技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及雙位3T高密度MTPROM陣列，其提供一種多次可編程存儲(chǔ)器(MTPM)存儲(chǔ)器單元及其操作方法。各MTPM位單元包括：第一FET晶體管與第二FET晶體管具有第一共同連接，且第二FET晶體管與第三FET晶體管具有第二共同連接，第一與第二相連的FET晶體管可編程以儲(chǔ)存第一位值，且第二FET與第三相連的FET晶體管可編程以儲(chǔ)存第二位值，其中，第一FET晶體管呈現(xiàn)低閾值電壓值(LVT)，第二FET晶體管呈現(xiàn)高閾值電壓值HVT以及第三FET晶體管呈現(xiàn)低于HVT的閾值LVT。MTPM單元使兩位信息能夠被儲(chǔ)存為類似電熔絲的默認(rèn)位值。為儲(chǔ)存相反的位值，編程LVT晶體管以使其閾值高于HVT的閾值。

技術(shù)研發(fā)人員：R·拉加萬(wàn);B·賈亞拉曼;J·維拉拉格哈萬(wàn);T·肯龐納;R·R·圖姆穆魯;T·基里哈塔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.07
技術(shù)公布日：2017.08.08