技術(shù)編號(hào)：12179764
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。包括存儲(chǔ)單元的短路可變電阻器元件的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求享有于2015年9月2日提交的第10-2015-0124230號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其公開(kāi)內(nèi)容全部并入本文。背景技術(shù)本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。因?yàn)殡娮枋酱鎯?chǔ)器件之中的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)可以高速地執(zhí)行寫(xiě)操作和讀操作，是非易失性的，并且具有較低功耗，所以MRAM可以使用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件中。MRAM可以在可變電阻器元件中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，該可變電阻器元件可以是存儲(chǔ)單元的磁阻器元件...
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