專利名稱：一種相變存儲(chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種相變存儲(chǔ)器及其制造方法。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積、多值實(shí)現(xiàn)等諸多方面對(duì)快閃存儲(chǔ)器FLASH都具有較大的優(yōu)越性，成為目前非易揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)研究的焦點(diǎn)。相變存儲(chǔ)技術(shù)的不斷進(jìn)步使之成為未來非易揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)市場(chǎng)主流產(chǎn)品最有力的競(jìng)爭(zhēng)者之一。在相變存儲(chǔ)器中，可以通過對(duì)記錄了數(shù)據(jù)的相變材料層進(jìn)行熱處理，而改變存儲(chǔ)器的值。構(gòu)成相變材料層的相變材料會(huì)由于所施加電流的加熱效果而進(jìn)入結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)。當(dāng)相變材料層處于結(jié)晶狀態(tài)時(shí)，相變存儲(chǔ)器的電阻較低，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“0”。 當(dāng)相變材料層處于非晶狀態(tài)時(shí)，相變存儲(chǔ)器的電阻較高，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“ 1 ”。因此，相變存儲(chǔ)器是利用當(dāng)相變材料層處于結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)時(shí)的電阻差異來寫入/讀取數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。關(guān)于由固態(tài)相變材料所制造的相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)可以參考公開號(hào)為 CN1627547A的中國發(fā)明專利申請(qǐng)所公開的內(nèi)容?，F(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器的制作方法請(qǐng)參考圖1 圖4。首先，請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成有晶體管，所述半導(dǎo)體襯底100上形成有層間介質(zhì)層 101，所述層間介質(zhì)層101內(nèi)形成有導(dǎo)電插塞102，所述導(dǎo)電插塞102將所述晶體管與后續(xù)形成的相變材料層電連接。所述層間介質(zhì)層101上方依次形成有第一氧化硅層103、氮化硅層 104和第二氧化硅層105。然后，參考圖2，在所述第二氧化硅層105上形成光刻膠層106，以所述光刻膠層 106為掩膜，對(duì)所述第二氧化硅層105進(jìn)行刻蝕，在所述第二氧化硅層105內(nèi)形成溝槽開口， 所述溝槽開口底部露出下方的氮化硅層104。所述溝槽開口的寬度大于下方的導(dǎo)電插塞 102的寬度。然后，參考圖3，去除所述光刻膠層106，在所述溝槽開口的側(cè)壁形成側(cè)墻 (spacer) 107。所述側(cè)墻107的厚度等于所述溝槽開口的寬度與所述導(dǎo)電插塞102的寬度之差的1/2。接著，以所述側(cè)墻107為掩膜進(jìn)行刻蝕，在所述氮化硅層104、第一氧化硅層103內(nèi)形成通孔，所述通孔露出下方的導(dǎo)電插塞102。最后，請(qǐng)參考圖4，進(jìn)行沉積工藝，在所述通孔內(nèi)形成相變材料層108，所述相變材料層108與所述導(dǎo)電插塞102接觸。在實(shí)際中發(fā)現(xiàn)，以現(xiàn)有制作方法獲得的相變存儲(chǔ)器的功耗大，無法滿足應(yīng)用的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種功耗小的相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制作方法，為解決上
4述問題，本發(fā)明提供的相變存儲(chǔ)器制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極；形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和底部電極的絕緣介質(zhì)層和刻蝕停止層；依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成頂部寬度大于底部寬度的通孔；形成填充滿所述通孔的相變材料層。優(yōu)選地，形成所述頂部寬度大于底部寬度的通孔的步驟包括依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成深度小于所述絕緣介質(zhì)層厚度的第一通孑L ；沿所述第一通孔的表面刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，直至暴露所述底部電極，形成第二通孔，所述第二通孔的寬度小于所述第一通孔的寬度。優(yōu)選地，形成所述第一淺通孔的步驟包括在所述刻蝕停止層表面形成有開口的光刻膠層，所述開口的位置與所述底部電極的位置對(duì)應(yīng)；以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述刻蝕停止層，直至暴露所述絕緣介質(zhì)層；以刻蝕后的刻蝕停止層為掩膜，刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，形成深度小于所述絕緣介質(zhì)層厚度的第一通孔。優(yōu)選地，形成所述第二通孔的步驟包括形成填充所述第一通孔的填充介質(zhì)層； 刻蝕所述填充介質(zhì)層形成側(cè)墻；以所述側(cè)墻為掩膜，沿所述第一通孔的表面刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，直至暴露所述底部電極，形成第二通孔。優(yōu)選地，所述絕緣介質(zhì)層的厚度是500-3000埃。優(yōu)選地，所述第一通孔的深度為500-2000埃。優(yōu)選地，所述第一通孔的寬度為300-2000埃。優(yōu)選地，所述填充介質(zhì)層的材料是多晶硅。優(yōu)選地，所述第二通孔的寬度是50-1500埃。優(yōu)選地，所述相變材料層的材料是硫族化合物。優(yōu)選地，所述固態(tài)相變材料層的材料是GexSbyTez，且1 < x，y，ζ < 1，x+y+z = 1。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種相變存儲(chǔ)器，包含襯底、位于襯底表面的層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極，位于層間介質(zhì)層表面的絕緣介質(zhì)層，以及位于絕緣介質(zhì)層內(nèi)與所述底部電極位置相對(duì)應(yīng)的的相變材料層，其中，所述相變材料層包含依次位于所述底部電極表面的第二相變材料層、第一相變材料層，其中，第二相變材料層的寬度小于第一相變材料層的寬度。優(yōu)選地，所述第二相變材料層、第一相變材料層沿平行于襯底的方法的截面為圓形。優(yōu)選地，所述第二相變材料層的寬度為50-1500埃。優(yōu)選地，所述第一相變材料層的寬度為300-2000埃。本發(fā)明在形成有層間介質(zhì)層和底部電極的半導(dǎo)體襯底上形成絕緣介質(zhì)層，在所述絕緣介質(zhì)層內(nèi)依次形成第一通孔和第二通孔，第二通孔的寬度小于第一通孔的寬度，填充所述第一通孔和第二通孔，形成相變材料層，所述相變材料層包含依次位于所述底部電極表面的第二相變材料層、第一相變材料層，其中，第二相變材料層的寬度小于第一相變材料層的寬度。所述相變材料層通過第二相變材料層與所述底部電極接觸，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過減小相變材料層與底部電極的接觸面積，增大歐姆電阻值，改進(jìn)加熱效果，從而降低相變存儲(chǔ)器的功耗。


圖1至圖4是現(xiàn)有相變存儲(chǔ)器的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器制造方法的流程示意圖；圖6至圖11是本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器的形成方法的實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有制作方法獲得的相變存儲(chǔ)器的功耗大，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有制作方法獲得的相變存儲(chǔ)器的功耗大是因?yàn)樾枰^大的驅(qū)動(dòng)電流對(duì)相變材料層加熱以使相變材料層發(fā)生相變，并經(jīng)過進(jìn)一步的研究發(fā)現(xiàn)可以通過減小相變材料層與底部電極的接觸面的面積來減小相變材料層與底部電極層構(gòu)成歐姆接觸的接觸面積，從而提高接觸電阻，并以此來降低驅(qū)動(dòng)電流，減小功耗，特在本發(fā)明中提供一種相變存儲(chǔ)器制造方法及對(duì)應(yīng)的相變存儲(chǔ)器。圖5是本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器制造方法的流程示意圖，本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器制造方法包括以下步驟步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極。步驟S102，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和底部電極的絕緣介質(zhì)層和刻蝕停止層。步驟S103，依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成頂部寬度大于底部寬度的通孔。所述頂部寬度大于底部寬度的通孔包括刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層依次形成的第一通孔和第二通孔。所述通孔的形成步驟包括依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成深度小于所述絕緣介質(zhì)層厚度的第一通孔；沿所述第一通孔的表面刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，直至暴露所述底部電極，形成第二通孔，所述第二通孔的寬度小于所述第一通孔的寬度；步驟S104，形成填充滿所述通孔的相變材料層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明減小了相變材料層與底部電極的接觸面積，增大了歐姆電阻，從而使得所述相變材料層在同樣的相變電流的情況下更容易發(fā)生相變或所述相變材料層需要較小的相變電流即可發(fā)生相變。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)地說明。請(qǐng)參考圖6，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200上形成有層間介質(zhì)層201 和位于所述層間介質(zhì)層201內(nèi)的底部電極202。其中，所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)可以為硅、鍺硅、絕緣體上硅等。作為一個(gè)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成有晶體管，所述晶體管用于通過所述底部電極202與后續(xù)形成的相變材料層電連接，向所述相變材料層提供相變所需的相變電流。所述層間介質(zhì)層201的材質(zhì)為絕緣材質(zhì)。所述絕緣材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅、碳化硅或含氮碳化硅等。本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層201的材質(zhì)為氧化硅，其可以通過沉積或氧化的方法形成。本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層201的厚度范圍為100 5000 埃。所述底部電極202的制作方法為對(duì)所述層間介質(zhì)層201進(jìn)行刻蝕，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成電極通孔，所述電極通孔與半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的晶體管的位置對(duì)應(yīng)，暴露出襯底200內(nèi)晶體管的電極；在所述電極通孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材質(zhì)。所述導(dǎo)電材質(zhì)可以為金屬、金屬化合物。所述金屬可以為金、銦、銅、鋁、鎢等。所述金屬化合物可以為氮化鈦、硅化鎢等。 本實(shí)施例中，所述底部電極202的材質(zhì)為鎢。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可以先在所述電極通孔內(nèi)形成一層粘附層203，然后在所述電極通孔內(nèi)形成填滿所述電極通孔的導(dǎo)電層，所述粘附層203可以增強(qiáng)所述底部電極202與層間介質(zhì)層201的結(jié)合性。參考圖7，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層201和底部電極202的絕緣介質(zhì)層204和刻蝕停止層205。本實(shí)施例中，所述絕緣介質(zhì)層204的厚度范圍為500 3000埃，優(yōu)選地，所述絕緣介質(zhì)層204的厚度為1500埃，所述刻蝕停止層205的厚度范圍是200-1000埃，優(yōu)選地，所述刻蝕停止層205的厚度是500埃。因?yàn)樗鼋^緣介質(zhì)層204將在后續(xù)的步驟中以所述刻蝕停止層205為掩膜通過刻蝕形成通孔，并隔離后續(xù)通過填充所述通孔形成的相變材料層，所以所述絕緣介質(zhì)層204 的材料應(yīng)該是與底部電極202、所述刻蝕停止層205具有較大刻蝕選擇比的材料，比如與刻蝕停止層的刻蝕選擇比大于3 1的材料，比如二氧化硅、氮化硅或者其他低介電常數(shù)材料，優(yōu)選地，所述絕緣介質(zhì)層204的材料選擇二氧化硅。當(dāng)絕緣介質(zhì)層204的材料選擇二氧化硅時(shí)，所述刻蝕停止層205的材料可以選擇氮化硅，或與二氧化硅有較大刻蝕選擇比的其他介質(zhì)材料；當(dāng)絕緣介質(zhì)層204的材料選擇氮化硅時(shí)，所述刻蝕停止層205的材料可以選擇二氧化硅，或與氮化硅有較大刻蝕選擇比的其他介質(zhì)材料。接著，依次刻蝕所述刻蝕停止層205和絕緣介質(zhì)層204，形成頂部寬度大于底部寬度的通孔。所述頂部寬度大于底部寬度的通孔包括刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層依次形成的第一通孔和第二通孔。請(qǐng)參考圖8，形成第一通孔的步驟包括在所述刻蝕停止層205表面形成有開口的光刻膠層208，所述開口的位置與所述底部電極的位置對(duì)應(yīng)；以所述光刻膠層208為掩膜刻蝕所述刻蝕停止層205，直至暴露所述絕緣介質(zhì)層204 ；以刻蝕后的刻蝕停止層205為掩膜， 刻蝕所述絕緣介質(zhì)層204，形成深度小于所述絕緣介質(zhì)層204厚度的第一通孔206。所述第一通孔206的深度為500-2000埃，優(yōu)選為1500埃，所述第一通孔206的寬度為300-2000埃。所述刻蝕可以采用現(xiàn)有的刻蝕工藝，比如干法刻蝕工藝，可以通過控制刻蝕時(shí)間控制所述第一通孔206的深度。光刻膠層208的開口定義了所述第一通孔206的位置和寬度，第一通孔206的位置與底部電極202相對(duì)應(yīng)，以使后續(xù)填充通孔形成的相變材料層與底部電極202接觸形成電連接，優(yōu)選地，第一通孔206的位置與底部電極202對(duì)準(zhǔn)。優(yōu)選地， 所述第一通孔206沿平行于襯底200方向的截面為圓形。參考圖9、10，形成所述第二通孔207的步驟包括形成填充所述第一通孔206的填充介質(zhì)層209 ；刻蝕所述填充介質(zhì)層209形成側(cè)墻210 ；以所述側(cè)墻210為掩膜，沿所述第一通孔的表面刻蝕所述絕緣介質(zhì)層204，直至暴露所述底部電極202，形成第二通孔207。所述第二通孔207的寬度是50-1500埃，優(yōu)選為1000埃。優(yōu)選地，所述第二通孔 207沿平行于襯底200方向的截面為圓形。所述填充介質(zhì)層209與絕緣介質(zhì)層204具有較大的刻蝕選擇比，優(yōu)選地，所述填充介質(zhì)層209的材料選擇多晶硅。可以采用現(xiàn)有刻蝕工藝刻蝕所述填充介質(zhì)層209形成側(cè)墻210，側(cè)墻210的寬度與第二通孔207的寬度相關(guān)，從而與相變材料層與底部電極202的接觸面積相關(guān)，進(jìn)一步與相變材料層與底部電極202之間的歐姆電阻相關(guān)。所述側(cè)墻210的寬度是通過設(shè)置所述刻蝕工藝的刻蝕時(shí)間(over etch rate)控制的，刻蝕時(shí)間越長(zhǎng)，側(cè)墻210的寬度越小，所述接觸面積越大，對(duì)應(yīng)的歐姆電阻越小，因此，為了增加所述歐姆電阻，所述刻蝕時(shí)間不宜過長(zhǎng)。 受現(xiàn)有光刻工藝的限制，所述第一通孔206不容易做得很小，并且第一通孔206做得太小的話，后續(xù)填充通孔形成相變材料層的步驟中，容易在相變材料層中形成空洞或縫隙，影響器件的性能，通過本發(fā)明所提供的方法，不但可以減小相變材料層與底部電極的接觸面積，而且因?yàn)橥?06的寬度比較大，相對(duì)容易填充所述通孔，有利于在增加歐姆電阻的同時(shí)提高相變材料層的質(zhì)量。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以通過其他方法形成頂部寬度大于底部寬度的通孔，以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方案。參考圖11，形成填充滿所述第一通孔206和第二通孔207的相變材料層。所述相變材料層的材質(zhì)可以為硫族化合物。所述硫族化合物為Ge-Sb-Te、 Ag-In-Te或Ge-BiTe，優(yōu)選地，所述硫族化合物合金是GexSbyTez，且1 < x，y，ζ < 1，x+y+z =1。沉積固態(tài)相變材料層的方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供采用本發(fā)明所提供相變存儲(chǔ)器形成方法所形成的相變存儲(chǔ)器。請(qǐng)繼續(xù)參考圖11，本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器包含襯底200、位于襯底200表面的層間介質(zhì)層201和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極202，位于層間介質(zhì)層201表面的絕緣介質(zhì)層204，以及位于絕緣介質(zhì)層204內(nèi)與所述底部電極202位置相對(duì)應(yīng)的的相變材料層，其中，所述相變材料層包含依次位于所述底部電極202表面的第二相變材料層213、第一相變材料層212，其中，第二相變材料層213的寬度小于第一相變材料層212的寬度。進(jìn)一步，所述第二相變材料層213、第一相變材料212層沿平行于襯底200的方法的截面為圓形。所述第二相變材料層213的寬度為50-1500埃。所述第一相變材料層212 的寬度為300-2000埃。本發(fā)明在形成有層間介質(zhì)層和底部電極的半導(dǎo)體襯底上形成絕緣介質(zhì)層，在所述絕緣介質(zhì)層內(nèi)依次形成第一通孔和第二通孔，第二通孔的寬度小于第一通孔的寬度，填充所述第一通孔和第二通孔，形成相變材料層，所述相變材料層包含依次位于所述底部電極表面的第二相變材料層、第一相變材料層，其中，第二相變材料層的寬度小于第一相變材料層的寬度。所述相變材料層通過第二相變材料層與所述底部電極接觸，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明減小了相變材料層與底部電極的接觸面積，增大了歐姆電阻值，從而減小驅(qū)動(dòng)電路，減小相變存儲(chǔ)器的功耗。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，包括以下步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極；形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和底部電極的絕緣介質(zhì)層和刻蝕停止層； 依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成頂部寬度大于底部寬度的通孔； 形成填充滿所述通孔的相變材料層。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，形成所述頂部寬度大于底部寬度的通孔的步驟包括依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成深度小于所述絕緣介質(zhì)層厚度的第一通孔；沿所述第一通孔的表面刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，直至暴露所述底部電極，形成第二通孔， 所述第二通孔的寬度小于所述第一通孔的寬度。
3.依據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，形成所述第一通孔的步驟包括在所述刻蝕停止層表面形成含有開口的光刻膠層，所述開口的位置與所述底部電極的位置對(duì)應(yīng)；以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述刻蝕停止層，直至暴露所述絕緣介質(zhì)層； 以刻蝕后的刻蝕停止層為掩膜，刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，形成深度小于所述絕緣介質(zhì)層厚度的第一通孔。
4.依據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，形成所述第二通孔的步驟包括形成填充所述第一通孔的填充介質(zhì)層； 刻蝕所述填充介質(zhì)層形成側(cè)墻；以所述側(cè)墻為掩膜，沿所述第一通孔的表面刻蝕所述絕緣介質(zhì)層，直至暴露所述底部電極，形成第二通孔。
5.依據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層的厚度是 500-3000 埃。
6.依據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述第一通孔的深度為 500-2000 埃。
7.依據(jù)權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述第一通孔的寬度為 300-2000 埃。
8.依據(jù)權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述填充介質(zhì)層的材料是多晶娃。
9.依據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述第二通孔的寬度是 50-1500 埃。
10.依據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述相變材料層的材料是硫族化合物。
11.依據(jù)權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，所述固態(tài)相變材料層的材料是 GexSbyTez,且 1 < x，y，ζ < 1，x+y+z = 1。
12.一種相變存儲(chǔ)器，包含襯底、位于襯底表面的層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極，位于層間介質(zhì)層表面的絕緣介質(zhì)層，以及位于絕緣介質(zhì)層內(nèi)與所述底部電極位置相對(duì)應(yīng)的的相變材料層，其特征在于，所述相變材料層包含依次位于所述底部電極表面的第二相變材料層、第一相變材料層，其中，第二相變材料層的寬度小于第一相變材料層的寬度。
13.依據(jù)權(quán)利要求12的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二相變材料層、第一相變材料層沿平行于襯底的方向的截面為圓形。
14.依據(jù)權(quán)利要求13的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二相變材料層的寬度為 50-1500 埃。
15.依據(jù)權(quán)利要求13的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一相變材料層的寬度為 300-2000 埃。
全文摘要
本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的底部電極；形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和底部電極的絕緣介質(zhì)層和刻蝕停止層；依次刻蝕所述刻蝕停止層和絕緣介質(zhì)層，形成頂部寬度大于底部寬度的通孔；形成填充滿所述通孔的相變材料層。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供根據(jù)上述方法所形成的相變存儲(chǔ)器。本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器及其制造方法可以減小相變材料層和底部電極的接觸電阻，增加歐姆阻值，改進(jìn)加熱效果，從而降低相變存儲(chǔ)器的功耗。
文檔編號(hào)H01L45/00GK102468436SQ20101055148
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者何其旸, 李凡 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司