專利名稱：一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微納米電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種信息存儲(chǔ)器的編程技術(shù)，特別是涉及一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法以及相變存儲(chǔ)器電路的快速擦寫操作方法。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory)作為新一代的非易失性存儲(chǔ)器，是基于Ovshinsky 在 20 世紀(jì) 60 年代末(Phys. Rev. Lett. , 21，1450 1453，1968) 70 年代初(AppI. Phys. Lett. , 18，254 257，1971)提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲(chǔ)介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的，是一種價(jià)格便宜、性能穩(wěn)定的存儲(chǔ)器件。相變存儲(chǔ)器可以做在硅晶片襯底上，其關(guān)鍵材料是可記錄的相變薄膜、加熱電阻材料、絕熱材料和引出電極材料。相變存儲(chǔ)器由存儲(chǔ)單元陣列與外部驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有一些相變材·料來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。依賴于諸如硫系化合物相變材料(例如，GeTeAsSi、GeTe、GeSbTe (GST)、GeTeBi, GeSbAg等)，這一類的材料可以在晶相和非晶相之間穩(wěn)定地可逆地轉(zhuǎn)變，其中的典型代表材料為一種含鍺、銻、碲的合成材料(GST)。將相變材料結(jié)合到電路中，可以使得所述存儲(chǔ)單元起到快速轉(zhuǎn)換的可編程電阻器的作用。這種可編程電阻器可以呈現(xiàn)比40倍的結(jié)晶態(tài)(低阻率)和非晶態(tài)(高阻率)之間的電阻率動(dòng)態(tài)范圍還要大的動(dòng)態(tài)范圍，并且可以呈現(xiàn)允許在每個(gè)存儲(chǔ)單元中進(jìn)行多只存儲(chǔ)的中間態(tài)。存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)通過測(cè)量單元電阻率來讀出。物質(zhì)的晶相是通過提供能量來改變的，物質(zhì)的晶相變化由能量的累積和冷卻的速度兩個(gè)因素來決定。在物質(zhì)熔解后進(jìn)行急速冷卻可將物質(zhì)由晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)，而在退火的情況下，物質(zhì)可由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為晶態(tài)，依據(jù)這種可逆的轉(zhuǎn)換關(guān)系可以實(shí)現(xiàn)二值記錄。相變存儲(chǔ)單元編程的傳統(tǒng)技術(shù)是在相變存儲(chǔ)單元上施加高度和寬度不同的電壓脈沖或電流脈沖信號(hào)使相變材料在非晶態(tài)和多晶態(tài)之間發(fā)生可逆相變以改變其電阻大小，通過分辨非晶態(tài)時(shí)的高阻和多晶態(tài)時(shí)的低阻，可以實(shí)現(xiàn)信息的寫入、擦除和讀出操作。圖I顯示了對(duì)相變存儲(chǔ)器進(jìn)行編程的傳統(tǒng)脈沖序列。要實(shí)現(xiàn)低阻到高阻的變化，即寫操作，需要施加一個(gè)幅度較高且時(shí)間較短的RESET矩形脈沖，使得存儲(chǔ)單元中的相變材料迅速超越閾值開關(guān)，材料溫度升高到熔化溫度以上，隨后快速撤去脈沖信號(hào)，將材料迅速冷卻，使多晶的長(zhǎng)程有序遭到破壞，從而實(shí)現(xiàn)由多晶向非晶的轉(zhuǎn)化，使材料保持在非晶態(tài)。要實(shí)現(xiàn)高阻到低阻的變化，即擦操作，需要施加一個(gè)幅度中等且時(shí)間較長(zhǎng)的SET矩形脈沖，硫系化合物的溫度升高到結(jié)晶溫度以上熔化溫度以下，保持一定的時(shí)間，使得相變存儲(chǔ)單元在大于開關(guān)閾值的條件之后開始晶核生長(zhǎng)，撤去脈沖后，電阻保持低阻態(tài)。SET操作的幅度小于RESET操作的幅度，以防止相變存儲(chǔ)單元轉(zhuǎn)換為非晶態(tài)。一般來說，由于受到制造工藝，環(huán)境溫度及相變存儲(chǔ)單元初始阻值等因素的影響，對(duì)相變存儲(chǔ)器中的相變存儲(chǔ)單元寫操作(RESET)需要幾十納秒到幾百納秒的電流加熱時(shí)間，而對(duì)相變存儲(chǔ)器中的相變存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦操作(SET)需要幾百納秒到幾毫秒的電流加熱時(shí)間。由于SET編程遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于RESET編程時(shí)間，所以相變存儲(chǔ)器的編程速度主要由SET編程時(shí)間決定。減小SET編程時(shí)間對(duì)提高相變存儲(chǔ)器速度意義重大。由于相變存儲(chǔ)單元中的相變材料的實(shí)際溫度在各個(gè)單元之間會(huì)有差異，這種差異會(huì)無意間使器件的一個(gè)或多個(gè)單元中的材料在加上傳統(tǒng)SET脈沖時(shí)達(dá)到熔化溫度Tni，從而導(dǎo)致這些單元保持在高阻態(tài)。為避免這個(gè)問題，傳統(tǒng)編程技術(shù)使用幅度較小的SET脈沖進(jìn)行擦操作，以保證在SET脈沖加置相變存儲(chǔ)單元時(shí)，相變材料沒有達(dá)到熔化溫度Tm。這種方法使得SET操作時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于RESET操作時(shí)間。此外，存儲(chǔ)單元中會(huì)存有穩(wěn)定態(tài)顯著低于最佳溫度的單元，這就減小了存儲(chǔ)單元中SET和RESET電阻分布范圍。由于相變電阻存在OTS效應(yīng)，將電壓加在相變存儲(chǔ)單元時(shí)，當(dāng)電壓高于一定開關(guān)閾值，相變存儲(chǔ)單元的電阻率會(huì)突然下降，但此時(shí)相變電阻并沒有被實(shí)際編程，若去掉電壓，相變電阻會(huì)重新回到原先的阻值。相變存儲(chǔ)單元在從高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變的過程中，需要首先超越材料的開關(guān)閾值，進(jìn)入編程態(tài)。傳統(tǒng)的SET操作是施加較低幅度的矩形脈沖信號(hào)到相變存儲(chǔ)單元上，需要較長(zhǎng)時(shí)間才能進(jìn)入達(dá)到超越開關(guān)閾值的能量，這部分時(shí)間與進(jìn)入編程態(tài)之后的結(jié)晶感應(yīng)時(shí)間相加，構(gòu)成了 SET擦操作的全部時(shí)間。顯然，這種較低幅度的 脈沖信號(hào)減緩了相變存儲(chǔ)單元進(jìn)入編程態(tài)的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法以及一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，用于減小相變存儲(chǔ)單元SET編程時(shí)間，從而提高相變存儲(chǔ)擦操作速度，改善SET編程后的低阻分布。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，進(jìn)行擦操作的SET編程脈沖依次為預(yù)編程脈沖及編程脈沖，所述預(yù)編程脈沖使得相變存儲(chǔ)單元中超越相變的開關(guān)閾值，保持時(shí)間小于寫操作的RESET脈沖操作時(shí)間，使得存儲(chǔ)單元可以快速進(jìn)入編程狀態(tài)，進(jìn)而編程脈沖完成擦操作。優(yōu)選地，所述預(yù)編程脈沖幅度與RESET編程脈沖幅度相當(dāng)。優(yōu)選地，所述SET編程脈沖由雙矩形脈沖組合而成。優(yōu)選地，所述預(yù)編程脈沖的脈寬為IOns至100ns，脈寬在30ns左右為最佳。優(yōu)選地，所述編程脈沖為有衰減速率下降沿的脈沖組成。優(yōu)選地，所述有衰減速率下降沿的脈沖的衰減速率包括多項(xiàng)式、對(duì)數(shù)式和指數(shù)式
坐寸ο本發(fā)明還提供一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，所述快速擦寫操作的相變存儲(chǔ)電路包括邏輯控制電路、存儲(chǔ)單元陣列以及分別與該邏輯控制電路連通的驅(qū)動(dòng)電路、字線選通管、位線選通管和讀電路；所述字線選通管和位線選通管分別與存儲(chǔ)單元陣列連通；所述讀電路與位線選通管連通；所述驅(qū)動(dòng)電路包括由電流鏡提供的若干路大小不同的電流脈沖；所述邏輯控制模塊控制各通路的開關(guān)及導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)執(zhí)行擦操作SET編程時(shí)，打開各通路形成預(yù)編程脈沖，流入位線選通管，繼而流入所選相變存儲(chǔ)單元中，完成預(yù)編程操作；隨后關(guān)掉大電流通路，輸出的編程脈沖對(duì)所選相變存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，所述預(yù)編程脈沖使得相變存儲(chǔ)單元超越相變的開關(guān)閾值，保持時(shí)間小于寫操作的RESET脈沖操作時(shí)間。優(yōu)選地，進(jìn)行SET編程時(shí)，預(yù)編程脈沖幅度與RESET脈沖幅度相當(dāng)，其脈寬為IOns至100ns,脈寬在30ns左右為最佳。
優(yōu)選地，在完成預(yù)編程操作之后，依次關(guān)斷所有電流通路，使其形成有階梯狀下降沿的脈沖。優(yōu)選地，所述字線選通管和位線選通管選自MOS管、三極管或二極管。如上所述，本發(fā)明的一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法以及一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，具有以下有益效果本發(fā)明在施加普通SET脈沖之前，先施加一個(gè)大幅度、短時(shí)間的預(yù)編程脈沖，使得所有相變存儲(chǔ)單元都超越相變的開關(guān)閾值，快速進(jìn)入編程態(tài)，隨后施加的編程脈沖可以用較短時(shí)間就完成高阻向低阻的轉(zhuǎn)變，并且具有更優(yōu)的低阻分布。


圖I顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的用于對(duì)傳統(tǒng)相變存儲(chǔ)器進(jìn)行編程的傳統(tǒng)擦操作脈沖波示意圖。 圖2顯示為本發(fā)明的相變存儲(chǔ)的擦操作的雙矩形SET脈沖波示意圖。圖3顯示為本發(fā)明的相變存儲(chǔ)的擦操作的具有衰減速率下降沿的SET脈沖波示意圖。圖4顯示為本發(fā)明的快速擦寫相變存儲(chǔ)器電路框圖。
具體實(shí)施例方式以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式
加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。由于相變電阻存在OTS效應(yīng)，將脈沖加在相變電阻單元時(shí)，當(dāng)電壓高于一定開關(guān)閾值，相變電阻單元的電阻率會(huì)突然下降，但此時(shí)相變電阻并沒有被實(shí)際編程，若去掉電壓，相變電阻會(huì)重新回到原先的阻值，在超越閾值電壓之后的脈沖操作才是真正的編程脈沖，我們將用于超越閾值的脈沖稱為預(yù)編程脈沖。用于對(duì)相變存儲(chǔ)器進(jìn)行擦操作的SET脈沖可分為兩部分，預(yù)編程脈沖與編程脈沖。首先是施加一個(gè)預(yù)編程脈沖其脈沖幅度與RESET脈沖幅度相當(dāng)、且保持時(shí)間約為幾十納秒，小于RESET操作時(shí)間，使得器件單元中的相變材料短期內(nèi)可以迅速超越開關(guān)閾值，進(jìn)入編程態(tài)。接著將SET脈沖轉(zhuǎn)變?yōu)榫幊堂}沖其幅度較低，且保持一定時(shí)間，使器件單元達(dá)到結(jié)晶溫度Ttjpt附近的溫度，并在這段時(shí)間內(nèi)發(fā)生較好的結(jié)晶，相變單元轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)。我們知道，RESET寫操作的重要特征是，施加一個(gè)高幅度脈沖信號(hào)，存儲(chǔ)材料首先達(dá)到超越開關(guān)閾值，進(jìn)入RESET編程態(tài)之后，迅速撤去脈沖信號(hào)可將存儲(chǔ)單元保持在非晶態(tài)，如圖I中RESET編程脈沖所示。所以，SET脈沖的初始幅度大于傳統(tǒng)SET脈沖時(shí)，存儲(chǔ)器可以達(dá)到溫度Tm之上，超越開關(guān)閾值、進(jìn)入編程態(tài)，但是由于這一高幅度的SET脈沖保持時(shí)間僅相當(dāng)于相變單元超越開關(guān)閾值的時(shí)間，且其后續(xù)脈沖幅度衰減為較低脈沖幅度，使得相變材料溫度降低至結(jié)晶溫度Ttjpt附近，直接進(jìn)入SET編程狀態(tài)。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述SET編程脈沖由雙矩形脈沖組合而成，如圖2所示。脈沖I為預(yù)編程脈沖，其幅度與RESET脈沖相當(dāng)，電流達(dá)到I1,時(shí)間在30ns左右，小于RESET寫操作時(shí)間，使得相變存儲(chǔ)單元超越開關(guān)閾值，進(jìn)入編程態(tài)。脈沖2為編程脈沖其脈沖幅度與傳統(tǒng)SET脈沖幅度相當(dāng)，電流約為12，由于已經(jīng)超越開關(guān)閾值，其時(shí)間將遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)SET加熱時(shí)間。兩路脈沖施加在相變存儲(chǔ)單元之上，構(gòu)成雙脈沖的快速SET擦操作。作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選方案，所述SET編程脈沖由預(yù)編程脈沖與具有可變斜率的下降沿的編程脈沖組成，如圖3所示。在施加預(yù)編程脈沖之后，相變單元快速超越開關(guān)閾值，進(jìn)入編程態(tài)，施加下降沿具有可變斜率的編程脈沖可以使得存儲(chǔ)單元的結(jié)晶溫度變化范圍增大，電流幅度能在盡可能多的相變單元中產(chǎn)生結(jié)晶溫度T_，以便為這些單元提供最優(yōu)的SET操作電阻分布。其中，后沿部分的斜率衰減速率可包括，多項(xiàng)式，對(duì)數(shù)式，指數(shù)式
坐寸ο當(dāng)前相變存儲(chǔ)器寫操作(即RESET編程過程)的速度約在幾十納秒到幾百納秒范圍內(nèi)，而擦操作(即SET編程過程)的速度約在毫秒量級(jí)，RESET與SET編程過程都需要首先超 越相變存儲(chǔ)單元的開關(guān)閾值，再進(jìn)入編程狀態(tài)。如果能在SET編程過程中，迅速使相變存儲(chǔ)單元超越其開關(guān)閾值，即可提升擦操作時(shí)間，將大幅提升相變存儲(chǔ)器的編程速度。在一個(gè)實(shí)施例中，用于對(duì)相變存儲(chǔ)器進(jìn)行擦操作的SET脈沖分為兩部分，預(yù)編程脈沖與編程脈沖。首先是施加一個(gè)預(yù)編程脈沖其脈沖幅度與RESET脈沖幅度相當(dāng)，且脈寬約為IOns IOOns之間，優(yōu)選30ns左右，小于RESET操作時(shí)間，使得存儲(chǔ)單元中的相變材料短期內(nèi)可以迅速超越開關(guān)閾值，進(jìn)入編程態(tài)。接著將SET脈沖轉(zhuǎn)變?yōu)榫幊堂}沖其幅度較低，且保持一定時(shí)間，使存儲(chǔ)單元達(dá)到結(jié)晶溫度Topt附近的溫度，并在這段時(shí)間內(nèi)發(fā)生較好的結(jié)晶，相變存儲(chǔ)單元轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)。請(qǐng)參閱圖I至圖4。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。實(shí)施例I圖4所示為本發(fā)明的快速擦寫相變存儲(chǔ)電路方框圖，包括驅(qū)動(dòng)電路，存儲(chǔ)陣列，譯碼電路和讀電路。其中，驅(qū)動(dòng)電路為相變存儲(chǔ)單元提供編程操作。存儲(chǔ)陣列由相變存儲(chǔ)單元與選通管串聯(lián)而成，其中選通管可以是MOS管，三極管、二極管等。選通管的開關(guān)由字線控制，在相變存儲(chǔ)單元需要擦操作的時(shí)候，由字線選通電路和位線選通電路選取特定的字線和位線。驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生擦操作電流脈沖，流至所選通位線，選通位線與存儲(chǔ)單元相連，使得電流可以流過存儲(chǔ)單元。編程操作的設(shè)計(jì)由驅(qū)動(dòng)電路完成，通常的控制電路為由電流鏡提供幾路大小不同的電流，由邏輯控制模塊控制各路電流的開關(guān)及導(dǎo)通時(shí)間。如圖2所示，進(jìn)行RESET編程時(shí)，一般選擇最大電流，幾十納秒至幾百納秒的導(dǎo)通時(shí)間。進(jìn)行SET編程時(shí)，首先打開所有電流通路，且其導(dǎo)通時(shí)間控制在IOns至IOOns之間，優(yōu)選30ns左右，完成預(yù)編程操作，其次關(guān)掉大電流脈沖通路，保留小電流脈沖通路至編程結(jié)束，其電流脈沖通過位線流至選通相變存儲(chǔ)單元，完成擦操作。預(yù)編程脈沖和編程脈沖呈雙矩形。實(shí)施例2作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例二，對(duì)于由工藝制作、溫度、材料等導(dǎo)致的低電阻分布較散的相變存儲(chǔ)器，進(jìn)行SET編程時(shí)，如圖3所示，首先打開所有電流通路，保持其導(dǎo)通時(shí)間為IOns至IOOns之間，優(yōu)選30ns左右，完成預(yù)編程操作，隨后其編程脈沖電流通路由邏輯控制電路控制，可選擇依次關(guān)斷，使其形成有階梯狀下降沿的電流脈沖。不同的邏輯控制操作可以形成具有不同下降沿形式的電流脈沖，流至相變存儲(chǔ)單元中，在提高SET編程速度的同時(shí)，也提高了電阻分布一致性。實(shí)施例3對(duì)于快速SET操作，可以利用不同的驅(qū)動(dòng)方式來完成，包括稍作改動(dòng)的邏輯控制模塊、驅(qū)動(dòng)電路模塊等。也可以不拘泥于芯片內(nèi)的電路操作來完成快速SET操作，可通過由外部設(shè)備發(fā)送上述SET脈沖至相變存儲(chǔ)單元進(jìn)行快速擦操作。綜上所述，本發(fā)明涉及一種以相變材料為相變存儲(chǔ)單元的相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法和一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，目的在于提高相變存儲(chǔ)單元的SET編程速度。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。例如，相變材料可以是硫族化合物合金或可以用作可編程相變存儲(chǔ)器的其他合適的結(jié)構(gòu)的相變材料；脈沖信號(hào)可以是電流脈沖也可以是電壓脈沖；SET脈沖的驅(qū)動(dòng)方式可以由芯片內(nèi)部電路來完成，也可以通過外部設(shè)備來完成。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，其特征在于，進(jìn)行擦操作的SET編程脈沖依次為預(yù)編程脈沖及編程脈沖，所述預(yù)編程脈沖使得相變存儲(chǔ)單元超越相變的開關(guān)閾值，保持時(shí)間小于寫操作的RESET脈沖操作時(shí)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，其特征在于所述預(yù)編程脈沖幅度與RESET編程脈沖幅度相當(dāng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，其特征在于所述SET編程脈沖由雙矩形脈沖組合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，其特征在于所述預(yù)編程脈沖的脈寬為IOns至100ns。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，其特征在于所述編程脈沖為有衰減速率下降沿的脈沖組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，其特征在于所述有衰減速率下降沿的脈沖的衰減速率包括多項(xiàng)式、對(duì)數(shù)式和指數(shù)式。
7.—種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，其特征在于所述快速擦寫操作的相變存儲(chǔ)電路包括邏輯控制電路、存儲(chǔ)單元陣列以及分別與該邏輯控制電路連通的驅(qū)動(dòng)電路、字線選通管、位線選通管和讀電路；所述字線選通管和位線選通管分別與存儲(chǔ)單元陣列連通；所述讀電路與位線選通管連通；所述驅(qū)動(dòng)電路包括由電流鏡提供的若干路大小不同的電流脈沖；所述邏輯控制模塊控制各通路的開關(guān)及導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)執(zhí)行擦操作SET編程時(shí)，打開各通路形成預(yù)編程脈沖，流入位線選通管，繼而流入所選相變存儲(chǔ)單元中，完成預(yù)編程操作；隨后關(guān)掉大電流通路，輸出的編程脈沖對(duì)所選相變存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程；所述預(yù)編程脈沖使得相變存儲(chǔ)單元超越相變的開關(guān)閾值，保持時(shí)間小于寫操作的RESET脈沖操作時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，其特征在于預(yù)編程脈沖幅度與RESET脈沖幅度相當(dāng)，其脈寬為IOns至100ns。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，其特征在于在完成預(yù)編程操作之后，依次關(guān)斷所有電流通路，使其形成有階梯狀下降沿的脈沖。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，其特征在于所述字線選通管和位線選通管選自MOS管、三極管或二極管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種相變存儲(chǔ)的快速擦寫操作方法，進(jìn)行擦操作的SET編程脈沖依次為預(yù)編程脈沖及編程脈沖，所述預(yù)編程脈沖使得相變存儲(chǔ)單元超越相變的開關(guān)閾值，保持時(shí)間小于寫操作的RESET脈沖操作時(shí)間。本發(fā)明還提供一種相變存儲(chǔ)電路的快速擦寫操作方法，包括邏輯控制電路、存儲(chǔ)單元陣列以及分別與該邏輯控制電路連通的驅(qū)動(dòng)電路、字線選通管、位線選通管和讀電路；當(dāng)執(zhí)行擦操作SET編程時(shí)，打開各通路形成預(yù)編程脈沖，流入位線選通管，繼而流入所選相變存儲(chǔ)單元中，完成預(yù)編程操作；隨后關(guān)掉大電流通路，輸出的編程脈沖對(duì)所選相變存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。本發(fā)明有效減小了相變存儲(chǔ)單元SET編程時(shí)間，從而提高了相變存儲(chǔ)擦操作速度，改善了SET編程后的低阻分布。
文檔編號(hào)G11C11/56GK102945683SQ201210436990
公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
發(fā)明者宏瀟, 陳后鵬, 宋志棠, 陳一峰 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所