本實(shí)用新型涉及一種電路板，還涉及一種應(yīng)用該電路板的存儲器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的PCB內(nèi)層的散熱效率通常較低。以內(nèi)存條為例，在內(nèi)存條高頻率工作時內(nèi)存條PCB中大量熱量聚集無法迅速排出，內(nèi)存條溫度會迅速上升。當(dāng)內(nèi)存條溫度上升到臨界值時，內(nèi)存條將無法繼續(xù)維持高頻率工作狀態(tài)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，有必要提供一種可提供迅速散熱的電路板及應(yīng)用該電路板的存儲器。

一種電路板，包括平行相對的第一表面及第二表面，所述第一表面及第二表面通過側(cè)表面連接，所述電路板還包括設(shè)于第一表面的第一散熱層及設(shè)于第二表面的第二散熱層，所述第一散熱層及第二散熱層包括若干散熱孔。

優(yōu)選地，所述第一表面包括第一散熱區(qū)及第一元器件區(qū)，所述第一散熱層設(shè)于所述第一散熱區(qū)。

優(yōu)選地，所述第一散熱區(qū)及第一元器件區(qū)之間設(shè)有第一隔離槽。

優(yōu)選地，所述第一散熱層為銅箔，當(dāng)所述電路板進(jìn)行蝕刻時，所述第一散熱層所處區(qū)域銅箔未經(jīng)蝕刻形成所述第一散熱層。

優(yōu)選地，所述若干散熱孔包括至少一通孔。

一種存儲器，包括一電路板及若干存儲芯片，所述電路板包括平行相對的第一表面及第二表面，所述第一表面及第二表面通過側(cè) 表面連接，所述電路板還包括設(shè)于第一表面的第一散熱層及設(shè)于第二表面的第二散熱層，所述第一散熱層及第二散熱層包括若干散熱孔。

優(yōu)選地，所述存儲器包括若干散熱端，所述若干存儲芯片的引腳對應(yīng)連接所述若干散熱端。

優(yōu)選地，所述第一表面包括第一隔離槽，所述第一散熱層設(shè)置于所述第一隔離槽的第二側(cè)，所述若干散熱端設(shè)置于所述第一隔離槽的第一側(cè)，所述若干散熱端與所述第一隔離槽的距離不大于第一預(yù)設(shè)距離。

優(yōu)選地，所述存儲器包括一散熱器及一接口，所述接口位于所述存儲器的第一端，所述散熱器用于可拆卸地套接于所述存儲器的第二端。

優(yōu)選地，所述散熱器緊貼連接于所述若干存儲芯片、所述第一散熱層及所述第二散熱層。

通過所述散熱層及散熱孔，電路板中的熱量可以迅速排出以降低電路板溫度。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型電路板的較佳實(shí)施方式的示意圖。

圖2為圖1中所述電路板的較佳實(shí)施方式的剖視圖。

圖3為本實(shí)用新型存儲器的較佳實(shí)施方式的示意圖。

圖4為本實(shí)用新型存儲器的較佳實(shí)施方式的另一示意圖。

圖5為本實(shí)用新型存儲器的另一較佳實(shí)施方式的局部示意圖。

主要元件符號說明

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。

具體實(shí)施方式

請參考圖1及圖2，本實(shí)用新型電路板100的較佳實(shí)施方式中，所述電路板100包括平行相對的第一表面11及第二表面12，所述第一表面11及第二表面12通過側(cè)表面13連接。所述電路板100還包括設(shè)于第一表面11的第一散熱層110及設(shè)于第二表面12的第二散熱層120。所述第一散熱層110包括若干散熱孔21。所述第二散熱層120包括若干散熱孔。

本實(shí)施方式中，所述電路板100的第一表面11包括第一散熱區(qū) 31及第一元器件區(qū)41。所述第一散熱區(qū)31及第一元器件區(qū)41之間設(shè)有第一隔離槽51。所述第一散熱層110設(shè)于所述第一散熱區(qū)31。

本實(shí)施方式中，所述電路板100的第二表面12包括第二散熱區(qū)32(未示出)及第二元器件區(qū)42(未示出)。所述第二散熱區(qū)32及第二元器件區(qū)42之間設(shè)有第二隔離槽52。所述第二散熱層120設(shè)于所述第二散熱區(qū)32。由于在本實(shí)施方式中所述第二表面12與所述第一表面11呈對稱設(shè)計(jì)，所述第二散熱區(qū)32、第二元器件區(qū)42及第二隔離槽52未在圖中示出。

在其他實(shí)施方式中，所述第一散熱層110可以呈不規(guī)則形狀設(shè)于所述電路板100的所述第一表面11上，例如第一元器件區(qū)41各焊盤周圍，而不需要局限于第一散熱區(qū)31。類似地，所述第二散熱層120可以呈不規(guī)則形狀設(shè)于所述電路板100的所述第二表面12上，例如第二元器件區(qū)42的各焊盤周圍，而不需要局限于第二散熱區(qū)32。

在其他實(shí)施方式中，所述第一散熱層110與所述第二散熱層120可以為非對稱設(shè)計(jì)。

本實(shí)施方式中，所述第一隔離槽51及第二隔離槽52用于防止散熱層與焊盤接觸。

圖2為本實(shí)用新型電路板100的截面示意圖。本實(shí)施方式中，所述電路板100包括第一層61、第二層62及中間層60。

本實(shí)施方式中，所述第一層61為銅箔層，所述第二層62為基材層，所述中間層60為內(nèi)膜層。所述中間層60可由樹脂、環(huán)氧玻璃纖維等材料制成。

本實(shí)施方式中，所述若干散熱孔21均為通孔。所述若干散熱孔21依次貫穿所述第一散熱層110、所述第一層61、所述中間層60、所述第二層62及所述第二散熱層120。

在其他實(shí)施方式中，所述第一散熱層110為銅箔，當(dāng)對電路板銅箔蝕刻時，所述第一散熱層110所處區(qū)域銅箔未經(jīng)蝕刻形成所述第一散熱層110，所述第一散熱層110與所述第一元器件區(qū)41之走 線通過所述第一隔離槽51進(jìn)行分割，以避免信號干擾。類似地，所述第二散熱層120可以由銅箔層未經(jīng)蝕刻形成，所述第二散熱層120與所述第二元器件區(qū)42之走線通過所述第二隔離槽52進(jìn)行分割，以避免信號干擾。

相應(yīng)地，若所述第一散熱層110及第二散熱層120由銅箔層未經(jīng)蝕刻形成，所述第一散熱層110及第二散熱層120可以應(yīng)用于多層電路板的內(nèi)層。

本實(shí)施方式中，所述第一元器件區(qū)41之走線均有一端位于所述第一隔離槽51附近。類似地，所述第二元器件區(qū)42之走線均有一端位于所述第二隔離槽52附近。

在其他實(shí)施方式中，所述若干散熱孔21可以灌有特定金屬以協(xié)助散熱，所述特定金屬包括但不限于銅。

在其他實(shí)施方式中，所述若干散熱孔21可以部分為通孔，部分為開孔至特定位置。所述若干散熱孔21還可全部開孔至特定位置，如全部開孔至中間層60而不貫穿所述中間層60。

請參考圖3及圖4，本實(shí)用新型存儲器200包括一多層電路板及若干存儲芯片71。所述多層電路板的一種較佳實(shí)施方式中所述多層電路板包括所述電路板100。所述存儲器200還包括一接口81及一散熱器300。所述接口81位于所述存儲器200的第一端。

本實(shí)施方式中，所述散熱器300可拆卸地套接于所述存儲器200的第二端。當(dāng)所述散熱器300套接于所述存儲器200的第二端時，所述散熱器300緊貼連接于所述若干存儲芯片71、所述第一散熱層110及所述第二散熱層120。所述散熱器300用于針對第一散熱層110、所述第二散熱層120及所述若干存儲芯片71進(jìn)行散熱。

本實(shí)施方式中，所述存儲器200的第一端與所述存儲器200的第二端平行。

在其他實(shí)施方式中，所述散熱器300還可以套接于所述存儲器200的第三端。所述存儲器200的第三端與所述存儲器200的第一端垂直。

在其他實(shí)施方式中，所述散熱器300還可以焊接于所述第一散熱層110或第二散熱層120上。

所述散熱器300可由金屬材料或其他擁有良好導(dǎo)熱性材料制成。本實(shí)施方式中，所述散熱器300的制作材料為鋁。

本實(shí)施方式中，所述存儲器200為一內(nèi)存條。所述接口81為所述電路板100的第一端延伸出的金手指。所述接口81用于連接一內(nèi)存插槽。

請參考圖5，本實(shí)用新型所述存儲器200的另一較佳實(shí)施方式中，所述存儲器200包括一多層電路板(未示出)及至少一存儲芯片91。所述多層電路板的的第一表面包括第一隔離槽51、接口81、第一散熱層110及散熱端A1-A8。所述第一隔離槽51處于所述第一散熱層110及所述散熱端A1-A8之間。所述存儲芯片91包括引腳1-8。所述存儲芯片91的引腳1連接于所述接口81的引腳1。所述存儲芯片91的引腳2連接于所述接口81的引腳2。所述存儲芯片91的引腳3連接于所述接口81的引腳3。所述存儲芯片91的引腳4連接于所述接口81的引腳4。所述存儲芯片91的引腳5連接于所述接口81的引腳5。所述存儲芯片91的引腳6連接于所述接口81的引腳6。所述存儲芯片91的引腳7連接于所述接口81的引腳7。所述存儲芯片91的引腳8連接于所述接口81的引腳8。

本實(shí)施方式中，所述存儲芯片91的引腳1還連接于所述存儲器200的散熱端A1。所述存儲芯片91的引腳2還連接于所述存儲器200的散熱端A2。所述存儲芯片91的引腳3還連接于所述存儲器200的散熱端A3。所述存儲芯片91的引腳4還連接于所述存儲器200的散熱端A4。所述存儲芯片91的引腳5還連接于所述存儲器200的散熱端A5。所述存儲芯片91的引腳6還連接于所述存儲器200的散熱端A6。所述存儲芯片91的引腳7還連接于所述存儲器200的散熱端A7。所述存儲芯片91的引腳8還連接于所述存儲器200的散熱端A8。

所述散熱端A1-A8均緊貼所述第一隔離槽51設(shè)置于所述第一 隔離槽51的第一側(cè)。所述第一散熱層110設(shè)置于所述第一隔離槽51的第二側(cè)。所述散熱端A1-A8到所述第一隔離槽51的距離不大于第一預(yù)設(shè)距離。本實(shí)施方式中，所述第一預(yù)設(shè)距離為20密爾。

本實(shí)施方式中，所述存儲芯片91的引腳布線位于所述多層電路板不同信號層。

在其他實(shí)施方式中，所述存儲芯片91的引腳1-8中至少一引腳對應(yīng)連接于所述散熱端A1-A8。

在另一實(shí)施方式中，所述存儲芯片91的引腳1及引腳2為數(shù)據(jù)引腳，所述存儲芯片91的引腳1對應(yīng)連接所述散熱端A1，所述存儲芯片91的引腳2對應(yīng)連接所述散熱端A2。所述存儲芯片91的引腳4-8由于熱量產(chǎn)生較少而未被連接至散熱端。

本實(shí)施方式中，所述存儲器200還包括若干存儲芯片及若干散熱端。所述若干存儲芯片的引腳對應(yīng)連接于所述若干散熱端。

在其他實(shí)施方式中，所述存儲器200還包括位于所述多層電路板內(nèi)層的若干組內(nèi)層散熱端。在內(nèi)層走線中，每一內(nèi)層走線均對應(yīng)連接至所述若干組內(nèi)層散熱端。

通過所述第一散熱層110及第二散熱層120及所述若干散熱孔21，所述電路板100中積累的熱量可以迅速排出以降低所述電路板100的溫度。類似地，所述存儲器200進(jìn)一步通過所述散熱器300加快所述電路板100的熱量排出速度，所述散熱器300還可以用于所述若干存儲芯片71上進(jìn)行散熱。

最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍。