的恢復(fù)算法。由于恢復(fù)控制信號(hào)ctrl_rsetore提供至包括在存儲(chǔ)裝置20中的各種塊，因此可執(zhí)行可降低數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率的重讀操作。將在后面描述恢復(fù)算法的示例。

根據(jù)實(shí)施例，第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2可代表基于不同的讀取電平的數(shù)據(jù)感測(或數(shù)據(jù)讀取)的結(jié)果。例如，當(dāng)確定存儲(chǔ)單元的閾值電壓電平中的一個(gè)的電平狀態(tài)時(shí)，可基于至少兩個(gè)讀取電平讀取數(shù)據(jù)。計(jì)數(shù)電路200可基于第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2執(zhí)行計(jì)算操作，并可計(jì)算在預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域中(例如，在第一讀取電平和第二讀取電平之間的分布區(qū)域中)具有閾值電壓的存儲(chǔ)單元(例如，退化的存儲(chǔ)單元)的數(shù)量。

根據(jù)實(shí)施例，計(jì)數(shù)電路200可分別接收第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2，并通過對(duì)第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2執(zhí)行的算術(shù)運(yùn)算確定屬于上述分布區(qū)域的存儲(chǔ)單元。例如，可通過對(duì)第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2執(zhí)行的諸如xor的算術(shù)運(yùn)算來確定屬于上述分布區(qū)域的存儲(chǔ)單元，可通過對(duì)屬于該分布區(qū)域的存儲(chǔ)單元執(zhí)行計(jì)算操作來生成計(jì)數(shù)結(jié)果cnt。

可替代地，根據(jù)另一實(shí)施例，可使用存儲(chǔ)第一讀取電平數(shù)據(jù)data_rl1和第二讀取電平數(shù)據(jù)data_rl2的頁緩沖器(未示出)執(zhí)行諸如xor的算術(shù)運(yùn)算。在這種情況下，計(jì)數(shù)電路200可接收通過頁緩沖器提供的數(shù)據(jù)(或運(yùn)算數(shù)據(jù))，并根據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)執(zhí)行的計(jì)算操作生成代表屬于上述分布區(qū)域的計(jì)數(shù)的存儲(chǔ)單元的數(shù)量的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt。

圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置20的框圖。

參照圖1至圖3，存儲(chǔ)裝置20可包括存儲(chǔ)單元陣列100、計(jì)數(shù)電路200、控制邏輯300、電壓生成器400、行解碼器500和頁緩沖器600。雖然在圖3中未示出，但存儲(chǔ)裝置20還可包括可由電路或電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)并可與存儲(chǔ)操作有關(guān)的其他功能塊，諸如輸入/輸出接口。將省略上面參照圖1提供的元件的描述。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，控制邏輯300、電壓生成器400和行解碼器器500中的每個(gè)可通過電路或電路系統(tǒng)實(shí)施。

存儲(chǔ)單元陣列100可包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元可連接至字線wl、串選擇線(未示出)、地選擇線(未示出)和位線bl。詳細(xì)地，存儲(chǔ)單元陣列100可通過字線wl、串選擇線和地選擇線連接至行解碼器500，并可通過位線bl連接至頁緩沖器600。

存儲(chǔ)單元陣列100可包括多個(gè)塊blk1至blkz，每個(gè)塊可具有二維結(jié)構(gòu)(或平面結(jié)構(gòu))或者三維結(jié)構(gòu)(或豎直結(jié)構(gòu))?？捎尚薪獯a器500選擇塊blk1至blkz。例如，行解碼器500可從塊blk1至blkz中選擇與塊地址對(duì)應(yīng)的塊。存儲(chǔ)單元陣列100可包括包含單電平單元的單電平單元塊、包含多電平單元的多電平單元塊和包含三電平單元的三電平單元塊中的至少一個(gè)。例如，包括在存儲(chǔ)單元陣列100中的多個(gè)塊blk1至blkz中的一些可為單電平單元塊，另一些塊可為多電平單元塊或三電平單元塊。

從控制邏輯300輸出的各內(nèi)部控制信號(hào)可提供至電壓生成器400、行解碼器500和頁緩沖器600。詳細(xì)地，控制邏輯300可將電壓控制信號(hào)ctrl_vol提供至電壓生成器400。電壓生成器400可包括至少一個(gè)泵(未示出)，并基于泵操作生成各種電平的電壓，其中，基于電壓控制信號(hào)ctrl_vol生成泵操作。

同時(shí)，控制邏輯300可將行地址x-addr提供至行解碼器500，將列地址(未示出)提供至頁緩沖器600。此外，當(dāng)通過感測操作(或讀取操作)讀取的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在頁緩沖器600中時(shí)，可響應(yīng)于來自控制邏輯300的控制信號(hào)將頁緩沖器600的數(shù)據(jù)發(fā)送至輸入/輸出緩沖器(未示出)。此外，響應(yīng)于來自控制邏輯300的輸出使能信號(hào)，存儲(chǔ)在輸入/輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)可被提供至外界(例如，提供至存儲(chǔ)控制器)。

此外，控制邏輯300可輸出指示存儲(chǔ)裝置20的狀態(tài)的就緒/繁忙信號(hào)rnb。當(dāng)存儲(chǔ)裝置20將具有繁忙狀態(tài)的就緒/繁忙信號(hào)rnb提供至存儲(chǔ)控制器10時(shí)，在繁忙狀態(tài)部分期間存儲(chǔ)控制器10可不輸出命令。另一方面，當(dāng)存儲(chǔ)裝置20將具有就緒狀態(tài)的就緒/繁忙信號(hào)rnb提供至存儲(chǔ)控制器10時(shí)，在就緒狀態(tài)部分期間存儲(chǔ)控制器10可將命令提供至存儲(chǔ)裝置20。

計(jì)數(shù)電路200可基于存儲(chǔ)在頁緩沖器600中的數(shù)據(jù)計(jì)算退化的存儲(chǔ)單元，并將退化的存儲(chǔ)單元的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt輸出至控制邏輯300的比較單元320。如上所述，比較單元320可接收計(jì)數(shù)電路200的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt并將其與參考值比較，并將比較結(jié)果result輸出至數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310。

如上所述，計(jì)數(shù)電路200可通過使用各種方法計(jì)算退化的存儲(chǔ)單元。例如，圖3示出了通過接收作為運(yùn)算操作的結(jié)果的運(yùn)算數(shù)據(jù)data_ari執(zhí)行的計(jì)算操作，其中，通過使用第一電平讀取數(shù)據(jù)data_rl1和第二電平讀取數(shù)據(jù)data_rl2執(zhí)行所述運(yùn)算操作。

數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可基于比較單元320的比較結(jié)果result執(zhí)行恢復(fù)算法，并輸出恢復(fù)控制信號(hào)ctrl_restore以控制存儲(chǔ)裝置20的關(guān)于數(shù)據(jù)復(fù)原的內(nèi)部組件。例如，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可包括控制數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作的數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311和/或控制軟判決數(shù)據(jù)的生成的軟判決數(shù)據(jù)生成單元312。數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311和軟判決數(shù)據(jù)生成單元312的功能可實(shí)現(xiàn)為硬件(例如，專用電路系統(tǒng)和/或?qū)Ｓ眉呻娐?asic))、處理器執(zhí)行軟件(例如，包括在執(zhí)行計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的控制邏輯300中或者可替代地實(shí)現(xiàn)該控制邏輯300的一個(gè)或多個(gè)處理器)或者硬件和處理器執(zhí)行軟件的組合。當(dāng)實(shí)現(xiàn)為軟件時(shí)，數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311和軟判決數(shù)據(jù)生成單元312可對(duì)應(yīng)于均由處理器執(zhí)行的軟件(或程序)。

根據(jù)實(shí)施例，控制邏輯300可基于比較結(jié)果result控制就緒/繁忙信號(hào)rnb的狀態(tài)。例如，在正常讀取操作結(jié)束后，如果將要執(zhí)行恢復(fù)算法，則在執(zhí)行恢復(fù)算法的部分期間控制邏輯300可保持就緒/繁忙信號(hào)rnb的狀態(tài)(或就緒/繁忙信號(hào)rnb的繁忙狀態(tài))，而不改變就緒/繁忙信號(hào)rnb的狀態(tài)(或不將就緒/繁忙信號(hào)rnb的狀態(tài)改變?yōu)榫途w狀態(tài))。即，除了正常讀取操作部分，在與比較結(jié)果result的生成和恢復(fù)算法的操作有關(guān)的額外部分期間，基于比較結(jié)果result，就緒/繁忙信號(hào)rnb可保持其繁忙狀態(tài)。

圖4是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例的作為包括在存儲(chǔ)單元陣列中的存儲(chǔ)塊的示例的存儲(chǔ)塊blk0的電路圖。

參照圖4，存儲(chǔ)單元陣列(例如，圖1的存儲(chǔ)單元陣列100)可為水平nand閃存的存儲(chǔ)單元陣列并包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。每個(gè)存儲(chǔ)塊blk0可包括n個(gè)(其中，n為等于或大于2的整數(shù))串str，在串str中多個(gè)存儲(chǔ)單元mc沿著位線bl0至bln-1串聯(lián)連接。例如，在圖4的實(shí)施例中，每個(gè)串str包括八個(gè)存儲(chǔ)單元。

在具有如圖4所示的結(jié)構(gòu)的nand閃存裝置中，對(duì)每個(gè)塊執(zhí)行擦除，并以分別對(duì)應(yīng)于字線wl0至wl7的頁pag為單元執(zhí)行編程。根據(jù)圖4的實(shí)施例，對(duì)應(yīng)于八個(gè)字線wl0至wl7的八個(gè)頁pag包括在一個(gè)塊中?？商娲兀鶕?jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些實(shí)施例的存儲(chǔ)單元陣列100的存儲(chǔ)塊也可包括具有與在圖4中示出的存儲(chǔ)單元mc和頁pg的數(shù)量不同的數(shù)量的存儲(chǔ)單元和頁。此外，圖1至圖3的存儲(chǔ)裝置20可包括多個(gè)存儲(chǔ)單元陣列，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元陣列均與上述存儲(chǔ)單元陣列100具有相同結(jié)構(gòu)并執(zhí)行相同的操作。

由于存儲(chǔ)單元mc的特性，重復(fù)的寫入(編程)和擦除可能導(dǎo)致存儲(chǔ)單元mc的退化。存儲(chǔ)單元mc由于保持、干擾等退化而生成退化的單元。圖4示出了退化單元dc僅集中在一部分的示例，但其僅是示例，退化單元dc也可分散。在讀取操作期間退化單元dc可能生成錯(cuò)誤，從而降低存儲(chǔ)裝置的可靠性。

圖5是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的作為包括在存儲(chǔ)單元陣列中的存儲(chǔ)塊的另一示例的存儲(chǔ)塊blk0'的電路圖。

參照圖5，存儲(chǔ)單元陣列(例如，圖1的存儲(chǔ)單元陣列100)可為豎直nand閃存的存儲(chǔ)單元陣列并包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。每個(gè)存儲(chǔ)塊blk0'可包括多個(gè)nand串ns11至ns33、多條字線wl1至wl8、多條位線bl1至bl3、多條地選擇線gsl1至gsl3、多條串選擇線ssl1至ssl3以及公共源極線csl。根據(jù)實(shí)施例，nand串、字線、位線、地選擇線和串選擇線的數(shù)量可以各種方式變化。

nand串ns11、ns21和ns31設(shè)置在第一位線bl1和公共源極線csl之間，nand串ns12、ns22和ns32設(shè)置在第二位線bl2和公共源極線csl之間，nand串ns13、ns23和ns33設(shè)置在第三位線bl3和公共源極線csl之間。每個(gè)nand串(例如，nand串ns11)可包括彼此串聯(lián)連接的串選擇晶體管sst、多個(gè)存儲(chǔ)單元mc1至mc8和地選擇晶體管gst。在下文中，為了方便起見，nand串將被稱為串。

共同連接至一條位線的串形成一列。例如，連接至第一位線bl1的nand串ns11、ns21和ns31可對(duì)應(yīng)于第一列。連接至第二位線bl2的nand串ns12、ns22和ns32可對(duì)應(yīng)于第二列。連接至第三位線bl3的nand串ns13、ns23和ns33可對(duì)應(yīng)于第三列。

連接至一條串選擇線的nand串可形成一行。例如，連接至第一串選擇線ssl1的nand串ns11、ns12和ns13可形成第一行。連接至第二串選擇線ssl2的nand串ns21、ns22和ns23可形成第二行。連接至第三串選擇線ssl3的nand串ns31、ns32和ns33可形成第三行。

每個(gè)串選擇晶體管sst連接至串選擇線ssl1至ssl3中對(duì)應(yīng)的一個(gè)。多個(gè)存儲(chǔ)單元mc1至mc8分別連接至對(duì)應(yīng)的字線wl1至wl8。每個(gè)地選擇晶體管gst連接至地選擇線gsl1至gsl3中對(duì)應(yīng)的一條。串選擇晶體管sst連接至對(duì)應(yīng)的位線bl1至bl3，地選擇晶體管gst連接至公共源極線csl。

在本實(shí)施例中，在相同高度的字線(例如，字線wl1)可彼此連接，串選擇線ssl1至ssl3可彼此分離，地選擇線gsl1至gsl3也彼此分離。例如，當(dāng)編程存儲(chǔ)單元連接至第一字線wl1并屬于串ns11、ns12和ns13時(shí)，選擇第一字線wl1和第一串選擇線ssl1。然而，實(shí)施例不限于此，在另一實(shí)施例中，地選擇線gsl1至gsl3也可彼此連接。

與圖4的實(shí)施例相似，退化單元dc可生成在圖5的存儲(chǔ)單元陣列blk0'中。圖5示出了退化單元dc僅集中在一部分的示例，但這僅是一個(gè)示例，退化單元dc也可分散。在讀取操作期間，退化單元dc可能生成錯(cuò)誤從而降低存儲(chǔ)裝置的可靠性。

圖6是圖5的存儲(chǔ)塊blk0'的透視圖。

參照圖6，包括在存儲(chǔ)單元陣列(例如，圖1的存儲(chǔ)單元陣列100)中的存儲(chǔ)塊相對(duì)于基底sub在豎直方向上布置。在圖6中，示出了包括兩條選擇線gsl和ssl、八條字線wl1至wl8以及三條位線bl1至bl3的存儲(chǔ)塊blk0'，但存儲(chǔ)塊blk0'也可包括更多或更少的選擇線、字線和位線。

基底sub具有第一導(dǎo)電類型(例如，p型)，在第一方向(例如，y方向)上延伸并摻雜有具有第二導(dǎo)電類型(例如，n型)的雜質(zhì)的公共源極線csl設(shè)置在基底sub上。在第一方向上延伸的多個(gè)絕緣層il在第三方向(例如，z方向)上順序地設(shè)置在基底sub的在兩條相鄰的公共源極線csl之間的區(qū)域上，多個(gè)絕緣層il沿第三方向彼此分隔開預(yù)定的或者可替代地期望的距離。例如，多個(gè)絕緣層il可包括諸如氧化硅的絕緣材料。

在第一方向上順序布置并在第三方向上穿過多個(gè)絕緣層il的多個(gè)柱p設(shè)置在基底sub的在兩條相鄰的公共源極線csl之間的區(qū)域上。例如，多個(gè)柱p可穿過多個(gè)絕緣層il以接觸基底sub。詳細(xì)地，每個(gè)柱p的表面層s可包括第一類型硅材料并用作溝道區(qū)域。每個(gè)柱p的內(nèi)層i可包括諸如氧化硅或空氣間隙的絕緣材料。

電荷存儲(chǔ)層cs沿絕緣層il、柱p和基底sub的暴露的表面設(shè)置在兩條相鄰的公共源極線csl之間的區(qū)域中。電荷存儲(chǔ)層cs可包括柵極絕緣層(或者也可被稱為“隧道絕緣層”)、電荷陷阱層和塊絕緣層。例如，電荷存儲(chǔ)層cs可具有氧化物-氮化物-氧化物(ono)結(jié)構(gòu)。此外，諸如選擇線gsl和ssl以及字線wl1至wl8的柵電極ge設(shè)置在電荷存儲(chǔ)層cs的暴露的表面上。

漏極或漏極接觸dr分別設(shè)置在多個(gè)柱p上。例如，漏極或漏極接觸dr可包括摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)的硅材料。在第二方向(例如，x方向)上延伸并在第一方向上彼此分隔開預(yù)定的或者可替代地期望的距離的位線bl1至bl3設(shè)置在漏極dr上。

圖7a是示出當(dāng)擦除狀態(tài)的閾值電壓分布由于干擾而轉(zhuǎn)移時(shí)的曲線圖。

當(dāng)根據(jù)寫入/讀取操作將電壓連續(xù)施加到存儲(chǔ)單元時(shí)，即，如果壓力連續(xù)施加到存儲(chǔ)單元，則可能產(chǎn)生干擾(例如，程序干擾)。當(dāng)干擾產(chǎn)生時(shí)，擦除狀態(tài)e的閾值電壓分布會(huì)轉(zhuǎn)移至較高的電壓。即，在擦除狀態(tài)e下存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能增大。然而，干擾不會(huì)對(duì)第一至第三程序狀態(tài)p1、p2和p3的閾值電壓分布產(chǎn)生明顯的影響。

參照圖7a，擦除狀態(tài)e的閾值電壓分布會(huì)轉(zhuǎn)移至較高的電壓(從虛線移動(dòng)至實(shí)線)，第三程序狀態(tài)p3的閾值電壓分布不會(huì)產(chǎn)生或產(chǎn)生極小的改變。因此，低于第一參考電壓vref1的存儲(chǔ)單元的數(shù)量a1會(huì)比初始分布減少，而高于第二參考電壓vref2的存儲(chǔ)單元的數(shù)量a2僅會(huì)輕微地改變。

圖7b是示出當(dāng)程序狀態(tài)的閾值電壓分布由于電荷損失而轉(zhuǎn)移時(shí)的曲線圖。

電荷損失是指隨時(shí)間逃脫并導(dǎo)致漏電流的陷阱電荷，并可主要由保持特性導(dǎo)致。保持是指即使主電源供應(yīng)被阻止也保留存儲(chǔ)有進(jìn)入激活模式所需的信息的晶體管的存儲(chǔ)值，以降低在待機(jī)模式下的功耗。例如，保持可以是指非易失性存儲(chǔ)單元保持存儲(chǔ)的電荷的能力。當(dāng)保持特性退化時(shí)，電荷損失會(huì)增加，在這種情況下，第一至第三程序狀態(tài)p1、p2和p3的閾值電壓分布可能轉(zhuǎn)移至較低的電壓。即，第一至第三程序狀態(tài)p1、p2和p3的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能降低。然而，電荷損失對(duì)擦除狀態(tài)e的閾值電壓分布不會(huì)產(chǎn)生明顯影響。當(dāng)電荷損失發(fā)生時(shí)，第三程序狀態(tài)p3的閾值電壓分布的變化可能大于第一程序狀態(tài)p1和第二程序狀態(tài)p2的閾值電壓分布的變化。

參照圖7b，第三程序狀態(tài)p3的閾值電壓分布會(huì)移動(dòng)至較低的電壓(從虛線移動(dòng)至實(shí)線)，擦除狀態(tài)e的閾值電壓的變化可相對(duì)小。因此，與初始分布相比，低于第一參考電壓vref1的存儲(chǔ)單元的數(shù)量b1幾乎不會(huì)改變，但是高于第二參考電壓vref2的存儲(chǔ)單元的數(shù)量b2會(huì)減少。

圖8a是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的在讀取操作中確定退化的讀取電平的示例的曲線圖。

參照圖8a，水平軸指示閾值電壓，豎直軸指示存儲(chǔ)單元的數(shù)量。例如，存儲(chǔ)單元可為多電平單元，并根據(jù)閾值電壓vth可具有擦除狀態(tài)e、第一程序狀態(tài)p1、第二程序狀態(tài)p2和第三程序狀態(tài)p3中的一個(gè)。當(dāng)讀取多電平單元的數(shù)據(jù)時(shí)，如果每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)，則可執(zhí)行確定三個(gè)不同狀態(tài)的讀取操作以確定數(shù)據(jù)。例如，可通過用于確定狀態(tài)的一個(gè)讀取操作(例如，lsb讀取操作)確定最低有效位(lsb)的數(shù)據(jù)，可通過用于確定狀態(tài)的兩個(gè)讀取操作(例如，第一和第二msb讀取操作)確定最高有效位(msb)的數(shù)據(jù)。雖然未示出，但是如果存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)包括三位或更多位的數(shù)據(jù)，則可增加讀取操作的數(shù)量以確定更多的多元狀態(tài)。

此外，在lsb讀取操作、第一msb讀取操作和第二msb讀取操作的每個(gè)中，可讀取(或感測)對(duì)應(yīng)于兩個(gè)讀取電平v1和v2的數(shù)據(jù)。兩個(gè)讀取電平v1和v2中的一個(gè)可為對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)單元退化前的相對(duì)于閾值電壓分布的谷的電壓，兩個(gè)讀取電平v1和v2中的另一個(gè)可對(duì)應(yīng)于可更靠近由于退化而從先前值轉(zhuǎn)移的另一個(gè)谷的電壓?？身樞虻鼗蛲瑫r(shí)地執(zhí)行基于兩個(gè)讀取電平v1和v2的讀取操作。

在閾值電壓分布中，可通過如下方式來執(zhí)行用于搜索兩個(gè)閾值電壓分布之間的谷的最小錯(cuò)誤讀取方法：借助于從參考電壓電平改變至負(fù)值或正值的電平來讀取單元的數(shù)據(jù)，并計(jì)算具有各數(shù)據(jù)段的單元的數(shù)量(例如，計(jì)算具有0的數(shù)據(jù)的單元的數(shù)量和具有1的數(shù)據(jù)的單元的數(shù)量)。當(dāng)通過一個(gè)讀取操作讀取多個(gè)區(qū)域時(shí)，可對(duì)每個(gè)區(qū)域計(jì)算單元的數(shù)量，可通過在分布之間的谷周圍重復(fù)執(zhí)行計(jì)數(shù)來提取每個(gè)區(qū)域的最小錯(cuò)誤讀取電平。

上述兩個(gè)讀取電平v1和v2中的每個(gè)可對(duì)應(yīng)于作為用于確定數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)的閾值電壓電平，可通過改變提供至存儲(chǔ)單元的讀取電壓來執(zhí)行基于兩個(gè)讀取電平v1和v2的讀取操作?？商娲兀鶕?jù)另一實(shí)施例，關(guān)于數(shù)據(jù)讀取操作可使用各種類型的系數(shù)。例如，通過調(diào)整與讀取操作有關(guān)的各種系數(shù)的電平(例如，作為用于確定數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)的參考電壓、參考電流、數(shù)據(jù)感測時(shí)間等)，可改變作為數(shù)據(jù)確定標(biāo)準(zhǔn)的讀取電平v1和v2。

同時(shí)，在第一msb讀取操作read_msb1中，計(jì)數(shù)電路200可基于通過使用兩個(gè)讀取電平v1和v2執(zhí)行的讀取操作的結(jié)果來計(jì)算預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域(例如，第一分布區(qū)域a)的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。第一分布區(qū)域a的存儲(chǔ)單元的數(shù)量可對(duì)應(yīng)于在第一msb讀取操作read_msb1中退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

此外，在lsb讀取操作read_lsb中，計(jì)數(shù)電路200可基于通過使用兩個(gè)讀取電平v1和v2執(zhí)行的讀取操作的結(jié)果來計(jì)算預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域(例如，第二分布區(qū)域b)的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。第二分布區(qū)域b的存儲(chǔ)單元的數(shù)量可對(duì)應(yīng)于在lsb讀取操作read_lsb中退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

此外，在第二msb讀取操作read_msb2中，計(jì)數(shù)電路200可基于通過使用兩個(gè)讀取電平v1和v2執(zhí)行的讀取操作的結(jié)果來計(jì)算預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域(例如，第三分布區(qū)域c)的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。第三分布區(qū)域c的存儲(chǔ)單元的數(shù)量可對(duì)應(yīng)于在第二msb讀取操作read_msb2中退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。

可基于如上所述的計(jì)數(shù)結(jié)果在各種條件下執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。在讀取lsb數(shù)據(jù)的操作中，可將第二分布區(qū)域b的存儲(chǔ)單元的數(shù)量的計(jì)數(shù)結(jié)果與預(yù)定的或可替代地期望的參考值進(jìn)行比較，并可基于比較的結(jié)果執(zhí)行恢復(fù)算法。

此外，在讀取msb數(shù)據(jù)的操作中，第一分布區(qū)域a的存儲(chǔ)單元的計(jì)數(shù)結(jié)果和第三分布區(qū)域c的存儲(chǔ)單元的計(jì)數(shù)結(jié)果可用于執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。例如，當(dāng)?shù)谝环植紖^(qū)域a的存儲(chǔ)單元的數(shù)量和第三分布區(qū)域c的存儲(chǔ)單元的數(shù)量均超過預(yù)定的或者可替代地期望的參考值時(shí)，可對(duì)msb數(shù)據(jù)執(zhí)行恢復(fù)算法?？商娲兀?dāng)?shù)谝环植紖^(qū)域a的存儲(chǔ)單元的數(shù)量和第三分布區(qū)域c的存儲(chǔ)單元的數(shù)量中僅有一個(gè)超過預(yù)定的或者可替代地期望的參考值時(shí)，可對(duì)msb數(shù)據(jù)執(zhí)行恢復(fù)算法。

圖8b是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的在用于確定退化的讀取操作中的讀取電平的另一個(gè)示例的曲線圖。在圖8b的以下討論中可省略上面已經(jīng)參照圖8a描述的一些細(xì)節(jié)的描繪。

參照圖8b，水平軸指示閾值電壓，豎直軸指示存儲(chǔ)單元的數(shù)量。例如，存儲(chǔ)單元可為多電平單元，并根據(jù)閾值電壓vth可具有擦除狀態(tài)e、第一程序狀態(tài)p1、第二程序狀態(tài)p2和第三程序狀態(tài)p3中的一個(gè)。為了確定退化，可在lsb讀取操作和msb讀取操作中均使用兩個(gè)讀取電平來執(zhí)行讀取。不同于圖8a的實(shí)施例，當(dāng)執(zhí)行兩次msb讀取操作時(shí)，可僅相對(duì)于一個(gè)msb讀取操作(例如，第二msb讀取操作read_msb2)執(zhí)行計(jì)算預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域的存儲(chǔ)單元的數(shù)量的操作。如上所述，例如，如果發(fā)生電荷損失，則較低電平的閾值電壓分布可具有小的變化，因此，可選擇性地僅相對(duì)于較高電平的第二msb讀取操作read_msb2執(zhí)行計(jì)算退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量的操作。

圖9是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的確定存儲(chǔ)單元的退化電平的操作的流程圖。

參照圖1和圖9，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例，為了確定存儲(chǔ)單元的退化的程度，在操作s11中，通過將第一電壓用作第一讀取電平v1對(duì)將要讀取的存儲(chǔ)單元執(zhí)行第一讀取操作。在操作s12中，根據(jù)第一讀取操作，可在頁緩沖器中存儲(chǔ)基于第一讀取電平v1確定的第一數(shù)據(jù)。

此外，在操作s13中，通過將第二電壓用作第二讀取電平v2對(duì)將要讀取的存儲(chǔ)單元執(zhí)行第二讀取操作。在操作s14中，根據(jù)第二讀取操作，可在頁緩沖器中存儲(chǔ)基于第二讀取電平v2確定的第二數(shù)據(jù)。第二電壓v2可高于第一電壓v1。在操作s15中，通過使用如上計(jì)算的第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，可計(jì)算預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域的退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。預(yù)定的或替代地期望的分布區(qū)域可對(duì)應(yīng)于圖8a和圖8b中的第一至第三分布區(qū)域a、b和c。

圖10a和圖10b是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的設(shè)定分布區(qū)域以確定退化的存儲(chǔ)單元的數(shù)量的各種示例的曲線圖。在此將省略上面參照圖8a和圖8b描述的細(xì)節(jié)的描繪。

參照圖10a和圖10b，水平軸可指示閾值電壓，豎直軸可指示存儲(chǔ)單元的數(shù)量。退化單元dc的閾值電壓電平的區(qū)域可設(shè)定在閾值電壓分布的谷的左側(cè)或右側(cè)。

具體地，如在圖10a的實(shí)施例中，為了確定由于電荷損失導(dǎo)致的退化的程度，可計(jì)算分布區(qū)域a1、b1和c1的存儲(chǔ)單元的數(shù)量，所述分布區(qū)域a1、b1和c1在與閾值電壓分布的谷對(duì)應(yīng)的電平和比先前的電平低預(yù)定的或可替代地期望的值的電平之間。分布區(qū)域a1、b1和c1的計(jì)數(shù)結(jié)果可分別對(duì)應(yīng)于各狀態(tài)的退化單元dc的數(shù)量。

此外，如在圖10b的實(shí)施例中，為了確定由于干擾導(dǎo)致的退化的程度，可計(jì)算分布區(qū)域a2、b2和c2的存儲(chǔ)單元的數(shù)量，所述分布區(qū)域a2、b2和c2在與閾值電壓分布的谷對(duì)應(yīng)的電平和比先前電平高預(yù)定的或可替代地期望的值的電平之間。分布區(qū)域a2、b2和c2的計(jì)數(shù)結(jié)果可對(duì)應(yīng)于各狀態(tài)的退化單元dc的數(shù)量。

分別參照圖10a和圖10b的分布區(qū)域描述的干擾和電荷損失是示例，也可在此應(yīng)用使存儲(chǔ)單元退化的任何系數(shù)。雖然示出的區(qū)域在相對(duì)于谷的左側(cè)或右側(cè)，但是這是示例，可根據(jù)狀態(tài)不同地設(shè)置分布區(qū)域以確定退化的程度。例如，在lsb讀取操作read_lsb和第二msb讀取操作read_msb2中，可計(jì)算具有在相對(duì)于谷左側(cè)的閾值電壓電平的退化單元dc的數(shù)量。在第一msb讀取操作read_msb1中，可計(jì)算具有在相對(duì)于谷右側(cè)的閾值電壓電平的退化單元dc的數(shù)量。

圖11是示出根據(jù)來自具有不同特性的兩個(gè)存儲(chǔ)裝置(例如，第一存儲(chǔ)芯片和第二存儲(chǔ)芯片)的計(jì)數(shù)結(jié)果的錯(cuò)誤特性的曲線圖。

如在上述實(shí)施例中，可基于屬于預(yù)定的或可替代地期望的分布區(qū)域的存儲(chǔ)單元的數(shù)量來預(yù)測在正常讀取操作中讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的數(shù)量。例如，在圖11中示出基于來自具有不同特性的兩個(gè)存儲(chǔ)裝置(例如，第一存儲(chǔ)芯片chip-1和第二存儲(chǔ)芯片chip-2)的計(jì)數(shù)結(jié)果的錯(cuò)誤特性。

例如，隨著屬于上述分布區(qū)域的退化的單元的數(shù)量增加，在讀取數(shù)據(jù)中生成的錯(cuò)誤的數(shù)量可成比例增加?；谕嘶膯卧臄?shù)量和錯(cuò)誤的數(shù)量之間的相關(guān)性，可設(shè)定不同的參考值以確定是否將對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)裝置執(zhí)行恢復(fù)算法。例如，用于校正錯(cuò)誤的錯(cuò)誤校正碼(ecc)電路可包括在存儲(chǔ)控制器中，可基于存儲(chǔ)控制器的最大校正能力maxecc設(shè)定參考值。

當(dāng)在第一存儲(chǔ)芯片chip-1的讀取操作中從上述分布區(qū)域計(jì)算了a個(gè)退化的單元時(shí)，可獲得存儲(chǔ)控制器的最大校正能力maxecc。在這種情況下，在第一存儲(chǔ)芯片chip_1中，可將上述計(jì)數(shù)結(jié)果與對(duì)應(yīng)于a的參考值彼此比較，并可基于比較結(jié)果選擇性地執(zhí)行恢復(fù)算法。在另一方面，在第二存儲(chǔ)芯片chip-2的讀取操作中，當(dāng)從上述分布區(qū)域中計(jì)算了b個(gè)退化的單元時(shí)，其中，b個(gè)退化的單元多于a個(gè)退化的單元，獲得存儲(chǔ)控制器的最大校正能力maxecc，在第二存儲(chǔ)芯片chip_2中可將上述計(jì)數(shù)結(jié)果與對(duì)應(yīng)于b的參考值彼此比較。

圖12是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖3和圖12描述所述方法。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)算法中，當(dāng)在操作s21中存儲(chǔ)裝置20接收讀取命令時(shí)，計(jì)數(shù)電路200通過使用基于數(shù)據(jù)段的組合的數(shù)據(jù)來測量存儲(chǔ)單元的退化的程度，所述基于數(shù)據(jù)段的組合的數(shù)據(jù)是基于至少兩個(gè)讀取電平讀取的，在操作s23中，基于計(jì)數(shù)電路200的測量結(jié)果，控制邏輯300可確定恢復(fù)算法的執(zhí)行是否是需要的或者可替代地是否是期望的。在操作s24中，當(dāng)控制邏輯300確定恢復(fù)算法的執(zhí)行是需要的或可替代地是期望的時(shí)，存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300可執(zhí)行恢復(fù)算法以恢復(fù)數(shù)據(jù)。

圖13a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖3和圖13a描述此方法。

當(dāng)在操作s31中存儲(chǔ)裝置20從存儲(chǔ)控制器10接收讀取命令時(shí)，在操作s32中，在使用讀取電路執(zhí)行讀取操作的同時(shí)，存儲(chǔ)控制器20中的計(jì)數(shù)電路200可計(jì)算來自存儲(chǔ)單元陣列100的退化單元dc的數(shù)量。在操作s33中，控制邏輯300中的比較單元320可基于計(jì)數(shù)電路200的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt確定錯(cuò)誤是否是可校正的。在操作s34中，如果錯(cuò)誤是不可校正的，則控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)算法。在操作s35中，當(dāng)通過數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310完成了恢復(fù)算法時(shí)，存儲(chǔ)裝置20可將恢復(fù)的數(shù)據(jù)發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。

圖13b示出了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的隨時(shí)間的流逝由存儲(chǔ)系統(tǒng)的元件執(zhí)行的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的操作。將參照圖3和圖13b描述此方法。

在操作t110中當(dāng)讀取命令被從存儲(chǔ)控制器10發(fā)送到存儲(chǔ)裝置20的控制邏輯300時(shí)，在操作t120中，控制邏輯300可通過讀取電路(未示出)從存儲(chǔ)單元陣列100讀取數(shù)據(jù)。根據(jù)上述實(shí)施例，在讀取操作中可通過使用至少兩個(gè)讀取電平來執(zhí)行讀取操作以確定每個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，讀取數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在頁緩沖器中。

在操作t210中，計(jì)數(shù)電路200可通過使用來自頁緩沖器(未示出)的數(shù)據(jù)來計(jì)算退化單元dc的數(shù)量。在操作t220中，計(jì)數(shù)電路200可將關(guān)于退化單元dc的數(shù)量的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt發(fā)送至控制邏輯300。在操作t310中，控制邏輯300的比較單元320可通過將從計(jì)數(shù)電路200接收的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt與參考值進(jìn)行比較來確定錯(cuò)誤是否是可校正的。在操作t320中，當(dāng)確定的結(jié)果為錯(cuò)誤是可校正的時(shí)，在操作t330中，可將具有通過錯(cuò)誤校正電路(未示出)校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。例如，存儲(chǔ)裝置200可包括校正讀取數(shù)據(jù)中的可校正的錯(cuò)誤的ecc電路。作為另一個(gè)示例，控制邏輯300可能夠執(zhí)行ecc解碼和/或編碼操作以及校正讀取數(shù)據(jù)中的可校正的錯(cuò)誤。可替代地，當(dāng)錯(cuò)誤校正電路包括在存儲(chǔ)控制器10中時(shí)，存儲(chǔ)裝置20可將具有可校正錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10，存儲(chǔ)控制器10可執(zhí)行錯(cuò)誤校正。在操作t320中，如果錯(cuò)誤是不可校正的，則控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可通過使用恢復(fù)算法來執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或生成軟判決數(shù)據(jù)的操作。在操作t500中，當(dāng)使用恢復(fù)算法恢復(fù)數(shù)據(jù)時(shí)，控制邏輯300可將恢復(fù)的數(shù)據(jù)發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。

圖14是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的包括數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖13和圖14描述所述方法。

參照圖14，在執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作后，當(dāng)在操作s41中指示錯(cuò)誤是不可校正的信息被發(fā)送至數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310時(shí)，在操作s42中，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可確定是否操作數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311。根據(jù)實(shí)施例，與軟判決數(shù)據(jù)生成單元312相比，當(dāng)錯(cuò)誤并不嚴(yán)重時(shí)，可操作數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311。

在操作s45中，當(dāng)操作數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311時(shí)，控制邏輯300可以以不同的讀取電壓重讀數(shù)據(jù)。例如，與在執(zhí)行重讀操作時(shí)使用的讀取電壓的電平有關(guān)的信息可預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置20中，可通過參考該信息來改變重讀操作中的讀取電壓的電平。

根據(jù)另一實(shí)施例，在操作s44中，當(dāng)執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作時(shí)，可讀取與讀取原始數(shù)據(jù)的區(qū)域(例如，頁)相鄰的字線的數(shù)據(jù)，并可確定讀取的數(shù)據(jù)。如果基于確定相鄰字線的結(jié)果相鄰字線的區(qū)域?qū)?yīng)于已經(jīng)編程的狀態(tài)，則可基于所述結(jié)果執(zhí)行改變上述讀取電壓的電平的操作。即，相鄰字線的區(qū)域被編程的事實(shí)可指示讀取原始數(shù)據(jù)的區(qū)域被干擾，因此，改變上述讀取電壓的電平的操作可基于確定相鄰字線的區(qū)域的數(shù)據(jù)的結(jié)果。

根據(jù)重讀操作，在操作s46中，當(dāng)錯(cuò)誤被校正并成功地對(duì)數(shù)據(jù)執(zhí)行正常讀取操作時(shí)，控制邏輯300可將重讀數(shù)據(jù)發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。另一方面，在操作s42中，當(dāng)正常讀取操作失敗時(shí)，存儲(chǔ)裝置20可確定是否再次操作數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311。在操作s45中，當(dāng)操作數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311時(shí)，可通過再次改變讀取電壓執(zhí)行重讀。另一方面，根據(jù)在數(shù)據(jù)中生成的錯(cuò)誤的程度，可代替數(shù)據(jù)復(fù)原讀取單元311執(zhí)行生成軟判決數(shù)據(jù)的操作。例如，在操作s43中，如果錯(cuò)誤程度嚴(yán)重，則可執(zhí)行生成軟判決數(shù)據(jù)的操作。

圖15是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的包括生成軟判決數(shù)據(jù)的操作的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。

首先，可將第一硬讀電壓hrv1施加到第一區(qū)域(或頁)的第一地址以確定第一區(qū)域的每個(gè)存儲(chǔ)單元的閾值電壓屬于第一閾值電壓狀態(tài)s1或第二閾值電壓狀態(tài)s2。具有比第一硬讀電壓hrv1低的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可確定為1(即，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值“1”)，具有比第一硬讀電壓hrv1高的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可確定為0(即，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值“0”)。

第一硬讀電壓hrv1可具有與正常讀取電壓相同的電壓電平，其中，所述正常讀取電壓用于在正常讀取操作中確定第一閾值電壓狀態(tài)s1和第二閾值電壓狀態(tài)s2。在具有四個(gè)或更多個(gè)不同的閾值電壓狀態(tài)的mlc閃存中，正常讀取電壓可具有多個(gè)電壓電平，在這種情況下，第一硬讀電壓hrv1可具有用于在多個(gè)電壓電平中確定第一閾值電壓狀態(tài)s1和第二閾值電壓狀態(tài)s2的電壓電平。使用第一硬讀電壓hrv1確定的數(shù)據(jù)可被稱為硬數(shù)據(jù)hd。

隨后，可將第一軟讀電壓srv1a和第二軟讀電壓srv1b順序地施加到第一地址以生成軟數(shù)據(jù)sd，其中，第一軟讀電壓srv1a和第二軟讀電壓srv1b是一對(duì)并相對(duì)于第一硬讀電壓hrv1分別具有第一電壓變量△v1和第二電壓變量△v2。例如，可利用使用第一軟讀電壓srv1a讀取的數(shù)據(jù)和使用第二軟讀電壓srv1b讀取的數(shù)據(jù)來生成軟數(shù)據(jù)sd。

同時(shí)，可基于硬數(shù)據(jù)hd和軟數(shù)據(jù)sd生成軟判決數(shù)據(jù)sdta。根據(jù)圖15的示例，基于硬數(shù)據(jù)hd和軟數(shù)據(jù)sd的軟判決數(shù)據(jù)sdta可分別相對(duì)于部分①、②、③和④具有值11、10、00和01。然而，發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例不限于此，基于硬數(shù)據(jù)hd和軟數(shù)據(jù)sd的軟判決數(shù)據(jù)sdta也可具有其他不同值。

存儲(chǔ)裝置20可將硬數(shù)據(jù)hd和軟判決數(shù)據(jù)sdta均提供至存儲(chǔ)控制器。存儲(chǔ)控制器可將與部分①對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)(位)作為強(qiáng)1處理(指示數(shù)據(jù)值(位)被確定為1并極可能為1)，其中，在硬數(shù)據(jù)hd中的軟判決數(shù)據(jù)sdta被確定為11。此外，與部分②對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)(位)可作為弱1處理(指示數(shù)據(jù)值(位)被確定為1但較低可能為1)，其中，在硬數(shù)據(jù)hd中的軟判決數(shù)據(jù)sdta被確定為10。同樣地，與部分③對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)(位)可作為弱0處理(指示數(shù)據(jù)值(位)被確定為0但較低可能為0)，其中，在硬數(shù)據(jù)hd中的軟判決數(shù)據(jù)sdta被確定為00。與部分④對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)(位)可作為強(qiáng)0處理(指示數(shù)據(jù)值(位)被確定為0并極可能為0)，其中，在硬數(shù)據(jù)hd中的軟判決數(shù)據(jù)sdta被確定為01。

硬數(shù)據(jù)hd的數(shù)據(jù)可根據(jù)上述軟判決數(shù)據(jù)sdta被加權(quán)，作為軟判決的結(jié)果獲得的權(quán)重可作為錯(cuò)誤校正標(biāo)準(zhǔn)，將在后面對(duì)此進(jìn)行描述。因此，可根據(jù)準(zhǔn)確的軟判決數(shù)據(jù)sdta(即，根據(jù)基于通過軟判決操作確定各存儲(chǔ)單元的閾值電壓的結(jié)果分配的權(quán)重)來執(zhí)行準(zhǔn)確的錯(cuò)誤校正。

同時(shí)，參照圖8a和圖15，為了計(jì)算在讀取操作期間退化的退化單元dc，可通過使用已如上述執(zhí)行的第一讀取電平v1和第二讀取電平v2執(zhí)行讀取操作，通過兩個(gè)讀取操作獲得的數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置(例如，頁緩沖器)中。根據(jù)實(shí)施例，根據(jù)第一讀取電平v1的讀取結(jié)果可對(duì)應(yīng)于根據(jù)硬讀電壓hrv1的讀取結(jié)果。此外，根據(jù)第二讀取電平v2的讀取結(jié)果可對(duì)應(yīng)于根據(jù)第一軟讀電壓srv1a的讀取結(jié)果。因此，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的生成軟判決數(shù)據(jù)的操作中，還可通過執(zhí)行僅使用第二軟讀電壓srv1b的讀取操作來生成軟判決數(shù)據(jù)stda。

圖16是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖3和圖16描述此方法。

參照圖16，當(dāng)在操作s51中計(jì)數(shù)電路200計(jì)算來自存儲(chǔ)單元陣列100的退化單元dc并如上所述將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt輸出至比較單元320時(shí)，在操作s52中，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和第一參考值ref1進(jìn)行比較，以確定計(jì)數(shù)結(jié)果cnt是否大于第一參考值ref1。第一參考值ref1可為預(yù)設(shè)的或可替代地期望的值以確定是否在軟判決數(shù)據(jù)生成單元312中生成軟判決數(shù)據(jù)。當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第一參考值ref1時(shí)，在操作s53中，存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可控制在軟判決數(shù)據(jù)生成單元312中生成軟判決數(shù)據(jù)的操作。當(dāng)生成軟判決數(shù)據(jù)時(shí)，在操作s54中，控制邏輯300可將軟判決數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。另一方面，在操作s52中當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于第一參考值ref1時(shí)，在操作s55中，使用包括在存儲(chǔ)裝置20或存儲(chǔ)控制器10中的錯(cuò)誤校正電路(未示出)來執(zhí)行錯(cuò)誤校正以校正錯(cuò)誤。當(dāng)存儲(chǔ)裝置20包括錯(cuò)誤校正電路時(shí)，在操作s56中，可將具有使用錯(cuò)誤校正電路校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。

圖17是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖3和圖17描述所述方法。

參照圖17，當(dāng)在操作s61中數(shù)據(jù)電路200計(jì)算來自存儲(chǔ)單元陣列100的退化單元dc并如上所述將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt輸出至比較單元320時(shí)，在操作s62中，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和第二參考值ref2進(jìn)行比較，以確定計(jì)數(shù)結(jié)果cnt是否大于第二參考值ref2。第二參考值ref2可為預(yù)設(shè)的或可替代地期望的值，以用于通過確定數(shù)據(jù)是否具有不可校正的錯(cuò)誤來執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或生成軟判決數(shù)據(jù)。當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第二參考值ref2時(shí)，在操作s63中，存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作。當(dāng)在操作s64中通過數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作成功地執(zhí)行了數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)，在操作s65中，控制邏輯300可將恢復(fù)的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。當(dāng)在操作s64中通過數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作的數(shù)據(jù)恢復(fù)不成功時(shí)，在操作s66中，存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可生成軟判決數(shù)據(jù)。當(dāng)生成軟判決數(shù)據(jù)時(shí)，在操作s67中，控制邏輯300可將軟判決數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。根據(jù)實(shí)施例，控制邏輯300可將正常數(shù)據(jù)和軟判決數(shù)據(jù)一起輸出。當(dāng)在操作s62中計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于第二參考值ref2時(shí)，在操作s68中，可使用包括在存儲(chǔ)裝置20或存儲(chǔ)控制器10中的錯(cuò)誤校正電路(未示出)執(zhí)行錯(cuò)誤校正。當(dāng)存儲(chǔ)裝置20包括錯(cuò)誤校正電路時(shí)，在操作s69中，可將具有使用錯(cuò)誤校正電路校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。

圖18是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖3和圖18描述所述方法。

參照圖18，當(dāng)在操作s71中數(shù)據(jù)電路200計(jì)算來自存儲(chǔ)單元陣列100的退化單元dc并如上所述將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt輸出至比較單元320時(shí)，在操作s72中，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和第三參考值ref3進(jìn)行比較以確定計(jì)數(shù)結(jié)果cnt是否大于第三參考值ref3。第三參考值ref3可為預(yù)設(shè)的或可替代地期望的值以用于確定具有不可校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第三參考值ref3時(shí)，在操作s73中，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和第四參考值ref4進(jìn)行比較，以再次確定計(jì)數(shù)結(jié)果cnt是否大于第四參考值ref4。第四參考值ref4可為預(yù)設(shè)的或可替代地期望的值，以用于在發(fā)生不可校正的錯(cuò)誤的情況下確定錯(cuò)誤是否嚴(yán)重到需要通過恢復(fù)算法恢復(fù)。

當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第四參考值ref4時(shí)，在操作s74中，存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或生成軟判決數(shù)據(jù)。如上所述，可獨(dú)立地或順序地執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或軟判決數(shù)據(jù)的生成。當(dāng)數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或軟判決數(shù)據(jù)的生成成功地恢復(fù)時(shí)，在操作s75中，控制邏輯300可將恢復(fù)的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10?；謴?fù)的數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于通過數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作輸出讀取數(shù)據(jù)的操作或?qū)?yīng)于當(dāng)執(zhí)行生成軟判決數(shù)據(jù)的操作時(shí)一起輸出硬數(shù)據(jù)(正常數(shù)據(jù))和軟判決數(shù)據(jù)的操作。

當(dāng)在操作s73中計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于第四參考值ref4時(shí)，在操作s76中，存儲(chǔ)裝置20可將粗略數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。根據(jù)實(shí)施例，通過使用上述第一讀取電平v1和第二讀取電平v2讀取的數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在頁緩沖器中，通過使用讀取電平中的一個(gè)讀取的數(shù)據(jù)可作為粗略數(shù)據(jù)提供至存儲(chǔ)控制器10。例如，當(dāng)涉及在圖8b的第二msb讀取操作read_msb2時(shí)，通過使用第一讀取電平v1讀取的數(shù)據(jù)可作為粗略數(shù)據(jù)提供至存儲(chǔ)控制器10，其中，第一讀取電平v1比與谷對(duì)應(yīng)的電壓低。存儲(chǔ)裝置20可將粗略數(shù)據(jù)作為存儲(chǔ)控制器10要求的最終數(shù)據(jù)輸出。

計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第三參考值ref3但小于第四參考值ref4的事實(shí)可指示即使在生成不可校正的錯(cuò)誤時(shí)閾值電壓分布的變化量也相對(duì)小。在這種情況下，第一讀取電平v1可更接近在退化后的閾值電壓分布的谷，因此，通過使用第一讀取電平v1讀取的數(shù)據(jù)可具有比在使用第二讀取電平v2時(shí)更少的錯(cuò)誤。因此，可將使用第一讀取電平v1讀取的數(shù)據(jù)(例如，粗略數(shù)據(jù))提供至存儲(chǔ)控制器10。

同時(shí)，當(dāng)在操作s72中計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于第三參考值ref3時(shí)，在操作s77中，可使用可包括在存儲(chǔ)裝置20或存儲(chǔ)控制器10中的錯(cuò)誤校正電路(未示出)執(zhí)行錯(cuò)誤校正。當(dāng)存儲(chǔ)裝置20包括錯(cuò)誤校正電路時(shí)，在操作s78中，可將具有使用錯(cuò)誤校正電路校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。

圖19是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的流程圖。將參照圖3和圖19描述所述方法。

參照圖19，當(dāng)在操作s81中計(jì)數(shù)電路200計(jì)算來自存儲(chǔ)單元陣列100的退化單元dc并如上所述將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt輸出至比較單元320時(shí)，在操作s82中，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和第五參考值ref5進(jìn)行比較以確定計(jì)數(shù)結(jié)果cnt是否大于第五參考值ref5。第五參考值ref5可為預(yù)設(shè)的或可替代地期望的值以用于確定具有不可校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第五參考值ref5時(shí)，在操作s83中，比較單元320可將計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和第六參考值ref6進(jìn)行比較，以再次確定計(jì)數(shù)結(jié)果cnt是否大于第六參考值ref6。第六參考值ref6可為預(yù)設(shè)的或可替代地期望的值以用于確定錯(cuò)誤是否是通過使用恢復(fù)算法由控制邏輯300可校正的。

當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt大于第六參考值ref6時(shí)，錯(cuò)誤可嚴(yán)重到無法由存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310校正。在這種情況下，在操作s86中，控制邏輯300可將具有不可校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10，存儲(chǔ)控制器10可執(zhí)行錯(cuò)誤校正。

當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于第六參考值ref6時(shí)，在操作s84中，存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或生成軟判決數(shù)據(jù)。如上所述，可獨(dú)立地或順序地執(zhí)行數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或軟決策數(shù)據(jù)的生成。當(dāng)數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作和/或軟判決數(shù)據(jù)的生成成功恢復(fù)時(shí)，在操作s85中，控制邏輯300可將恢復(fù)的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。恢復(fù)的數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于通過數(shù)據(jù)復(fù)原讀取操作輸出讀取數(shù)據(jù)的操作或?qū)?yīng)于當(dāng)執(zhí)行生成軟判決數(shù)據(jù)的操作時(shí)一起輸出硬數(shù)據(jù)(正常數(shù)據(jù))和軟判決數(shù)據(jù)的操作。

當(dāng)在操作s82中計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于第五參考值ref5時(shí)，在操作s87中，可使用錯(cuò)誤校正電路執(zhí)行錯(cuò)誤校正。當(dāng)存儲(chǔ)裝置20包括錯(cuò)誤校正電路時(shí)，在操作s88中，可將具有使用錯(cuò)誤校正電路校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)控制器10。

圖20是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖。在此將省略上面已經(jīng)參照圖3提供的細(xì)節(jié)的描述。

參照圖20，存儲(chǔ)裝置20還包括錯(cuò)誤校正碼(ecc)電路700。比較單元320可將從計(jì)數(shù)電路200接收的計(jì)數(shù)結(jié)果cnt和參考值ref進(jìn)行比較，當(dāng)計(jì)數(shù)結(jié)果cnt小于參考值ref時(shí)，可將錯(cuò)誤校正命令ecc作為比較的結(jié)果發(fā)送至ecc電路700。ecc電路700可對(duì)數(shù)據(jù)執(zhí)行ecc并將錯(cuò)誤校正數(shù)據(jù)data_ecc輸出至存儲(chǔ)控制器10。

圖21是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖。在此將省略上面參照圖3提供的細(xì)節(jié)的描述。

參照圖21，存儲(chǔ)裝置20還可包括讀取電路800?？刂七壿?00還可包括讀取控制單元330。與數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310基于比較結(jié)果result執(zhí)行恢復(fù)算法并行，存儲(chǔ)裝置20可對(duì)正在執(zhí)行恢復(fù)的數(shù)據(jù)之外的隨后的數(shù)據(jù)data執(zhí)行讀取。當(dāng)將存儲(chǔ)控制器10的另一個(gè)讀取命令發(fā)送至存儲(chǔ)裝置20時(shí)，讀取控制單元330可將讀取控制信號(hào)ctrl_rd發(fā)送至讀取電路800，讀取電路800可將隨后的數(shù)據(jù)data發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。

圖22a示出了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的隨時(shí)間流逝由存儲(chǔ)系統(tǒng)的元件執(zhí)行的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法的操作。將參照圖3和圖22a描述此方法。

參照圖22a，當(dāng)在操作t201中將數(shù)據(jù)讀取命令從存儲(chǔ)控制器10發(fā)送至存儲(chǔ)裝置20中的控制邏輯300時(shí)，在操作t202中控制邏輯300可將繁忙信號(hào)r/b輸出存儲(chǔ)控制器10。即，繁忙信號(hào)r/b可從邏輯低電平轉(zhuǎn)換為邏輯高電平。如上所述，當(dāng)在操作t301中將確定不可校正錯(cuò)誤的結(jié)果從控制邏輯300的比較單元發(fā)送至數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310時(shí)，在操作t302中，控制邏輯300可將繁忙信號(hào)r/b保持為邏輯高電平。如果錯(cuò)誤是可校正的，則可將繁忙信號(hào)r/b從邏輯高電平轉(zhuǎn)換為邏輯低電平(未示出)。在不可校正錯(cuò)誤的情況下，在操作t401中，控制邏輯300的數(shù)據(jù)恢復(fù)單元310可執(zhí)行恢復(fù)算法。當(dāng)使用恢復(fù)算法完成數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)，在操作t501中，控制邏輯300可輸出恢復(fù)的數(shù)據(jù)并阻止繁忙信號(hào)r/b。即，繁忙信號(hào)r/b可從邏輯高電平轉(zhuǎn)換為邏輯低電平。

圖22b是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的操作的曲線圖。在此將省略參照圖22a提供的細(xì)節(jié)的描述。

圖22b是示出圖22a的繁忙信號(hào)r/b的操作的曲線圖。在正常數(shù)據(jù)讀取操作normalread(nr)中，當(dāng)在待機(jī)狀態(tài)t0中讀取命令cmd_rd從存儲(chǔ)控制器10傳輸至存儲(chǔ)裝置20時(shí)，控制邏輯300可將繁忙信號(hào)r/b從邏輯低電平轉(zhuǎn)換至邏輯高電平并將繁忙信號(hào)r/b發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。當(dāng)數(shù)據(jù)讀取處理狀態(tài)t1完成時(shí)，控制邏輯300再次將繁忙信號(hào)r/b從邏輯高電平轉(zhuǎn)換為邏輯低電平并將繁忙信號(hào)r/b發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10，使得存儲(chǔ)控制器10可發(fā)送另外的讀取命令。

在uecc恢復(fù)讀取(urr)中，當(dāng)在待機(jī)狀態(tài)t0中存儲(chǔ)控制器10將讀取命令cmd_rd發(fā)送至存儲(chǔ)裝置20時(shí)，控制邏輯300可將繁忙信號(hào)r/b從邏輯低電平轉(zhuǎn)換至邏輯高電平并將繁忙信號(hào)r/b發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10。然而，與正常讀取操作不同，在uecc恢復(fù)讀取中，即使當(dāng)讀取處理狀態(tài)t1結(jié)束時(shí)，數(shù)據(jù)恢復(fù)狀態(tài)t2仍持續(xù)，因此，控制邏輯300可將繁忙信號(hào)r/b保持為邏輯高電平。當(dāng)數(shù)據(jù)恢復(fù)狀態(tài)t2結(jié)束并且控制邏輯300再次進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)t0時(shí)，控制邏輯300可將繁忙信號(hào)r/b從邏輯高電平轉(zhuǎn)換至邏輯低電平并將繁忙信號(hào)r/b發(fā)送至存儲(chǔ)控制器10，使得存儲(chǔ)控制器10可發(fā)送另一個(gè)讀取命令。

圖23是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)卡系統(tǒng)1000的框圖。

參照圖23，存儲(chǔ)卡系統(tǒng)1000可包括主機(jī)1100和存儲(chǔ)卡1200。主機(jī)1100可包括主機(jī)控制器1110和主機(jī)連接器1120。存儲(chǔ)卡1200可包括卡連接器1210、卡控制器1220和存儲(chǔ)裝置1230。可根據(jù)圖1至圖22b中示出的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)卡1200。

詳細(xì)地，存儲(chǔ)卡1200可基于在對(duì)存儲(chǔ)單元的讀取操作期間退化的退化單元dc確定錯(cuò)誤是否是可校正的。在具有不可校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)的情況下，存儲(chǔ)卡1200內(nèi)的存儲(chǔ)裝置1230可通過使用預(yù)定的或可替代地期望的恢復(fù)算法恢復(fù)數(shù)據(jù)。由于在不涉及卡控制器1220的情況下在存儲(chǔ)裝置1230內(nèi)執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，因此可提高可靠性并可改善性能。

存儲(chǔ)卡1200可配置為通過諸如usb、mmc、pci-e、ata、串行ata、并行ata、scsi、增強(qiáng)型小型設(shè)備接口(esdi)和集成驅(qū)動(dòng)電路(ide)的各種接口協(xié)議中的至少一種與主機(jī)110通信。

主機(jī)1100可將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)卡1200或讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)卡1200中的數(shù)據(jù)。主機(jī)控制器1110可將在主機(jī)1100中的時(shí)鐘生成器(未示出)中生成的時(shí)鐘信號(hào)clk和數(shù)據(jù)data通過主機(jī)連接器1120發(fā)送至存儲(chǔ)卡1200。

卡控制器1220可響應(yīng)于通過卡連接器1210接收的命令以與在卡控制器1220中的時(shí)鐘生成器(未示出)中生成的時(shí)鐘信號(hào)同步地在存儲(chǔ)裝置1230中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)裝置1230可存儲(chǔ)從主機(jī)1100接收的數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)卡1200可實(shí)現(xiàn)為緊湊型閃存卡(cfc)、微型驅(qū)動(dòng)器、智能媒體卡(smc)、多媒體卡(mmc)、安全數(shù)字卡(sdc)、記憶棒或usb閃存驅(qū)動(dòng)器等。

圖24是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的固態(tài)硬盤(ssd)系統(tǒng)2000的框圖。

參照圖24，ssd系統(tǒng)2000可包括主機(jī)2100和ssd2200。ssd2200可經(jīng)由信號(hào)連接器將信號(hào)發(fā)送至主機(jī)2100或從主機(jī)2100接收信號(hào)，并通過電源連接器接收電力。ssd2200可包括ssd控制器2210、備用電源2220以及多個(gè)存儲(chǔ)裝置2230、2240和2250。可根據(jù)圖1至圖23中示出的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)ssd2200。

詳細(xì)地，多個(gè)存儲(chǔ)裝置2230至2250可基于在對(duì)存儲(chǔ)單元執(zhí)行的讀取操作期間生成的退化單元dc確定錯(cuò)誤是否是可校正的。此外，可使用在多個(gè)存儲(chǔ)裝置2230至2250中的存儲(chǔ)裝置中的預(yù)定的或可替代地期望的恢復(fù)算法來恢復(fù)具有不可校正的錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。由于在不涉及多個(gè)存儲(chǔ)裝置2230至2250中的控制器的情況下在存儲(chǔ)裝置內(nèi)執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，因此可提高可靠性并可改善性能。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)卡、非易失性存儲(chǔ)裝置和卡控制器可以以任意的各種不同封裝類型構(gòu)筑。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例的閃存裝置和/或存儲(chǔ)控制器可以以堆疊式封裝(pop)、球柵陣列(bgas)、芯片級(jí)封裝(csps)、塑料引線芯片載體(plcc)、塑料雙列直插封裝(pdip)、疊片內(nèi)裸片封裝(dieinwafflepack)、晶圓內(nèi)裸片形式(dieinwaferform)、板上芯片(cob)、陶瓷雙列直插式封裝(cerdip)、塑料公制四方扁平封裝(mqfp)、薄四方扁平封裝(tqfp)、小外形封裝(soic)、收縮小外形封裝(ssop)、薄小外形封裝(tsop)、系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)、多芯片封裝(mcp)、晶圓級(jí)制造封裝(wfp)、晶圓級(jí)處理堆疊封裝(wsp)等構(gòu)筑。

已經(jīng)描述了發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，將理解的是可以各種方式改變上述實(shí)施例。這些改變不應(yīng)被視為脫離發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的意圖的精神和范圍，所有這些對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的修改均意圖包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。