專(zhuān)利名稱(chēng)：一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法和校驗(yàn)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法和校驗(yàn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
為了驗(yàn)證存儲(chǔ)器產(chǎn)品的正確性，在產(chǎn)品出廠前會(huì)進(jìn)行一連串的測(cè)試流程。這些存儲(chǔ)產(chǎn)品可以包括非揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品(例如，快閃存儲(chǔ)器Flash，或是可電除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM等)，也可以包括一次性可編程O(píng)TP類(lèi)存儲(chǔ)器。一般的測(cè)試流程可以包括產(chǎn)品管腳(Pin)的短路/斷路測(cè)試、邏輯功能測(cè)試、電擦除特性測(cè)試(以判斷該揮發(fā)性存儲(chǔ)器內(nèi)的資料是否可以被電擦除且再寫(xiě)入新資料)、程序碼測(cè)試(將寫(xiě)入該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的程序碼讀出并與該寫(xiě)入程序碼作比對(duì)，以判斷該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)動(dòng)作是否正確)等寸。在進(jìn)行電擦除特性測(cè)試過(guò)程中，以閃存(Flash Memory)為例，它是一種基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器，具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息、在線擦寫(xiě)等功能特點(diǎn)，閃存通過(guò)熱電子注入機(jī)制實(shí)現(xiàn)對(duì)器件編程，采用隧道效應(yīng)實(shí)現(xiàn)擦除。為了加快擦除步驟的過(guò)程，一般都會(huì)施加較強(qiáng)的擦除條件來(lái)進(jìn)行擦除(erase)操作，在這種情況下，block中的一些存儲(chǔ)單元(cell)則可能出現(xiàn)過(guò)擦除(over-erase)的狀態(tài)。通常情況下，在block的擦除狀態(tài)完成后(即指erase verify校驗(yàn)erase操作成功后)，會(huì)對(duì)各存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除進(jìn)行校驗(yàn)(verify)。常見(jiàn)的校驗(yàn)方法為通過(guò)會(huì)選定一個(gè)存儲(chǔ)單元作為參考存儲(chǔ)單元(ref cell)，并給參考存儲(chǔ)單元施加一個(gè)參考電壓以在參考存儲(chǔ)單元中產(chǎn)生一個(gè)參考電流，然后用其余存儲(chǔ)單元的電流與參考電流進(jìn)行比較，通過(guò)比較結(jié)果來(lái)確定是否存在過(guò)擦除狀態(tài)。因?yàn)榇鎯?chǔ)單元內(nèi)的電流與存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt 及參考電壓有關(guān)，通常情況下，需要對(duì)存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt進(jìn)行調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值，從而產(chǎn)生符合條件的參考電流。一般的調(diào)整方法為，如果參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt小于標(biāo)準(zhǔn)值， 則需要在參考存儲(chǔ)單元的柵極、漏極及源極上施加一定的電壓及脈沖，使參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt能夠提升，通過(guò)不斷的電壓施加及脈沖直到閾值電壓Vt提升到標(biāo)準(zhǔn)值。如果參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt大于標(biāo)準(zhǔn)值，則首先需要采用一定的擦除操作，使參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt降低到一個(gè)較小的值，再采用前述的提升電壓的方式，使參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt提升至標(biāo)準(zhǔn)值。采用這種方法需要對(duì)參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt不斷調(diào)整來(lái)獲得參考電流，而且需要逐步提升電壓值，以保證存儲(chǔ)單元的正常工作，因此通常調(diào)整電壓的時(shí)間會(huì)較長(zhǎng)，增加了測(cè)試時(shí)間及測(cè)試成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法和校驗(yàn)系統(tǒng)，能夠快速的提供所需的參考電壓，無(wú)需進(jìn)行調(diào)試，減少測(cè)試的時(shí)間及成本。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法，包括以下步驟構(gòu)造一個(gè)虛擬的參考存儲(chǔ)單元，用于提供校驗(yàn)的參考電流；給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓，在待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元中得到測(cè)試電流；比較測(cè)試電流與參考電流，判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除。進(jìn)一步地，所述構(gòu)造虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方法為構(gòu)造一個(gè)外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元。進(jìn)一步地，所述構(gòu)造一個(gè)外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方法為選取基準(zhǔn)電阻；給基準(zhǔn)電阻施加參考電壓以得到參考電流。進(jìn)一步地，所述構(gòu)造外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方法還包括將選取的基準(zhǔn)電阻設(shè)置在測(cè)試機(jī)臺(tái)的內(nèi)部或者待測(cè)存儲(chǔ)器的內(nèi)部。進(jìn)一步地，選取基準(zhǔn)電阻的方法為根據(jù)參考電流的取值及參考電壓的取值范圍來(lái)選取。進(jìn)一步地，所述判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除的方法為測(cè)試電流大于參考電流，則待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元存在過(guò)擦除，反之，則待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元處于正常擦除狀態(tài)。進(jìn)一步地，所述方法還包括在給所述待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓時(shí)，與待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元同一位線上的非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元字線上施加一個(gè)小于所述非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt的電壓。進(jìn)一步地，所述給與所述待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元同一位線上的其它存儲(chǔ)單元的字線上施加一個(gè)相同的電壓，所述相同的電壓小于或者等于所述非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元中的最小閾值電壓Vt。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還公開(kāi)了一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)，包括虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊提供校驗(yàn)的參考電流；電壓施加模塊，用于給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元施加參考電壓電流測(cè)量模塊，對(duì)虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊的參考電流及待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試電流進(jìn)行測(cè)量；及比較模塊，對(duì)參考電流及測(cè)試電流進(jìn)行比較。進(jìn)一步地，所述過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)還包括延時(shí)模塊，用于通知電流測(cè)量模塊延時(shí)測(cè)量虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊的參考電流。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的過(guò)擦除校驗(yàn)方法和校驗(yàn)系統(tǒng)通過(guò)構(gòu)造虛擬的參考存儲(chǔ)單元來(lái)獲取參考電流，而不用實(shí)際選取參考的存儲(chǔ)單元，因此也就無(wú)需進(jìn)行參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt調(diào)節(jié)這一過(guò)程。采用外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方式來(lái)獲取參考電流，直接改變外部電路的參數(shù)來(lái)得到需要的參考電壓及預(yù)定的參考電流，而無(wú)需采用調(diào)試的方式逐漸調(diào)試閾值電壓Vt來(lái)獲得參考電流，減少了測(cè)試的時(shí)間及成本。


圖1是本發(fā)明一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法實(shí)施例一的流程圖；圖2是本發(fā)明一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法的構(gòu)造虛擬參考存儲(chǔ)單元的流程圖；圖3是本發(fā)明一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法實(shí)施例二的流程圖；圖4是本發(fā)明一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下簡(jiǎn)單介紹非易失存儲(chǔ)器的構(gòu)成原理。非易失存儲(chǔ)器由存儲(chǔ)單元(cell)組成，cell包括電容和晶體管，cell中的數(shù)據(jù)取決于存儲(chǔ)在電容中的電荷，晶體管的開(kāi)關(guān)控制數(shù)據(jù)的存取。一般而言，一個(gè)cell可以包括源極(source, S)，漏極(drain, D)，柵極(gate, G)，以及浮動(dòng)?xùn)艠O(floating gate, FG)，浮動(dòng)?xùn)艠Ore可用于接電壓VG。若VG為正電壓，浮動(dòng)?xùn)艠Ore與漏極D之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入浮動(dòng)?xùn)艠Ore，即編程寫(xiě)入；擦除則可以在源極s加電壓(正電壓或負(fù)電壓)，利用浮動(dòng)?xùn)艠Ore與源極s之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動(dòng)?xùn)艠Ore的電荷(負(fù)電荷或正電荷) 吸引到源極S。cell數(shù)據(jù)是ο或ι取決于浮動(dòng)?xùn)艠Ore中是否有電子。若浮動(dòng)?xùn)艠Ore有電子，源極S和漏極D之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入0。若浮動(dòng)?xùn)艠O FG中無(wú)電子，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入1。參照?qǐng)D1，示出本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法實(shí)施例一，包括以下步驟步驟101，構(gòu)造一個(gè)虛擬的參考存儲(chǔ)單元，用于提供校驗(yàn)的參考電流。其中該虛擬的參考存儲(chǔ)單元可以是任何可以提供參考電流，且便于調(diào)整參考電壓的單元。例如在外部測(cè)試機(jī)臺(tái)或者待測(cè)存儲(chǔ)器中增加的一個(gè)外部電路等，其中，參考電流通常為一個(gè)預(yù)定的值，可以通過(guò)選取特定的電壓、電阻值來(lái)得到該預(yù)定值的參考電流。步驟102，給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓，在待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元中得到測(cè)試電流。因?yàn)閰⒖茧妷盒枰┘釉诖ｒ?yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上，為了避免對(duì)待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元造成損壞，參考電壓應(yīng)該選擇較小的值，同時(shí)，因?yàn)閰⒖茧妷菏怯赏獠繙y(cè)試機(jī)臺(tái)提供， 因此在選取參考電壓的取值時(shí)也需要在外部測(cè)試機(jī)臺(tái)所能提供的范圍內(nèi)。在非易失存儲(chǔ)器的測(cè)試中，通常施加的參考電壓需要小于10V，為了便于操作，一般選取3V 4V范圍內(nèi)的值作為參考電壓值。步驟103，比較測(cè)試電流與參考電流，判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除。
其中，在施加的參考電壓一定的情況下，存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt越大，其中所產(chǎn)生電流越小。因此，判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除可以通過(guò)如下方式如果測(cè)試電流大于參考電流，則說(shuō)明待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt小于標(biāo)準(zhǔn)值，那么待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元存在過(guò)擦除，反之，則處于正常擦除狀態(tài)。參照?qǐng)D2，其中，步驟101中的構(gòu)造一個(gè)電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元可以通過(guò)下述方法進(jìn)行步驟201，選取基準(zhǔn)電阻。其中，基準(zhǔn)電阻可以設(shè)置在待測(cè)存儲(chǔ)器內(nèi)部，也可以設(shè)置在測(cè)試機(jī)臺(tái)內(nèi)部或外部， 能使測(cè)試機(jī)臺(tái)實(shí)時(shí)獲取到參考電流即可。在校驗(yàn)過(guò)程中，參考電流是一個(gè)固定的值，而參考電壓可以在一個(gè)范圍內(nèi)選取，因此對(duì)于基準(zhǔn)電阻的選取，需要根據(jù)參考電流的取值及參考電壓所允許范圍來(lái)確定。例如，參考電流為0.06mA，為了使參考電壓能取一個(gè)較小值，通常選取阻值為50k歐姆至IOOk歐姆之間的電阻作為基準(zhǔn)電阻。步驟202，給基準(zhǔn)電阻施加參考電壓以得到參考電流。選取基準(zhǔn)電阻后便可以根據(jù)參考電流和具體的基準(zhǔn)電阻的阻值來(lái)確定參考電壓。 例如，選取50k歐姆的電阻作為基準(zhǔn)電阻，參考電流為0. 06mA,那么，此時(shí)的參考電壓為3V。通過(guò)采用外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方式來(lái)獲取參考電流，直接改變外部電路的參數(shù)來(lái)得到需要的參考電壓，從而得到預(yù)定的參考電流，而無(wú)需采用調(diào)試的方式逐漸調(diào)試閾值電壓Vt來(lái)獲得參考電流，減少了測(cè)試的時(shí)間及成本。需要注意的是，在前述的實(shí)施例中，對(duì)于作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的外部電路的參考電流的測(cè)量中，需要在施加參考電壓后等待一段時(shí)間再進(jìn)行測(cè)量，因?yàn)樵陔娐分行枰妷菏┘右欢螘r(shí)間后，才能得到穩(wěn)定的電流，為了保證校驗(yàn)的準(zhǔn)確性，需要等到電流穩(wěn)定下來(lái)再進(jìn)行測(cè)量，以保證所得到的參考電流為一個(gè)穩(wěn)定的值。參照?qǐng)D3，示出本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法實(shí)施例三，包括以下步驟步驟301，構(gòu)造一個(gè)虛擬的參考存儲(chǔ)單元，用于提供校驗(yàn)的參考電流。步驟302，給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓，與待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元同一位線上的其他的存儲(chǔ)單元字線上施加一個(gè)小于該存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt的電壓，在待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元中得到測(cè)試電流。步驟303，比較測(cè)試電流與參考電流，判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除。對(duì)于非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的字線施加小于該存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt的電壓，是因?yàn)樗形痪€(bit line, BL)上的存儲(chǔ)單元直接通過(guò)漏極D接到位線上，如果存儲(chǔ)單元的柵極 G上的電壓大于閾值電壓VT，則會(huì)產(chǎn)生電流。因?yàn)榇鎯?chǔ)單元的字線上的電壓即為柵極G上的電壓，因此，如果給未選中的存儲(chǔ)單元柵極G上施加的電壓小于閾值電壓Vt，可以避免該存儲(chǔ)單元在位線上產(chǎn)生漏電流，進(jìn)而避免對(duì)待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元中的測(cè)試電流產(chǎn)生影響，保證待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試電流的準(zhǔn)確性。進(jìn)一步地，該電壓也可以根據(jù)剩下的非待校驗(yàn)的閾值電壓Vt小于OV的存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt的分布范圍來(lái)確定。為了保證有效性，通常施加的電壓小于或者等于其它非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元中的最小閾值電壓VT。例如，若最小的閾值電壓Vt = -IV，則施加的電壓可以為-IV，也可以小于-IV。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，示出本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)100，包括虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10、電壓施加模塊20、電流測(cè)量模塊30及比較模塊40。其中，虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10，可以是任何可以提供參考電流，且便于調(diào)整參考電壓的模塊，用于提供校驗(yàn)所需的參考電流。例如，由一個(gè)基準(zhǔn)電阻和可調(diào)節(jié)電壓的電壓施加單元組成的電路等。本實(shí)施例中，虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10為設(shè)置在待測(cè)存儲(chǔ)器內(nèi)部或者外部測(cè)試機(jī)臺(tái)內(nèi)部的電阻及由外部測(cè)試機(jī)臺(tái)所提供的電壓施加單元。電壓施加模塊20，用于給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元施加參考電壓。電流測(cè)量模塊30用于對(duì)虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10中產(chǎn)生的參考電流和待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試電流進(jìn)行測(cè)量，并將測(cè)量的結(jié)果傳遞給比較模塊40。比較模塊40對(duì)虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10中產(chǎn)生的參考電流及待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試電流進(jìn)行比較，若測(cè)試電流大于參考電流，則待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt小于標(biāo)準(zhǔn)值，待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元存在過(guò)擦除，反之，則大于標(biāo)準(zhǔn)值，待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元處于正常擦除狀態(tài)。本實(shí)施例中，比較模塊40可以是一個(gè)knse Amplifier (讀出放大器)電路，通 aknse Amplifier電路對(duì)待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試電流和參考電流進(jìn)行比較，然后輸出比較結(jié)果1(代表測(cè)試電流小于參考電流)或0(代表測(cè)試電流大于參考電流)。參照?qǐng)D5，進(jìn)一步地，非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)100還包括延時(shí)模塊60，延時(shí)模塊60與虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10和電流測(cè)量模塊30連接。用于檢測(cè)虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊10施加電壓的時(shí)間，并通知電流測(cè)量模塊30延時(shí)測(cè)量，以保證所測(cè)得的參考電流為穩(wěn)定值。本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除處理方法和處理系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法，其特征在于，包括以下步驟構(gòu)造一個(gè)虛擬的參考存儲(chǔ)單元，用于提供校驗(yàn)的參考電流；給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓，在待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元中得到測(cè)試電流；比較測(cè)試電流與參考電流，判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)造虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方法為構(gòu)造一個(gè)外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)造一個(gè)外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方法為選取基準(zhǔn)電阻；給基準(zhǔn)電阻施加參考電壓以得到參考電流。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)造外部電路作為虛擬的參考存儲(chǔ)單元的方法還包括將選取的基準(zhǔn)電阻設(shè)置在測(cè)試機(jī)臺(tái)的內(nèi)部或者待測(cè)存儲(chǔ)器的內(nèi)部。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，選取基準(zhǔn)電阻的方法為根據(jù)參考電流的取值及參考電壓的取值范圍來(lái)選取。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除的方法為測(cè)試電流大于參考電流，則待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元存在過(guò)擦除，反之，則待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元處于正常擦除狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在給所述待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓時(shí)，與待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元同一位線上的非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元字線上施加一個(gè)小于所述非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的閾值電壓Vt的電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述給與所述待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元同一位線上的其它存儲(chǔ)單元的字線上施加一個(gè)相同的電壓，所述相同的電壓小于或者等于所述非待校驗(yàn)存儲(chǔ)單元中的最小閾值電壓VT。
9.一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)，其特征在于，包括虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊提供校驗(yàn)的參考電流；電壓施加模塊，用于給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元施加參考電壓電流測(cè)量模塊，對(duì)虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊的參考電流及待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的測(cè)試電流進(jìn)行測(cè)量；及比較模塊，對(duì)參考電流及測(cè)試電流進(jìn)行比較。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)還包括延時(shí)模塊，用于通知電流測(cè)量模塊延時(shí)測(cè)量虛擬參考存儲(chǔ)單元模塊的參考電流。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)方法，包括構(gòu)造一個(gè)虛擬的參考存儲(chǔ)單元，用于提供校驗(yàn)的參考電流；給待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元的字線上施加參考電壓，在待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元中得到測(cè)試電流；比較測(cè)試電流與參考電流，判斷待校驗(yàn)的存儲(chǔ)單元是否存在過(guò)擦除。本發(fā)明的過(guò)擦除校驗(yàn)方法通過(guò)構(gòu)造虛擬的參考存儲(chǔ)單元來(lái)獲取參考電流，而不用實(shí)際選取參考的存儲(chǔ)單元，因此也就無(wú)需進(jìn)行參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓VT調(diào)節(jié)這一過(guò)程，減少了測(cè)試的時(shí)間及成本。本發(fā)明還提供一種非易失存儲(chǔ)器的過(guò)擦除校驗(yàn)系統(tǒng)。
文檔編號(hào)G11C16/16GK102568588SQ20101061736
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者舒清明, 蘇志強(qiáng) 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技有限公司