非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，包括以下步驟：接收擦除操作指令；判斷待擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則進(jìn)行下一步驟，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并重復(fù)前一步驟。本發(fā)明還提供了一種實(shí)現(xiàn)前述方法的非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)。本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)，能夠避免因?yàn)楫惓５綦姸锌赡茉斐陕╇娏鳌?br> 【專(zhuān)利說(shuō)明】非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲(chǔ)器中存在著兩種基本存儲(chǔ)單元，擦除存儲(chǔ)單元(erase cel I)和編程存儲(chǔ)單元(program cell)，也即“ I”和“0”，因此對(duì)應(yīng)也就存在著擦除和編程這兩種存儲(chǔ)器單元的基本操作。其中，將“O”變?yōu)椤癐”的過(guò)程，稱(chēng)為擦除；反之稱(chēng)為編程。
[0003]傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器擦除原理如下:首先對(duì)需要進(jìn)行擦除操作的目標(biāo)邏輯塊(block)進(jìn)行Pre_PGM (預(yù)編程)操作，目的是將所有的存儲(chǔ)單元都編程為同樣的“O”狀態(tài)存儲(chǔ)單元，也即高閾值狀態(tài)。Pre_PGM操作是否完成的判斷依據(jù)是所有cell是否通過(guò)PV驗(yàn)證(編程驗(yàn)證)。當(dāng)PV驗(yàn)證通過(guò)后，結(jié)束Pre_PGM操作,進(jìn)入erase pulse (擦除脈沖)開(kāi)始擦除操作。第一個(gè)擦除脈沖到來(lái)，對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了 Pre_PGM的存儲(chǔ)進(jìn)行擦除。緊接著進(jìn)行OEVl (過(guò)擦除驗(yàn)證)操作，目的是對(duì)可能存在的被過(guò)擦除了的閾值低于OV的“I”存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次較弱的編程，將其閾值推到OV以上。下一步是EV (擦除驗(yàn)證)操作，如果不過(guò)，則再次進(jìn)行擦除，第二個(gè)擦除脈沖到來(lái)，如此循環(huán)往復(fù)，直到EV通過(guò)或者erase counter達(dá)到最大數(shù),而后跳出循環(huán)，進(jìn)行0EV2操作。0EV2和OEVl相似，目的是進(jìn)一步推高“I”存儲(chǔ)單元的閾值以消除亞閾值導(dǎo)通漏電。至此，完成了對(duì)目標(biāo)塊的擦除操作。
[0004]在前述存儲(chǔ)器擦除的實(shí)際應(yīng)用中，經(jīng)常遇到突然異常掉電的情況。如果掉電是發(fā)生在擦除過(guò)程中，那么就可能會(huì)存在大量過(guò)擦除了的閾值低于O的擦除存儲(chǔ)單元，這是由于未來(lái)得及進(jìn)行0EV1、0EV2的修正，或者正在進(jìn)行修正時(shí)掉電了造成的。于是，當(dāng)再次上電進(jìn)行擦除操作，這些過(guò)擦除了的大量閾值低于O的擦除存儲(chǔ)單元，就會(huì)在Pre_PGM時(shí)存在較大漏電流，這不僅會(huì)影響Pre_PGM的速度,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)茐奶峁┚幊屉娏鞯膁rainpump,造成Pre_PGM無(wú)法完成，從而無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行擦除操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)，能夠解決因?yàn)楫惓５綦姸锌赡茉斐陕╇娏鞯碾[患。
[0006]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，包括以下步驟:
[0007]接收擦除操作指令；
[0008]判斷待擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則進(jìn)行下一步驟，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作；
[0009]對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并重復(fù)前一步驟。
[0010]進(jìn)一步地，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為:
[0011]正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值。[0012]進(jìn)一步地，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為:
[0013]避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值。
[0014]進(jìn)一步地，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為:
[0015]避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值加上彈性值，所述彈性值取值范圍為0.1V至0.2V之間。
[0016]進(jìn)一步地，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為0.4V或0.6V。
[0017]進(jìn)一步地，所述判斷存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓包括:
[0018]選擇一個(gè)參考存儲(chǔ)單元，所述參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓為目標(biāo)閾值電壓，并給該存儲(chǔ)單元的字線施加一個(gè)參考電壓，獲得預(yù)定的參考電流。
[0019]給待校驗(yàn)的各存儲(chǔ)單元的字線施加一個(gè)正電壓，得出該待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元中的測(cè)量電流，其中，該正電壓的值與給所述存儲(chǔ)單元的字線施加的參考電壓的值相同。
[0020]比較參考電流和測(cè)量電流，若測(cè)量電流大于參考電流，則存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于目標(biāo)閾值電壓，反之，則大于等于目標(biāo)閾值電壓。
[0021]進(jìn)一步地，所述修復(fù)操作為對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作，所述編程操作中的編程電壓根據(jù)存儲(chǔ)單元當(dāng)前的閾值電壓和正常閾值電壓確定。
[0022]本發(fā)明還公開(kāi)了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)，包括:
[0023]指令接收模塊，用于接收擦除操作指令；
[0024]校驗(yàn)?zāi)K，用于判斷待擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則通知修復(fù)模塊進(jìn)行修復(fù)操作，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作；和
[0025]修復(fù)模塊，用于對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并通知校驗(yàn)?zāi)K再次校驗(yàn)。
[0026]進(jìn)一步地，校驗(yàn)?zāi)K包括:
[0027]目標(biāo)閾值電壓設(shè)定子模塊，用于設(shè)定目標(biāo)閾值電壓，所述目標(biāo)閾值電壓根據(jù)如下至少一種方式確定:
[0028]正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值；
[0029]避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值；
[0030]避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值加上彈性值，所述彈性值取值范圍為0.1V至0.2V之間。
[0031]進(jìn)一步地，所述校驗(yàn)?zāi)K包括:
[0032]電壓施加子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元及各存儲(chǔ)單元施加電壓；
[0033]電流測(cè)量子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元的參考電流及各存儲(chǔ)單元的測(cè)量電流進(jìn)行測(cè)量;
[0034]比較子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元中產(chǎn)生的參考電流及各存儲(chǔ)單元的測(cè)量電流進(jìn)行比較；若測(cè)量電流大于參考電流，則存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于目標(biāo)閾值電壓，反之，則大于等于目標(biāo)閾值電壓。
[0035]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0036]本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)通過(guò)在預(yù)編程操作之前進(jìn)行預(yù)過(guò)擦除驗(yàn)證的操作，通過(guò)此種方式來(lái)驗(yàn)證出是否有因?yàn)楫惓５綦姷惹闆r而產(chǎn)生的過(guò)擦除存儲(chǔ)單元，并對(duì)這些過(guò)擦除存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)，
[0037]這就避免了預(yù)編程操作時(shí)可能存在的漏電流，從而消除了異常掉電而帶來(lái)的隱患，保證了整個(gè)擦除過(guò)程的順利完成。然后再進(jìn)行正常的預(yù)編程操作以及其它后續(xù)的擦除步驟。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038]圖1是本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例一的流程圖；
[0039]圖2是本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0041]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下簡(jiǎn)單介紹非易失存儲(chǔ)器的構(gòu)成原理。
[0042]非易失存儲(chǔ)器的核心是存儲(chǔ)陣列，存儲(chǔ)陣列由存儲(chǔ)單元(cell)組成。一般而言，一個(gè)cell可以包括源極(source, S),漏極(drain,D),控制柵極(control gate,G),以及浮動(dòng)?xùn)艠O(floating gate,FG)0控制柵極CG可用于接電壓VG。若VG為足夠強(qiáng)度的正電壓，則浮動(dòng)?xùn)艠OFG和溝道之間會(huì)產(chǎn)生隧穿效應(yīng)或溝道熱電子效應(yīng)，使電子注入浮動(dòng)?xùn)艠OFG，從而導(dǎo)致cell閾值上升，閾值上升到一定程度即表示存入數(shù)據(jù)0，即編程操作；擦除則在襯底施加足夠強(qiáng)度的正電壓，利用溝道和浮動(dòng)?xùn)艠OFG之間的隧穿效應(yīng)，把浮動(dòng)?xùn)艠OFG上的電子吸引到襯底，從而導(dǎo)致cell閾降低，閾值減小到一定程度即表示存入數(shù)據(jù)1，此即為擦除。
[0043]本發(fā)明主要為在現(xiàn)有的擦除過(guò)程的預(yù)編程操作(Pre_PGM)之前，增加預(yù)過(guò)擦除驗(yàn)證(Pre_0EV)的操作，通過(guò)此種方式來(lái)驗(yàn)證出是否有因?yàn)楫惓５綦姷惹闆r而產(chǎn)生的過(guò)擦除存儲(chǔ)單元，并對(duì)這些過(guò)擦除存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)，然后再進(jìn)行正常的預(yù)編程操作以及后續(xù)的擦除操作，可以避免預(yù)編程操作時(shí)存在的漏電流，從而消除因?yàn)楫惓５綦姸鴰?lái)的隱患。
[0044]參照?qǐng)D1，示出本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例一，包括以下步驟:
[0045]步驟101，接收擦除操作指令。
[0046]步驟102，判斷存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則進(jìn)行下一步驟，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作。
[0047]判斷存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)電壓即是對(duì)存儲(chǔ)單元是否處于過(guò)擦除狀態(tài)的判斷，即預(yù)過(guò)擦除驗(yàn)證。目標(biāo)閾值電壓為一個(gè)工藝流程中滿足正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值。例如，將屬于過(guò)擦除范疇的“小于O或者靠近O附近”的閾值調(diào)整到“大于0.5V”的滿足正常擦除的閾值電壓大小，則該0.5V為目標(biāo)閾值電壓。
[0048]優(yōu)選地，因?yàn)?，本發(fā)明是為了避免存儲(chǔ)單元在進(jìn)行預(yù)編程操作時(shí)出現(xiàn)漏電流，即指即使存儲(chǔ)單元的柵極接地也會(huì)有電流存在，為了避免這種情況，可以通過(guò)抬高存儲(chǔ)單元的閾值電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。一般理論上，避免漏電流的閾值電壓在0.4V以上即可，實(shí)際中取決于產(chǎn)品的測(cè)試結(jié)果，但一般不會(huì)和0.4V差太多。若設(shè)置大于0.4V，可以更好的避免漏電流，但是會(huì)造成預(yù)過(guò)擦除驗(yàn)證時(shí)間過(guò)長(zhǎng)從而影響速度，因此也不能太大。因此，目標(biāo)閾值電壓的取值可以進(jìn)一步地采用如下標(biāo)準(zhǔn):在滿足正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍內(nèi)選取可以避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值。更優(yōu)選地，為了保證避免漏電流的效果，目標(biāo)閾值電壓的取值還可以為在避免產(chǎn)生漏電流的最小值的基礎(chǔ)上加上一個(gè)彈性值，彈性值一般在0.1 V-ο.2V之間，例如0.1V或者0.2V等等。本發(fā)明的目標(biāo)閾值電壓值一般取值為0.4V或者0.6V等等。
[0049]其中，判斷存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓可以采用如下步驟:
[0050]選擇一個(gè)參考存儲(chǔ)單元，所述參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓為目標(biāo)閾值電壓，并給該參考存儲(chǔ)單元的字線施加一個(gè)參考電壓，獲得預(yù)定的參考電流。
[0051]給待校驗(yàn)的各存儲(chǔ)單元的字線施加一個(gè)正電壓，得出該待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元中的測(cè)量電流，其中，該給待校驗(yàn)的各存儲(chǔ)單元的字線所施加的正電壓的值與參考存儲(chǔ)單元的字線所施加的參考電壓值相同。
[0052]比較參考電流和測(cè)量電流，若測(cè)量電流大于參考電流，則存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于目標(biāo)閾值電壓，反之，則大于等于目標(biāo)閾值電壓。
[0053]其中，施加在參考存儲(chǔ)單元的字線上的參考電壓可以根據(jù)所需的參考電流及參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓來(lái)確定。所需的參考電流值由多方面因素決定，比如SA分辨精度、功耗要求、速度要求等來(lái)確定，具體取決于各款產(chǎn)品的spec要求，隨著技術(shù)的進(jìn)步，目前這個(gè)值一般在IOuA?20uA之間。例如，如果參考存儲(chǔ)單元的目標(biāo)閾值電壓為IV，預(yù)定的參考電流為10 μ Α,那么對(duì)于當(dāng)前的參考存儲(chǔ)單元來(lái)說(shuō)，如果將參考電壓設(shè)置為4V能夠得到10 μ A的電流，那么參考電壓則設(shè)置為4V。參考電壓的大小選擇也是個(gè)折衷，太小的話，對(duì)于目標(biāo)閾值電壓來(lái)說(shuō)可能無(wú)法產(chǎn)生足夠的電流；太大的話，又可能會(huì)使存儲(chǔ)器單元受到編程效應(yīng)的影響。目前工藝條件下，一般在5V左右。
[0054]若存儲(chǔ)單元的閾值電壓大于或者等于目標(biāo)閾值電壓，則說(shuō)明存儲(chǔ)單元是處于正常的擦除狀態(tài)，無(wú)需修復(fù)，則可以直接進(jìn)行正常的預(yù)編程操作，具體預(yù)編程操作過(guò)程再次不再詳述。
[0055]步驟103，對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并重復(fù)前一步驟。
[0056]對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作即進(jìn)行編程操作，具體過(guò)程為在存儲(chǔ)單元的柵極施加編程電壓。因?yàn)楸景l(fā)明所驗(yàn)證的是存儲(chǔ)單元是否因?yàn)楫惓５綦姷惹闆r而存在過(guò)擦除的情況，存儲(chǔ)單元即使存在過(guò)擦除的情況，也會(huì)是極小幅度的過(guò)擦除，所以，對(duì)于存儲(chǔ)單元的修復(fù)操作可以采用較弱的編程操作，即施加較小的編程電壓。該較小的編程電壓需要根據(jù)存儲(chǔ)單元當(dāng)前的閾值電壓和正常閾值電壓來(lái)確定，只要能夠?qū)⒋鎯?chǔ)單元的閾值電壓提高到正常閾值電壓范圍內(nèi)即可。優(yōu)選地，在確定具體值時(shí)可以通過(guò)存儲(chǔ)器中各元件的物理特性以及大量實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證得出，本發(fā)明并不限制具體的數(shù)值。具體的，在本發(fā)明中，一般采用2ν左右的電壓來(lái)進(jìn)行該較弱的編程操作。
[0057]在進(jìn)行修復(fù)操作之后，還需要對(duì)這些存儲(chǔ)單元再次進(jìn)行預(yù)過(guò)擦除驗(yàn)證，即重復(fù)步驟102，若還存在過(guò)擦除的存儲(chǔ)單元，則再次修復(fù)，即重復(fù)步驟103，如此往復(fù)，直到所有存儲(chǔ)單元的閾值電壓都大于或者等于目標(biāo)閾值電壓，然后再進(jìn)行正常的預(yù)編程操作。
[0058]因?yàn)橥ㄟ^(guò)步驟102和步驟103的預(yù)過(guò)擦除驗(yàn)證以及修復(fù)操作之后，可以保證所有的存儲(chǔ)單元都處于正常擦除的狀態(tài)，避免在后續(xù)進(jìn)行預(yù)編程操作可能出現(xiàn)漏電流的情況。
[0059]參照?qǐng)D2，示出本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)實(shí)施例，包括指令接收模塊10、校驗(yàn)?zāi)K20和修復(fù)模塊30。
[0060]指令接收模塊10，用于接收擦除操作指令。
[0061]校驗(yàn)?zāi)K20，用于判斷存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則通知修復(fù)模塊進(jìn)行修復(fù)操作，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作。
[0062]優(yōu)選地，校驗(yàn)?zāi)K包括目標(biāo)閾值電壓設(shè)定子模塊，用于設(shè)定目標(biāo)閾值電壓，所述目標(biāo)閾值電壓根據(jù)如下至少一種方式確定:正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值；避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值；避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值加上彈性值，所述彈性值取值范圍為0.1V至0.2V之間。優(yōu)選地，目標(biāo)閾值電壓為0.4V或0.6V。
[0063]優(yōu)選地，校驗(yàn)?zāi)K包括電壓施加子模塊、電流測(cè)量子模塊和比較子模塊。電壓施加子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元及各存儲(chǔ)單元施加電壓。電流測(cè)量子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元的參考電流及各存儲(chǔ)單元的測(cè)量電流進(jìn)行測(cè)量。比較子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元中產(chǎn)生的參考電流及各存儲(chǔ)單元的測(cè)量電流進(jìn)行比較；若測(cè)量電流大于參考電流，則存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于目標(biāo)閾值電壓，反之，則大于等于目標(biāo)閾值電壓。
[0064]修復(fù)模塊30，用于對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并通知校驗(yàn)?zāi)K再次校驗(yàn)。
[0065]本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。
[0066]以上對(duì)本發(fā)明所提供的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，包括以下步驟: 接收擦除操作指令； 判斷待擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則進(jìn)行下一步驟，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作； 對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并重復(fù)前一步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為: 正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值。
3.如權(quán)利要求1或2所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為: 避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值。
4.如權(quán)利要求3所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為: 避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值加上彈性值，所述彈性值取值范圍為0.1V至0.2V之間。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述目標(biāo)閾值電壓的取值為0.4V或0.6V。
6.如權(quán)利要求1所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述判斷存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓包括: 選擇一個(gè)參考存儲(chǔ)單元，所述參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓為目標(biāo)閾值電壓，并給該存儲(chǔ)單元的字線施加一個(gè)參考電壓，獲得預(yù)定的參考電流。 給待校驗(yàn)的各存儲(chǔ)單元的字線施加一個(gè)正電壓，得出該待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元中的測(cè)量電流，其中，該正電壓的值與給所述存儲(chǔ)單元的字線施加的參考電壓的值相同。 比較參考電流和測(cè)量電流，若測(cè)量電流大于參考電流，則存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于目標(biāo)閾值電壓，反之，則大于等于目標(biāo)閾值電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述修復(fù)操作為對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作，所述編程操作中的編程電壓根據(jù)存儲(chǔ)單元當(dāng)前的閾值電壓和正常閾值電壓確定。
8.一種非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)，其特征在于，包括: 指令接收模塊，用于接收擦除操作指令； 校驗(yàn)?zāi)K，用于判斷待擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于目標(biāo)閾值電壓，若是，則通知修復(fù)模塊進(jìn)行修復(fù)操作，反之，則對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作；和 修復(fù)模塊，用于對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行修復(fù)操作，并通知校驗(yàn)?zāi)K再次校驗(yàn)。
9.如權(quán)利要求8所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)，其特征在于，校驗(yàn)?zāi)K包括: 目標(biāo)閾值電壓設(shè)定子模塊，用于設(shè)定目標(biāo)閾值電壓，所述目標(biāo)閾值電壓根據(jù)如下至少一種方式確定: 正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值； 避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值； 避免產(chǎn)生漏電流的閾值電壓范圍的最小值加上彈性值，所述彈性值取值范圍為0.1V至0.2V之間。
10.如權(quán)利要求9所述的非易失存儲(chǔ)器的擦除系統(tǒng)，其特征在于，所述校驗(yàn)?zāi)K包括: 電壓施加子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元及各存儲(chǔ)單元施加電壓； 電流測(cè)量子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元的參考電流及各存儲(chǔ)單元的測(cè)量電流進(jìn)行測(cè)量；比較子模塊，對(duì)參考存儲(chǔ)單元中產(chǎn)生的參考電流及各存儲(chǔ)單元的測(cè)量電流進(jìn)行比較；若測(cè)量電 流大于參考電流，則存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于目標(biāo)閾值電壓，反之，則大于等于目標(biāo)閾值電壓。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK103811067SQ201210461268
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】蘇志強(qiáng), 潘榮華, 張現(xiàn)聚, 丁沖 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司