本申請要求2015年9月2日提交給韓國知識產權局的申請?zhí)枮?0-2015-0124192的韓國申請的優(yōu)先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

各種實施例總體涉及一種半導體器件設計，更具體地，涉及一種包括在半導體器件中的子字線驅動單元的布局。

背景技術：

半導體存儲器件包括以二維結構或三維結構布置的多個存儲單元。字線和位線被驅動以將數據儲存至存儲單元或從存儲單元讀取數據。由于每個存儲單元連接至字線以及與該字線交叉的位線，因此可以通過驅動對應的字線和對應的位線來選擇特定的存儲單元。

字線可以根據包括主字線和子字線的分級方案(hierarchical scheme)來配置。例如，由于四個子字線或八個子字線對應于一個主字線，因此當特定字線被驅動時，對應的主字線和對應的子字線二者都被驅動。

技術實現要素：

各種實施例針對一種半導體器件，在該半導體器件中，允許多個存儲單元單位之中布置的子字線驅動單元的配置彼此相同。

各種實施例針對一種半導體器件，在該半導體器件中，布置在兩個相鄰存儲單元單位之間的子字線驅動單元被配置為彼此對稱。

在一個實施例中，一種半導體器件包括：第一存儲單元區(qū)和第二存儲單元區(qū)，被設置為沿第一方向彼此相鄰，且適用于共享子字線驅動信號；以及第一子字線驅動單元，設置在穿越區(qū)域中，所述穿越區(qū)域沿斜線方向設置在第一存儲單元區(qū)與第二存儲單元區(qū)之間，其中，第一子字線驅動單元包括用于驅動第一存儲單元區(qū)的第一子字線驅動器、用于驅動第二存儲單元區(qū)的第二子字線驅動器以及沿第一方向延伸的用于傳輸子字線驅動信號的互連。

利用根據實施例的半導體器件，允許由存儲單元單位共享的子字線驅動單元的布局彼此對稱，使得工藝難度和圖案化故障可以最小化。

利用根據實施例的半導體器件，簡化了整個圖案，使得設計復雜度可以最小化。結果，可以縮短半導體器件的總體設計所需的時間。

附圖說明

圖1是圖示根據實施例的半導體器件的布局的平面圖。

圖2A是圖示在與圖1的單位區(qū)域相對應的布局中部分地省略以曲折方式布置的存儲區(qū)塊和子字線驅動單元的情況的平面圖。

圖2B是圖示根據實施例的在子字線驅動信號被實際激活之后直到子字線被激活所需的時間(“A”)的示圖。

圖3A是圖示關于圖1的單位區(qū)域的對稱圖案的示圖，以及圖3B是圖示圖3A的布局中的存儲區(qū)塊與子字線驅動單元之間的距離的示圖。

圖4是圖示根據另一個實施例的半導體器件的布局的平面圖。

具體實施方式

以下參照附圖更詳細地描述各種實施例。這些實施例被提供使得本公開對于本發(fā)明所屬領域技術人員來說是徹底和完整的。注意的是，描述的實施例僅是本發(fā)明的示例，而非意在限制本發(fā)明的范圍。

本文中使用的術語僅用于描述特定實施例的目的，而非意在對發(fā)明構思進行限制。如本文中所用，除非上下文明確另外表示，否則單數形式“一個”(“a”、“an”)和“該”也意在包括復數形式。還將理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”時，表示存在所陳述的特征，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征。如在本文中所用，術語“和/或”表示相關列出項目中的一個或更多個的任意組合或所有組合。

在下文中，以下將參照附圖來描述本發(fā)明的各種實施例。

圖1是圖示根據本發(fā)明的實施例的半導體器件的布局的平面圖。

半導體器件10可以包括存儲單元陣列。每個存儲單元陣列包括多個存儲單元。存儲單元可以被分組為存儲單元區(qū)(在下文中，被稱為存儲區(qū)塊MAT)。隨著半導體器件 10的集成度變高，所包括的字線的長度(或負荷)增大，從而已經采用分級字線方案以減小字線驅動的延遲。在分級字線方案中，字線可以被劃分為主字線和子字線。

由于字線被劃分為主字線和子字線，因此可以分開要求主字線驅動器和子字線驅動器。

參照圖1，半導體器件10可以包括多個存儲區(qū)塊MAT0至MAT5、多個子字線驅動單元SWD0_e、SWD0_o、SWD1_o和SWD1_e以及多個感測放大器單元SA0至SA2。

根據實施例，在子字線驅動器的布局中，感測放大器單元SA0至SA2中的每個可以布置在沿第二方向Y相鄰的存儲區(qū)塊之間，例如，感測放大器單元SA0至SA2可以分別布置在區(qū)塊MAT0與MAT1之間、區(qū)塊MAT2與MAT3之間以及區(qū)塊MAT4與MAT5之間。

子字線驅動單元SWD0_e和SWD0_o可以布置在沿第一方向X相鄰的感測放大器單元之間，例如，子字線驅動單元SWD0_e可以布置在感測放大器單元SA0與SA1之間，以及子字線驅動單元SWD0_o可以布置在感測放大器單元SA1與SA2之間。換句話說，子字線驅動單元SWD0_e和SWD0_o可以關于沿第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊MAT0和MAT1、MAT2和MAT3以及MAT4和MAT5以曲折方式(zigzag manner)來布置。第一方向X與第二方向Y彼此不同并且可以彼此垂直。

第一偶數子字線驅動單元SWD0_e布置在沿第一方向X彼此相鄰的第一感測放大器單元SA0與第二感測放大器單元SA1之間，且關于沿第二方向Y彼此相鄰的第一存儲區(qū)塊MAT0和第二存儲區(qū)塊MAT1以曲折方式來布置。

第一偶數子字線驅動單元SWD0_e可以包括第一子字線驅動器SWDE0_0、第三子字線驅動器SWDE0_2、第五子字線驅動器SWDE0_4以及第七子字線驅動器SWDE0_6。

被提供給第一偶數子字線驅動單元SWD0_e的多個偶數子字線驅動信號FX0、FX2、FX4和FX6可以由第一存儲區(qū)塊MAT0、第二存儲區(qū)塊MAT1、第三存儲區(qū)塊MAT2和第四存儲區(qū)塊MAT3來共享。換句話說，包括在第一存儲區(qū)塊MAT0、第二存儲區(qū)塊MAT1、第三存儲區(qū)塊MAT2和第四存儲區(qū)塊MAT3中的偶數子字線(未示出)可以由多個公共偶數子字線驅動信號FX0、FX2、FX4和FX6來驅動。

一般而言，第一偶數子字線驅動單元SWD0_e可以驅動沿第一方向X彼此相鄰的存儲區(qū)塊的偶數子字線。例如，第一偶數子字線驅動單元SWD0_e可以驅動第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2的相同的偶數子字線。

根據實施例，子字線驅動器的布局具有兩區(qū)塊共享結構(2-MAT sharing structure)，在兩區(qū)塊共享結構中，沿第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊(例如，第一存儲區(qū)塊MAT0、第二存儲區(qū)塊MAT1、第三存儲區(qū)塊MAT2和第四存儲區(qū)塊MAT3)共享子字線驅動信號(在這里為第一子字線驅動信號FX0、第三子字線驅動信號FX2、第五子字線驅動信號FX4和第七子字線驅動信號FX6)。

類似地，第一奇數子字線驅動單元SWD0_o布置在沿第一方向X彼此相鄰的第二感測放大器單元SA1與第三感測放大器單元SA2之間，且關于沿第二方向Y彼此相鄰的第三存儲區(qū)塊MAT2和第四存儲區(qū)塊MAT3以曲折方式布置。

被提供給第一奇數子字線驅動單元SWD0_o的多個奇數子字線驅動信號FX1、FX3、FX5和FX7由第三存儲區(qū)塊MAT2、第四存儲區(qū)塊MAT3、第五存儲區(qū)塊MAT4和第六存儲區(qū)塊MAT5來共享。

一般而言，第一奇數子字線驅動單元SWD0_o可以僅驅動沿第一方向X彼此相鄰的存儲區(qū)塊的相同的奇數子字線。例如，第一奇數子字線驅動單元SWD0_o可以僅驅動第三存儲區(qū)塊MAT2和第五存儲區(qū)塊MAT4的奇數子字線。然而，在根據實施例的半導體存儲器件的布局中，第一奇數子字線驅動單元SWD0_o可以在沿第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊(例如，第三存儲區(qū)塊MAT2、第四存儲區(qū)塊MAT3、第五存儲區(qū)塊MAT4和第六存儲區(qū)塊MAT5)之間共享奇數子字線驅動信號(在此處為第二子字線驅動信號FX1、第四子字線驅動信號FX3、第六子字線驅動信號FX5和第八子字線驅動信號FX7)。

如上所述，當沿第二方向Y彼此相鄰的兩個存儲區(qū)塊通過共享子字線驅動信號來驅動時，第一存儲區(qū)塊MAT0至第六存儲區(qū)塊MAT5的所有子字線都通過第一偶數子字線驅動單元SWD0_e和第一奇數子字線驅動單元SWD0_o來驅動。

在這種情況下，例如，可以不提供圖1的第二偶數子字線驅動單元SWD1_e、第二奇數子字線驅動單元SWD1_o和第三偶數子字線驅動單元SWD2_e。當未提供第二偶數子字線驅動單元SWD1_e和第二奇數子字線驅動單元SWD1_o時，所有子字線驅動單元和存儲區(qū)塊都可以彼此非對稱地連接。

以下將描述根據實施例的子字線驅動單元中包括的子字線驅動器與存儲區(qū)塊的子字線的非對稱連接和布局。將參照圖2A、圖2B、圖3A和圖3B來詳細描述與圖1的單位區(qū)域FP相對應的配置。

在下文中，相同的附圖標記用于指定基本上相同的元件，且可以部分地省略對其的描述以避免重復。此外，在本說明書中，已經作為示例來圖示了在其中主字線和子字線 具有1:8關系的情況；然而，本發(fā)明不局限于此，以及存儲區(qū)塊、主字線和子字線的關系可以通過各種解碼方案(諸如，1:4和1:16)來限定。

圖2A是圖示在與圖1的單位區(qū)域相對應的布局中部分省略以曲折方式布置的存儲區(qū)塊和子字線驅動單元的情況的平面圖。

參照圖2A，當部分地省略了在沿第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊之間的穿越區(qū)域(即，曲折區(qū)域)中的子字線驅動單元時，獲得了非對稱連接配置。

例如，第一子字線驅動器SWDE0_0可以基于第一子字線驅動信號FX0和第一互補子字線驅動信號FXB0來驅動第一存儲區(qū)塊MAT0至第四存儲區(qū)塊MAT3的第一子字線SWL0(未示出)。

在這種情況下，第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2中包括的第一子字線與第一子字線驅動器SWDE0_0之間的距離較短。然而，第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3中包括的第一子字線與第一子字線驅動器SWDE0_0之間的距離由圖2A中的“A”來表示。在第一存儲區(qū)塊MAT0/第三存儲區(qū)塊MAT2與第一子字線驅動器SWDE0_0之間的距離與“A”之間可以存在顯著差異。

類似地，第七子字線驅動器SWDE0_6可以基于第七子字線驅動信號FX6和第七互補子字線驅動信號FXB6來驅動第一存儲區(qū)塊MAT0至第四存儲區(qū)塊MAT3的第七子字線SWL6(未示出)。同樣，在這種情況下，在第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2中包括的第七子字線與第七子字線驅動器SWDE0_6之間的距離與第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3中包括的第七子字線與第七子字線驅動器SWDE0_6之間的距離之間可以存在顯著差異。

圖2B是用于解釋如下內容的示圖：在如圖2A中所示在其中兩個相鄰的存儲區(qū)塊共享子字線驅動信號的情況下，當每個存儲區(qū)塊非對稱地連接至子字線驅動單元時，在存儲區(qū)塊MAT0至MAT3的子字線中驅動信號實質上被激活的時間。

在圖2B中，X軸可以表示時間(S)，而Y軸可以表示電壓(V)。

由于每個存儲區(qū)塊中包括的子字線與子字線驅動器SWDE0_0、SWDE0_2、SWDE0_4和SWDE0_6之間的距離大，因此例如第一互補子字線驅動信號FXB0應當被提供給第一子字線驅動器SWDE0_0，然后應當被提供給第四存儲區(qū)塊MAT3的第一子字線，使得第四存儲區(qū)塊MAT3中包括的第一子字線被驅動。

從圖2A明顯的是，由于第一子字線驅動器SWDE0_0與第四存儲區(qū)塊MAT3之間 的最大距離大，因此在子字線驅動信號FX0和FXB0被實際激活之后直到子字線被激活需要大量時間(圖2B的“A”)。

然而，由于第一子字線驅動器SWDE0_0與第三存儲區(qū)塊MAT2之間的距離短，因此用于將第一子字線驅動信號FX0和FXB0傳送至第三存儲區(qū)塊MAT2的第一子字線所需的時間可以進一步縮短。

如上所述，當驅動存儲區(qū)塊MAT0至MAT3的子字線驅動器SWDE0_0、SWDE0_2、SWDE0_4和SWDE0_6之間存在距離差時，由于子字線驅動信號FX0、FX2、FX4和FX6通過具有不同距離的互連來到達子字線，因此在信號傳輸時間上出現差異。

因此，應當在同一時間點驅動存儲區(qū)塊中包括的子字線，但是由于在驅動時間上出現差異，因此操作時間不一致。結果，由于數據寫入和讀取的準確性可能減少，因此半導體器件可能不會穩(wěn)定地操作。

此外，為了將第一存儲區(qū)塊MAT0中包括的偶數子字線(例如，第一子字線、第三子字線、第五子字線和第七子字線)連接至子字線驅動器SWDE0_0、SWDE0_2、SWDE0_4和SWDE0_6，應當設計金屬互連。

然而，當第一存儲區(qū)塊MAT0和第二存儲區(qū)塊MAT1連接至相同的子字線驅動器SWDE0_0、SWDE0_2、SWDE0_4和SWDE0_6時，用于將第一存儲區(qū)塊MAT0和第二存儲區(qū)塊MAT1中的每個連接至子字線驅動器SWDE0_0、SWDE0_2、SWDE0_4和SWDE0_6的金屬互連的圖案變?yōu)榉菍ΨQ的。

詳細地，第一存儲區(qū)塊MAT0通過沿關于第一存儲區(qū)塊MAT0的第四象限方向的短互連來連接至第一子字線驅動器SWDE0_0，但是第二存儲區(qū)塊MAT1通過沿關于第二存儲區(qū)塊MAT1的第一象限方向的較長互連來連接至第一子字線驅動器SWDE0_0。即，沿第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊與子字線驅動器之間的連接變?yōu)榉菍ΨQ的。

類似地，用于將第三存儲區(qū)塊MAT2和第四存儲區(qū)塊MAT3中包括的偶數子字線連接至子字線驅動器SWDE0_0、SWDE0_2、SWDE0_4和SWDE0_6的金屬互連也具有非對稱圖案。

在設計半導體存儲器件10的布局的情況下，應當相對地并且重復地布置相同元件。然而，當如上所述地形成非對稱圖案時，由于應當考慮到該非對稱圖案來設計其他元件，因此設計可能復雜或者制造工藝本身可能復雜。

依照根據實施例的半導體存儲器件的子字線驅動器的布局，雖然在沿第二方向Y彼 此相鄰的兩個存儲區(qū)塊之間共享奇數子字線驅動信號，但是以曲折方式來布置每個存儲區(qū)塊和所有子字線驅動單元，使得子字線驅動單元可以對稱地連接至存儲區(qū)塊。

圖3A是用于著重解釋關于圖1的單位區(qū)域的對稱圖案的示圖。參照圖1和圖3A，將詳細描述根據實施例的子字線驅動器的布局。

參照圖1和圖3A，沿第一方向X和第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊MAT0至MAT5以及子字線驅動單元沿曲折方向布置在所有區(qū)域中。

在第一存儲區(qū)塊MAT0的右上部(即，第三存儲區(qū)塊MAT2的左上部)，可以布置第三偶數子字線驅動單元SWD2_e中包括的第五子字線驅動器SWDE2_4和第七子字線驅動器SWDE2_6。根據實施例，第三偶數子字線驅動單元SWD2_e還可以包括第一子字線驅動器SWDE2_0和第三子字線驅動器SWDE2_2。

在第二存儲區(qū)塊MAT1的右下部(即，第四存儲區(qū)塊MAT3的左下部)，可以布置第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中包括的第一子字線驅動器SWDE1_0、第三子字線驅動器SWDE0_2、第五子字線驅動器SWDE1_4和第七子字線驅動器SWDE1_6。

然而，根據實施例，在位于第二存儲區(qū)塊MAT1的右下部(即，第四存儲區(qū)塊MAT3的左下部)的第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中，可以包括第一子字線驅動器SWDE1_0和第三子字線驅動器SWDE0_2，還可以進一步包括位于第一子字線驅動器SWDE1_0和第三子字線驅動器SWDE0_2之下的用于驅動其他存儲區(qū)塊的第一子字線和第三子字線的子字線驅動器。

在根據實施例的半導體器件的布局中，布局可以通過采用單位區(qū)域FP作為基本單位來重復。因此，單位區(qū)域FP(見圖1)可以照現狀重復，以及第五子字線驅動器SWDE1_4和第七子字線驅動器SWDE1_6也可以布置在第一子字線驅動器SWDE1_0和第三子字線驅動器SWDE0_2之下，然而可以重復鏡像對稱，以及可以包括位于第二偶數子字線驅動單元SWD1_e之下的用于驅動其他存儲區(qū)塊的第一子字線和第三子字線的子字線驅動器。

第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2的第一子字線和第三子字線分別連接至第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第一子字線驅動器SWDE0_0和第三子字線驅動器SWDE0_2。第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3的第一子字線和第三子字線可以連接至第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中包括的第一子字線驅動器SWDE1_0和第三子字線驅動器SWDE1_2。

類似地，第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2的第五子字線和第七子字線 連接至位于存儲區(qū)塊MAT0和MAT2二者之上的第三偶數子字線驅動單元SWD2_e中包括的第五子字線驅動器SWDE2_4和第七子字線驅動器SWDE2_6。第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3的第五子字線和第七子字線可以連接至第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第五子字線驅動器SWDE0_4和第七子字線驅動器SWDE0_6。

即，第一子字線驅動信號FX0、第三子字線驅動信號FX2、第五子字線驅動信號FX4和第七子字線驅動信號FX6由第一偶數子字線驅動單元SWD0_e、第二偶數子字線驅動單元SWD1_e的第一子字線驅動器SWDE1_0和第三子字線驅動器SWDE1_2以及第三偶數子字線驅動單元SWD2_e的第五子字線驅動器SWDE2_4和第七子字線驅動器SWDE2_6來共享，并驅動第一存儲區(qū)塊MAT0至第四存儲區(qū)塊MAT3的所有偶數子字線。

各個存儲區(qū)塊連接至最近的子字線驅動器，在第一存儲區(qū)塊MAT0至第四存儲區(qū)塊MAT3與連接至子字線的子字線驅動器之間的距離上幾乎不存在差異。

此外，各個存儲區(qū)塊與連接至各個存儲區(qū)塊的子字線驅動器之間的金屬互連具有對稱的配置。詳細地，第一存儲區(qū)塊MAT0的第一子字線與第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第一子字線驅動器SWDE0_0彼此連接所經由的金屬互連和第二存儲區(qū)塊MAT1的第一子字線與第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中包括的第一子字線驅動器SWDE1_0彼此連接所經由的金屬互連具有相同的方向和長度。

類似地，第三存儲區(qū)塊MAT2的第二子字線與第一奇數子字線驅動單元SWD0_o中包括的第二子字線驅動器SWDE0_1彼此連接所經由的金屬互連和第四存儲區(qū)塊MAT3的第二子字線與第二奇數子字線驅動單元SWD1_o中包括的第二子字線驅動器SWDE1_1彼此連接所經由的金屬互連具有相同的方向和長度。

即，由于每個子字線與存儲區(qū)塊彼此連接所經由的金屬互連具有對稱的配置，因此還可以簡化制造工藝以及布局設計。

圖3B是圖示根據實施例的依照半導體器件的布局的存儲區(qū)塊中包括的子字線的驅動時間的示圖。與圖2B類似，在圖3B中，X軸可以表示時間(S)，而Y軸可以表示電壓(V)。

與圖2B相比，在圖3B的布局中，存儲區(qū)塊中包括的子字線與子字線驅動器之間的距離差已經顯著減小。因此，即使在子字線被包括在任意存儲區(qū)塊中的情況下，當圖3B中所示的時間流逝了時，驅動信號被激活。即，與圖2B相比，減小了用于驅動子字線所需的最大延遲時間。

如上所述，第二存儲區(qū)塊MAT1/第四存儲區(qū)塊MAT3與子字線驅動器之間的連接距離最大的情況是：在其中第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3連接至第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中包括的第三子字線驅動器SWDE1_2(見圖1)或者第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第五子字線驅動器SWDE0_4(見圖1)的情況。此時，從第五子字線驅動器SWDE0_4和驅動信號被激活至第四存儲區(qū)塊MAT3的第五子字線被驅動的時間對應于“B”。

與圖2A和圖2B中所示的“A”相比，“B”已經顯著減小。這表示用于將子字線驅動信號傳送至子字線的時間減少。例如，當子字線驅動信號由兩個或更多個存儲區(qū)塊共享時，存儲區(qū)塊之間的子字線驅動信號的傳輸時間幾乎彼此相等。

結果，依照根據實施例的半導體器件的布局，可以減小子字線與子字線驅動器之間的距離。另外，在如上所述地驅動相同的子字線的情況下，每個存儲區(qū)塊的子字線與子字線驅動器之間的距離基本上彼此相等。

在圖2A中，在驅動第一子字線的情況下，第一存儲區(qū)塊MAT0/第三存儲區(qū)塊MAT2與第一子字線驅動器SWDE0_0之間以及第二存儲區(qū)塊MAT1/第四存儲區(qū)塊MAT3與第一子字線驅動器SWDE0_0之間在距離上存在顯著差異。

然而，在圖3A中，當驅動每個存儲區(qū)塊的第一子字線時，由于第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2連接至第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第一子字線驅動器SWDE0_0，以及第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3連接至第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中包括的第一子字線驅動器SWDE1_0，因此所有存儲區(qū)塊與子字線驅動器之間的距離基本上彼此相等。

依照根據實施例的半導體器件的布局，由于子字線驅動信號不存在時間差，因此可以改善半導體器件的總體操作特征。

此外，在根據實施例的利用半導體器件的子字線驅動器的情況下，用于將子字線驅動器連接至存儲區(qū)塊的金屬互連以及子字線驅動器的布置變?yōu)閷ΨQ的。

因此，在制造半導體存儲器件中，可以簡單地執(zhí)行整個半導體存儲器件的布置且不需要根據特定存儲區(qū)塊的位置來提供不同的布局，使得可以簡化整個制造工藝。

圖4是圖示根據另一個實施例的半導體器件的布局的平面圖。

如上所述，在根據實施例的半導體器件的布局中，沿第二方向Y彼此相鄰的兩個相鄰存儲區(qū)塊共享子字線驅動信號FX。

由于兩個存儲區(qū)塊(例如，第一存儲區(qū)塊MAT0/第二存儲區(qū)塊MAT1以及第三存儲區(qū)塊MAT2/第四存儲區(qū)塊MAT3)連接至向上彼此相鄰或向下彼此相鄰的子字線驅動器，因此可以存在空區(qū)域(vacant area)MO，在空區(qū)域中未設置用于傳輸沿第二方向Y延伸的子字線驅動信號FX的互連。

第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2的第五子字線和第七子字線連接至第三偶數子字線驅動單元SWD2_e中包括的第五子字線驅動器SWDE2_4和第七子字線驅動器SWDE2_6，以及第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3的第五子字線和第七子字線連接至第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第五子字線驅動器SWDE0_4和第七子字線驅動器SWDE0_6。因此，第五子字線驅動信號FX4和第七子字線驅動信號FX6不需要沿空區(qū)域MO延伸。

類似地，第一存儲區(qū)塊MAT0和第三存儲區(qū)塊MAT2的第一子字線和第三子字線連接至第一偶數子字線驅動單元SWD0_e中包括的第一子字線驅動器SWDE0_0和第三子字線驅動器SWDE0_2，以及第二存儲區(qū)塊MAT1和第四存儲區(qū)塊MAT3的第一子字線和第三子字線連接至第二偶數子字線驅動單元SWD1_e中包括的第一子字線驅動器SWDE1_0和第三子字線驅動器SWDE1_2。因此，第一子字線驅動信號FX0和第三子字線驅動信號FX2不需要沿空區(qū)域MO延伸。

因此，依照根據實施例的半導體器件的布局，甚至在用于傳輸要由沿第二方向Y彼此相鄰的存儲區(qū)塊共享的子字線驅動信號的金屬互連沿第二方向延伸時，也可以部分地省略該金屬互連。因此，可以減少用于金屬互連的材料，且還可以確保子孔(即，穿越區(qū)域)的其他金屬區(qū)域。

如上所述，在根據實施例的半導體器件的布局中，用于驅動沿第二方向共享子字線驅動信號的存儲區(qū)塊的子字線驅動單元以曲折方式來布置，且對稱地連接至存儲區(qū)塊。因此，整個布局實現對稱，使得可以降低工藝難度和圖案化故障。

在根據實施例的半導體器件的布局中，由于存儲區(qū)塊共享子字線驅動信號，因此每個存儲區(qū)塊的子字線與子字線驅動器之間的互連距離基本上彼此相等，使得字線驅動時間上的差異可以最小化。

雖然以上已經描述了各種實施例，但是本領域技術人員將理解的是，描述的實施例僅作為示例。因此，本文中描述的半導體器件的布局不應當基于描述的實施例而受到限制。在不脫離如所附權利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本發(fā)明所屬領域技術人員可以設想很多其他實施例及其變型。