技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體存儲器件包括存儲單元中的短路可變電阻器元件。所述半導(dǎo)體存儲器件包括：主單元和參考單元，其每個包括單元晶體管和可變電阻器元件。通過施加磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的擊穿電壓、并聯(lián)地連接到導(dǎo)電通孔元件、連接到在單元晶體管與可變電阻器元件之間的節(jié)點處的參考位線或者利用導(dǎo)電通孔元件替換可變電阻器元件，使所述參考單元的可變電阻器元件短路。感測放大器通過檢測和放大在主單元的位線中流動的電流以及在參考電阻器所連接到的參考位線中流動的電流，來提高主單元的感測容限。

技術(shù)研發(fā)人員：徐輔永;表錫洙;高寬協(xié);李龍圭;金大植
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610768898
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2017.03.08