本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲器技術(shù),尤其涉及存儲器芯片的檢測方法、檢測裝置和檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù):
存儲器芯片的制造工藝復(fù)雜、工序繁多,在制造過程中可能導(dǎo)致存儲器芯片產(chǎn)生缺陷,且存儲器芯片的缺陷種類多樣。
部分有缺陷的存儲器芯片在初始使用時其性能正常,但經(jīng)過一段時間的使用后,其缺陷往往會被激發(fā),導(dǎo)致存儲器失效。該類存儲器芯片在出廠檢測時為良品、無法被篩除,在投入市場經(jīng)過客戶一段時間的使用,存儲器會發(fā)生早期失效的狀況,對客戶造成影響。為了解決存儲器早期失效的問題,現(xiàn)有技術(shù)中通常在出廠前通過探針卡對存儲器芯片進(jìn)行運(yùn)行檢測。
其中,探針卡可對晶圓上的存儲器芯片進(jìn)行運(yùn)行檢測。具體過程為:探針卡的探針分別與存儲器芯片的引腳一一對應(yīng)連接,以通過接口發(fā)相應(yīng)的指令向存儲器芯片施加激勵進(jìn)行運(yùn)行檢測。該檢測方法耗時短,但若同時檢測多個存儲器芯片時,則探針卡需設(shè)置很多根探針與每一個存儲器芯片的引腳一一對應(yīng)連接,造成探針卡成本高,相應(yīng)使得檢測成本高。
現(xiàn)有技術(shù)中,還可對封裝后的存儲器芯片進(jìn)行運(yùn)行檢測,存儲器芯片封裝后形成封裝片,其面積較大使得pcb上無法放置多個封裝片,因此測試時僅能同時對少量封裝片進(jìn)行同時檢測。該檢測方法的缺陷在于,檢測并行度較差、 耗時長,無法對大規(guī)模量產(chǎn)的芯片進(jìn)行檢測。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲器芯片的檢測方法、檢測裝置和檢測系統(tǒng),以解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測成本高、并行度差、耗時長的問題。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種存儲器芯片的檢測方法,包括:
當(dāng)所述存儲器芯片上電初始化后,根據(jù)接收的使能信號控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程;
如果檢測到所述存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定所述存儲器芯片為良品。
進(jìn)一步地,根據(jù)接收的使能信號控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程之前,還包括:
通過探針卡的電源探針和接地探針分別向所述存儲器芯片的電源引腳和接地引腳施加激勵,以對所述存儲器芯片進(jìn)行上電初始化。
進(jìn)一步地,根據(jù)接收的使能信號控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程包括:
當(dāng)所述存儲器芯片上電初始化后,從寄存器獲取所述使能信號;
當(dāng)檢測到所述使能信號為高電平時,控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程。
進(jìn)一步地,還包括:如果檢測到所述存儲器芯片停止早期失效測試流程且其進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定所述存儲器芯片早期失效。
進(jìn)一步地,所述存儲器芯片的一次早期失效測試流程包括:依次對所述存儲器芯片進(jìn)行編程操作和擦除操作。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種存儲器芯片的檢測裝置,包括:
使能控制模塊,用于當(dāng)所述存儲器芯片上電初始化后,根據(jù)接收的使能信號控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程;
良品芯片判斷模塊,用于如果檢測到所述存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定所述存儲器芯片為良品。
進(jìn)一步地,還包括:
探針上電模塊,用于在根據(jù)接收的使能信號控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程之前,通過探針卡的電源探針和接地探針分別向所述存儲器芯片的電源引腳和接地引腳施加激勵,以對所述存儲器芯片進(jìn)行上電初始化。
進(jìn)一步地,所述使能控制模塊包括:
信號獲取單元,用于當(dāng)所述存儲器芯片上電初始化后,從寄存器獲取所述使能信號;
使能控制單元,用于當(dāng)檢測到所述使能信號為高電平時,控制所述存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程。
進(jìn)一步地,還包括:
失效芯片判斷模塊,用于如果檢測到所述存儲器芯片停止早期失效測試流程且其進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定所述存儲器芯片早期失效。
進(jìn)一步地,所述存儲器芯片的一次早期失效測試流程包括:依次對所述存儲器芯片進(jìn)行編程操作和擦除操作。
第三方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種存儲器芯片的檢測系統(tǒng),包括:探針卡和存儲器,其中所述存儲器中配置有寄存器、存儲器芯片、以及如第二方面所述的存儲器芯片檢測裝置。
本發(fā)明實(shí)施例中,檢測裝置通過使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,并在計(jì)數(shù)到自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù)時,判定存儲器芯片為良品。與現(xiàn)有技術(shù)相比,存儲器芯片與檢測裝置一一對應(yīng)設(shè)置,量產(chǎn)的存儲器芯片可通過各自對應(yīng)的檢測裝置自行進(jìn)行失效測試,因此檢測并行度高、適用于大規(guī)模量產(chǎn)的存儲器芯片的檢測;存儲器芯片在使能信號的控制下自動進(jìn)行早期失效測試流程且不需要指令控制,因此檢測耗時短;以及,存儲器芯片僅需要探針卡供電且不需要探針卡的指令控制信號,因此節(jié)省了探針卡的成本。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的存儲器芯片的檢測方法的流程圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的存儲器芯片的檢測方法的流程圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例三提供的存儲器芯片的檢測裝置的示意圖;
圖4是本發(fā)明實(shí)施例四提供的存儲器芯片的檢測系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,以下將參照本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,通過實(shí)施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的存儲器芯片的檢測方法的流程圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于出廠前檢測存儲器芯片以防止其早期失效的情況,該方法可以由存儲器芯片檢測裝置來執(zhí)行,并配置在存儲器中應(yīng)用。
本實(shí)施例提供的一種存儲器芯片的檢測方法,具體包括如下步驟:
s110、當(dāng)存儲器芯片上電初始化后,根據(jù)接收的使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程。
如上所述,檢測裝置獲取使能信號,并通過該使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,即存儲器芯片在使能信號的控制下自動執(zhí)行早期失效測試流程,則存儲器芯片執(zhí)行完一次早期失效測試流程后會自動再次執(zhí)行早期失效測試流程。在此該使能信號分為有效的使能信號和無效的使能信號,有效的使能信號可控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,無效的工作信號控制存儲器芯片停止早期失效測試流程。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,當(dāng)存儲器芯片進(jìn)行出廠檢測時,可根據(jù)有效的使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,則存儲器芯片自動執(zhí)行多次早期失效測試流程以檢測是否會出現(xiàn)早期失效;當(dāng)對存儲器芯片檢測完成后可設(shè)置使能信號無效,則控制存儲器芯 片停止自動早期失效測試流程,那么當(dāng)客戶應(yīng)用存儲器時,存儲器芯片不會自動進(jìn)行早期失效測試流程。
上述操作中,在存儲器芯片上電初始化后,有效的使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,與現(xiàn)有技術(shù)相比,存儲器芯片不需要根據(jù)接口接收的指令執(zhí)行相應(yīng)操作,而是僅需要上電初始化后,即在使能信號的控制下自動執(zhí)行多次早期失效測試流程。
s120、如果檢測到存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定存儲器芯片為良品。
如上所述,存儲器芯片在使能信號的控制下自動執(zhí)行早期失效測試流程后,檢測裝置計(jì)數(shù)存儲器芯片執(zhí)行的早期失效測試流程的次數(shù)。在此,檢測裝置內(nèi)設(shè)置有預(yù)設(shè)測試次數(shù),該預(yù)設(shè)測試次數(shù)針對存儲器的早期失效設(shè)定,因此可根據(jù)客戶的應(yīng)用不同自行設(shè)定,如預(yù)設(shè)測試次數(shù)為1000次或500次,則存儲器芯片執(zhí)行的早期失效測試流程的次數(shù)超出該范圍則存儲器芯片未出現(xiàn)早期失效狀況。當(dāng)檢測裝置檢測到存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),控制存儲器芯片停止早期失效測試流程并判定該存儲器芯片為良品,檢測裝置對存儲器芯片的檢測工作完成。
上述操作中,通過計(jì)數(shù)的存儲器芯片的自動早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),判定存儲器芯片不會出現(xiàn)早期失效狀況。檢測裝置與存儲器芯片一一對應(yīng)設(shè)置,因此每一個存儲器芯片的檢測裝置可自行檢測其存儲器芯片,使得測試的并行度高、耗時短、適用于量產(chǎn)的存儲器芯片。
本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲器芯片的檢測方法,檢測裝置通過使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,并在計(jì)數(shù)到自動進(jìn)行的早期失 效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù)時,判定存儲器芯片為良品。與現(xiàn)有技術(shù)相比,存儲器芯片與檢測裝置一一對應(yīng)設(shè)置,量產(chǎn)的存儲器芯片可通過各自對應(yīng)的檢測裝置自行進(jìn)行失效檢測,因此檢測并行度高、適用于大規(guī)模量產(chǎn)的存儲器芯片的檢測;存儲器芯片在使能信號的控制下自動進(jìn)行早期失效測試流程且不需要指令控制,因此檢測耗時短;以及,存儲器芯片僅需要探針卡供電且不需要探針卡的指令控制信號,因此節(jié)省了探針卡的成本。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的存儲器芯片的檢測方法的流程圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于出廠前檢測存儲器芯片以防止其早期失效的情況,該方法可以由存儲器芯片檢測裝置來執(zhí)行,并配置在存儲器中應(yīng)用。
本實(shí)施例提供的一種存儲器芯片的檢測方法,具體包括如下步驟:
s210、通過探針卡的電源探針和接地探針分別向存儲器芯片的電源引腳和接地引腳施加激勵,以對存儲器芯片進(jìn)行上電初始化。
如上所述,在此探針卡僅需要向存儲器芯片供電,因此探針卡的電源探針與存儲器芯片的電源引腳vcc電連接,以及探針卡的接地探針與存儲器芯片的接地引腳gnd電連接并接地,由此探針卡通過電源探針和接地探針向存儲器芯片供電使其上電初始化。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,還可以通過其他方式對存儲器芯片進(jìn)行上電初始化,在此不再贅述。
需要說明的是,探針卡通過一個電源探針和一個接地探針向一個存儲器芯片供電使其上電初始化,若同時對多個存儲器芯片進(jìn)行上電初始化時,探針卡需要多個電源探針和多個接地探針以與存儲器芯片的電源引腳、接地引腳一一對應(yīng)電連接?;蛘?,探針卡的一個電源探針分別與多個存儲器芯片的電源引腳 電連接,其一個接地探針分別與多個存儲器芯片的接地引腳電連接,使得同時對多個存儲器芯片進(jìn)行上電初始化。
上述操作中,探針卡的探針數(shù)量與探針卡成本成正比,在此探針卡僅需要通過電源探針和接地探針對存儲器芯片上電初始化,與現(xiàn)有技術(shù)相比,探針卡不需要通過其他探針向存儲器芯片傳輸指令,因此探針卡所需探針數(shù)量降低,相應(yīng)的探針卡的成本降低。
s220、當(dāng)存儲器芯片上電初始化后,從寄存器獲取使能信號。
如上所述,存儲器中包括寄存器,該寄存器用于輸出使能信號,設(shè)計(jì)人員可通過設(shè)置寄存器中使能信號的有效性和無效性,以控制存儲器芯片。具體地,出廠檢測存儲器芯片時,設(shè)置寄存器中的使能信號有效,那么當(dāng)存儲器芯片上電初始化后,檢測裝置獲取有效的使能信號并控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程;出廠檢測完成后,設(shè)置寄存器中的使能信號無效,那么檢測裝置根據(jù)無效的使能信號控制存儲器芯片停止自動早期失效測試流程,使得客戶可以正常應(yīng)用存儲器芯片。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,使能信號不僅可存儲在寄存器中,還可以存儲在其他器件中以輸出給檢測裝置,在此不再贅述。
上述操作中,寄存器中存儲使能信號,則設(shè)定人員可根據(jù)存儲器芯片的使用場景設(shè)置使能信號的有無效性,便于檢測存儲器芯片以及客戶應(yīng)用存儲器芯片。
s230、當(dāng)檢測到使能信號為高電平時,控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程。
如上所述,在此優(yōu)選設(shè)置有效的使能信號為高電平信號,那么檢測裝置獲取使能信號后,檢測到該使能信號為高電平使能信號時,檢測裝置判定該使能 信號有效,并根據(jù)該有效的使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程。相應(yīng)的,當(dāng)檢測裝置檢測到接收的使能信號為低電平信號時,判定該使能信號為無效的使能信號,則檢測裝置控制存儲器芯片停止早期失效測試流程。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,也可將低電平的使能信號設(shè)置為有效使能信號以控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,以及將高電平使能信號設(shè)置為無效使能信號。
s240、如果檢測到存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定存儲器芯片為良品。
如上所述,當(dāng)檢測裝置檢測到存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù)時,檢測裝置判定存儲器芯片為良品,此時檢測完成且檢測裝置應(yīng)控制存儲器芯片停止早期失效測試流程。需要說明的是,在檢測裝置判定存儲器芯片為良品后,檢測裝置可向寄存器傳輸計(jì)數(shù)完成指令,則寄存器控制輸出低電平使能信號,檢測裝置根據(jù)該低電平使能信號控制存儲器芯片停止早期失效測試流程。
需要說明的是,在此可選存儲器中設(shè)置有計(jì)數(shù)器,檢測裝置控制計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù),并與預(yù)設(shè)測試次數(shù)比較。
s250、如果檢測到存儲器芯片停止早期失效測試流程且其進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定存儲器芯片早期失效。
如上所述,若存儲器芯片存在早期失效的缺陷,則存儲器芯片自動持續(xù)執(zhí)行早期失效測試流程的過程中,缺陷會被激發(fā),激發(fā)后存儲器芯片立即無法再執(zhí)行早期失效測試流程,即存儲器芯片的早期失效測試流程會直接停止。由此可知,當(dāng)檢測裝置檢測到存儲器芯片停止早期失效測試流程,并檢測到其自動 進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則檢測裝置判定存儲器芯片已經(jīng)出現(xiàn)早期失效的狀況,該存儲器芯片直接被篩除且不能出廠,因此避免了該存儲器芯片在終端客戶中出現(xiàn)早期失效狀況。
需要說明的是,存儲器芯片缺陷被激發(fā)后,存儲器芯片的早期失效測試流程自動停止;或者,存儲器芯片的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù)時,檢測裝置控制存儲器芯片停止早期失效測試流程。因此若檢測裝置未控制存儲器芯片停止早期失效測試流程,以及檢測裝置檢測到存儲器芯片停止早期失效測試流程,則檢測裝置無需比較早期失效測試流程的次數(shù),而是檢測裝置可以直接判定存儲器芯片出現(xiàn)早期失效。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,可選地,存儲器芯片的一次早期失效測試流程包括:依次對存儲器芯片進(jìn)行編程操作和擦除操作。在此需要說明的是還包括:驗(yàn)證操作,相應(yīng)的,一次早期失效測試流程包括:依次進(jìn)行編程操作、編程驗(yàn)證操作、擦除操作、擦除驗(yàn)證操作。存儲器芯片的一次早期失效測試流程完成后,會自動進(jìn)行下一次早期失效測試流程,直至在檢測裝置的控制下停止自動早期失效測試流程,或者,在存儲器芯片中的缺陷被激發(fā)后存儲器芯片主動停止早期失效測試流程。其中,存儲器芯片的編程操作、擦除操作、驗(yàn)證操作的工作原理與現(xiàn)有技術(shù)類似,在此不再贅述。
本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種存儲器芯片的檢測方法,探針卡對存儲器芯片進(jìn)行上電初始化,檢測裝置從寄存器獲取使能信號并控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,并在計(jì)數(shù)到自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù)時,判定存儲器芯片為良品;或者,存儲器芯片缺陷被激發(fā)后自動停止早期失效測試流程后,檢測裝置計(jì)數(shù)到自動早期失效測試流程的次數(shù)未達(dá)到 預(yù)設(shè)測試次數(shù),判定存儲器芯片早期無效。與現(xiàn)有技術(shù)相比,探針卡僅需要通過兩個探針向一個存儲器芯片上電,因此探針卡成本大大減少;寄存器中的使能信號控制存儲器芯片的自動早期失效測試流程,使得耗時短、降低探針卡成本;量產(chǎn)的存儲器芯片可通過各自對應(yīng)的檢測裝置自行進(jìn)行失效檢測,因此檢測并行度高、適用于大規(guī)模量產(chǎn)的存儲器芯片的檢測。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例三提供的存儲器芯片的檢測裝置的示意圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于出廠前檢測存儲器芯片以防止其早期失效的情況,該裝置可以執(zhí)行上述任意實(shí)施例所述的存儲器芯片檢測方法,該裝置配置在存儲器中應(yīng)用。
本實(shí)施例提供的一種存儲器芯片的檢測裝置,包括:使能控制模塊310和良品芯片判斷模塊320。
其中,使能控制模塊310用于當(dāng)存儲器芯片上電初始化后,根據(jù)接收的使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程;良品芯片判斷模塊320用于如果檢測到存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定存儲器芯片為良品。
進(jìn)一步地,還包括:探針上電模塊300。
其中,探針上電模塊300用于在根據(jù)接收的使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程之前,通過探針卡的電源探針和接地探針分別向存儲器芯片的電源引腳和接地引腳施加激勵,以對存儲器芯片進(jìn)行上電初始化。
進(jìn)一步地,使能控制模塊310包括:信號獲取單元311和使能控制單元312。
其中,信號獲取單元311用于當(dāng)存儲器芯片上電初始化后,從寄存器獲取 使能信號;使能控制單元312用于當(dāng)檢測到使能信號為高電平時,控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程。
進(jìn)一步地,還包括:失效芯片判斷模塊330。
其中,失效芯片判斷模塊330用于如果檢測到存儲器芯片停止早期失效測試流程且其進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),則判定存儲器芯片早期失效。
進(jìn)一步地,存儲器芯片的一次早期失效測試流程包括:依次對存儲器芯片進(jìn)行編程操作和擦除操作。
本實(shí)施例提供的存儲器芯片的檢測裝置的工作原理是:在存儲器內(nèi)設(shè)置一個寄存器,用于控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程的使能控制,即該寄存器內(nèi)存儲有使能信號,設(shè)計(jì)人員把該使能信號設(shè)置為有效的使能信號,通常設(shè)置高電平使能信號為有效使能信號。探針卡對存儲器芯片上電初始化。存儲器芯片重新上電完成后,其初始化完成。檢測裝置從寄存器中讀出使能信號為高電平使能信號,根據(jù)該高電平使能信號控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程,即檢測裝置控制對存儲器芯片進(jìn)行編程操作、編程驗(yàn)證操作、擦除操作、擦除驗(yàn)證操作(一次早期失效測試流程),編程操作、編程驗(yàn)證操作、…、…,其中,存儲器中設(shè)置有計(jì)數(shù)器用于記錄存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程的次數(shù)。若存儲器芯片的早期失效測試流程過程自動停止,則檢測裝置從計(jì)數(shù)器中獲取計(jì)數(shù)次數(shù)并判定存儲器芯片早期失效;或者,檢測裝置檢測到存儲器芯片的早期失效測試流程的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)測試次數(shù),控制存儲器芯片停止自動早期失效測試流程并判定存儲器芯片為良品。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,檢測裝置、寄存器和計(jì)數(shù)器還可以直接設(shè)置在 存儲器芯片內(nèi)部。
本實(shí)施例中,通過在存儲器內(nèi)設(shè)置一個寄存器,來使能存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程的操作;通過在存儲器中設(shè)置計(jì)數(shù)器,來計(jì)數(shù)并控制存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù);以及,探針卡只需要2根探針即可給一個存儲器芯片上電,使其上電初始化后能夠在使能信號的控制下自動進(jìn)行早期失效測試流程的操作,大大節(jié)省了探針卡成本,提高了檢測的并行度,并且每個存儲器芯片對應(yīng)有一個檢測裝置,因此檢測過程中檢測并行度高、耗時短。本實(shí)施例的檢測裝置可控制存儲器芯片自動進(jìn)行早期失效測試流程的操作,在出廠檢測時篩除早期失效的存儲器芯片,減少了存儲器芯片在終端客戶發(fā)生早期失效的狀況。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例四提供的存儲器芯片的檢測系統(tǒng)的示意圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于出廠前檢測存儲器芯片以防止其早期失效的情況,該系統(tǒng)內(nèi)配置有上述任意實(shí)施例所述的存儲器芯片檢測裝置,并控制該存儲器芯片檢測裝置執(zhí)行上述任意實(shí)施例所述的存儲器芯片檢測方法,該系統(tǒng)與存儲器配合使用。
本實(shí)施例提供的一種存儲器芯片的檢測系統(tǒng),包括:探針卡410和存儲器420,其中,存儲器420中配置有寄存器421、存儲器芯片422、以及如上述任意實(shí)施例所述的存儲器芯片檢測裝置423。
可選該存儲器中還配置有計(jì)數(shù)器424,用于記錄存儲器芯片自動進(jìn)行的早期失效測試流程的次數(shù)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,檢測裝置423、寄存器421和計(jì)數(shù)器424還可 以直接設(shè)置在存儲器420的存儲器芯片422內(nèi)部,在此不再圖示。
注意,上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解,本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例,對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明,但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下,還可以包括更多其他等效實(shí)施例,而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。