技術(shù)編號：6956665
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及。 背景技術(shù)相變存儲器作為一種新興的非易失性存儲技術(shù)，在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、多值實(shí)現(xiàn)等諸多方面對快閃存儲器FLASH都具有較大的優(yōu)越性，成為目前非易揮發(fā)性存儲技術(shù)研究的焦點(diǎn)。相變存儲技術(shù)的不斷進(jìn)步使之成為未來非易揮發(fā)性存儲技術(shù)市場主流產(chǎn)品最有力的競爭者之一。在相變存儲器中，可以通過對記錄了數(shù)據(jù)的相變材料層進(jìn)行熱處理，而改變存儲器的值。構(gòu)成相變材料層的相變材料會由于所施加電流的加熱效果而進(jìn)入結(jié)晶狀態(tài)或非晶...
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