專利名稱：非易失性存儲器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體而言，涉及非易失性存儲器件。
背景技術(shù)：
非易失性存儲器件是在即使電源被切斷的情況下仍保留儲存于其中的數(shù)據(jù)的存儲器件，并且非易失性存儲器件的實(shí)例包括快閃存儲器和相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)。具體而言，PCRAM是這樣的存儲器件，其通過形成諸如鍺-銻-碲(GST)的相變材料的存儲器單元，加熱GST以使GST處于晶體狀態(tài)或非晶狀態(tài)，來將數(shù)據(jù)儲存在存儲器單元中。PCRAM具有與易失性存儲器件例如RAM —樣快的數(shù)據(jù)處理速率。圖1是現(xiàn)有的PCRAM的框圖。參見圖1，PCRAM 10利用泵浦電壓VPSSA域，并且使用一種在用于電流鏡的信號BI AS、CLMBL和VCLAMP的控制下經(jīng)由存儲器單元D (GST)路徑傳送感測電流的方法。在本文中，盡管未在感測節(jié)點(diǎn)VSAI中說明，但仍將電壓鎖存器與感測節(jié)點(diǎn)VSAI耦接，并且電壓鎖存器感測根據(jù)GST的電阻值而改變的感測節(jié)點(diǎn)VSAI的電壓電平。即，當(dāng)感測節(jié)點(diǎn)VSAI用泵浦電壓(pumping voltage) VPPSA預(yù)充電,然后感測節(jié)點(diǎn)VSAI根據(jù)箝位晶體管NN的電壓條件Vgs和Vds而被放電時，電壓鎖存器感測當(dāng)流經(jīng)偏置晶體管P的電流變得與流經(jīng)箝位晶體管NN的電流基本上相等時感測節(jié)點(diǎn)VSAI的電壓電平。然而，當(dāng)GST具有較高電阻值時，存在于存儲器單元D (GST)路徑中的RC時間常數(shù)可能受到較高電阻的影響。結(jié)果，當(dāng)感測節(jié)點(diǎn)VSAI被放電時，現(xiàn)有的PCRAM 10可能要花費(fèi)長時間來穩(wěn)定感測節(jié)點(diǎn)VSAI。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及具有改進(jìn)的感測速度的非易失性存儲器件。本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例涉及補(bǔ)償在存儲器單元所包括的開關(guān)中發(fā)生的歪斜(skew)的非易失性存儲器件。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，一種非易失性存儲器件包括存儲器單元，所述存儲器單元包括電阻可變器件和用于控制流經(jīng)所述電阻可變器件的電流的開關(guān)單元；讀取參考電壓發(fā)生器，所述讀取電壓發(fā)生器被配置成根據(jù)在所述開關(guān)單元中發(fā)生的歪斜來產(chǎn)生參考電壓；以及感測放大器，所述感測放大器被配置成基于所述參考電壓來感測與流經(jīng)所述電阻可變器件的電流相對應(yīng)的電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例，一種非易失性存儲器件包括第一比較器，所述第一比較器被配置成比較第一感測電壓與第一參考電壓并產(chǎn)生第一比較信號；第一驅(qū)動器，所述第一驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第一比較信號而用第一電源電壓來驅(qū)動第一感測電壓端子；存儲器單元，所述存儲器單元耦接在所述第一感測電壓端子與第二電源電壓端子之間，并且包括串聯(lián)耦接的電阻可變器件和第一開關(guān)；第二開關(guān)，所述第二開關(guān)耦接在第一參考電壓端子與分壓端子之間并且與所述第一開關(guān)相同；電阻器，所述電阻器經(jīng)由所述第二開關(guān)耦接至所述分壓端子并且耦接至所述第二電源電壓端子；第二比較器，所述第二比較器被配置成比較分壓與第二參考電壓并產(chǎn)生第二比較信號；以及第二驅(qū)動器，所述第二驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第二比較信號而用所述第一電源電壓來驅(qū)動所述第一參考電壓端子。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施例，一種非易失性存儲器件包括第一比較器，所述第一比較器被配置成比較第一感測電壓與第一參考電壓并產(chǎn)生第一比較信號；第一驅(qū)動器，所述第一驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第一比較信號而用第一電源電壓來驅(qū)動第一感測電壓端子；存儲器單元，所述存儲器單元耦接在所述第一感測電壓端子與第二電源電壓端子之間并包括串聯(lián)耦接的電阻可變器件和開關(guān)；第二驅(qū)動器，所述第二驅(qū)動器被配置成響 應(yīng)于所述第一比較信號而用所述第一電源電壓來驅(qū)動第二感測電壓端子；以及電壓控制器，所述電壓控制器被配置成基于參考電流來控制所述第二感測電壓端子的電壓電平。


圖1是現(xiàn)有的相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)的框圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的非易失性存儲器件的框圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的非易失性存儲器件的框圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以不同的方式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為限定為本發(fā)明所列的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例是為了使本說明書充分與完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在說明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的不同附圖與實(shí)施例中表示相似的部分。在下文中，將相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)器件作為一個實(shí)例并且在本發(fā)明的以下示例性實(shí)施例中描述。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的PCRAM器件100的框圖。參見圖2，PCRAM器件100包括存儲器單元110、感測放大器120以及開關(guān)單元130。感測放大器120基于讀取參考電壓VREAD來感測并放大第一感測電壓(VSIO)端子的電壓電平。開關(guān)單元130響應(yīng)于使能信號EN和ENB而選擇性地將第一感測電壓(VSIO)端子與存儲器單兀Iio的1^而部1禹接。在本文中，存儲器單元110包括包含相變材料的電阻可變元件GST和用于控制流經(jīng)電阻可變元件GST的電流的開關(guān)元件D1。感測放大器120包括比較單元AMP、第一驅(qū)動單元P1、第二驅(qū)動單元P2、電壓控制單元121以及輸出單元123。比較單元AMP比較讀取參考電壓VREAD與第一感測電壓(VSIO)。第一驅(qū)動單元Pl響應(yīng)于從比較單元AMP輸出的比較信號COMP而用高電源電壓VDD來驅(qū)動第一感測電壓(VSIO)端子。第二驅(qū)動單元P2響應(yīng)于比較信號COMP而用高電源電壓VDD來驅(qū)動第二感測電壓(VSAI)端子。電壓控制單元121基于參考電流IREF來控制第二感測電壓(VSAI)端子的電壓電平。輸出單元123輸出第二感測電壓VSAI。在本文中，t匕較單元AMP起單位增益緩沖器的作用，并且第二驅(qū)動單元P2起電流倍增器的作用。例如，第二驅(qū)動單元P2可以通過簡單地調(diào)節(jié)晶體管的尺寸來起電流倍增器的作用。在下文中，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例來描述具有上述結(jié)構(gòu)的PCRAM器件100的操作。當(dāng)用于選擇存儲器單元110的使能信號EN和ENB被使能時，感測放大器120感測并放大儲存在電阻可變元件GST中的數(shù)據(jù)并輸出放大了的數(shù)據(jù)。即，隨著比較單元AMP和第一驅(qū)動單元Pl快速地將第一感測電壓(VSIO)端子的電壓電平穩(wěn)定至讀取參考電壓VREAD，與電阻可變元件GST的電阻值相對應(yīng)的電流流經(jīng)第一感測電壓(VSIO)端子。流經(jīng)第一驅(qū)動單元Pl和電阻可變元件GST的電流變得與流經(jīng)第一感測電壓(VSIO)端子的電流相同。在本文中，與流經(jīng)第一驅(qū)動單元Pl的電流相對應(yīng)的電流流入第二驅(qū)動單元P2。即，由于第二驅(qū)動單元P2是電流倍增器，所以從流經(jīng)第一驅(qū)動單元Pl的電流放大的電流流經(jīng)第二驅(qū)動單元P2。因此，由于流經(jīng)第二驅(qū)動單元P2的電流與流經(jīng)電壓控制單元121的電流彼此對抗，因此確定了第二感測電壓VSAI的電壓電平。即，當(dāng)流經(jīng)第二驅(qū)動單元P2的電流大于流經(jīng)電壓控制單元121的參考電流IREF時，第二感測電壓(VSAI)端子與高電源電壓(VDD)端子耦接。另一方面，當(dāng)流經(jīng)電壓控制單元121的參考電流IREF大于流經(jīng)第二驅(qū)動單元P2的電流時，第二感測電壓(VSAI)端子與低電源電壓(VSS)端子耦接。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，盡管電阻可變元件GST具有高電阻值，但無論RC延遲如何都可以快速地感測并放大儲存于存儲器單元110中的數(shù)據(jù)。另外，在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中，存儲器單元110中包括的開關(guān)元件Dl由二極管形成，由于工藝和溫度的變化會發(fā)生二極管歪斜(diode skew)。在這種情況下，歪斜可以直接影響流經(jīng)電阻可變元件GST的電流，且因而感測放大器120識別出電阻可變元件GST的電阻值改變。即，當(dāng)由于工藝和溫度的變化而在開關(guān)元件Dl中發(fā)生二極管歪斜且因此電阻可變元件GST兩端的電壓改變時，流經(jīng)電阻可變元件GST的電流改變。結(jié)果，流經(jīng)電阻可變元件GST的電流的改變可能減小感測放大器120的感測余量。為了應(yīng)對上述問題，下面提供了本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例。圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的PCRAM器件200的框圖。參見圖3，PCRAM器件200包括存儲器單元210、讀取參考電壓發(fā)生器220、感測放大器230以及開關(guān)單元240。存儲器單元210包括含有相變材料的電阻可變元件GST和用于控制流經(jīng)串聯(lián)耦接的電阻可變元件GST的電流的第一開關(guān)元件D11。讀取參考電壓發(fā)生器220根據(jù)發(fā)生在第一開關(guān)元件Dll中的歪斜來可變地產(chǎn)生讀取參考電壓VREAD。感測放大器230基于讀取參考電壓VREAD來感測并放大第一感測電壓(VSIO)端子的電壓電平。開關(guān)單元240響應(yīng)于使能信號EN和ENB而選擇性地將第一感測電壓(VSIO)端子與存儲器單元210的一端耦接?？梢酝ㄟ^使用例如二極管來實(shí)現(xiàn)存儲器單元210中包括的第一開關(guān)元件D11。讀取參考電壓發(fā)生器220包括被設(shè)計(jì)為與第一開關(guān)元件Dll相同的第二開關(guān)元件D12，并且檢測在第二開關(guān)元件D12或Dll中發(fā)生的歪斜。在本文中，因?yàn)橥ㄟ^檢測第二開關(guān)元件D12的兩端之間的電壓來檢測歪斜，所以讀取參考電壓發(fā)生器220可以被設(shè)計(jì)為調(diào)節(jié)器型。讀取參考電壓發(fā)生器220包括第二開關(guān)元件D12、電阻器單元R11、第一比較單元AMPll以及第一驅(qū)動單元PU。第二開關(guān)元件D12耦接在讀取參考電壓VREAD端與分壓(dividing voltage) (V_D12)端子之間并且被設(shè)計(jì)為與第一開關(guān)元件Dll相同。電阻器單元Rll耦接在分壓(V_D12)端子與低電源電壓(VSS)端子之間并且具有固定的電阻值。第一比較單元AMPll比較分壓(V_D12)與參考電壓VIN。第一驅(qū)動單元Pll響應(yīng)于從第一比較單元AMPll輸出的比較信號COMPll而用高電源電壓VDD來驅(qū)動讀取參考電壓(VREAD)端子。感測放大器230基于讀取參考電壓VREAD來感測流經(jīng)電阻可變元件GST的電流，并且基于參考電流IREF來將流經(jīng)電阻可變元件GST的電流的變化放大。感測放大器230包括第二比較單元AMP12、第二驅(qū)動單元P12、第三 驅(qū)動單元P13、電壓控制單元231以及輸出單元232。第二比較單元AMP12比較第一感測電壓(VSIO)與讀取參考電壓VREAD。第二驅(qū)動單元P12響應(yīng)于從第二比較單元AMP12輸出的第二比較信號C0MP12而用高電源電壓VDD來驅(qū)動第一感測電壓(VSIO)端子。第三驅(qū)動單元P13響應(yīng)于第二比較信號C0MP12而用高電源電壓VDD來驅(qū)動第二感測電壓(VSAI)端子。電壓控制單元231基于參考電流IREF來控制第二感測電壓(VSAI)端子的電壓電平。輸出單元232輸出第二感測電壓(VSAI)作為放大了的信號OUT。在本文中，第二比較單元AMP12起單位增益緩沖器的作用，并且第三驅(qū)動單元P13起電流倍增器的作用。第三驅(qū)動單元P13可以簡單地通過將晶體管調(diào)節(jié)為不同尺寸來起電流倍增器的作用。電壓控制單元231包括用于對參考電流IREF進(jìn)行鏡像的兩個NMOS晶體管Nll和NI 2。下文描述的是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的PCRAM器件200的操作。當(dāng)用于選擇存儲器單元210的使能信號EN和ENB被使能時，感測放大器230感測并放大儲存于存儲器單元210中的數(shù)據(jù)并輸出放大了的信號OUT。隨著第二比較單元AMP12和第二驅(qū)動單元P12快速地將第一感測電壓(VSIO)端子的電壓電平穩(wěn)定至讀取參考電壓VREAD，與電阻可變元件GST的電阻值相對應(yīng)的電流流經(jīng)第一感測電壓(VSIO)端子。流經(jīng)第二驅(qū)動單元P12和電阻可變元件GST的電流變得與流經(jīng)第一感測電壓(VSIO)端子的電流相同。在本文中，與流經(jīng)第二驅(qū)動單元P12的電流相對應(yīng)的電流流經(jīng)第三驅(qū)動單元P13。由于第三驅(qū)動單元P13是電流倍增器，所以被放大超過流經(jīng)第二驅(qū)動單元P12的電流的電流流經(jīng)第三驅(qū)動單元P13。因此，通過將流經(jīng)第三驅(qū)動單元P13的電流和流經(jīng)電壓控制單元231的參考電流IREF組合來確定第二感測電壓(VSAI)端子的電壓電平。即，當(dāng)流經(jīng)第三驅(qū)動單元P13的電流大于流經(jīng)電壓控制單元231的參考電流IREF時，第二感測電壓(VSAI)端子與高電源電壓(VDD)端子耦接。相反地，當(dāng)流經(jīng)電壓控制單元231的參考電流IREF大于流經(jīng)第三驅(qū)動單元P13的電流時，第二感測電壓(VSAI)端子與低電源電壓(VSS)端子耦接。在本文中，由以下式I來表示流經(jīng)電阻可變元件GST的電流。Igst= (VSI0-Vth_Dll)/RGST式 I其中“IesT”表示流經(jīng)電阻可變元件GST的電流；“Vth_Dll”表示在第一開關(guān)元件Dll的兩端之間的電壓；“ResT”表示電阻可變元件GST的電阻值。因此，當(dāng)確定第一感測電壓(VSIO)和在第一開關(guān)元件Dll的兩端之間的電壓Vth_Dll時，感測放大器230可以通過感測流經(jīng)電阻可變元件GST的電流IesT來感測電阻可變元件GST的電阻值的變化。此外，當(dāng)由于工藝和溫度的變化而在第一開關(guān)元件Dll中發(fā)生歪斜時，盡管電阻可變元件GST的電阻值與前述條件相同，但由于在第一開關(guān)元件Dll的兩端之間的電壓Vth_Dll的改變而使流經(jīng)第一開關(guān)元件Dll的電流IesT變化。可以由以下式2來表示。Igst= (VSIO-Vth_Dll-V_SKEff)/RGST式 2其中“V_SKEW”表示在第一開關(guān)元件Dll中發(fā)生的歪斜。當(dāng)歪斜V_SKEW在第一開關(guān)元件Dll中發(fā)生時，讀取參考電壓發(fā)生器220根據(jù)歪斜V_SKEW來改變讀取參考電壓VREAD。例如，當(dāng)電阻可變元件GST的兩端之間的電壓Vth_Dll與在第一開關(guān)元件Dll中發(fā)生的歪斜V_SKEW減少的一樣多時，讀取參考電壓發(fā)生器220檢測在第二開關(guān)元件D12中發(fā)生的歪斜V_SKEW并且基于檢測的結(jié)果來增加讀取參考電壓VREAD。在本文中，由于第二開關(guān)元件D12是被設(shè)計(jì)為與第一開關(guān)元件Dll相同的二極管，所以在第一開關(guān)元件Dll中發(fā) 生的相同歪斜V_SKEW也在第二開關(guān)元件D12中發(fā)生。因此，讀取參考電壓發(fā)生器220適應(yīng)性地輸出反映在第一開關(guān)元件Dll中發(fā)生的歪斜V_SKEW的結(jié)果。結(jié)果，感測放大器230根據(jù)增加了的讀取參考電壓VREAD來增加第一感測電壓(VSIO)端子的電壓電平。因此，隨著電阻可變元件GST的兩端的電壓增加，將流經(jīng)電阻可變元件GST的電流IesT補(bǔ)償至歪斜發(fā)生之前的電流電平。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，可以通過根據(jù)在第一開關(guān)元件Dll中發(fā)生的歪斜V_SKEW而控制輸入至感測放大器230中的讀取參考電壓VREAD，由此補(bǔ)償流經(jīng)電阻可變元件GST的電流的變化，來改善感測放大器230的感測余量。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，通過采用調(diào)節(jié)器法來改善感測速度。此外，盡管在存儲器單元所包括的開關(guān)中發(fā)生歪斜，但可以通過響應(yīng)于在開關(guān)中發(fā)生的歪斜而改變輸入至感測放大器中的參考電壓來將流經(jīng)存儲器單元路徑的電流保持在一致的電平。因此，可以通過調(diào)整輸入至感測放大器中的參考電壓并且由此基于歪斜的發(fā)生來補(bǔ)償流經(jīng)存儲器單元路徑的電流的變化，從而改進(jìn)感測放大器的感測余量。盡管已經(jīng)參照具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲器件，包括存儲器單元，所述存儲器單元包括電阻可變器件和用于控制流經(jīng)所述電阻可變器件的電流的開關(guān)單元；讀取參考電壓發(fā)生器，所述讀取參考電壓發(fā)生器被配置成根據(jù)在所述開關(guān)單元中發(fā)生的歪斜而產(chǎn)生參考電壓；以及感測放大器，所述感測放大器被配置成基于所述參考電壓來感測與流經(jīng)所述電阻可變器件的電流相對應(yīng)的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述讀取參考電壓發(fā)生器包括與所述第一開關(guān)單元相同的第二開關(guān)單元，并且所述讀取參考電壓發(fā)生器被配置成檢測在所述第二開關(guān)單元中發(fā)生的歪斜。
3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器件，其中，所述讀取參考電壓發(fā)生器被配置成檢測所述第二開關(guān)單元的兩端之間的電壓以產(chǎn)生檢測結(jié)果，并且基于所述檢測結(jié)果產(chǎn)生參考電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述開關(guān)單元包括二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述感測放大器被配置成基于參考電流來放大流經(jīng)所述電阻可變器件的電流的變化。
6.—種非易失性存儲器件,包括第一比較器，所述第一比較器被配置成比較第一感測電壓與第一參考電壓并產(chǎn)生第一比較信號；第一驅(qū)動器，所述第一驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第一比較信號而用第一電源電壓來驅(qū)動第一感測電壓端子；存儲器單元，所述存儲器單元耦接在所述第一感測電壓端子與第二電源電壓端子之間并且包括串聯(lián)耦接的電阻可變器件和第一開關(guān)；第二開關(guān)，所述第二開關(guān)耦接在第一參考電壓端子與分壓端子之間并且與所述第一開關(guān)相同；電阻器，所述電阻器經(jīng)由所述第二開關(guān)耦接至所述分壓端子并且耦接至所述第二電源電壓端子；第二比較器，所述第二比較器被配置成比較分壓與第二參考電壓并且產(chǎn)生第二比較信號；以及第二驅(qū)動器，所述第二驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第二比較信號而用所述第一電源電壓來驅(qū)動所述第一參考電壓端子。
7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一開關(guān)包括二極管。
8.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，還包括第三驅(qū)動器，所述第三驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第一比較信號而用所述第一電源電壓來驅(qū)動第二感測電壓端子；以及電壓控制器，所述電壓控制器被配置成基于參考電流來控制所述第二感測電壓端子的電壓電平。
9.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲器件，其中，所述第三驅(qū)動器包括電流倍增器。
10.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲器件，其中，所述電壓控制器具有用于在所述第二感測電壓端子與所述第二電源電壓端子之間鏡像所述參考電流的結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，還包括開關(guān)單元，所述開關(guān)單元被配置成響應(yīng)于用于選擇所述存儲器單元的使能信號而選擇性地將所述第一感測電壓端子與所述存儲器單元的一端耦接。
12.—種非易失性存儲器件，包括第一比較器，所述第一比較器被配置成比較第一感測電壓與第一參考電壓并產(chǎn)生第一比較信號；第一驅(qū)動器，所述第一驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第一比較信號而用第一電源電壓來驅(qū)動第一感測電壓端子；存儲器單元，所述存儲器單元耦接在所述第一感測電壓端子與第二電源電壓端子之間并且包括串聯(lián)耦接的電阻可變器件和開關(guān)；第二驅(qū)動器，所述第二驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第一比較信號而用所述第一電源電壓來驅(qū)動第二感測電壓端子；以及電壓控制器，所述電壓控制器被配置成基于參考電流來控制所述第二感測電壓端子的電壓電平。
13.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一參考電壓按照在所述開關(guān)中發(fā)生的歪斜而適應(yīng)性地確定的。
14.如權(quán)利要求13所述的非易失性存儲器件，還包括第二開關(guān)，所述第二開關(guān)耦接在第一參考電壓端子與分壓端子之間并且與所述第一開關(guān)相同；電阻器，所述電阻器經(jīng)由所述第二開關(guān)而耦接至所述分壓端子并且耦接至所述第二電源電壓端子；第二比較器，所述第二比較器被配置成比較分壓與第二參考電壓并產(chǎn)生第二比較信號；以及第三驅(qū)動器，所述第三驅(qū)動器被配置成響應(yīng)于所述第二比較信號而用所述第一電源電壓來驅(qū)動所述第一參考電壓端子。
15.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一開關(guān)包括二極管。
16.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲器件，還包括開關(guān)單元，所述開關(guān)單元被配置成響應(yīng)于用于選擇所述存儲器單元的使能信號而選擇性地將所述第一感測電壓端子與所述存儲器單元的一端耦接。
17.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲器件，其中，所述第二驅(qū)動器包括電流倍增器。
18.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲器件，其中，所述電壓控制器具有用于在所述第二感測電壓端子與所述第二電源電壓端子之間鏡像所述參考電流的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種非易失性存儲器件包括存儲器單元，所述存儲器單元包括電阻可變器件和用于控制流經(jīng)所述電阻可變器件的電流的開關(guān)單元；讀取參考電壓發(fā)生器，所述讀取參考電壓發(fā)生器被配置成根據(jù)在所述開關(guān)單元中發(fā)生的歪斜而產(chǎn)生參考電壓；以及感測放大器，所述感測放大器被配置成基于所述參考電壓來感測對應(yīng)于流經(jīng)所述電阻可變器件的電流的電壓。
文檔編號G11C16/26GK103000225SQ20121013757
公開日2013年3月27日 申請日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月19日
發(fā)明者任爀祥, 金光錫, 宋澤相, 樸哲賢 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司