專利名稱：包含電阻性存儲器元件的多端口非易失性存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及多端口存儲器。
背景技術(shù)：
技術(shù)上的進步已產(chǎn)生體積更小且能力更強的計算裝置。舉例來說，當前存在多種便攜式個人計算裝置，包含無線計算裝置，例如無線電話、個人數(shù)字助理(PDA)和尋呼裝置，所述裝置體積小、重量輕且易于由用戶攜帶。更具體來說，無線電話(例如蜂窩式電話和因特網(wǎng)協(xié)議(IP)電話)可經(jīng)由無線網(wǎng)絡(luò)傳送語音和數(shù)據(jù)包。此外，許多此類無線電話包含并入于其中的其它類型的裝置。舉例來說，無線電話還可包含數(shù)字靜態(tài)相機、數(shù)字視頻相機、數(shù)字記錄器和音頻文件播放器。而且，此類無線電話可處理可執(zhí)行指令，包含軟件應(yīng)用程序，例如可用以接入因特網(wǎng)的網(wǎng)頁瀏覽器應(yīng)用程序。因而，這些無線電話可包含顯著的計算能力。 可經(jīng)由在隨機存取存儲器(RAM)單元中使用多個端口來增加處理器的計算能力。多個端口使多個代理能夠通過將多個讀取和寫入存取機制提供到存儲器來同時進行讀取和寫入。舉例來說，在中央處理單元(CPU)系統(tǒng)中，多個代理可嘗試在同一處理器時鐘循環(huán)中存取寄存器堆中的位。在多個端口的情況下，在第一代理能夠進行讀取操作之前，第一代理無需等待第二代理完成讀取操作。使兩個代理能夠經(jīng)由不同端口來存取存儲器使多端口RAM能夠提供更快的存取時間且減小存儲器等待時間。將多個端口添加到RAM裝置的每一存儲器單元會增加裝置的大小和復(fù)雜性。由添加額外端口引起的大小增加可取決于存儲器裝置的類型。舉例來說，將額外寫入端口添加到單端口靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)單元以形成雙端口 SRAM單元通常涉及額外電路。較大存儲器單元的操作消耗額外功率且產(chǎn)生額外熱。在許多電子裝置中，額外功率是不利的。

發(fā)明內(nèi)容
在一特定實施例中，揭示一種多端口磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)裝置，其具有比標準多端口 SRAM裝置小的大小。除多端口單元的大小有所減小的優(yōu)點以外，多端口 MRAM裝置還包含非易失性存儲器，其使得能夠使用瞬間接通架構(gòu)。在一特定實施例中，揭示一種多端口非易失性存儲器裝置，其包含電阻性存儲器單元和耦合到所述電阻性存儲器單元的多個端口。在另一特定實施例中，揭不一種方法，其包含對第一存儲器單兀執(zhí)行第一存儲器操作，同時對第二存儲器單元執(zhí)行第二存儲器操作。第一存儲器操作是經(jīng)由第一端口且第二存儲器操作是經(jīng)由第二端口。第一存儲器單元包含第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)且第二存儲器單元包含第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)。第一存儲器單元和第二存儲器單元各自可經(jīng)由第一端口和第二端口來存取。在另一特定實施例中，揭示一種多端口非易失性存儲器，其包含存儲器陣列，所述存儲器陣列包含多個存儲器單元。所述多端口非易失性存儲器還包含耦合到所述存儲器陣列的多個端口。所述多個存儲器單元中的至少一者包含電阻性存儲器元件。所述多個端口中的每一者可操作以存取所述存儲器單元中的任一者。所述多個端口中的至少兩者可同時用以執(zhí)行存儲器操作。在另一特定實施例中，所述多端口非易失性存儲器包含存儲器陣列，所述存儲器陣列包含多個存儲器單元。所述多端口非易失性存儲器還包含耦合到所述存儲器陣列的多個端口。所述多個端口中的每一者可操作以存取所述存儲器單元中的任一者。所述多個端口中的至少兩者可同時用以執(zhí)行存儲器操作。所述端口中的至少一者是寫入端口。由所揭示的實施例中的至少一者提供的一個特定優(yōu)點是大小有所減小的多端口單元，其使得能夠使用瞬間接通架構(gòu)。在審閱完整的申請案之后，本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點和特征將變得顯而易見，完整的申請案包含以下章節(jié)


具體實施方式
和權(quán)利要求書。

圖I為一系統(tǒng)的特定說明性實施例的方框圖，所述系統(tǒng)包含具有存儲器單元的存儲器裝置，所述存儲器單元包含可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件；圖2為一系統(tǒng)的說明性實施例的圖，所述系統(tǒng)具有存儲器單元，所述存儲器單元包含可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件；圖3為一種操作存儲器單元的方法的特定說明性實施例的流程圖，所述存儲器單元包含可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件；圖4為無線通信裝置的特定實施例的方框圖，所述無線通信裝置包含具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元；以及圖5為說明與裝置一起使用的制造過程的數(shù)據(jù)流程圖，所述裝置包含具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元。
具體實施例方式圖I為一系統(tǒng)的第一實施例的圖且將其大體上標不為100,所述系統(tǒng)包含具有存儲器單元的存儲器裝置，所述存儲器單元包含可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件。系統(tǒng)100包含存儲器裝置101和端口數(shù)據(jù)選擇器130，端口數(shù)據(jù)選擇器130經(jīng)由第一端口116和第二端口 118而耦合到多個存儲器單元104。在一特定實施例中，存儲器裝置101可為存儲器陣列。多個存儲器單元104包含第一存儲器單元106和第二存儲器單元112。第一存儲器單元106包含第一電阻性存儲器元件110且第二存儲器單元112包含第二電阻性存儲器兀件114。在一特定實施例中，端口數(shù)據(jù)選擇器130經(jīng)配置以經(jīng)由第一端口 116和第二端口118對存儲器裝置101的存儲器單元106、112執(zhí)行存儲器操作。舉例來說，端口數(shù)據(jù)選擇器130可經(jīng)配置以經(jīng)由第一端口 116對第一存儲器單元106執(zhí)行第一存儲器操作119。作為另一實例，端口數(shù)據(jù)選擇器130可經(jīng)配置以經(jīng)由第二端口 118對第二存儲器單元112執(zhí)行第二存儲器操作120。在一特定實施例中，多個端口 116、118中的至少一者是讀取端口。多個端口 116、118中的至少一者可為寫入端口。在一特定實施例中，多個存儲器單元104響應(yīng)于經(jīng)由第一端口 116和第二端口 118所執(zhí)行的操作。舉例來說，多個存儲器單元104可執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作和數(shù)據(jù)讀取操作。每一端口 116、118可同時用以執(zhí)行所述操作。在一特定實施例中，多個端口 116、118中的至少兩者能夠同時用以執(zhí)行存儲器操作。舉例來說，第一存儲器單元106可經(jīng)由第一端口 116執(zhí)行第一存儲器操作119，同時第二存儲器單元112經(jīng)由第二端口 118執(zhí)行第二存儲器操作120。在一特定實施例中，多個存儲器單元104中的至少一個單元106、112經(jīng)配置以經(jīng)由第一端口 116和第二端口 118而被同時存取?；蛘?，每一存儲器單元106、112可經(jīng)配置以啟用一次對僅一個端口 116、118的存取?？山?jīng)由控制信號來確定端口控制存取。舉例來說，響應(yīng)于第一控制信號160，第一存儲器單元106可啟用經(jīng)由第一端口 116對第一電阻性存儲器元件110的存取且停用經(jīng)由第二端口 118對第一電阻性存儲器元件110的存取。作為另一實例，響應(yīng)于第二控制信號161，第二存儲器單元112可啟用經(jīng)由第二端口 118對第二電阻性存儲器元件114的存取且停用經(jīng)由第一端口 116對第二電阻性存儲器元件114的存取。在一特定實施例中，多個存儲器單元104可同時用以執(zhí)行不同操作。舉例來說，第 一存儲器單元106可執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作，同時第二存儲器單元112執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。多個存儲器單元104還可用以執(zhí)行相同類型的操作。舉例來說，第一存儲器單元106可執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作，同時第二存儲器單元112執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。作為另一實例，第一存儲器單元106與第二存儲器單元112兩者可執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作?？勺柚箤ν淮鎯ζ鲉卧獔?zhí)行多個操作。舉例來說，在第一存儲器單元106處的第一數(shù)據(jù)寫入操作期間，可阻止在第一存儲器單元106處的第二數(shù)據(jù)寫入操作。作為數(shù)據(jù)寫入操作的一部分，多個存儲器單元104可經(jīng)配置以存儲從端口數(shù)據(jù)選擇器130接收的數(shù)據(jù)。舉例來說，第一存儲器單元106可通過將第一電阻性存儲器元件110的第一電阻值設(shè)定為對應(yīng)于邏輯“O”或邏輯“I”值來存儲第一數(shù)據(jù)，且第二存儲器單元112可通過設(shè)定第二電阻性存儲器元件114的第二電阻值來存儲第二數(shù)據(jù)。在一特定實施例中，第一存儲器單元106響應(yīng)于數(shù)據(jù)讀取操作而產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)122。輸出數(shù)據(jù)122可對應(yīng)于多個存儲器單元104的特定電阻性元件110、114。舉例來說，輸出數(shù)據(jù)122可基于第一電阻性存儲器元件110的第一電阻值。作為另一實例，輸出數(shù)據(jù)122可基于第二電阻性存儲器元件114的第二電阻值。在一特定實施例中，存儲器裝置101為經(jīng)配置以使用自旋力矩轉(zhuǎn)移來寫入數(shù)據(jù)的磁阻式隨機存取存儲器(STT-MRAM)。存儲器裝置101可為單一寄存器堆，且第一存儲器單兀106和第二存儲器單兀112可各自對應(yīng)于所述單一寄存器堆內(nèi)的一位。舉例來說,第一存儲器單元108可經(jīng)配置以存儲第一狀態(tài)信息且第二存儲器單元112可經(jīng)配置以存儲第二狀態(tài)信息。在操作期間，多個存儲器單元104響應(yīng)于讀取操作和寫入操作。舉例來說，第一存儲器單元106可從端口數(shù)據(jù)選擇器130接收待存儲于第一電阻性存儲器元件110處的第一數(shù)據(jù)。響應(yīng)于接收第一數(shù)據(jù)，第一存儲器單元106可通過設(shè)定第一電阻性存儲器元件110的第一電阻值來存儲第一數(shù)據(jù)。在第一存儲器單元106的數(shù)據(jù)讀取操作期間，第一存儲器單元106可基于第一電阻性存儲器元件110的第一電阻值而產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)122。在一特定實施例中，第二存儲器單元112從端口數(shù)據(jù)選擇器130接收待存儲于第二存儲器單元112處的第二數(shù)據(jù)。響應(yīng)于接收第二數(shù)據(jù)，第二存儲器單元112可將第二數(shù)據(jù)存儲為第二電阻性存儲器元件114的第二電阻值。在第二存儲器單元112的讀取操作期間，第二存儲器單元112可基于第二電阻性存儲器元件114的第二電阻值而產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)122。在一特定實施例中，利用存儲器裝置101作為用于處理器的RAM。將狀態(tài)信息存儲于存儲器裝置101的電阻性存儲器元件110、114中使處理器能夠?qū)嵤┧查g接通架構(gòu)。在瞬間接通架構(gòu)的情況下，處理器具有對RAM中的狀態(tài)信息的直接存取權(quán)而不必將狀態(tài)信息加載到RAM中。非易失性存儲器(例如第一存儲器單元106和第二存儲器單元112)使得能夠?qū)⒋鎯ζ餮b置101斷電而不會丟失所存儲的狀態(tài)信息。將具有瞬間接通架構(gòu)的存儲器裝置101通電使處理器能夠存取所存儲的狀態(tài)信息而不必從充當非易失性存儲器的外部裝置加載狀態(tài)信息，因此減少利用處理器和存儲器裝置101的系統(tǒng)的啟動時間。參看圖2，其說明一系統(tǒng)的特定實施例的圖且將其大體上標示為200，所述系統(tǒng)具有包含可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的單元。系統(tǒng)200包含耦合到解碼器202 的存儲器單元206 ;以及端口數(shù)據(jù)選擇器230。存儲器單元206可為圖I的多個存儲器單元104中的一者(例如，第一存儲器單元106或第二存儲器單元112)且端口數(shù)據(jù)選擇器230可為圖I的端口數(shù)據(jù)選擇器130。存儲器單元206包含電阻性存儲器元件210。舉例來說，存儲器單元206可為電阻性存儲器，例如MRAM或STT-MRAM。存儲器單元206的電阻性存儲器元件210可為可通過多個端口存取的。多個端口使多個代理能夠存取同一電阻性存儲器元件(例如，電阻性存儲器元件210)。舉例來說，數(shù)據(jù)值可經(jīng)由第一端口 211而存儲于電阻性存儲器元件210處且可經(jīng)由第二端口 213而存儲于電阻性存儲器元件210處。在一特定實施例中，解碼器202經(jīng)配置以經(jīng)由字線(例如第一字線242和第二字線244)提供控制信號(例如，圖I的第一控制信號160或第二控制信號161)，以啟用對來自存儲器單元206的數(shù)據(jù)的讀取和寫入。解碼器202可經(jīng)配置以接收被引導(dǎo)到存儲器單元206的特定端口的輸入地址。舉例來說，輸入地址可為被引導(dǎo)到存儲器單元206的第二端口213的wp2_addreSS信號240。作為另一實例，輸入地址可為被引導(dǎo)到存儲器單元206的第一端口 211 的 wpl_address 信號 241。在一特定實施例中，解碼器202包含經(jīng)配置以基于對應(yīng)于輸入地址的端口來處理輸入地址的電路。舉例來說，可由解碼器202接收對應(yīng)于第二端口 213的wP2_address信號240。可在耦合到P2解碼器258的P2地址觸發(fā)器(address_f lop) 252處接收wp2_address信號240。在一特定實施例中，P2解碼器258為經(jīng)配置以響應(yīng)于從P2地址觸發(fā)器252接收到作為輸入的兩個高信號而輸出高信號的“與”門。P2解碼器258可經(jīng)配置以在字線(例如，第二字線244)上輸出所述高信號。作為另一實例，解碼器202可接收對應(yīng)于第一端口 211的wpl_address信號241?？稍隈詈系絇l解碼器260的Pl地址觸發(fā)器256處接收wpl_address信號241。在一特定實施例中，Pl解碼器260為經(jīng)配置以響應(yīng)于從Pl地址觸發(fā)器256接收到作為輸入的兩個高信號而輸出高信號的“與”門。Pl解碼器260可經(jīng)配置以在字線(例如，第一字線242)上輸出信號。在一特定實施例中，端口數(shù)據(jù)選擇器230經(jīng)配置以接收讀取/寫入(r/w)控制信號236。r/w控制信號236可指示存儲器單元206將在特定端口上執(zhí)行讀取操作還是寫入操作。舉例來說，r/w控制信號236可指示將在存儲器單元206的第一端口 211上執(zhí)行讀取操作。作為另一實例，r/w控制信號236可指示將在存儲器單元206的第二端口 213上執(zhí)行寫入操作。端口數(shù)據(jù)選擇器230可經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)以用于在寫入操作期間經(jīng)由存儲器單元206的端口來寫入數(shù)據(jù)。在一特定實施例中，輸入數(shù)據(jù)還指示待存儲的值。舉例來說，輸入數(shù)據(jù)可為指示將使用第一端口 211來寫入表示邏輯值I的數(shù)據(jù)值的wData_Pl信號238。作為另一實例，輸入數(shù)據(jù)可為指示將使用第二端口 213來寫入表示邏輯值O的數(shù)據(jù)值的wData_P2信號239。在一特定實施例中，端口數(shù)據(jù)選擇器230包含經(jīng)配置以處理讀取/寫入控制信號236且在寫入操作期間處理輸入數(shù)據(jù)(例如，wData_Pl信號238和wData_P2信號239)的電路。端口數(shù)據(jù)選擇器230電路可包含位線(BL)多路復(fù)用器290、感測線(SL)多路復(fù)用器291、BL與入電壓多路復(fù)用器293和SL與入電壓多路復(fù)用器294。盡管圖2為易于解釋而描繪用于處理存儲器單元206的第一端口 211的電路，但端口數(shù)據(jù)選擇器230包含用于存儲器單元206的每一端口的對應(yīng)的BL多路復(fù)用器、SL多路復(fù)用器、BL寫入電壓多路復(fù)用器和SL寫入電壓多路復(fù)用器。 BL多路復(fù)用器290與SL多路復(fù)用器291兩者可經(jīng)配置以接收讀取/寫入控制信號236。讀取/寫入控制信號236可確定BL多路復(fù)用器290和SL多路復(fù)用器291將用于讀取操作中還是寫入操作中。BL多路復(fù)用器290的輸出連接到對應(yīng)于第一端口 211的位線(例如，第一位線270)，且SL多路復(fù)用器291的輸出連接到對應(yīng)于第一端口 211的感測線(例如，第一感測線276)。響應(yīng)于接收到指示讀取操作的讀取/寫入控制信號236，BL多路復(fù)用器290可經(jīng)配置以在第一位線270上輸出.2V的電壓且SL多路復(fù)用器291可經(jīng)配置以在第一感測線276上輸出OV的電壓(例如，第一感測線276可耦合到接地)。響應(yīng)于指示寫入操作的讀取/寫入控制信號236，BL多路復(fù)用器290可經(jīng)配置以基于BL寫入電壓多路復(fù)用器293而將電壓輸出到第一位線270。在一特定實施例中，BL寫入電壓多路復(fù)用器293的輸出是基于端口數(shù)據(jù)選擇器230的輸入數(shù)據(jù)。舉例來說，wData_Pl信號238可指示邏輯“I”數(shù)據(jù)值將經(jīng)由第一端口 211而存儲于存儲器單元206中。在此狀況下，BL寫入電壓多路復(fù)用器293可經(jīng)配置以將I. 2V輸出到BL多路復(fù)用器290且SL寫入電壓多路復(fù)用器294可經(jīng)配置以將OV輸出到SL多路復(fù)用器291。在一特定實施例中，第一位線270上的I. 2V輸出和第一感測線276上的OV輸出導(dǎo)致邏輯“I”值的表示被存儲于存儲器單元206的電阻性元件210中。或者，wData_Pl信號238可指示邏輯“O”數(shù)據(jù)值將經(jīng)由第一端口 211而存儲于存儲器單元206中。在此狀況下，BL寫入電壓多路復(fù)用器293可經(jīng)配置以將OV輸出到BL多路復(fù)用器290且SL寫入電壓多路復(fù)用器294可經(jīng)配置以將I. 2V輸出到SL多路復(fù)用器291。在一特定實施例中，第一位線270上的OV輸出和第一感測線276上的I. 2V輸出導(dǎo)致邏輯“O”值的表示被存儲于存儲器單元206的電阻性元件210中。在一特定實施例中，存儲器單元206可包含經(jīng)配置以存儲第一數(shù)據(jù)表示的電阻性元件210。存儲器單元206可經(jīng)配置以使得能夠從電阻性元件210讀取第一數(shù)據(jù)表示。在一特定實施例中，存儲器單元206包含用以存儲和讀取存儲于電阻性元件210中的數(shù)據(jù)的電路。存儲器單元206可包含控制對電阻性元件210的存取的存取晶體管。存取晶體管可為(例如)雙極晶體管或場效應(yīng)晶體管且可配置為η型或P型。電阻性元件210可經(jīng)由第一端口 211或第二端口 213來存取。由第一組存取晶體管298控制經(jīng)由第一端口 211對電阻性元件210的存取。第一組存取晶體管298包含BL_P1存取晶體管280和SL_P1存取晶體管282。由第二組存取晶體管299控制經(jīng)由第二端口 213對電阻性元件210的存取。第二組存取晶體管299包含BL_P2存取晶體管281和SL_P2存取晶體管283。存儲器單元206的存取晶體管280到283連接到來自解碼器202的字線(例如，第一字線242和第二字線244)、位線(例如，第一位線270和第二位線272)和感測線(例如，第二感測線274和第一感測線276)。舉例來說，BL_P1存取晶體管280可從第一字線242和第一位線270接收信號。在一特定實施例中，BL_P1存取晶體管280可為包含源極、柵極和漏極的η型JFET。在此狀況下，BL_P1存取晶體管280可在柵極處從第一字線242接收信號且在源極處從第一位線270接收信號。BL_P1_T0存取晶體管280的漏極可連接到電阻性元件210。在一特定實施例中，SL_P1存取晶體管282的源極連接到電阻性元件210，柵極連接到第一字線242，且漏極連接到第一感測線276。^^_ 2存取晶體管281的源極連接到第二 位線272，柵極連接到第二字線244，且漏極連接到電阻性元件210。SL_P2存取晶體管283的源極連接到電阻性元件210，柵極連接到第二字線244且漏極連接到第二感測線274。在一特定實施例中，存取晶體管280到283控制對存儲器單元206的電阻性元件210的存取。舉例來說，通過接通BL_P1存取晶體管280與SL_P1存取晶體管282兩者來啟用經(jīng)由第一端口 211對電阻性元件210的存取。BL_P1存取晶體管280經(jīng)配置以通過經(jīng)由第一字線242從解碼器202接收信號而被接通。SL_P1存取晶體管282經(jīng)配置以通過經(jīng)由第一字線242接收信號而被接通。接通BL_P1存取晶體管280和SL_P1存取晶體管282可使電流能夠經(jīng)由存儲器單元206的第一端口 211從第一位線270流過電阻性元件210，流到第一感測線276。作為另一實例，通過接通BL_P2存取晶體管281和SL_P2存取晶體管283來啟用經(jīng)由第二端口 213對電阻性元件210的存取。BL_P2存取晶體管281經(jīng)配置以通過經(jīng)由第二字線244從解碼器202接收信號而被接通。SL_P2存取晶體管283經(jīng)配置以通過經(jīng)由第二字線244接收信號而被接通。接通BL_P2存取晶體管281和SL_P2存取晶體管283可使電流能夠經(jīng)由存儲器單元206的第二端口 213從第二位線272流過電阻性元件210，流到第二感測線274。在寫入操作期間，解碼器202可響應(yīng)于接收到輸入地址而產(chǎn)生輸出信號。所述輸出信號可基于由輸入地址指示的特定端口而被引導(dǎo)到特定字線。舉例來說，解碼器202可在Pl地址觸發(fā)器256處接收指示第一端口 211的wpl_address信號241。在一特定實施例中，Pl地址觸發(fā)器256的輸出在Pl解碼器260處產(chǎn)生輸出。響應(yīng)于從Pl地址觸發(fā)器256的輸出接收到高信號，Pl解碼器260可在第一字線242上產(chǎn)生高信號?？捎葿L_P1存取晶體管280和SL_P1存取晶體管282接收第一字線242上的高信號。在一特定實施例中，由端口數(shù)據(jù)選擇器230接收的讀取/寫入控制信號236指示將由存儲器單元206執(zhí)行寫入操作。端口數(shù)據(jù)選擇器230可接收在寫入操作期間將被寫入的輸入數(shù)據(jù)。響應(yīng)于指示寫入操作的讀取/寫入控制信號236，BL多路復(fù)用器290可經(jīng)配置以基于BL寫入電壓多路復(fù)用器293而將電壓輸出到第一位線270。在一特定實施例中，BL寫入電壓多路復(fù)用器293的輸出是基于端口數(shù)據(jù)選擇器230的輸入數(shù)據(jù)。舉例來說，wData_Pl信號238可指示邏輯“I”數(shù)據(jù)值將經(jīng)由第一端口 211而存儲于存儲器單元206中。在此狀況下，BL寫入電壓多路復(fù)用器293可將I. 2V輸出到BL多路復(fù)用器290且SL寫入電壓多路復(fù)用器294可將OV輸出到SL多路復(fù)用器291。在一特定實施例中，第一位線270上的I. 2V輸出和第一感測線276上的OV輸出導(dǎo)致邏輯“I”表示被存儲于存儲器單元206的電阻性元件210中?；蛘撸瑆Data_Pl信號238可指示OV的表示將經(jīng)由第一端口 211而存 儲于存儲器單元206中。在此狀況下，BL寫入電壓多路復(fù)用器293可經(jīng)配置以將OV輸出到BL多路復(fù)用器290且SL寫入電壓多路復(fù)用器294可經(jīng)配置以將I. 2V輸出到SL多路復(fù)用器291。第一位線270上的OV輸出和第一感測線276上的I. 2V輸出可導(dǎo)致邏輯“O”的表示被存儲于存儲器單元206的電阻性元件210 中。在一特定實施例中，電阻性元件210的電阻值指示將由存儲器單元206存儲的數(shù)據(jù)的表示。舉例來說，電阻性元件210可為包含按特定磁定向?qū)实母鲗拥拇判源┧斫Y(jié)(MTJ)。當電流通過所述層時，一個或一個以上層的磁矩的定向可改變，從而增加或減小MTJ的電阻。在一特定實施例中，在第一端口 211上的寫入操作期間，第一位線270具有第一電壓且第一感測線276具有第二電壓。第一電壓是否大于第二電壓可基于什么電阻值將被寫入到電阻性元件210中。舉例來說，端口數(shù)據(jù)選擇器230可向第一位線270提供I. 2V的電壓且向第一感測線276提供OV的電壓。在此狀況下，電流將從第一位線270流過電阻性元件210，流到第一感測線276，從而使MTJ的各層的至少兩個磁矩按平行定向?qū)省；蛘?，如果第一位線270的電壓為OV且第一感測線276的電壓為I. 2V，則電流可從第一感測線276流過電阻性元件210，流到第一位線270，從而使電阻性元件210的各層的至少兩個磁矩按反平行定向?qū)?。如果MTJ的各層的磁矩處于平行定向，則MTJ的電阻值小于在磁矩處于反平行定向的情況下的MTJ的電阻值。MTJ(例如，第一電阻性元件210)的小電阻值可與第一數(shù)據(jù)表示相對應(yīng)且MTJ的大電阻值可與第二數(shù)據(jù)表示相對應(yīng)。在讀取操作期間，解碼器202可響應(yīng)于接收到輸入地址而產(chǎn)生輸出信號。所述輸出信號可基于由輸入地址指示的特定端口而被引導(dǎo)到特定字線。舉例來說，解碼器202可在Pl地址觸發(fā)器256處接收wpl_address信號241。Pl地址觸發(fā)器256的輸出可在Pl解碼器260處產(chǎn)生輸出。響應(yīng)于從Pl地址觸發(fā)器256的輸出接收到高信號，Pl解碼器260可在第一字線242上產(chǎn)生高信號?？捎葿L_P1存取晶體管280和SL_P1存取晶體管282接收第一字線242上的高信號。在一特定實施例中，由端口數(shù)據(jù)選擇器230接收的讀取/寫入控制信號236指示將由存儲器單元206執(zhí)行讀取操作。響應(yīng)于指示讀取操作的讀取/寫入控制信號236，BL多路復(fù)用器290可經(jīng)配置以在第一位線270上輸出O. 2V的電壓且SL多路復(fù)用器291可經(jīng)配置以在第一感測線276上輸出OV的電壓。在一特定實施例中，第一位線270向BL_P1存取晶體管280提供.2V且第一感測線276向SL_P1存取晶體管282提供0V。在此狀況下，讀取電流從第一位線270流過電阻性元件210，流到第一感測線276。在一特定實施例中，連接到第一感測線276的傳感器電路將第一感測線276上的電流與參考電流進行比較以確定電阻性元件210的電阻值。舉例來說，大電流可指示小電阻值且小電流可指示大電阻值。在此狀況下，電阻性元件210的電阻值可充當電阻性元件210的所存儲元素的邏輯值的指示。如果MTJ(例如，電阻性元件210)的各層的磁矩處于平行定向，則檢測到的電阻將小于在磁矩處于反平行定向的情況下的電阻。舉例來說，大電阻值可表示邏輯值O且小電阻值可表示邏輯值I。 在一特定實施例中，利用存儲器單元206作為用于處理器的RAM單元。將狀態(tài)信息(例如，wData_Pl信號238和wData_P2信號239)作為電阻性值而存儲于存儲器單元206的電阻性存儲器元件210中使處理器能夠?qū)嵤┧查g接通架構(gòu)。在瞬間接通架構(gòu)的情況下，處理器具有對RAM中的狀態(tài)信息的直接存取權(quán)而不必將狀態(tài)信息加載到RAM中。電阻性存儲器元件使得存儲器單元206能夠斷電而不會丟失表示狀態(tài)信息的電阻性值。將存儲器單元206通電使處理器能夠存取所存儲的狀態(tài)信息而不必將狀態(tài)信息從充當非易失性存儲器的外部裝置加載到RAM中，因此減少利用存儲器單元206的系統(tǒng)的啟動時間。圖3為一種操作存儲器單元的方法300的第一實施例的流程圖，所述存儲器單元·包含可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件。在一特定實施例中，方法300由圖I和2的系統(tǒng)中的任一者或其任何組合來執(zhí)行。方法300包含在302處對第一存儲器單元執(zhí)行第一存儲器操作，同時對第二存儲器單元執(zhí)行第二存儲器操作。舉例來說，圖I的存儲器單元106可對第一存儲器單元106執(zhí)行第一存儲器操作119，同時對第二存儲器單元112執(zhí)行第二存儲器操作120。在方法300中，第一存儲器操作是經(jīng)由第一端口且第二存儲器操作是經(jīng)由第二端口。舉例來說，圖I的第一操作119可經(jīng)由第一端口 116且第二存儲器操作120可經(jīng)由第二端口 118。第一存儲器單元包含第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)且第二存儲器單元包含第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)。舉例來說，圖I的第一存儲器單元106包含第一電阻性存儲器元件110且第二存儲器單元112包含第二電阻性存儲器元件114。第一存儲器單元和第二存儲器單元各自可經(jīng)由第一端口和第二端口來存取。方法300任選地包含在304處響應(yīng)于第一控制信號而啟用經(jīng)由第一端口對第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由第二端口對第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取。舉例來說，圖I的第一存儲器單元106可響應(yīng)于第一控制信號160而啟用經(jīng)由第一端口 116對第一電阻性存儲器元件110的存取和停用經(jīng)由第二端口 118對第一電阻性存儲器元件110的存取。方法300還可包含在306處響應(yīng)于第二控制信號而啟用經(jīng)由第二端口對第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由第一端口對所述電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取。舉例來說，圖I的第二存儲器單元112可響應(yīng)于第二控制信號161而啟用經(jīng)由第二端口 118對第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)114的存取和停用經(jīng)由第一端口 116對第二電阻性存儲器元件114的存取。圖4為無線通信裝置400的實施例的方框圖，無線通信裝置400具有存儲器單元464，存儲器單元464具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件?？蓪o線通信裝置400實施為便攜式無線電子裝置，其包含耦合到存儲器432的處理器410 (例如數(shù)字信號處理器(DSP))。舉例來說，存儲器432可包含存儲可由計算機(例如，處理器410)執(zhí)行的指令(例如，軟件433)的計算機可讀有形媒體，所述指令包含由計算機執(zhí)行以執(zhí)行圖3的方法300的指令。在一說明性實例中，具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元464包含圖I到2的組件中的一者或一者以上，根據(jù)圖3的方法而操作，或上述情況的任何組合。具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元464可位于處理器410處或可為單獨的裝置。在一個實施例中，顯示器控制器426耦合到處理器410和顯示器裝置428。編碼器/解碼器(CODEC) 434也可耦合到處理器410。揚聲器436和麥克風438可耦合到C0DEC434。無線控制器440可耦合到處理器410和無線天線442。具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元464耦合到無線控制器440、C0DEC 434和顯示器控制器426。在一特定實施例中，具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元464經(jīng)配置以存儲與顯示器控制器426、C0DEC 434和無線控制器440中的至少一者相關(guān)的數(shù)據(jù)。具有可通過多個端口存取的電阻性存儲器元件的存儲器單元464可經(jīng)配置以與處理器410在瞬間接通架構(gòu)中操作。在一特定實施例中，信號處理器410、顯示器控制器426、存儲器432、C0DEC 434和無線控制器440包含于系統(tǒng)級封裝或系統(tǒng)上芯片裝置422中。在一特定實施例中，輸入裝置430和電力供應(yīng)器444耦合到系統(tǒng)上芯片裝置422。此外，在一特定實施例中，如圖4中所說明，顯示器裝置428、輸入裝置430、揚聲器436、麥克風438、無線天線442和電力供應(yīng) 器444在系統(tǒng)上芯片裝置422外部。然而，顯示器裝置428、輸入裝置430、揚聲器436、麥克風438、無線天線442和電力供應(yīng)器444中的每一者可耦合到系統(tǒng)上芯片裝置422的組件(例如接口或控制器)。在另一特定實施例中，可將圖4的系統(tǒng)400集成到一個或一個以上電子裝置中。作為一說明性、非限制性實例，所述一個或一個以上電子裝置可選自以下各者的群組機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。作為另一說明性、非限制性實例，所述一個或一個以上電子裝置可為遠程單元，例如，移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(例如，個人數(shù)據(jù)助理(PDA))、具備全球定位系統(tǒng)(GPS)功能的裝置、導(dǎo)航裝置、固定位置數(shù)據(jù)單元(例如，儀表讀取設(shè)備)、任何其它電子裝置，或其任何組合。本發(fā)明并不限于這些示范性單元。本發(fā)明的實施例可合適地用于包含有源集成電路(包含存儲器和電路)的任何裝置中?？蓪⑸衔乃沂镜难b置和功能性設(shè)計和配置成存儲于計算機可讀媒體上的計算機文件(例如，RTL、⑶SII、GERBER等)中?？蓪⒁恍┗蛩写诵┪募峁┑街圃焯幹脵C，制造處置機基于此些文件來制造裝置。所得產(chǎn)品包含半導(dǎo)體晶片，接著將其切割成半導(dǎo)體裸片且封裝到半導(dǎo)體芯片中。接著將所述芯片用于上文所描述的裝置中。圖5描繪電子裝置制造過程500的特定說明性實施例。在制造過程500處(例如在研究計算機506處)接收物理裝置信息502。物理裝置信息502可包含表示半導(dǎo)體裝置(例如，圖I的系統(tǒng)100、圖2的系統(tǒng)200或其任何組合)的至少一個物理性質(zhì)的設(shè)計信息。舉例來說，物理裝置信息502可包含經(jīng)由耦合到研究計算機506的用戶接口 504而輸入的物理參數(shù)、材料特性和結(jié)構(gòu)信息。研究計算機506包含耦合到計算機可讀媒體(例如，存儲器510)的處理器508 (例如，一個或一個以上處理核心)。存儲器510可存儲計算機可讀指令，所述計算機可讀指令是可執(zhí)行的，以致使處理器508將物理裝置信息502轉(zhuǎn)變?yōu)樽裾瘴募袷角耶a(chǎn)生庫文件512。在一特定實施例中，庫文件512包含至少一個數(shù)據(jù)文件，所述至少一個數(shù)據(jù)文件包含經(jīng)轉(zhuǎn)變的設(shè)計信息。舉例來說，庫文件512可包含半導(dǎo)體裝置的庫，所述半導(dǎo)體裝置包含包含圖I的存儲器單元106的裝置(例如，圖I的系統(tǒng)100);包含圖2的存儲器單元206的裝置(例如，圖2的系統(tǒng)200);或其任何組合，所述庫經(jīng)提供以與電子設(shè)計自動化(EDA)工具520 —起使用。可在設(shè)計計算機514處將庫文件512與EDA工具520結(jié)合使用，設(shè)計計算機514包含耦合到存儲器518的處理器516，例如，一個或一個以上處理核心。EDA工具520可作為處理器可執(zhí)行指令而存儲于存儲器518處，以使設(shè)計計算機514的用戶能夠設(shè)計庫文件512的電路，所述電路包含包含圖I的存儲器單元106的裝置(例如，圖I的系統(tǒng)100);包含圖2的存儲器單元206的裝置(例如，圖2的系統(tǒng)200);或其任何組合。舉例來說，設(shè)計計算機514的用戶可經(jīng)由耦合到設(shè)計計算機514的用戶接口 524而輸入電路設(shè)計信息522。電路設(shè)計信息522可包含表示半導(dǎo)體裝置(例如，包含圖I的存儲器單元106的裝置(例如，圖I的系統(tǒng)100)、包含圖2的存儲器單元206的裝置(例如，圖2的系統(tǒng)200)或其任何組合)的至少一個物理性質(zhì)的設(shè)計信息。為進行說明，電路設(shè)計性質(zhì)可包含特定電路的識別和與電路設(shè)計中的其它元件的關(guān)系、定位信息、特征大小信息、互連信息，或表示半導(dǎo)體裝置的物理性質(zhì)的其它信息。 設(shè)計計算機514可經(jīng)配置以轉(zhuǎn)變設(shè)計信息(包含電路設(shè)計信息522)以遵照文件格式。為進行說明，文件形式可包含以分層格式表示平面幾何形狀、文本標記和關(guān)于電路布局的其它信息的數(shù)據(jù)庫二進制文件格式，例如，圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式。設(shè)計計算機514可經(jīng)配置以產(chǎn)生包含經(jīng)轉(zhuǎn)變的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，例如，包含描述以下各者的信息以及其它電路或信息的GDSII文件526 :圖I的存儲器單元106、圖2的存儲器單元206或其任何組合。為進行說明，數(shù)據(jù)文件可包含對應(yīng)于系統(tǒng)上芯片(SOC)的信息，所述SOC包含圖I的存儲器單元106且還包含SOC內(nèi)的額外電子電路和組件?？稍谥谱鬟^程528處接收⑶SII文件526，以根據(jù)⑶SII文件526中的經(jīng)轉(zhuǎn)變的信息來制造圖I的存儲器單元106、圖2的存儲器單元206或其任何組合。舉例來說，裝置制造過程可包含將⑶SII文件526提供到掩模制造商530以產(chǎn)生被說明為代表性掩模532的一個或一個以上掩模，例如，與光刻處理一起使用的掩模。可在制作過程期間使用掩模532來產(chǎn)生一個或一個以上晶片534，可測試一個或一個以上晶片534且將其分離為若干裸片，例如，代表性裸片536。裸片536包含電路，所述電路包含包含圖I的存儲器單元106的裝置(例如，圖I的系統(tǒng)100);包含圖2的存儲器單元206的裝置(例如，圖2的系統(tǒng)200)；或其任何組合?？蓪⒙闫?36提供到封裝過程538，在封裝過程538中，將裸片536并入到代表性封裝540中。舉例來說，封裝540可包含單一裸片536或多個裸片，例如，系統(tǒng)級封裝(SiP)布置。封裝540可經(jīng)配置以符合一種或一種以上標準或規(guī)范，例如，聯(lián)合電子裝置工程設(shè)計協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)標準。可將關(guān)于封裝540的信息(例如，經(jīng)由存儲于計算機546處的組件庫)分布給各產(chǎn)品設(shè)計者。計算機546可包含耦合到存儲器550的處理器548，例如，一個或一個以上處理核心。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令而存儲于存儲器550處，以處理經(jīng)由用戶接口 544從計算機546的用戶接收到的PCB設(shè)計信息542。PCB設(shè)計信息542可包含電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息，所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于封裝540，封裝540包含圖I的存儲器單元106、圖2的存儲器單元206或其任何組合。
計算機546可經(jīng)配置以轉(zhuǎn)變PCB設(shè)計信息542以產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件，例如GERBER文件552，其具有包含電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息以及電連接(例如，跡線和通孔)的布局的數(shù)據(jù)，其中所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于封裝540，封裝540包含圖I的存儲器單元106、圖2的存儲器單元206或其任何組合。在其它實施例中，通過經(jīng)轉(zhuǎn)變的PCB設(shè)計信息所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)文件可具有不同于GERBER格式的格式?？稍诎褰M裝過程554處接收GERBER文件552且使用GERBER文件552來產(chǎn)生根據(jù)存儲于GERBER文件552內(nèi)的設(shè)計信息所制造的PCB，例如，代表性PCB 556。舉例來說，可將GERBER文件552上載到一個或一個以上機器以執(zhí)行PCB生產(chǎn)過程的各種步驟。PCB 556可填有包含封裝540的電子組件以形成代表性印刷電路組合件(PCA) 558。可在產(chǎn)品制造過程560處接收PCA 558且將PCA 558集成到一個或一個以上電子裝置(例如，第一代表性電子裝置562和第二代表性電子裝置564)中。作為一說明性、非限制性實例，第一代表性電子裝置562、第二代表性電子裝置564或兩 者可選自以下各者的群組機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，至少一個可控耗能模塊被集成到第一代表性電子裝置562、第二代表性電子裝置564或兩者中。作為另一說明性、非限制性實例，電子裝置562和564中的一者或一者以上可為遠程單元，例如，移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(例如，個人數(shù)據(jù)助理)、具備全球定位系統(tǒng)(GPS)功能的裝置、導(dǎo)航裝置、固定位置數(shù)據(jù)單元(例如，儀表讀取設(shè)備)，或存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其它裝置，或其任何組合。雖然圖5說明根據(jù)本發(fā)明的教示的遠程單元，但本發(fā)明并不限于這些示范性所說明單元。本發(fā)明的實施例可合適地用于包含有源集成電路(包含存儲器和芯片上電路)的任何裝置中。如說明性過程500中所描述，包含圖I的存儲器單元106的裝置(例如，圖I的系統(tǒng)100)、包含圖2的存儲器單元206的裝置(例如，圖2的系統(tǒng)200)或其任何組合可被制造、處理且并入到電子裝置中。關(guān)于圖I到2所揭示的實施例的一個或一個以上方面可包含于各種處理階段處(例如，包含于庫文件512、⑶SII文件526和GERBER文件552內(nèi))，以及存儲于研究計算機506的存儲器510、設(shè)計計算機514的存儲器518、計算機546的存儲器550、在各種階段(例如，在板組裝過程554)處使用的一個或一個以上其它計算機或處理器(未圖示)的存儲器處，且還并入到一個或一個以上其它物理實施例(例如，掩模532、裸片536、封裝540、PCA 558、例如原型電路或裝置(未圖示)的其它產(chǎn)品，或其任何組合)中。雖然描繪了從物理裝置設(shè)計到最終產(chǎn)品的各種代表性生產(chǎn)階段，但在其它實施例中，可使用較少階段或可包含額外階段。類似地，可通過單一實體，或通過執(zhí)行過程500的各個階段的一個或一個以上實體，來執(zhí)行過程500。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)進一步了解，結(jié)合本文中所揭示的實施例而描述的各種說明性邏輯塊、配置、模塊、電路和方法步驟可實施為電子硬件、由處理單元執(zhí)行的計算機軟件或兩者的組合。上文已大體上在功能性方面描述了各種說明性元件、塊、配置、模塊、電路和步驟。將此功能性實施為硬件還是可執(zhí)行的處理指令取決于特定應(yīng)用和強加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對每一特定應(yīng)用以不同方式實施所描述的功能性，但此些實施決策不應(yīng)被解釋為會導(dǎo)致脫離本發(fā)明的范圍。軟件模塊可駐留于隨機存取存儲器(RAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、自旋力矩轉(zhuǎn)移MRAM(STT-MRAM)、快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、寄存器、硬盤、可裝卸盤、壓縮光盤只讀存儲器(CD-ROM)或此項技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲媒體中。示范性存儲媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲媒體讀取信息和將信息寫入到存儲媒體。在替代方案中，存儲媒體可與處理器成一體。處理器和存儲媒體可駐留于專用集成電路(ASIC)中。ASIC可駐留于計算裝置或用戶終端中。在替代方案中，處理器和存儲媒體可作為離散組件而駐留于計算裝置或用戶終端中。提供對所揭示的實施例的先前描述以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制造或使用所揭示的實施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明白對這些實施例的各種修改，且在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可將本文中所界定的原理應(yīng)用于其它實施例。因此，本 發(fā)明無意限于本文中所展示的實施例，而是將賦予本發(fā)明與所附權(quán)利要求書所界定的原理和新穎特征一致的可能的最廣范圍。
權(quán)利要求
1.一種多端口非易失性存儲器裝置，其包括 電阻性存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述電阻性存儲器單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述多個端口中的至少一者是讀取端口。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述多個端口中的至少一者是寫入端口。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述多端口非易失性存儲器裝置是STT-MRAM。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述電阻性存儲器單元包括 電阻性存儲器元件； 第一組存取晶體管，其經(jīng)配置以選擇性地啟用經(jīng)由第一端口對所述電阻性存儲器元件的存?。灰约? 第二組存取晶體管，其經(jīng)配置以選擇性地啟用經(jīng)由第二端口對所述電阻性存儲器元件的存取。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第一組存取晶體管響應(yīng)于對應(yīng)于所述第一端口的第一字線，且其中所述第二組存取晶體管響應(yīng)于對應(yīng)于所述第二端口的第二字線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第一組存取晶體管經(jīng)配置以將所述電阻性存儲器元件選擇性地耦合在對應(yīng)于所述第一端口的第一位線與第一感測線之間，且其中所述第二組存取晶體管經(jīng)配置以將所述電阻性存儲器元件選擇性地耦合在對應(yīng)于所述第二端口的第二位線與第二感測線之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其集成于至少一個半導(dǎo)體裸片中。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其進一步包括選自由以下各者組成的群組的裝置機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，所述存儲器裝置集成到所述裝置中。
10.一種系統(tǒng),其包括 中央處理單元CPU ;以及 多端口存儲器，其耦合到所述CPU以啟用所述CPU的瞬間接通能力。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述多端口存儲器包括多個非易失性存儲器單元。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述多個非易失性存儲器單元中的至少一個單元經(jīng)配置以經(jīng)由第一端口和經(jīng)由第二端口被同時存取。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述多端口存儲器是包括多端口自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機存取存儲器STT-MRAM單元的寄存器堆。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其集成于至少一個半導(dǎo)體裸片中。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其進一步包括選自由以下各者組成的群組的裝置機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，所述存儲器裝置集成到所述裝置中。
16.一種存取多端口非易失性存儲器裝置的方法，所述方法包括 對第一存儲器單元執(zhí)行第一存儲器操作，同時對第二存儲器單元執(zhí)行第二存儲器操作； 其中所述第一存儲器操作是經(jīng)由第一端口且所述第二存儲器操作是經(jīng)由第二端口 ；且其中所述第一存儲器單元包含第一非易失性存儲器，所述第一非易失性存儲器包含第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)，且其中所述第二存儲器單元包含第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)，所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元各自可經(jīng)由所述第一端口和經(jīng)由所述第二端口來存取。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其進一步包括 響應(yīng)于第一控制信號而啟用經(jīng)由所述第一端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由所述第二端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存?。灰约?響應(yīng)于第二控制信號而啟用經(jīng)由所述第二端口對所述第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由所述第一端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一存儲器操作是數(shù)據(jù)寫入操作，且其中所述第二存儲器操作是數(shù)據(jù)讀取操作。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一存儲器操作和所述第二存儲器操作是數(shù)據(jù)讀取操作。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述第一存儲器單元處的第一數(shù)據(jù)寫入操作期間阻止在所述第一存儲器單元處的第二數(shù)據(jù)寫入操作。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一存儲器單元包括電阻性存儲器元件，所述電阻性存儲器元件經(jīng)由第一存取晶體管而耦合到第一位線且經(jīng)由第二存取晶體管而耦合到第一源極線，所述電阻性存儲器元件進一步經(jīng)由第三存取晶體管而耦合到第二位線且經(jīng)由第四存取晶體管而耦合到第二源極線。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述電阻性存儲器元件包含磁性隧道結(jié)MTJ。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中在集成到電子裝置中的處理器處執(zhí)行對所述第一存儲器操作的所述執(zhí)行。
24.一種多端口非易失性存儲器裝置，其包括 存儲器陣列，其包含多個存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述存儲器陣列； 其中所述多個存儲器單元中的至少一者包含電阻性存儲器元件； 其中所述多個端口中的每一者可操作以存取所述存儲器單元中的任一者；且 其中所述多個端口中的至少兩者可同時用以執(zhí)行存儲器操作。
25.一種多端口非易失性存儲器裝置，其包括 存儲器陣列，其包含多個存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述存儲器陣列； 其中所述多個端口中的每一者可操作以存取所述存儲器單元中的任一者；且其中所述多個端口中的至少兩者可同時用以執(zhí)行存儲器操作，其中所述端口中的至少一者是寫入端口。
26.—種設(shè)備,其包括 用于將數(shù)據(jù)值存儲于電阻性存儲器元件處的裝置； 用于經(jīng)由第一端口來存取所述用于存儲的裝置的第一裝置；以及 用于經(jīng)由第二端口來存取所述用于存儲的裝置的第二裝置。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其集成于至少一個半導(dǎo)體裸片中。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其進一步包括選自由以下各者組成的群組的裝置機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，所述存儲器裝置集成到所述裝置中。
29.—種方法,其包括 第一步驟，其用于對第一存儲器單元執(zhí)行第一存儲器操作，同時對第二存儲器單元執(zhí)行第二存儲器操作； 其中所述第一存儲器操作是經(jīng)由第一端口且所述第二存儲器操作是經(jīng)由第二端口； 其中所述第一存儲器單元包含第一非易失性存儲器，所述第一非易失性存儲器包含第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)，且其中所述第二存儲器單元包含第二非易失性電阻性存儲器結(jié)構(gòu)，所述第一單元和所述第二存儲器單元各自可經(jīng)由所述第一端口和經(jīng)由所述第二端口來存?。? 第二步驟，其用于響應(yīng)于第一控制信號而啟用經(jīng)由所述第一端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由所述第二端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取；以及第三步驟，其用于響應(yīng)于第二控制信號而啟用經(jīng)由所述第二端口對所述第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由所述第一端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中由集成到電子裝置中的處理器執(zhí)行所述第一步驟、所述第二步驟和所述第三步驟。
31.一種計算機可讀媒體，其存儲可由計算機執(zhí)行的指令，所述指令包括 可由所述計算機執(zhí)行以對第一存儲器單元執(zhí)行第一存儲器操作同時對第二存儲器單元執(zhí)行第二存儲器操作的指令； 其中所述第一存儲器操作是經(jīng)由第一端口且所述第二存儲器操作是經(jīng)由第二端口； 其中所述第一存儲器單元包含第一非易失性存儲器，所述第一非易失性存儲器包含第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)，且其中所述第二存儲器單元包含第二非易失性電阻性存儲器結(jié)構(gòu)，所述第一單元和所述第二存儲器單元各自可經(jīng)由所述第一端口和經(jīng)由所述第二端口來存取； 可由所述計算機執(zhí)行以響應(yīng)于第一控制信號而啟用經(jīng)由所述第一端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由所述第二端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取的指令；以及 可由所述計算機執(zhí)行以響應(yīng)于第二控制信號而啟用經(jīng)由所述第二端口對所述第二電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取和停用經(jīng)由所述第一端口對所述第一電阻性存儲器結(jié)構(gòu)的存取的指令。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的計算機可讀媒體，其中所述指令可由集成于裝置中的處理器執(zhí)行，所述裝置選自由以下各者組成的群組機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
33.一種方法,其包括 接收表示半導(dǎo)體裝置的至少一個物理性質(zhì)的設(shè)計信息，所述半導(dǎo)體裝置包含 電阻性存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述電阻性存儲器單元； 轉(zhuǎn)變所述設(shè)計信息以遵照文件格式；以及 產(chǎn)生包含所述經(jīng)轉(zhuǎn)變的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件包含GDSII格式。
35.一種方法,其包括 接收包含對應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件；以及 根據(jù)所述設(shè)計信息來制造所述半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包含 電阻性存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述電阻性存儲器單元。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GDSII格式。
37.一種方法，其包括 接收設(shè)計信息，所述設(shè)計信息包含電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息，所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包含半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括 電阻性存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述電阻性存儲器單元；以及 轉(zhuǎn)變所述設(shè)計信息以產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GERBER格式。
39.一種方法,其包括 接收包含設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，所述設(shè)計信息包含電路板上的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息；以及 根據(jù)所述設(shè)計信息來制造所述電路板，所述電路板經(jīng)配置以接納所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置，其中所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包括 電阻性存儲器單元；以及 多個端口，其耦合到所述電阻性存儲器單元。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GERBER格式。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其進一步包括將所述電路板集成到裝置中，所述裝置選自由以下各者組成的群組機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用以存取包含電阻性存儲器元件的多端口非易失性存儲器的系統(tǒng)和方法。在一特定實施例中，揭示一種多端口非易失性存儲器裝置，其包含電阻性存儲器單元和耦合到所述電阻性存儲器單元的多個端口。
文檔編號G11C11/16GK102812517SQ201180014924
公開日2012年12月5日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者哈里·M·拉奧, 金正丕 申請人:高通股份有限公司