1.一種電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，包括：
具有第一導(dǎo)電性的半導(dǎo)體層；
具有第二導(dǎo)電性的第一結(jié)區(qū)和具有第二導(dǎo)電性的第二結(jié)區(qū)，其中，第一結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體層的上部區(qū)域內(nèi)，并且彼此間隔開(kāi)；
柵絕緣圖案和浮柵圖案，柵絕緣圖案和浮柵圖案順序地層疊在半導(dǎo)體層之上、在第一結(jié)區(qū)與第二結(jié)區(qū)之間；
第一金屬接觸插塞，與第一結(jié)區(qū)耦接，其中，在第一金屬接觸插塞與第一結(jié)區(qū)之間形成歐姆接觸；以及
第二金屬接觸插塞，與第二結(jié)區(qū)耦接，其中，在第二金屬接觸插塞與第二結(jié)區(qū)之間形成肖特基接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，第一導(dǎo)電性為N型導(dǎo)電性，而第二導(dǎo)電性為P型導(dǎo)電性。
3.如權(quán)利要求1所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，第一結(jié)區(qū)包括：
第一輕摻雜結(jié)區(qū)，設(shè)置在半導(dǎo)體層內(nèi)，并且具有第一雜質(zhì)濃度；以及
第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)，設(shè)置在第一輕摻雜結(jié)區(qū)的上部區(qū)域內(nèi)，并且具有第二雜質(zhì)濃度。
4.如權(quán)利要求3所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，第二雜質(zhì)濃度高于第一雜質(zhì)濃度。
5.如權(quán)利要求4所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，將第一輕摻雜結(jié)區(qū)和第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)組合而構(gòu)成雙擴(kuò)散漏極結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，第一輕摻雜結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)分別與浮柵圖案的兩個(gè)側(cè)壁對(duì)齊。
7.如權(quán)利要求4所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，第二結(jié)區(qū)具有與第一結(jié)區(qū)大體上相同的結(jié)深度。
8.如權(quán)利要求4所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，其中，第二結(jié)區(qū)具有第一雜質(zhì)濃度。
9.如權(quán)利要求4所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，還包括：
第一柵間隔件和第二柵間隔件，第一柵間隔件和第二柵間隔件設(shè)置在浮柵圖案的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之上，并且還分別在柵絕緣圖案的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之上延伸，
其中，第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)與第一柵間隔件的外側(cè)壁對(duì)齊。
10.如權(quán)利要求1所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，還包括：
金屬硅化物層，設(shè)置在第二結(jié)區(qū)與第二金屬接觸插塞之間。
11.如權(quán)利要求1所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元，還包括：
第一金屬硅化物層，設(shè)置在第一結(jié)區(qū)與第一金屬接觸插塞之間；以及
第二金屬硅化物層，設(shè)置在第二結(jié)區(qū)與第二金屬接觸插塞之間。
12.一種電可編程只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括：
第一選擇線，
第二選擇線，與第一選擇線相交，以及
單位單元，分別設(shè)置在第一選擇線與第二選擇線的交叉點(diǎn)處，
其中，單位單元中的每個(gè)包括：
具有第一導(dǎo)電性的半導(dǎo)體層；
具有第二導(dǎo)電性的第一結(jié)區(qū)和具有第二導(dǎo)電性的第二結(jié)區(qū)，其中，第一結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體層的上部區(qū)域內(nèi)，并且彼此間隔開(kāi)；
柵絕緣圖案和浮柵圖案，順序地層疊在半導(dǎo)體層之上、在第一結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)之間；
第一金屬接觸插塞，與第一結(jié)區(qū)耦接，其中，在第一金屬接觸插塞與第一結(jié)區(qū)之間形成歐姆接觸；以及
第二金屬接觸插塞，與第二結(jié)區(qū)耦接，其中，在第二金屬接觸插塞與第二結(jié)區(qū)之間形成肖特基接觸。
13.如權(quán)利要求12所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元陣列，
其中，第一金屬接觸插塞用作漏極端子，
其中，第二金屬接觸插塞用作源極端子，以及
其中，漏極端子和源極端子分別與第一選擇線中的一個(gè)和第二選擇線中的一個(gè)連接。
14.如權(quán)利要求13所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元陣列，
其中，排列在同一列內(nèi)的單位單元的漏極端子共同地連接至第一選擇線中的一個(gè)；以及
其中，排列在同一行內(nèi)的單位單元的源極端子共同地連接至第二選擇線中的一個(gè)。
15.一種電可編程只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括：
多個(gè)第一選擇線；
多個(gè)第二選擇線，與多個(gè)第一選擇線相交；以及
多個(gè)單位單元，分別設(shè)置在多個(gè)第一選擇線與多個(gè)第二選擇線的交叉點(diǎn)處，
其中，多個(gè)單位單元中的每個(gè)包括MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管，
其中，MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管彼此串聯(lián)耦接在多個(gè)第一選擇線中的任意一個(gè)與多個(gè)第二選擇線中的任意一個(gè)之間。
16.如權(quán)利要求15所述的電可編程只讀存儲(chǔ)器單元陣列，其中，肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極和陰極分別與MOSFET的源極端子和多個(gè)第二選擇線中的一個(gè)連接。
17.一種制造電可編程只讀存儲(chǔ)器單元的方法，所述方法包括：
在半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣圖案，其中，半導(dǎo)體層具有第一導(dǎo)電性；
在柵絕緣圖案之上形成浮柵圖案；利用浮柵圖案作為離子注入掩模而將具有第二導(dǎo)電性的雜質(zhì)離子注入至半導(dǎo)體層內(nèi)，以形成第一結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)，其中，第一結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)二者都具有第一雜質(zhì)濃度；
在浮柵圖案的第一側(cè)壁之上和柵絕緣圖案的第一側(cè)壁之上形成第一柵間隔件；
在浮柵圖案的第二側(cè)壁之上和柵絕緣圖案的第二側(cè)壁之上形成第二柵間隔件；
形成暴露出第一結(jié)區(qū)并且覆蓋第二結(jié)區(qū)的掩模圖案；
利用掩模圖案和第一柵間隔件作為離子注入掩模而將具有第二導(dǎo)電性的雜質(zhì)離子注入至第一結(jié)區(qū)，以在第一結(jié)區(qū)的上部區(qū)域內(nèi)形成第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)，其中，第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)具有第二雜質(zhì)濃度；
去除掩模圖案；以及
形成分別與第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)和第二結(jié)區(qū)耦接的第一金屬接觸插塞和第二金屬接觸插塞，
其中，第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)與第一金屬接觸插塞彼此接觸，以提供歐姆接觸，以及
其中，第二結(jié)區(qū)與第二金屬接觸插塞彼此接觸，以提供肖特基接觸。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，第一導(dǎo)電性為N型導(dǎo)電性，而第二導(dǎo)電性為P型導(dǎo)電性。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，第二雜質(zhì)濃度高于第一雜質(zhì)濃度。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)與第一金屬接觸插塞之間形成第一金屬硅化物層。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括：
在第一重?fù)诫s結(jié)區(qū)與第一金屬接觸插塞之間形成第一金屬硅化物層；以及
在第二結(jié)區(qū)與第二金屬接觸插塞之間形成第二金屬硅化物層。