專利名稱：存儲系統(tǒng)及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施例涉及ー種包括非易失性存儲裝置和控制非易失性存儲器的控制器的存儲系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲裝置是在諸如計(jì)算機(jī)的數(shù)字邏輯系統(tǒng)以及范圍從衛(wèi)星到消費(fèi)類電子產(chǎn)品的基于微處理器的應(yīng)用中常見的重要微電子組件。因此，半導(dǎo)體存儲裝置的制造的進(jìn)展(包括允許擴(kuò)展到更高存儲器密度和更快操作速度的エ藝提高和與電路設(shè)計(jì)相關(guān)的發(fā)展)有助于建立用于其他數(shù)字邏輯家族的性能標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體存儲裝置通常包括諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM)裝置的易失性存儲裝置和非易失性存儲裝置。在RAM裝置中，通過例如在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)中建立雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的邏輯狀態(tài)或者在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器中對電容器充電來存儲數(shù)據(jù)。在SRAM和DRAM裝置兩者中，只要施加電カ數(shù)據(jù)就保持存儲并可以讀取，但是當(dāng)電カ切斷時數(shù)據(jù)丟失。即使電力被切斷，掩模只讀存貯器(MR0M)、可編程只讀存儲器(PR0M)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)以及電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)裝置也能夠存儲數(shù)據(jù)。取決于使用的制造技術(shù)，非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲狀態(tài)可以是永久的或可重編程的。非易失性半導(dǎo)體存儲器用于在計(jì)算機(jī)、航空電子設(shè)備、電信和消費(fèi)類電子產(chǎn)業(yè)中的各種各樣的應(yīng)用中存儲程序和微代碼存儲。單片易失性和非易失性存儲器存儲方式的組合在諸如非易失性SRAM (nvRAM)的裝置中也可以使用，以在需要快速、可重編程的非易失性存儲器的系統(tǒng)中使用。另外，許多專用存儲器架構(gòu)已被發(fā)展，其包含ー些額外的邏輯電路用于對于專用任務(wù)最優(yōu)化它們的性能。掩模只讀存儲器(MR0M)、可編程只讀存儲器(PROM)和可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)非易失性存儲裝置不能由系統(tǒng)自身自由擦除和寫入，因此不容易更新存儲器的內(nèi)容。另ー方面，電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)非易失性存儲裝置是電可擦除和可寫的，并且因此可以容易地應(yīng)用于需要連續(xù)更新的輔助存儲器或系統(tǒng)編程存儲器。

發(fā)明內(nèi)容
本總的發(fā)明構(gòu)思提供ー種包括非易失性存儲裝置和控制非易失性存儲器的控制器的存儲系統(tǒng)，以及可與該存儲系統(tǒng)合用的電子設(shè)備。本總的發(fā)明構(gòu)思的額外的方面和優(yōu)點(diǎn)部分將在隨后的說明中闡述，部分將從說明所顯而易見，或者可以通過總的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而獲知。本總的發(fā)明構(gòu)思的上述特征和效用可以通過提供一種存儲系統(tǒng)來獲得，該存儲系統(tǒng)包括:非易失性存儲裝置，配置為讀取數(shù)據(jù)、接收錯誤信息以及根據(jù)接收的錯誤信息來校正讀取的數(shù)據(jù)；和控制器，具有配置為接收讀取的數(shù)據(jù)的接口單元，并具有配置為確定接收的數(shù)據(jù)的錯誤位的位置以使得接口輸出關(guān)于接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的錯誤信息的單元。錯誤信息可以包括與讀取的數(shù)據(jù)的位對應(yīng)的位，錯誤信息的位包括表示讀取的數(shù)據(jù)的位的錯誤的位，并且讀取的數(shù)據(jù)的所述位的值根據(jù)錯誤信息的所述位的值而改變。非易失性存儲裝置可以輸出讀取的數(shù)據(jù)到控制器并從控制器接收錯誤信息。控制器可以輸出錯誤信息到非易失性存儲裝置，并且錯誤信息可以不包括讀取的數(shù)據(jù)和該讀取的數(shù)據(jù)的校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以將讀取的數(shù)據(jù)作為隨機(jī)化的數(shù)據(jù)輸出到控制器，并從所述控制器接收作為非隨機(jī)化的數(shù)據(jù)的錯誤信息。非易失性存儲裝置可以包括頁緩沖器單元，以在輸出讀取的數(shù)據(jù)到控制器之后并且當(dāng)從控制器接收錯誤信息時存儲讀取的數(shù)據(jù)，從而所存儲的讀取的數(shù)據(jù)根據(jù)接收的錯誤信息被校正。錯誤信息可以不與讀取的數(shù)據(jù)的所有位對應(yīng)。非易失性存儲裝置可以改變與所接收的錯誤信息的所述位的值對應(yīng)的位的值作為改變的位，并存儲改變的位和維持的位作為校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以維持不與錯誤信息對應(yīng)的位的值，并且存儲包括具有改變的值的位和具有維持的值的位的校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以包括單比特存儲器陣列和多比特存儲器陣列、從單比特存儲器陣列讀取數(shù)據(jù)、并將校正數(shù)據(jù)存儲在多比特存儲器陣列中。非易失性存儲裝置可以讀取使用SLC編程方法編程的數(shù)據(jù)，并根據(jù)MLC編程方法存儲校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以從所述控制器以頁為單位接收錯誤信息。 讀取的數(shù)據(jù)和錯誤信息可以具有相同的數(shù)據(jù)大小。非易失性存儲裝置可以在復(fù)制操作中接收與讀取的數(shù)據(jù)對應(yīng)的錯誤信息，以將數(shù)據(jù)從非易失性存儲裝置的第一區(qū)域復(fù)制到第二區(qū)域。非易失性存儲裝置可以響應(yīng)于指示復(fù)制操作的命令來激活讀取數(shù)據(jù)以及根據(jù)接收的錯誤信息存儲校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以包括頁緩沖器鎖存器，該頁緩沖器鎖存器配置為以讀取的數(shù)據(jù)的頁為單位根據(jù)錯誤信息來執(zhí)行具有錯誤的位的校正，并且該頁緩沖器鎖存器可以配置為存儲讀取的數(shù)據(jù)、錯誤信息和校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以在讀取的數(shù)據(jù)和錯誤信息的位之間進(jìn)行逐位比較，以根據(jù)異或(exclusive OR)方法和同(exclusive NOR)方法之一來校正讀取的數(shù)據(jù)的錯誤位。錯誤信息的位可以包括表示讀取的數(shù)據(jù)的另一個位的無錯誤的第二位，并且讀取的數(shù)據(jù)的另一個位的值不根據(jù)錯誤信息的第二位的值而改變。本總的發(fā)明構(gòu)思的上述特征和效用還可以通過提供一種存儲系統(tǒng)來獲得，該存儲系統(tǒng)包括:非易失性存儲裝置，用于輸出數(shù)據(jù)；和控制器，具有配置為從非易失性存儲裝置接收數(shù)據(jù)的接口單元，并具有配置為確定接收的數(shù)據(jù)的錯誤位的位置以使得接口向所述非易失性存儲裝置輸出關(guān)于接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的信息的單元。
控制器可以解隨機(jī)化接收的數(shù)據(jù)以確定接收的數(shù)據(jù)中錯誤位的位置，并且輸出該信息而不進(jìn)行隨機(jī)化?？刂破骺梢园S機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器，用于解隨機(jī)化接收的數(shù)據(jù)，并且控制器可以防止隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器隨機(jī)化所述信息。非易失性存儲裝置可以根據(jù)接收的錯誤位置信息來校正數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以包括已經(jīng)從中讀取數(shù)據(jù)的區(qū)域，并且根據(jù)校正數(shù)據(jù)對該區(qū)域執(zhí)行刷新編程。非易失性存儲裝置可以包括第二區(qū)域，用于存儲校正數(shù)據(jù)，并且第二區(qū)域可以是多比特存儲器陣列。關(guān)于接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的信息可以包括接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的地址，從而所述非易失性存儲裝置根據(jù)所述地址來校正數(shù)據(jù)。本總的發(fā)明構(gòu)思的上述特征和效用可以通過提供一種存儲系統(tǒng)來獲得，該存儲系統(tǒng)包括:控制器；和非易失性存儲裝置，包括具有單比特存儲器陣列以根據(jù)第一編程方法存儲數(shù)據(jù)的第一區(qū)域以及具有多比特存儲器陣列的第二區(qū)域，并且被配置為從第一區(qū)域讀取多頁中的每頁的數(shù)據(jù)，以及被配置為將多頁中的每頁的數(shù)據(jù)輸出到所述控制器?？刂破骺梢援a(chǎn)生多頁中的每頁的數(shù)據(jù)的錯誤位置信息，并將該多頁中的每頁的數(shù)據(jù)的錯誤位置信息輸出到非易失性存儲裝置。非易失性存儲裝置可以根據(jù)與多頁中的每頁的數(shù)據(jù)對應(yīng)的錯誤位置信息來校正多頁中的每頁的數(shù)據(jù)，并且根據(jù)第二編程方法將多頁的校正數(shù)據(jù)一次存儲在第二區(qū)域。數(shù)據(jù)可以包括至少具有第一頁和第二頁的多頁，并且控制器可以重復(fù)接收數(shù)據(jù)，從而響應(yīng)于第一頁而確定和輸出第一錯誤信息，以及從而響應(yīng)于第二頁而確定和輸出第二錯誤信息。非易失性存儲裝置可以同時讀取數(shù)據(jù)和接收錯誤位置信息。非易失性存儲裝置可以包括緩沖器電路，用于同時存儲讀取的數(shù)據(jù)和接收的錯誤位置信息。非易失性存儲裝置可以包括:主緩沖器，用于存儲讀取的數(shù)據(jù)；以及高速緩沖存儲器，用于接收錯誤位置信息以根據(jù)該錯誤位置信息來校正在主緩沖器中存儲的數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置可以包括:主緩沖器，用于與第一區(qū)域和第二區(qū)域通信以存儲讀取的數(shù)據(jù)和校正數(shù)據(jù)；以及高速緩沖存儲器，用于與控制器通信以接收錯誤位置信息。非易失性存儲裝置可以根據(jù)錯誤位置信息執(zhí)行用于反轉(zhuǎn)讀取的數(shù)據(jù)的位的反轉(zhuǎn)操作，以產(chǎn)生校正數(shù)據(jù)。第二區(qū)域的多比特存儲器陣列可以是3位存儲器陣列。第二編程方法可以包括多個操作，每個操作用于根據(jù)將要存儲在第二區(qū)域的多比特存儲器陣列中的校正數(shù)據(jù)來產(chǎn)生不同的電壓。第二編程方法可以包括重新編程方法，用于根據(jù)將要存儲在第二區(qū)域的多比特存儲器陣列中的校正數(shù)據(jù)來產(chǎn)生不同的電壓。信息可以與讀取的數(shù)據(jù)的多個部分之一對應(yīng)，并且讀取的數(shù)據(jù)可以重復(fù)地從控制器發(fā)送到非易失性存儲裝置。多個信息可以從控制器被發(fā)送到非易失性存儲裝置，直到與讀取的數(shù)據(jù)的所有部分對應(yīng)為止，并且非易失性存儲裝置可以在接收到對應(yīng)信息時根據(jù)該對應(yīng)信息來校正數(shù)據(jù)的每個部分。存儲系統(tǒng)可以還包括主機(jī)設(shè)備，其具有功能単元和能夠連接到控制器以在非易失性存儲裝置中存儲數(shù)據(jù)的端子。主機(jī)設(shè)備可以經(jīng)過控制器輸出從功能單元產(chǎn)生的數(shù)據(jù)以存儲在非易失性存儲裝置中，或從非易失性存儲裝置接收數(shù)據(jù)以在功能単元中使用。主機(jī)設(shè)備可以包括攝像機(jī)、電視設(shè)備、音頻裝置、游戲機(jī)、電子音樂裝置、蜂窩電話機(jī)、計(jì)算機(jī)、個人數(shù)字助理、錄音機(jī)和卡中的至少ー個。


從以下結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述，本總的發(fā)明構(gòu)思的這些和/或其他方面及優(yōu)點(diǎn)將變得清楚和更加容易理解。附圖中:圖1是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖。圖2是示意性地圖示圖1的存儲系統(tǒng)的存儲器控制器的框圖。圖3是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的存儲系統(tǒng)的存儲器控制器的框圖。圖4是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的存儲系統(tǒng)的非易失存儲裝置的框圖。圖5是示意性地圖示圖4的非易失性存儲裝置中具有全部位線存儲器架構(gòu)或奇-偶存儲器架構(gòu)的存儲單元陣列的圖。圖6是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖5的非易失性存儲裝置的頁緩沖器電路的一部分的框圖。圖7是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲裝置的錯誤校正操作的圖。圖8是圖示包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的復(fù)制操作的方法的流程圖。圖9是圖示在圖8的復(fù)制操作中將錯誤標(biāo)志信息傳送到非易失性存儲裝置的操作的時序圖。圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的在圖8的復(fù)制操作中將錯誤標(biāo)志信息傳送到非易失性存儲裝置的操作的時序圖。圖11是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的錯誤檢測操作和錯誤校正操作的圖。圖12是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的錯誤檢測操作和錯誤校正操作的圖。圖13A是圖示應(yīng)用于多級存儲裝置的地址加擾方式的示例的圖。圖13B是示意性地圖示當(dāng)根據(jù)3-步編程方法執(zhí)行編程操作以在每個存儲単元中存儲3位數(shù)據(jù)時可變的閾值電壓分布的圖。圖14是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的框圖。圖15A到圖KD是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的多比特存儲裝置的第一和第二區(qū)域的各種組合的圖。
圖16是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的I步編程操作的命令序列的圖。圖17是示意性地圖示根據(jù)圖16的I步編程命令序列的數(shù)據(jù)流的圖。圖18是示意性地圖示根據(jù)錯誤校正操作(或位翻轉(zhuǎn)操作)的數(shù)據(jù)流的圖。圖19是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的粗編程操作的命令序列的圖。圖20是示意性地圖示根據(jù)圖19的粗編程命令序列的數(shù)據(jù)流的圖。圖21是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲系統(tǒng)中的粗/細(xì)編程操作的數(shù)據(jù)流的圖。圖22是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的刷新編程操作的圖。圖23是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖。圖24是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。圖25是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的固態(tài)驅(qū)動器的框圖。圖26是圖示使用圖25的固態(tài)驅(qū)動器的存儲的框圖。圖27是圖示使用圖25的固態(tài)驅(qū)動器的存儲服務(wù)器的框圖。圖28到圖30是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的具有數(shù)據(jù)存儲裝置的系統(tǒng)的圖。圖31是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器卡的框圖。圖32是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的數(shù)字照相機(jī)的框圖。圖33是圖示具有圖32的存儲器卡的各種系統(tǒng)的圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本總的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，該總的發(fā)明構(gòu)思的示例在附圖中示出，其中相同的參考數(shù)字始終指示相同的元件。下面將參考附圖來更描述實(shí)施例，以便解釋本總的發(fā)明構(gòu)思。但是本發(fā)明構(gòu)思可以按多個不同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)被理解為限于這里所描述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例以使得本公開將是全面的和完整的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在附圖中，為了清楚起見，層與區(qū)域的尺寸和相對尺寸可能被放大。相同的數(shù)字始終指示相同的元件。將會理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可以在此處用來描述各個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱作第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不會背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。這里可以使用空間相對術(shù)語，諸如“在...之下”、“下面”、“下部”、“之下”、“上面”、
“上部”等等，以便于用于描述圖中所示的一個元件或特征與另一個或多個元件或特征的關(guān)系的描述。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對術(shù)語意圖涵蓋除了圖中描述的方向之外的使用中或操作中的設(shè)備的不同的方向。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“下面”或“在...之下”或“之下”的元件將在其他元件或特征“上面”。因而，示例性術(shù)語“下面”和“之下”可以涵蓋上面和下面的方向二者。裝置可以不同地定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方向)，并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。此外，還將理解，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時，其可以是兩層之間僅有的層，或也可以存在一個或多個插入層。這里使用的術(shù)語僅僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而不意欲限制本發(fā)明構(gòu)思。如這里使用的，單數(shù)形式“一”和“該”意欲也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外地明確指示出。還將明白，當(dāng)在該說明書中使用時，術(shù)語“包括”指明所聲明的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除存在或添加一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列出的項(xiàng)中的一個或多個的任意和所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在…上”、“連接到”、“耦接到”或“相鄰于”另一個元件或?qū)訒r，它可以直接在其他元件或?qū)由稀⑦B接到、耦接到或相鄰于其他元件或?qū)?，或可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為直接在另一個元件或?qū)由匣颉爸苯舆B接到”、“直接耦接到”或“緊緊相鄰于”另一個元件或?qū)訒r，不存在插入的元件或?qū)?。除非另外限定，否則在此使用的所有術(shù)語(包括科技術(shù)語)具有由本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。還應(yīng)當(dāng)明白，諸如在通常使用的詞典中所限定的那些術(shù)語應(yīng)當(dāng)被理解為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和/或本公開的環(huán)境中的含義一致的含義，并且將不被理解為理想化的或過度形式的含義，除非在此明確地如此定義。圖1是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖。參見圖1，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)可以包括非易失性存儲裝置1000和存儲器控制器2000。非易失性存儲裝置1000可以用作存儲數(shù)據(jù)信息的存儲介質(zhì)。存儲介質(zhì)可以由一個或多個存儲器芯片形成。一個或多個存儲器芯片可以被形成為半導(dǎo)體封裝或存儲器封裝。非易失性存儲裝置1000和存儲器控制器2000可以經(jīng)由一個或多個通道相互通信。非易失性存儲裝置100`0例如可以包括NAND閃存裝置。存儲器控制器2000可以配置為根據(jù)外部裝置(例如主機(jī))的請求或內(nèi)部請求(例如與諸如合并、無用單元回收等的后臺操作相關(guān)聯(lián)的請求)來控制非易失性存儲裝置1000。在示例性實(shí)施例中，完全能夠理解非易失性存儲裝置1000不限于NAND閃存裝置。例如，非易失性存儲裝置1000可以由阻變隨機(jī)存取存儲器(RRAM)、相變存儲器(PRAM)、磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲器(STT-RAM)等形成。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的非易失性存儲裝置1000可以被實(shí)現(xiàn)為具有三維陣列結(jié)構(gòu)。具有三維陣列結(jié)構(gòu)的非易失性存儲裝置可以稱為垂直NAND閃存裝置。本發(fā)明構(gòu)思可以應(yīng)用于其中電荷存儲層由導(dǎo)電浮置柵極形成的閃存裝置和其中電荷存儲層由絕緣膜形成的電荷捕獲閃存(CTF)裝置兩者。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)可以支持將數(shù)據(jù)從非易失性存儲裝置1000的第二存儲區(qū)域復(fù)制到其第一存儲區(qū)域的操作。該操作可以被稱為例如復(fù)制回(copyback)操作。從第一存儲區(qū)域向第二存儲區(qū)域復(fù)制數(shù)據(jù)操作可以包括與從第一存儲區(qū)域讀出的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤檢測和校正操作。這可以用來改善數(shù)據(jù)可靠性。這里，第一存儲區(qū)域可以不同于第二存儲區(qū)域或與第二存儲區(qū)域相同。利用本發(fā)明構(gòu)思的存儲系統(tǒng)，從非易失性存儲裝置1000讀出的讀取的數(shù)據(jù)RD的錯誤檢測可以由存儲器控制器2000來進(jìn)行，并且其錯誤校正可以在非易失性存儲裝置1000中進(jìn)行。存儲器控制器2000可以在錯誤檢測中向非易失性存儲裝置1000提供檢測的錯誤的位置信息(下文中稱為錯誤位置信息)和模式信息(下文中稱為錯誤標(biāo)志信息)，并且非易失性存儲裝置1000可以在錯誤校正中基于從存儲器控制器2000提供的錯誤位置信息和錯誤標(biāo)志信息來校正數(shù)據(jù)的錯誤。也就是說，由于在錯誤檢測之后存儲器控制器2000不進(jìn)行錯誤校正(或由于在存儲器控制2000的錯誤檢測之后由非易失性存儲裝置1000進(jìn)行錯誤校正)，因此存儲器控制器2000不需要將從非易失性存儲裝置1000接收的所有數(shù)據(jù)(或校正數(shù)據(jù))傳送到非易失性存儲裝置1000。也就是說，從存儲器控制器2000向非易失性存儲裝置1000傳送數(shù)據(jù)所花的時間或者從存儲器控制器2000向非易失性存儲裝置1000傳送數(shù)據(jù)所消耗的電カ被減少、防止或避免。圖2是示意性地圖示圖1的存儲系統(tǒng)的存儲器控制器2000的框圖。參見圖2，控制器2000可以包括主機(jī)接ロ 2100作為第一接ロ、存儲器接ロ 2200作為第二接ロ、處理單元2300 (諸如CPU)、緩沖存儲器2400、以及錯誤檢測和校正單元2500。主機(jī)接ロ 2100可以配置為與外部裝置(例如主機(jī))接ロ，并且存儲器接ロ 2200可以配置為與圖1圖示的非易失性存儲裝置1000接ロ。例如CPU的處理單元2300可以配置為控制控制器2000的整體操作。處理單元2300可以配置為操作諸如閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)的固件。緩沖器存儲器2400可以用于臨時存儲經(jīng)由主機(jī)接ロ 2100從外部裝置傳送的數(shù)據(jù)或經(jīng)由存儲器接ロ 2200從非易失性存儲裝置1000傳送的數(shù)據(jù)。錯誤檢測和校正電路2500可以配置為編碼數(shù)據(jù)以存儲在非易失性存儲裝置1000中以及解碼從中讀出的數(shù)據(jù)。編碼可以包括生成奇偶信息，其在字段(field)単元生成。一頁數(shù)據(jù)可以由ー個或多個字段形成。解碼可以包括錯誤檢測操作和錯誤校正操作。當(dāng)從非易失性存儲裝置1000輸出的數(shù)據(jù)被發(fā)送到外部裝置時，包括錯誤檢測操作和錯誤校正操作的解碼可以由錯誤檢測和校正電路2500進(jìn)行。在上述復(fù)制操作，錯誤檢測和校正電路2500可以利用錯誤校正操作對從非易失性存儲裝置1000讀出的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤檢測操作。錯誤檢測和校正電路2500可以生成錯誤位置信息和錯誤標(biāo)志信息作為錯誤檢測操作的結(jié)果，并且錯誤位置信息和錯誤標(biāo)志信息可以在處理單元2300的控制下經(jīng)由存儲器接ロ 2200發(fā)送到非易失性存儲裝置1000。例如，錯誤位置信息可以包括列地址以指示或指定錯誤數(shù)據(jù)位，并且錯誤標(biāo)志信息可以是用于指示由錯誤位置信息指定的位置的數(shù)據(jù)位是否錯誤的位信息。在一個實(shí)施例中，錯誤檢測和校正単元2500可以向非易失性存儲裝置1000提供字段數(shù)據(jù)(注意該字段數(shù)據(jù)不是錯誤校正后的數(shù)據(jù))作為錯誤檢測操作的結(jié)果，該字段數(shù)據(jù)包括指示由錯誤位置信息指定的位置的數(shù)據(jù)位是錯誤的位信息(即錯誤標(biāo)志信息)。這將在后面更加全面地描述。盡管未在圖2中示出，但是存儲器控制器2000還可以包括ROM。該ROM可以用來存儲諸如FTL的固件。在另ー個實(shí)施例中，可能將存儲器控制器2000配置為不包括ROM。在該情形中，ROM中的固件可以被存儲在由存儲器控制器2000控制的非易失性存儲裝置1000中，并且可以在加電或接通狀態(tài)從非易失性存儲裝置1000加載到存儲器控制器2000上。也可以的是，存儲器控制器2000的處理單元2300、緩沖器存儲器2400以及錯誤檢測和校正電路2500可以形成為配置用來執(zhí)行下述方法的単元:所述方法確定接收的數(shù)據(jù)的錯誤位的位置并生成有關(guān)接收的數(shù)據(jù)的所確定的錯誤位位置的信息以使得信息被發(fā)送到非易失性存儲裝置1000。在示例性實(shí)施例中，主機(jī)接ロ 2100可以由計(jì)算機(jī)總線標(biāo)準(zhǔn)、存儲總線標(biāo)準(zhǔn)和iFCP外圍總線標(biāo)準(zhǔn)中的一個形成或由兩個或更多個標(biāo)準(zhǔn)的組合形成。計(jì)算機(jī)總線標(biāo)準(zhǔn)可以包括 S-1OO 總線、Mbus, Smbus、Q-Bus、ISA、Zorro II, Zorro II1、CAMAC、FASTBUS、LPC、EISA、VME, VXI, NuBus, TURBOchanneI, MCA、Sbus, VLB、PC1、PXI, HP GSC bus、CoreConnect、InfiniBand、UPA、PCI_X、AGP、PCIe、Intel QuickPath 互連、超級傳輸?shù)?。存儲總線標(biāo)準(zhǔn)可以包括 ST-506,ESDI,SMD,Parallel ATA、DMA、SSA、HIPP1、USB MSC、固件(1394)、串行 ΑΤΑ、eSATA、SCS1、并行 SCS1、串行附接 SCS1、光纖信道、iSCS1、SAS、RapidIO、FCIP 等。iFCP 外圍總線標(biāo)準(zhǔn)可以包括 Apple 桌面總線、HIL、MID1、Multibus、RS-232、DMX512-A、EIA/RS-422、IEEE-1284、UNI/0、1-Wire、I2C、SP1、EIA/RS-485、USB、照相機(jī)鏈接、外部 PCIe、Light Peak、多點(diǎn)總線等。圖3是示意性地圖示作為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的存儲系統(tǒng)的存儲器控制器2000的存儲器控制器2000a的框圖。圖3圖示了與圖2的那些基本相同的組成元件，并且這些可以由相同的參考數(shù)字表示。因此，將省略其描述。圖3中圖示的存儲系統(tǒng)2000a還可以包括隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器2600。隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器2600可以配置為隨機(jī)化正被傳送到非易失性存儲裝置1000的數(shù)據(jù)并解隨機(jī)化從非易失性存儲裝置1000輸出的數(shù)據(jù)(例如隨機(jī)化的數(shù)據(jù))。在上面描述的復(fù)制操作，隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器2600可以解隨機(jī)化從非易失性存儲裝置1000輸出的數(shù)據(jù)(例如隨機(jī)化的數(shù)據(jù))，并且錯誤檢測和校正電路2500可以檢測解隨機(jī)化的數(shù)據(jù)的錯誤。如上所述，從存儲器控制器2000a傳送到非易失性存儲裝置1000的錯誤標(biāo)志信息可能未隨機(jī)化。類似的，在其中發(fā)送包括錯誤標(biāo)志信息的字段數(shù)據(jù)的情形中，隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器2600不操作。如果錯誤校正后的數(shù)據(jù)被發(fā)送到非易失性存儲裝置1000，則錯誤校正后的數(shù)據(jù)可以通過隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器2600來隨機(jī)化。對于本發(fā)明構(gòu)思，由于根據(jù)從存儲器控制器2000a提供的錯誤標(biāo)志信息由非易失性存儲裝置1000來進(jìn)行錯誤校正，所以在傳送錯誤標(biāo)志信息/字段數(shù)據(jù)(包括錯誤標(biāo)志信息)時可能不進(jìn)行隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器2600的隨機(jī)化。圖4是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的存儲系統(tǒng)的非易失存儲裝置1000的框圖。參見圖4，非易失性存儲裝置1000可以包括存儲單元陣列1100、地址譯碼器1200、電壓生成器1300、控制邏輯1400、頁緩沖器電路1500和輸入/輸出接口1600。存儲單元陣列1100可以包括布置在行(例如字線)和列(例如位線)的交叉處的存儲單元。每個存儲單元可以存儲I位數(shù)據(jù)或多位數(shù)據(jù)。地址譯碼器1200可以通過控制邏輯1400來控制，并且可以進(jìn)行存儲單元陣列1100的行(例如字線、串選擇線(或多個)、地選擇線(或多個)、公共源極線等)的選擇和驅(qū)動。電壓生成器1300可以由控制邏輯1400來控制以生成用于每個操作的電壓，例如高電壓、編程電壓、讀電壓、驗(yàn)證電壓、擦除電壓、通過電壓、體(bulk)電壓等。由電壓生成器1300生成的電壓可以經(jīng)由地址譯碼器1200提供到存儲單元陣列1100?？刂七壿?400可以配置為控制非易失性存儲裝置1000的整體操作。頁緩沖器電路1500可以由控制邏輯1400控制，并且可以配置為從存儲單元陣列中讀取數(shù)據(jù)或者根據(jù)編程數(shù)據(jù)驅(qū)動存儲單元陣列1100的列(例如位線)。輸入/輸出接口 1600可以由控制邏輯1400控制，并且可以配置為與外部裝置(例如圖1中的存儲器控制器)接口。頁緩沖器電路1500可以包括分別與位線或位線對對應(yīng)的多個頁緩沖器。每個頁緩沖器可以包括多個鎖存器。頁緩沖器電路1500可以在控制邏輯1400的控制下使用每個頁緩沖器的鎖存器來執(zhí)行錯誤校正操作。即，頁緩沖器電路1500可以在控制邏輯1400的控制下根據(jù)從存儲器控制器提供的錯誤標(biāo)志信息來執(zhí)行錯誤校正操作。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，錯誤校正操作可以通過反轉(zhuǎn)與錯誤位置信息相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位的值來完成。即，可以根據(jù)錯誤標(biāo)志信息反轉(zhuǎn)與錯誤位置信息相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位的值。該錯誤校正操作可以稱為位翻轉(zhuǎn)(flip)操作。這將在后面更加全面地描述。圖5是示意性地圖示作為圖4的非易失性存儲裝置的存儲單元陣列1100的、具有全部位線存儲器架構(gòu)或奇-偶存儲器架構(gòu)的存儲單元陣列的圖。下面將描述存儲單元陣列1100的示例結(jié)構(gòu)。作為一個實(shí)施例，現(xiàn)在將描述包括被分區(qū)為1024塊的存儲單元陣列1100的NAND閃存裝置。存儲在每個塊中的數(shù)據(jù)可以被同時擦除。在一個實(shí)施例中，存儲塊可以是被同時擦除的存儲器件(storage element)的最小單元。例如,每個存儲塊可以具有每個與位線(例如IKB的位線)對應(yīng)的列。在稱為全部位線(ABL)架構(gòu)的一個實(shí)施例中，存儲塊的全部位線在讀和編程操作期間能夠同時被選擇。在公共字線中并且連接到全部字線的存儲器件能夠同時被編程。在示例實(shí)施例中，同一列中的多個存儲器件可以串聯(lián)連接以形成NAND串111。NAND串111的一端可以經(jīng)由由串選擇線SSL控制的選擇晶體管連接到對應(yīng)的位線，并且另一端可以經(jīng)由由地選擇線GSL控制的選擇晶體管連接到公共源極線CSL。在稱為奇-偶架構(gòu)的實(shí)施例中，位線可以劃分為偶位線(BLe)和奇位線(Bio)。在奇/偶位線架構(gòu)中，在公共字線中并且連接到奇位線的存儲器件能夠在第一時間被編程，而在公共字線中并且連接到偶位線的存儲器件能夠在第二時間被編程。數(shù)據(jù)能夠被編程并讀入到不同塊以及從不同塊讀取。這樣的操作能夠同時執(zhí)行。圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖5的非易失性存儲裝置1000的頁緩沖器電路1500的一部分的框圖。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的頁緩沖器電路1500可以包括分別與位線連接的多個頁緩沖器PB。在圖6中，僅示例性地示出了一個頁緩沖器PB。剩余的頁緩沖器可以與圖6中相同地配置。參見圖4和圖6，頁緩沖器PB可以由控制邏輯1400控制，并且可以包括預(yù)充電電路1510、鎖存器塊1520和數(shù)據(jù)輸入/輸出電路1530。預(yù)充電電路1510可以與位線BL連接并且配置為向位線BL預(yù)充電。在頁緩沖器PB與一對位線連接的情形中，預(yù)充電電路1510可以包括選擇位線對中的一個的功能。鎖存器塊1520可以與讀出(sence)節(jié)點(diǎn)SO連接。鎖存器塊1520可以包括多個鎖存器單元，例如5個鎖存器單元1521-1525(在圖6中，分別以S、L、M、F和C表示)。在頁緩沖器PB中包括的鎖存器單元的數(shù)量不限于此。在讀出操作(與編程驗(yàn)證操作、讀操作、擦除驗(yàn)證操作等相關(guān)聯(lián))，鎖存器塊1520可以配置為在控制邏輯1400的控制下鎖存讀出節(jié)點(diǎn)SO的值。控制邏輯1400可以控制鎖存塊1520，以便執(zhí)行其中在鎖存器之間傳送數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)存(dump)操作。在轉(zhuǎn)存操作，在鎖存器之間傳送的數(shù)據(jù)的相位可以根據(jù)控制邏輯1400的控制被反向或保持。在編程操作，鎖存器塊1520可以用位線編程電壓(例如OV或高于OV且低于電源電壓的電壓)或位線編程禁止電壓(例如電源電壓)來驅(qū)動位線BL。如下面將要描述的，鎖存器塊1520可以根據(jù)控制邏輯1400的控制使用錯誤標(biāo)志信息來執(zhí)行上述位翻轉(zhuǎn)操作(或錯誤校正操作)。這可以根據(jù)控制邏輯1400的控制，通過在鎖存器単元1521到1525之間執(zhí)行的數(shù)據(jù)傳送操作來完成。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路1530可以配置為使得鎖存器塊1520的數(shù)據(jù)被發(fā)送到數(shù)據(jù)線DL或數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)被發(fā)送到鎖存器塊1520.
完全能夠理解，圖6中圖示的頁緩沖器PB的結(jié)構(gòu)不限于所述公開。圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲裝置的錯誤校正操作的圖。下面，將參考附圖更加全面地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲器的錯誤校正操作。在從存儲單元陣列1100的第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)被復(fù)制到該存儲單元陣列的第二存儲區(qū)域的情況中，可以執(zhí)行與從第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正。如上所述，與從第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯誤校正可以由非易失性存儲裝置1000進(jìn)行，而不是存儲器控制器2000。錯誤校正可以根據(jù)從存儲器控制器2000提供的錯誤標(biāo)志信息來進(jìn)行。例如，錯誤校正可以經(jīng)由位翻轉(zhuǎn)操作執(zhí)行。如圖7中所示，為了易于描述，假設(shè)從存儲單元陣列1100的第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)為8位數(shù)據(jù)“01010011”。參見圖1到圖7，從第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)可以被傳送到存儲器控制器2000。存儲器控制器2000的錯誤檢測和校正電路2500可以根據(jù)錯誤檢測方法來確定從非易失性存儲裝置1000提供的數(shù)據(jù)是否是錯誤的。由于錯誤檢測方法是公知的，因此將省略其詳細(xì)描述。如果從非易失性存儲裝置1000提供的數(shù)據(jù)是錯誤的，則錯誤檢測和校正電路2500可以產(chǎn)生錯誤位置信息和錯誤標(biāo)志信息。錯誤位置信息和錯誤標(biāo)志信息可以在存儲器控制器2000的處理單元2300的控制下被提供到非易失性存儲裝置1000。此處，錯誤標(biāo)志信息可以指示與錯誤位置信息相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位是錯誤的。例如，如圖7所示，當(dāng)與錯誤位置信息相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位是錯誤的吋，錯誤標(biāo)志信息可以具有值“I”。然而，錯誤標(biāo)志信息可以被設(shè)置為當(dāng)與錯誤位置信息相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位是錯誤的時具有值“ O”。錯誤標(biāo)志信息可以獨(dú)立于從第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)而被存儲在非易失性存儲裝置1000的頁緩沖器電路1500中。錯誤校正操作或位翻轉(zhuǎn)操作可以基于錯誤標(biāo)志信息經(jīng)由頁緩沖器電路1500來執(zhí)行。如圖7所示，與錯誤位置信息對應(yīng)的數(shù)據(jù)位可以根據(jù)錯誤標(biāo)志信息從“0”改變?yōu)椤癐”。包括改變后的數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)可以是錯誤校正后的數(shù)據(jù)。然后，錯誤校正后的數(shù)據(jù)可以被存儲在存儲單元陣列1100的第二存儲單元中。下面將更加全面地描述根據(jù)錯誤標(biāo)志信息執(zhí)行的頁緩沖器的錯誤校正操作或位翻轉(zhuǎn)操作。錯誤校正操作(或位翻轉(zhuǎn)操作)可以使用頁緩沖器PB的鎖存器單元來執(zhí)行。例如，錯誤校正操作可以使用三個鎖存器單元1521、1522和1525經(jīng)由異或(XOR)運(yùn)算來執(zhí)行。完全能夠理解，錯誤校正操作不限于異或運(yùn)算。例如，錯誤校正操作可以經(jīng)由同(exclusive-NOR, XN0R)運(yùn)算來執(zhí)行。錯誤校正操作可以在控制邏輯1400的控制下執(zhí)行。從第一存儲區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)可以被存儲在鎖存器単元1521(下文稱為S鎖存器單元)中。存儲在S鎖存器単元中的數(shù)據(jù)可以被轉(zhuǎn)存到鎖存器単元1522和1525 (以下分別稱為L鎖存器単元和C鎖存器単元)。存儲在C鎖存器単元1525中的數(shù)據(jù)可以被輸出到存儲器控制器2000用于錯誤校正。為了易于表述，將基于ー個數(shù)據(jù)位來描述錯誤校正操作。在該情況中，一個讀取數(shù)據(jù)位和錯誤標(biāo)志位的組合可以具有四種情況(例如“00”、“01”、“10”和“ 11”)中的ー種。下面的表I可以表示當(dāng)數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器2000用于錯誤校正時鎖存器單元的狀態(tài)。在下面的表中，“X”可以表示不關(guān)心(或在錯誤檢測中不操作)。對于上面的描述，如從下面的表I所理解的，S鎖存器單元1521、L鎖存器安源1522和C鎖存器單元1525可以具有相同的狀態(tài)。[表I]
權(quán)利要求
1.一種存儲系統(tǒng)，包括: 非易失性存儲裝置，配置為讀取數(shù)據(jù)、接收錯誤信息以及根據(jù)接收的錯誤信息來校正讀取的數(shù)據(jù)；和 控制器，具有配置為接收讀取的數(shù)據(jù)的接ロ単元，并具有配置為確定接收的數(shù)據(jù)的錯誤位的位置以使得接ロ輸出關(guān)于接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的錯誤信息的単元， 其中，所述錯誤信息包括與讀取的數(shù)據(jù)的位對應(yīng)的位，所述錯誤信息的位包括表示讀取的數(shù)據(jù)的位的錯誤的位，并且讀取的數(shù)據(jù)的所述位的值根據(jù)錯誤信息的所述位的值而改變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置輸出讀取的數(shù)據(jù)到所述控制器并從所述控制器接收錯誤信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中: 所述控制器輸出錯誤信息到所述非易失性存儲裝置；并且 所述錯誤信息不包括讀取的數(shù)據(jù)和該讀取的數(shù)據(jù)的校正數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置將讀取的數(shù)據(jù)作為隨機(jī)化的數(shù)據(jù)輸出到所述控制器，并從所述控制器接收作為非隨機(jī)化的數(shù)據(jù)的所述錯誤信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括頁緩沖器単元，所述頁緩沖器単元用于在輸出讀取的數(shù)據(jù)到所述控制器之后并且當(dāng)從所述控制器接收錯誤信息時存儲讀取的數(shù)據(jù)，從而所存儲的讀取的數(shù)據(jù)根據(jù)接收的錯誤信息被校正。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的 存儲系統(tǒng)，其中，錯誤信息不與讀取的數(shù)據(jù)的所有位對應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置改變與接收的錯誤信息的所述位的值對應(yīng)的位的值作為改變的位，并存儲改變的位和維持的位作為校正數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置維持不與錯誤信息對應(yīng)的位的值，并且存儲包括具有改變的值的位和具有維持的值的位的校正數(shù)據(jù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括単比特存儲器陣列和多比特存儲器陣列，從所述単比特存儲器陣列讀取數(shù)據(jù)，并將校正數(shù)據(jù)存儲在多比特存儲器陣列中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置讀取使用SLC編程方法編程的數(shù)據(jù)，井根據(jù)MLC編程方法存儲校正數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置從所述控制器以頁為單位接收錯誤信息。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，讀取的數(shù)據(jù)和錯誤信息具有相同的數(shù)據(jù)大小。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置在復(fù)制操作中接收與讀取的數(shù)據(jù)對應(yīng)的錯誤信息，以將數(shù)據(jù)從所述非易失性存儲裝置的第一區(qū)域復(fù)制到第二區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置響應(yīng)于指示復(fù)制操作的命令來激活讀取數(shù)據(jù)以及根據(jù)接收的錯誤信息存儲校正數(shù)據(jù)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括頁緩沖器鎖存器，該頁緩沖器鎖存器配置為以讀取的數(shù)據(jù)的頁為單位根據(jù)錯誤信息來執(zhí)行具有錯誤的位的校正，并且該頁緩沖器鎖存器配置為存儲讀取的數(shù)據(jù)、錯誤信息和校正數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置在讀取的數(shù)據(jù)和錯誤信息的位之間進(jìn)行逐位比較，以根據(jù)異或方法和同方法之一來校正讀取的數(shù)據(jù)的錯誤位。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲系統(tǒng)，其中，錯誤信息的位包括表示讀取的數(shù)據(jù)的另一個位的無錯誤的第二位，并且讀取的數(shù)據(jù)的另一個位的值不根據(jù)錯誤信息的第二位的值而改變。
18.一種存儲系統(tǒng)，包括: 非易失性存儲裝置，用于輸出數(shù)據(jù)；和 控制器，具有配置為從所述非易失性存儲裝置接收數(shù)據(jù)的接口單元，并具有配置為確定接收的數(shù)據(jù)的錯誤位的位置以使得接口向所述非易失性存儲裝置輸出關(guān)于接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的信息的單元。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的存儲系統(tǒng)，其中，所述控制器解隨機(jī)化接收的數(shù)據(jù)以確定接收的數(shù)據(jù)中錯誤位的位置，并且輸出該信息而不進(jìn)行隨機(jī)化。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的存儲系統(tǒng)，其中，所述控制器包括隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器，用于解隨機(jī)化接收的數(shù)據(jù)，并且所述控制器防止所述隨機(jī)發(fā)生器/解隨機(jī)發(fā)生器隨機(jī)化所述信息。
21.根據(jù)權(quán)利要求18的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置根據(jù)接收的錯誤位置信息來校正數(shù)據(jù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求18的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括已經(jīng)從中讀取數(shù)據(jù)的區(qū)域，并且所述非易失性 存儲裝置根據(jù)校正數(shù)據(jù)對該區(qū)域執(zhí)行刷新編程。
23.根據(jù)權(quán)利要求18的存儲系統(tǒng)，其中: 所述非易失性存儲裝置包括第二區(qū)域，用于存儲校正數(shù)據(jù)；并且 所述第二區(qū)域是多比特存儲器陣列。
24.根據(jù)權(quán)利要求18的存儲系統(tǒng)，其中，關(guān)于接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的信息包括接收的數(shù)據(jù)的確定的錯誤位位置的地址，從而所述非易失性存儲裝置根據(jù)所述地址來校正數(shù)據(jù)。
25.一種存儲系統(tǒng)，包括: 控制器；和 非易失性存儲裝置，包括具有單比特存儲器陣列以根據(jù)第一編程方法存儲數(shù)據(jù)的第一區(qū)域以及具有多比特存儲器陣列的第二區(qū)域，并且被配置為從第一區(qū)域讀取多頁中的每頁的數(shù)據(jù)，以及被配置為將多頁中的每頁的數(shù)據(jù)輸出到所述控制器， 其中，所述控制器產(chǎn)生多頁中的每頁的數(shù)據(jù)的錯誤位置信息，并將該多頁中的每頁的數(shù)據(jù)的錯誤位置信息輸出到非易失性存儲裝置， 其中，所述非易失性存儲裝置根據(jù)與多頁中的每頁的數(shù)據(jù)對應(yīng)的錯誤位置信息來校正多頁中的每頁的數(shù)據(jù)，并且根據(jù)第二編程方法將多頁的校正數(shù)據(jù)一次存儲在第二區(qū)域。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述數(shù)據(jù)包括至少具有第一頁和第二頁的多頁，并且所述控制器重復(fù)接收數(shù)據(jù)，從而響應(yīng)于第一頁而確定和輸出第一錯誤信息，以及從而響應(yīng)于第二頁而確定和輸出第二錯誤信息。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置同時讀取數(shù)據(jù)和接收錯誤位置信息。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括緩沖器電路，用于同時存儲讀取的數(shù)據(jù)和接收的錯誤位置信息。
29.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括:主緩沖器，用于存儲讀取的數(shù)據(jù)；以及高速緩沖存儲器，用于接收錯誤位置信息以根據(jù)該錯誤位置信息來校正在主緩沖器中存儲的數(shù)據(jù)。
30.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置包括:主緩沖器，用于與第一區(qū)域和第二區(qū)域通信以存儲讀取的數(shù)據(jù)和校正數(shù)據(jù)；以及高速緩沖存儲器，用于與控制器通信以接收錯誤位置信息。
31.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲裝置根據(jù)錯誤位置信息執(zhí)行用于反轉(zhuǎn)讀取的數(shù)據(jù)的位的反轉(zhuǎn)操作，以產(chǎn)生校正數(shù)據(jù)。
32.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，第二區(qū)域的多比特存儲器陣列包括3位存儲器陣列。
33.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，第二編程方法包括多個操作，每個操作用于根據(jù)將要存儲在第二區(qū)域的多比特存儲器陣列中的校正數(shù)據(jù)來產(chǎn)生不同的電壓。
34.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，第二編程方法包括重新編程方法，用于根據(jù)將要存儲在第二區(qū)域的多比特存儲器陣列中的校正數(shù)據(jù)來產(chǎn)生不同的電壓。
35.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中: 所述信息與讀取的數(shù)據(jù)的多個部分之一對應(yīng)； 讀取的數(shù)據(jù)重復(fù)地從所述控制器發(fā)送到所述非易失性存儲裝置； 多個信息從所述控制器被發(fā)送到所述非易失性存儲裝置，直到與讀取的數(shù)據(jù)的所有部分對應(yīng)為止；并且 所述非易失性存儲裝置在接收到對應(yīng)信息時根據(jù)該對應(yīng)信息來校正數(shù)據(jù)的每個部分。
36.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，還包括: 主機(jī)設(shè)備，具有功能單元和能夠連接到所述控制器以在所述非易失性存儲裝置中存儲數(shù)據(jù)的端子。
37.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述主機(jī)設(shè)備經(jīng)過所述控制器輸出從功能單元產(chǎn)生的數(shù)據(jù)以存儲在非易失性存儲裝置中，或從非易失性存儲裝置接收數(shù)據(jù)以在所述功能單元中使用。
38.根據(jù)權(quán)利要求25的存儲系統(tǒng)，其中，所述主機(jī)設(shè)備包括如下中的至少一個:攝像機(jī)、電視設(shè)備、音頻裝置、游戲機(jī)、電子音樂裝置、蜂窩電話機(jī)、計(jì)算機(jī)、個人數(shù)字助理、錄音機(jī)、移動裝置和無接觸智能卡。
全文摘要
一種存儲系統(tǒng)及其操作方法，存儲系統(tǒng)包括非易失性存儲裝置和存儲器控制器，存儲器控制器配置為控制非易失性存儲裝置，并配置為向非易失性存儲裝置提供包括從該非易失性存儲裝置讀取的數(shù)據(jù)的錯誤的錯誤位置信息的錯誤標(biāo)志信息。
文檔編號G11C16/10GK103093818SQ201210436459
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者朱相炫, 樸起臺, 尹翔鏞, 韓真晚 申請人:三星電子株式會社