技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法和裝置，方法包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續(xù)至少64小時后完成靜態(tài)老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調(diào)整溫度至第二溫度，向靜態(tài)老化后的所述存儲器發(fā)送激勵信號，并采集所述存儲器響應(yīng)所述激勵信號獲得的信號處理數(shù)據(jù)，持續(xù)至少160小時后完成動態(tài)老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據(jù)預(yù)存的校驗數(shù)據(jù)對所述信號處理數(shù)據(jù)進行校驗。本發(fā)明能夠讓所述編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器度過早期失效期，將潛在的缺陷盡早暴露，剔除缺陷芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：王茂森;吳杰;朱新忠;范宇飛;劉凱俊;劉偉亮;章泉源;魏文超;閔康磊
受保護的技術(shù)使用者：上海航天測控通信研究所
文檔號碼：201611041190
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.11
技術(shù)公布日：2017.05.31