技術(shù)編號：6739830
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微納米電子，涉及一種信息存儲器的編程技術(shù)，特別是涉及以及相變存儲器電路的快速擦寫操作方法。背景技術(shù)相變存儲器(Phase Change Memory)作為新一代的非易失性存儲器，是基于Ovshinsky 在 20 世紀(jì) 60 年代末(Phys. Rev. Lett. , 21，1450 1453，1968) 70 年代初(AppI. Phys. Lett. , 18，254 257，1971)提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的...
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