技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種電阻式記憶胞的寫入方法及電阻式內(nèi)存。此寫入方法提供重置信號組至電阻式記憶胞以進行寫入操作。檢測電阻式記憶胞的電流以判斷此電阻式記憶胞是否完成寫入操作。當此電阻式記憶胞并未完成寫入操作時，判斷此電阻式記憶胞中絲狀導(dǎo)電路徑的寬度是否窄化。當此電阻式記憶胞中絲狀導(dǎo)電路徑的寬度已窄化時，降低此重置信號組中電阻式記憶胞的字符線電壓。本發(fā)明提供的寫入方法是藉由逐次降低電阻式記憶胞的字符線電壓的方式來延展重置操作的電壓窗口，減少電阻式記憶胞因輸入電壓過高而發(fā)生互補切換現(xiàn)象的機率。

技術(shù)研發(fā)人員：陳達
受保護的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.28
技術(shù)公布日：2017.11.10