技術(shù)編號(hào):12907198
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電阻式內(nèi)存技術(shù),尤其涉及一種電阻式記憶胞的寫入方法及電阻式內(nèi)存。背景技術(shù)在電阻式內(nèi)存(Resistiverandom-accessmemory;RRAM)技術(shù)中,形成(forming)、設(shè)定(set)以及重置(reset)三個(gè)操作為確保電阻式記憶胞電氣特性以及數(shù)據(jù)保存力(dataretention)的三個(gè)重要步驟。在進(jìn)行設(shè)定/重置操作時(shí),可能需要逐步地且多次地提升輸入電壓才能完成。對(duì)于電阻式內(nèi)存來(lái)說(shuō),成功的重置操作可增加RRAM的耐久性。一般來(lái)說(shuō),電阻式內(nèi)存可根據(jù)所施加的脈沖電壓大...
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