專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS, Complementary Metal OxideSemiconductor) 工藝節(jié)點(diǎn)降低到45nm甚至更小，其器件形態(tài)，例如后段制程中金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的刻蝕，很難通過(guò)傳統(tǒng)的方法控制。在干法刻蝕工藝中，為了得到更好的低介電常數(shù)材料刻蝕選擇性，常常利用厚度為200納米左右的氮化鈦?zhàn)鳛橛操|(zhì)幕罩層，通過(guò)干法刻蝕方法形成半導(dǎo)體器件的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽。通常情況下，濕法清洗很難在不影響半導(dǎo)體襯底中超低介電常數(shù)材料的介電常數(shù)值的情況下，去除氮化鈦、SiCOH以及銅或鎢等干法刻蝕過(guò)程中的刻蝕殘留物，而這些殘留物直接影響著后續(xù)工藝中銅金屬互連線(xiàn)的形成。利用主要成分為氟化物、胺、H2A和去離子水的HCX1206-1溶劑可以很好的解決這個(gè)問(wèn)題，它能夠有效的去除在干法刻蝕半導(dǎo)體器件金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽過(guò)程中產(chǎn)生的刻蝕殘留物。由于HCX1206-1溶劑對(duì)氮化鈦硬質(zhì)掩模的刻蝕率為零，因此在整個(gè)刻蝕殘留物的去除過(guò)程中對(duì)氮化鈦硬掩模層下的超低介電常數(shù)層間介質(zhì)層的介電常數(shù)影響很小。在現(xiàn)有制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝中，通常在以氮化鈦硬掩模層刻蝕出金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽和在氮?dú)庵袑?duì)半導(dǎo)體進(jìn)行退火后直接進(jìn)行阻擋層、籽晶層的沉積以及電鍍銅金屬互連線(xiàn)。 然而，隨著CMOS器件的工藝節(jié)點(diǎn)下降到40nm甚至是32nm，半導(dǎo)體器件的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽也會(huì)相應(yīng)的變小。此時(shí)，在干法刻蝕過(guò)程中形成硬掩模層會(huì)增加金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，這將對(duì)后續(xù)工藝中阻擋層和籽晶層的沉積產(chǎn)生較大的影響，導(dǎo)致在金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處沉積的阻擋層和籽晶層凸起，進(jìn)而影響后續(xù)銅電鍍工藝，產(chǎn)生電鍍空洞。在公開(kāi)號(hào)為CN1449015A的中國(guó)專(zhuān)利，公開(kāi)了更多通過(guò)改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中阻擋層和籽晶層的沉積工藝來(lái)改善銅電鍍空洞的方法。但是這種通過(guò)減薄阻擋層和籽晶層的厚度來(lái)改善阻擋層和籽晶層厚度差異方法又會(huì)因?yàn)楦采w層的品質(zhì)不佳，在沉積時(shí)產(chǎn)生不連續(xù)的點(diǎn)，導(dǎo)致在后續(xù)銅電鍍工藝中形成電鍍空洞。因此，需要提供一種新的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，來(lái)減小半導(dǎo)體器件的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，防止在后續(xù)銅電鍍工藝中產(chǎn)生空洞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，通過(guò)減小半導(dǎo)體器件金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，防止制作銅金屬互連線(xiàn)時(shí)產(chǎn)生電鍍空洞。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，基本步驟包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有暴露出插塞金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上覆蓋有氮化硅硬掩模層；在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，所述光刻膠填滿(mǎn)半導(dǎo)體襯底中的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽并完全覆蓋半導(dǎo)體襯底表面上的硬掩模層；去除氮化鈦硬掩模層上的光刻膠，保留金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中光刻膠；去除氮化鈦硬掩模層；去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠。可選的，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽采用干法刻蝕形成，干法刻蝕后的刻蝕殘留物利用包含有氟化物、胺、H2A和去離子水的HCX1206-1溶劑去除?？蛇x的，所述涂布光刻膠采用旋涂方法。所述涂布光刻膠時(shí)間范圍為10秒到20 秒，光刻膠涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速為100轉(zhuǎn)每分鐘至1400轉(zhuǎn)每分鐘?？蛇x的，所述光刻膠在氮化鈦硬掩模層上的厚度小于500埃?？蛇x的，所述氮化鈦硬掩模層上光刻膠采用飽和臭氧含量的去離子水去除?？蛇x的，所述飽和臭氧含量的去離子水包含有臭氧和去離子水，其中臭氧與去離子水的質(zhì)量比為IOppm至20ppm，飽和臭氧含量的去離子水的作用時(shí)間為1至2分鐘。可選的，所述氮化鈦硬掩模層采用SCl溶液去除?？蛇x的，所述SCl溶液溫度范圍為50至60攝氏度，SCl溶液中NH4OH H2O2 H2O 的體積比為1 1 5至1 1 30?？蛇x的，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠采用單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯去除?？蛇x的，在采用單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠時(shí)，旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底，轉(zhuǎn)速為300至500轉(zhuǎn)每分鐘，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為20秒至50秒?？蛇x的，去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠之后還包括在氮?dú)庵袑?duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火?？蛇x的，所述氮?dú)馔嘶鸬臏囟确秶鸀?80至320攝氏度，時(shí)間范圍為8至15分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)去除干法刻蝕金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽時(shí)的硬掩模層，降低了金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，防止沉積工藝節(jié)點(diǎn)為40nm甚至32nm以下CMOS器件的阻擋層和籽晶層時(shí)在金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處沉積的阻擋層和籽晶層凸起，避免在后續(xù)銅電鍍工藝中產(chǎn)生電鍍空洞，提高了 CMOS器件的可靠性和良品率。


圖1是本發(fā)明工藝半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖；圖2至圖9示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的各階段半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作工藝中，在通過(guò)以氮化鈦為硬掩模層干法刻蝕形成金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽以及在氮?dú)庵袑?duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火之后，直接對(duì)金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽進(jìn)行阻擋層、籽晶層的沉積以及電鍍銅金屬互連線(xiàn)。然而，隨著CMOS器件工藝節(jié)點(diǎn)降低到40nm甚至是32nm時(shí)，由于金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比太大，導(dǎo)致在金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處沉積的阻擋層和籽晶層凸起，進(jìn)而影響后續(xù)銅電鍍工藝，產(chǎn)生電鍍空洞，影響了 COMS 器件的可靠性和良品率。針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種通過(guò)去除干法刻蝕過(guò)程中的硬掩模層減小金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽深寬比的方法，避免了金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處沉積的阻擋層和籽晶層凸起，形成銅電鍍空洞。參見(jiàn)圖1，示出了本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖，具體包括執(zhí)行步驟S201，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有暴露出插塞的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上覆蓋有氮化硅硬掩模層；執(zhí)行步驟S202，在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，所述光刻膠填滿(mǎn)半導(dǎo)體襯底中的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽并完全覆蓋半導(dǎo)體襯底表面上的硬掩模層；執(zhí)行步驟S203，去除氮化鈦硬掩模層上的光刻膠，保留金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中光刻膠；執(zhí)行步驟S204，去除氮化鈦硬掩模層；執(zhí)行步驟S205，去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠；執(zhí)行步驟S206，在氮?dú)庵袑?duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火。經(jīng)過(guò)以上步驟形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽深寬比小，避免金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處沉積的阻擋層和籽晶層凸起，防止在后續(xù)的銅電鍍工藝中形成空洞，改善了 COMS器件的可靠性和良品率。下面結(jié)合制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法做進(jìn)一步說(shuō)明。參見(jiàn)圖2至圖9，示出了采用本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的各階段剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有暴露出插塞201的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上覆蓋有氮化硅硬掩模層205。所述半導(dǎo)體襯底從上到下依次包括超低介電常數(shù)層間介質(zhì)層200、氮摻雜的碳化硅阻擋層(NDC) 202、超低介電常數(shù)介質(zhì)層203、氧化硅保護(hù)層204和氮化鈦硬掩模層205。 所述插塞201的材質(zhì)為銅或鎢，通常用作連接金屬互連層和半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的MOS器件。對(duì)于所述超低介電常數(shù)層間介質(zhì)層200、超低介電常數(shù)介質(zhì)層203，常用材料包括SiOCH薄膜、氟硅玻璃(FSG)、碳摻雜的氧化硅(Black Diamond)、以及氮摻雜的碳化硅 (BLOK)等，通常用于金屬互連線(xiàn)的絕緣層。所述氮摻雜的碳化硅阻擋層202用來(lái)防止襯底與隨后沉積的材料之間的層間擴(kuò)散。所述氧化硅保護(hù)層204為以正硅酸乙酯(TEOS)為硅源制得的二氧化硅。所述氮化鈦?zhàn)鳛橹圃彀雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)過(guò)程中干法刻蝕金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽時(shí)的硬掩模層。干法刻蝕金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽后的刻蝕殘留物可通過(guò)包含有氟化物、胺、H2A和去離子水的HCX1206-1溶劑去除。作為一個(gè)實(shí)施例，采用HCX1206-1溶劑去除刻蝕聚合物時(shí)間范圍為40秒至90秒， 溫度范圍為25攝氏度至40攝氏度。如圖3所示，在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠206，所述光刻膠填滿(mǎn)半導(dǎo)體襯底中的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽并完全覆蓋半導(dǎo)體襯底表面上的硬掩模層。光刻膠206通常采用旋涂的方法涂布，所述光刻膠分為氮化鈦硬掩模層上的光刻膠206a和金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠206b兩部分，其中氮化鈦硬掩模層上的光刻膠206a的厚度小于500埃。作為一個(gè)實(shí)施例，所述光刻膠涂布的時(shí)間范圍為10秒到20秒，光刻膠涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速為100轉(zhuǎn)每分鐘至1400轉(zhuǎn)每分鐘。如圖4所示，去除氮化鈦硬掩模層上的光刻膠206b，保留金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中光刻膠 206a。去除所述氮化鈦硬掩模層上光刻膠206a之后，剩余金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠 206b能夠在化學(xué)刻蝕氮化鈦硬掩模層時(shí)保護(hù)半導(dǎo)體襯底中的銅或鎢插塞201。作為一個(gè)實(shí)施例，所述硬掩模層上光刻膠206a可利用飽和臭氧含量的去離子水去除，所述飽和臭氧含量的去離子水中包含有臭氧和去離子水，其中臭氧與去離子水的質(zhì)量比為IOppm至20ppm，飽和臭氧含量的去離子水的作用時(shí)間為1至2分鐘。如圖5所示，去除氮化鈦硬掩模層205。去除所述氮化鈦硬掩模層205可以有效的減小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，避免后續(xù)工藝中所沉積的阻擋層和籽晶層在金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處凸起，防止銅電鍍空洞的產(chǎn)生。作為一個(gè)實(shí)施例，所述氮化鈦硬掩模層205采用SCl溶液去除。SCl是stand clean 1溶液的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是由去離子水、雙氧水和氨水組成的混合溶液，能夠在不影響超低介電常數(shù)介質(zhì)層203和氧化硅保護(hù)層204的情況下有效地去除氮化鈦硬掩模層205。所述SCl溶液溫度范圍為50至60攝氏度，SCl溶液中NH4OH H2O2 H2O的體積比為1 1 5至 1 1 30。如圖6所示，去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠206b。所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠206b采用易于揮發(fā)的單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯去除。在具體的實(shí)施例中，在采用單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠時(shí)，旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底，轉(zhuǎn)速為300至500轉(zhuǎn)每分鐘，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為20秒至50秒。接著，在氮?dú)庵袑?duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火。其中，氮?dú)庾鳛橥嘶疬^(guò)程中的保護(hù)氣體，所述退火能夠使半導(dǎo)體襯底內(nèi)超低介電常數(shù)材料的介電常數(shù)恢復(fù)，同時(shí)使金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中殘留的單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯揮發(fā)。在具體實(shí)施例中，所述氮?dú)馔嘶鸬臏囟确秶鸀?80至320攝氏度，時(shí)間范圍為 8至15分鐘。最后，如圖7至圖9所示，在金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽內(nèi)沉積阻擋層208、籽晶層209和電鍍銅金屬互連線(xiàn)210，形成無(wú)電鍍空洞的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。所述阻擋層208為氮化鉭/鉭雙層阻擋層，具體可以首先進(jìn)行氮化鉭薄膜沉積，再進(jìn)行金屬鉭薄膜沉積，用于阻擋銅金屬與介質(zhì)材料的直接接觸，并起到介質(zhì)材料和銅金屬之間的過(guò)渡粘結(jié)作用。所述阻擋層208采用物理氣相沉積的方法沉積，也可以通過(guò)其它方法進(jìn)行。所述籽晶層209沉積為后續(xù)銅電鍍工藝提供了導(dǎo)電層。所述阻擋層208和籽晶層 209的沉積以及銅金屬互連線(xiàn)210的電鍍工藝作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做贅述?；谏鲜鲂纬煞椒ㄋ谱鞯陌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)如圖10所示，包括超低介電常數(shù)層間介質(zhì)層200和形成于超低介電常數(shù)層間介質(zhì)層之間的銅或鎢插塞201 ；氮摻雜的碳化硅阻擋層202，位于超低介電常數(shù)層間介質(zhì)層200上；超低介電常數(shù)介質(zhì)層203，位于氮摻雜的碳化硅阻擋層202上；氧化硅保護(hù)層204，位于超低介電常數(shù)介質(zhì)層203上；阻擋層208，覆蓋于半導(dǎo)體襯底內(nèi)金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽表面；籽晶層209，覆蓋于阻擋層209上；銅金屬互連線(xiàn)210，填充滿(mǎn)整個(gè)覆蓋了阻擋層208和籽晶層209后的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中。與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法通過(guò)去除干法刻蝕金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽時(shí)的硬掩模層，降低了金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，防止沉積工藝節(jié)點(diǎn)為40nm甚至32nm以下CMOS 器件的阻擋層和籽晶層時(shí)在金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽開(kāi)口處沉積的阻擋層和籽晶層凸起，避免在后續(xù)銅電鍍工藝中產(chǎn)生電鍍空洞，提高了 CMOS器件的可靠性和良品率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有暴露出插塞的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上覆蓋有氮化硅硬掩模層；在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，所述光刻膠填滿(mǎn)半導(dǎo)體襯底中的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽并完全覆蓋半導(dǎo)體襯底表面上的硬掩模層；去除氮化鈦硬掩模層上的光刻膠，保留金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中光刻膠；去除氮化鈦硬掩模層；去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽采用干法刻蝕形成，干法刻蝕后的刻蝕殘留物利用包含有氟化物、胺、H2A和去離子水的 HCX1206-1溶劑去除。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述涂布光刻膠采用旋涂方法，所述涂布光刻膠的時(shí)間范圍為10秒到20秒，光刻膠涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速為100轉(zhuǎn)每分鐘至1400轉(zhuǎn)每分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述光刻膠在氮化鈦硬掩模層上的厚度小于500埃。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述氮化鈦硬掩模層上的光刻膠采用飽和臭氧含量的去離子水去除。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述飽和臭氧含量的去離子水包含有臭氧和去離子水，其中臭氧與去離子水的質(zhì)量比為IOppm至20ppm，飽和臭氧含量的去離子水的作用時(shí)間為1至2分鐘。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述氮化鈦硬掩模層采用SCl溶液去除。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述SCl溶液溫度范圍為 50至60攝氏度，SCl溶液中NH4OH H2O2 H2O的體積比為1 1 5至1 1 30。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠采用單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯去除。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在采用單乙基醚丙二醇或丙二醇單甲醚乙酸酯去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠時(shí)，旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底，轉(zhuǎn)速為300 至500轉(zhuǎn)每分鐘，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為20秒至50秒。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠之后還包括在氮?dú)庵袑?duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述退火的溫度范圍為280至320攝氏度，時(shí)間范圍為8至15分鐘。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有暴露出插塞的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽，所述金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上覆蓋有氮化硅硬掩模層；在半導(dǎo)體襯底上涂布光刻膠，所述光刻膠填滿(mǎn)半導(dǎo)體襯底中的金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽并完全覆蓋半導(dǎo)體襯底表面上的硬掩模層；去除氮化鈦硬掩模層上的光刻膠，保留金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中光刻膠；去除氮化鈦硬掩模層；去除金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽中的光刻膠。本發(fā)明通過(guò)去除干法刻蝕金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽時(shí)的氮化硅硬掩模層，降低了金屬導(dǎo)線(xiàn)溝槽的深寬比，避免在后續(xù)銅電鍍工藝中產(chǎn)生電鍍空洞，提高了CMOS器件的可靠性和良品率。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102468227SQ20101055147
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者劉煥新 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司