專利名稱：包括模式寄存器組的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法，更具體而言涉及一種包括模式寄存器組(mode register set)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件的操作中，通常使用寄存器組(舊)用于設(shè)置特定模式的操作。RS的例子包括模式寄存器組(MRS)和擴(kuò)展模式寄存器組(EMRS)。MRS和EMRS基于經(jīng)由地址引腳施加的MRS碼連同模式寄存器組命令一起將DRAM器件設(shè)置在特定的模式，且所建立的模式保持到直至沒(méi)有電源供應(yīng)給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件為止。圖1是說(shuō)明已知的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的MRS命令發(fā)生電路的框圖。參見(jiàn)圖1，MRS命令發(fā)生電路包括MRS模式信號(hào)發(fā)生器110、地址緩沖器120、MRS選擇信號(hào)發(fā)生器130和多個(gè)MRS命令發(fā)生器150A至150E。MRS模式信號(hào)發(fā)生器110可以通過(guò)將外部命令信號(hào)/CS、/RAS、/CAS和/WE譯碼來(lái)產(chǎn)生MRS模式信號(hào)MRSP。具體地，MRS模式信號(hào)發(fā)生器110可以產(chǎn)生脈沖寬度與時(shí)鐘信號(hào)CLK的脈沖寬度相同的MRS模式信號(hào)MRSP。MRS模式信號(hào)MRSP可以在所有的外部命令信號(hào)/CS、/RAS、/CAS和/WE都處在邏輯低電平的MRS模式下被使能。地址緩沖器120可以響應(yīng)于被使能的MRS模式信號(hào)MRSP而基于經(jīng)由地址緩沖器120中所包括的地址引腳AO至A12施加的第一 MRS碼A<0:12>來(lái)輸出用于產(chǎn)生多個(gè)MRS 命令匪RS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 和 TMRS_CMD<0:12> 的 MRS 源信號(hào) MREGKO 12>。MRS選擇信號(hào)發(fā)生器130可以響應(yīng)于被使能的MRS模式信號(hào)MRSP而基于經(jīng)由存儲(chǔ)體地址引腳BO至B2施加的第二 MRS碼ΒΑ<0:2>來(lái)產(chǎn)生用于選擇要設(shè)置的MRS模式的多個(gè)MRS 選擇信號(hào) NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3 和 TMRSP。如下表1所示，MRS選擇信號(hào)發(fā)生器130通過(guò)對(duì)施加給存儲(chǔ)體地址引腳BO至B2的第二 MRS碼BA<0 2>的邏輯值進(jìn)行邏輯組合和譯碼來(lái)產(chǎn)生用于設(shè)置擴(kuò)展模式寄存器的多個(gè)MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRS, EMRS2和EMRS3，并基于施加給第七地址引腳A7的MRS碼A<7>的邏輯值來(lái)產(chǎn)生用于測(cè)試模式設(shè)置命令的TMRS選擇信號(hào)TMRS。表1
NMRSEMRSEMRS2EMRS 3TMRSA<7>0不管不管不管1ΒΑ<0>01010BA<1>00110BA<2>00000MRS命令發(fā)生器150A至150E可以通過(guò)對(duì)MRS源信號(hào)MREGKO 12>和MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3和TMRSP進(jìn)行邏輯組合和譯碼來(lái)產(chǎn)生用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的 MRS 模式的 MRS 命令匪RS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<012>、TMRS_CMD<012>。為此，MRS命令發(fā)生器150A至150E可以包括匪RS命令發(fā)生器150A、EMRS命令發(fā)生器150B、EMRS2命令發(fā)生器150C、EMRS3命令發(fā)生器150D和TMRS命令發(fā)生器150E。匪RS命令匪RS_CMD<0:12>包括用于基于圖2所示的512MB雙數(shù)據(jù)速率2同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR2_SDRAM)的聯(lián)合電子設(shè)備工程學(xué)委員會(huì)(JEDEC)規(guī)范來(lái)設(shè)置NMRS的命令。圖2示出基于512MB DDR2 SDRAM器件的JEDEC規(guī)范的命令。用于設(shè)置NMRS的匪RS命令NMRS_CMD包括用于設(shè)置突發(fā)長(zhǎng)度、突發(fā)類型、操作模式和CAS潛伏時(shí)間(CAS latency)的碼。此外，指定地址引腳用于所述碼的建立。例如，地址引腳AO至A2被指定用于建立突發(fā)長(zhǎng)度，而地址引腳A3被指定用于建立突發(fā)類型BT。地址引腳A4至A6被指定用于建立CAS潛伏時(shí)間，而地址引腳A7至A12被指定用于接收包括測(cè)試模式碼TM、DLL復(fù)位碼DLL、寫入恢復(fù)碼WR和斷電碼PD的MRS碼，用于建立操作模式。同時(shí)，由于經(jīng)由地址引腳建立MRS，因此，經(jīng)由EMRS來(lái)設(shè)置地址引腳AO至A12未包括的模式。EMRS命令EMRS_CMD可以包括用于設(shè)置EMRS的數(shù)個(gè)命令，EMRS2命令EMRS2_CMD和EMRS3命令EMRS3_CMD可以分別包括用于設(shè)置EMRS2和EMRS3的數(shù)個(gè)命令。然而，根據(jù)已知技術(shù)，因?yàn)镹MRS命令發(fā)生器150A、EMRS命令發(fā)生器150B、EMRS2命令發(fā)生器150C、EMRS3命令發(fā)生器150D和TMRS命令發(fā)生器150E必須經(jīng)由已經(jīng)提供的地址引腳AO至A12來(lái)接收MRS碼，因此MRS命令發(fā)生器150A至150E被形成在外圍電路區(qū)中。為此，外圍電路區(qū)的密度變高且外圍電路區(qū)的尺寸變大，造成設(shè)計(jì)效率的不足。設(shè)置在外圍電路區(qū)中的MRS命令發(fā)生器150A至150E所產(chǎn)生的MRS命令NMRS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0:12>、EMRS3_CMD<0:12> 和 TMRS_CMD<0:12> 必須從外圍電路區(qū)傳送到在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部使用MRS命令的構(gòu)成元件。因此，需要從外圍電路區(qū)延伸到在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部使用MRS命令的構(gòu)成元件的數(shù)據(jù)線來(lái)傳送MRS命令NMRS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 禾口 TMRS_CMD<0 12>。近來(lái)，隨著設(shè)置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的模式數(shù)量的增加，MRS碼的數(shù)量也增加。由于可以預(yù)見(jiàn)到需要指定更多的地址引腳來(lái)接收更多的MRS碼，因此可以預(yù)見(jiàn)到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的尺寸增加，這導(dǎo)致單元容量的下降。此外，根據(jù)已知技術(shù)，每當(dāng)經(jīng)由地址引腳順序地輸入第一 MRS碼A<0:12>和第二MRS碼BA<0:2>時(shí)，應(yīng)當(dāng)將它們譯碼，這是非常繁瑣的。譯碼過(guò)程不僅使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的驅(qū)動(dòng)速率變差，而且還增加了功耗量。譯碼過(guò)程執(zhí)行的時(shí)間越長(zhǎng)，則功耗越多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件通過(guò)包括模式寄存器組而使它的外圍電路區(qū)減小。本發(fā)明的其他示例性實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件在不使用專門用于傳送MRS命令的數(shù)據(jù)線的情況下將MRS命令傳送到在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部中使用MRS命令的構(gòu)成元件。本發(fā)明的其他示例性實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括在不使用額外的地址引腳的情況下接收多個(gè)MRS命令的模式寄存器組。本發(fā)明的其他示例性實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括可以減少產(chǎn)生MRS命令所花費(fèi)的時(shí)間的模式寄存器組。本發(fā)明的其他示例性實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括可以具有增加的驅(qū)動(dòng)速率且降低電流消耗量的模式寄存器組。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括控制器，所述控制器被配置成在模式寄存器組(MRQ模式下產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)；數(shù)據(jù)緩沖器，所述數(shù)據(jù)緩沖器被配置成響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)而將經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤輸入的多個(gè)MRS碼緩沖并輸出；以及多個(gè)MRS命令發(fā)生器，所述多個(gè)MRS命令發(fā)生器被配置成經(jīng)由數(shù)據(jù)線接收從所述數(shù)據(jù)緩沖器輸出的所述MRS碼，并基于接收的所述MRS碼來(lái)產(chǎn)生多個(gè)MRS命令。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法包括以下步驟在模式寄存器組(MRQ模式下產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)；響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)而將經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤輸入的多個(gè)MRS碼緩沖并輸出；以及經(jīng)由數(shù)據(jù)線接收MRS碼并基于接收的所述MRS碼來(lái)產(chǎn)生多個(gè)MRS命令。


圖1是說(shuō)明已知的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的模式寄存器組(MRS)命令發(fā)生電路的框圖。圖2示出基于512MB雙數(shù)據(jù)速率2同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR2 SDRAM)器件的聯(lián)合電子設(shè)備工程學(xué)委員會(huì)(JEDEC)規(guī)范的命令。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的MRS命令發(fā)生電路的框圖。圖4是圖3所示的控制器的框圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)示例性實(shí)施例的在圖3中所示的MRS命令發(fā)生電路的輸入/輸出信號(hào)時(shí)序圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)示例性實(shí)施例的在圖3中所示的MRS命令發(fā)生電路的輸入/輸出信號(hào)時(shí)序圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所提出的實(shí)施例。確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了使本說(shuō)明書清楚且完整，并且將會(huì)向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本說(shuō)明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各個(gè)附圖和實(shí)施例中表示相同的部件。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的模式寄存器組(MRQ命令發(fā)生電路的框圖，圖4是圖3所示的控制器230的框圖。參見(jiàn)圖3，MRS命令發(fā)生電路包括MRS模式信號(hào)發(fā)生器210、延遲器220、控制器230、數(shù)據(jù)緩沖器250、MRS選擇信號(hào)發(fā)生器270、MRS源信號(hào)發(fā)生器觀0、以及多個(gè)MRS命令發(fā)生器^OA至四( 。MRS模式信號(hào)發(fā)生器210響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK而通過(guò)將外部命令信號(hào)/CS、/RAS,/CAS和/WE譯碼來(lái)產(chǎn)生MRS模式信號(hào)MRSP。具體而言，MRS模式信號(hào)發(fā)生器210可以產(chǎn)生脈沖寬度與時(shí)鐘信號(hào)CLK的脈沖寬度相同的MRS模式信號(hào)MRSP。MRS模式信號(hào)MRSP可以在所有的外部命令信號(hào)/CS、/RAS、/CAS和/WE都被禁止為邏輯低電平的MRS模式下被使能。延遲器220輸出延遲的MRS模式信號(hào)MRSP_D，所述延遲的MRS模式信號(hào)MRSP_D是通過(guò)將MRS模式信號(hào)發(fā)生器210中所產(chǎn)生的MRS模式信號(hào)MRSP延遲一定的延遲量而獲得的信號(hào)。延遲的MRS模式信號(hào)輸入至MRS命令發(fā)生器四(^至四( 。所述一定的延遲量與用以補(bǔ)償MRS模式信號(hào)MRSP從在MRS模式信號(hào)發(fā)生器210中產(chǎn)生的時(shí)刻開始直至MRS模式信號(hào)MRSP被傳送到MRS命令發(fā)生器^OA至^OE為止的傳輸延遲所需的量相等。也就是說(shuō)，所述一定的延遲量補(bǔ)償經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO和局部輸入/輸出線LIO傳送MRS模式信號(hào)MSRP所需的時(shí)間?？刂破?30接收經(jīng)由現(xiàn)有的地址引腳從外部傳送來(lái)的地址ADDR和從MRS模式信號(hào)發(fā)生器210傳送來(lái)的MRS模式信號(hào)MRSP，并產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB。數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB是用于控制數(shù)據(jù)緩沖器250是否經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ接收第一 MRS碼A<0 12>和第二 MRS碼BA<0 2>的信號(hào)。參見(jiàn)圖4，數(shù)據(jù)緩沖器250響應(yīng)于被使能為邏輯低電平的數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB而將經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ串行接收的第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>緩沖和并行化。由于第一 MRS碼A<0 12>是經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ接收的，因此即使MRS碼的數(shù)量增加也不需要增加地址引腳的數(shù)量。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的面積效率提高。此外，由于可以經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ接收多個(gè)MRS碼，因此可以產(chǎn)生各種MRS命令，且可以通過(guò)減少M(fèi)RS碼的接收時(shí)間和譯碼時(shí)間來(lái)減少用于產(chǎn)生MRS命令的時(shí)間。數(shù)據(jù)緩沖器250在數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB被使能時(shí)接收第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>，并在數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB被禁止時(shí)停止接收第一 MRS 碼 A<0 12> 和第二 MRS 碼 BA<0 2>。如上所述，MRS命令發(fā)生電路中所包括的數(shù)據(jù)緩沖器250可以減少在不接收第一MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>時(shí)所不必要消耗的電流量，這是因?yàn)橛糜诋a(chǎn)生MRS命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 和 TMRS_CMD<0 12>的第一 MRS碼A<0 12>和第二 MRS碼BA<0 2>僅在經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ被輸入時(shí)才被使能。數(shù)據(jù)緩沖器250執(zhí)行串行到并行的操作，以將串行接收的第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>并行化，并將并行碼加載到全局輸入/輸出線GIO上。MRS選擇信號(hào)發(fā)生器270響應(yīng)于被使能的MRS模式信號(hào)MRSP，經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO接收從數(shù)據(jù)緩沖器250輸出的第二 MRS碼BA<0 2>，產(chǎn)生用于選擇要設(shè)置的MRS模式的多個(gè)MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP, EMRSP2、EMRSP3和TMRSP，并經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO 輸出產(chǎn)生的 MRS 選擇信號(hào) NMRSP、EMRSP, EMRSP2、EMRSP3 和 TMRSP。MRS源信號(hào)發(fā)生器觀0響應(yīng)于被使能的MRS模式信號(hào)MRSP，經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO接收第一 MRS碼A<0:12>，產(chǎn)生MRS源信號(hào)MREGKO 12>，并經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO輸出產(chǎn)生的MRS源信號(hào)MREGKO 12>。MRS命令發(fā)生器^OA至^OE響應(yīng)于延遲的MRS模式信號(hào)MRSP_D而將MRS源信號(hào)MREGI<0:12>和經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO和局部輸入/輸出線LIO接收的MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3和TMRSP之中的相應(yīng)信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)、邏輯組合和譯碼。另外，MRS命令發(fā)生器^OA至^OE產(chǎn)生用于將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件設(shè)置在特定模式的MRS命令NMRS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 和 TMRS_CMD<0 12>，并將產(chǎn)生的 MRS 命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0:12>、EMRS3_CMD<0:12>和TMRS_CMD<0:12>傳送至在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部使用MRS命令的構(gòu)成元件。為此，MRS命令發(fā)生器^OA至^OE包括NMRS命令發(fā)生器^0A、EMRS命令發(fā)生器290B、EMRS2命令發(fā)生器290C、EMRS3命令發(fā)生器290D、以及TMRS命令發(fā)生器^0E。MRS命令發(fā)生器^OA至^OE不必密集地放置在外圍電路區(qū)的特定位置。而是，MRS命令發(fā)生器^OA至^OE可以放置在使用各個(gè)MRS命令的存儲(chǔ)塊中。因此，可以減小外圍電路區(qū)的尺寸。此外，由于MRS命令發(fā)生器^OA至^OE經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ接收多個(gè)MRS碼，因此，MRS命令發(fā)生器^OA至^OE可以基于接收的MRS碼來(lái)產(chǎn)生多種MRS命令。這里，由于MRS命令發(fā)生器^OA至^OE經(jīng)由已經(jīng)提供給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的全局輸入/輸出線GIO和局部輸入/輸出線LIO來(lái)接收MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP, EMRSP2、EMRSP3和TMRSP，并且經(jīng)由已經(jīng)提供給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的局部輸入/輸出線LIO來(lái)傳送所產(chǎn)生的 MRS 命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0:12>、EMRS3_CMD<0:12> 和TMRS_CMD<0:12>至各個(gè)存儲(chǔ)塊，因此可以產(chǎn)生MRS命令并在不需要形成額外的線的情況下將其傳送至各個(gè)存儲(chǔ)塊。圖4是圖3所示的控制器230的框圖。參見(jiàn)圖4，控制器230包括地址比較單元311和控制信號(hào)發(fā)生單元315。地址比較單元311響應(yīng)于被使能的MRS模式信號(hào)MRSP而將經(jīng)由已經(jīng)提供給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的地址引腳從外部接收來(lái)的地址ADDR與可以被儲(chǔ)存在地址比較單元311中的第一地址ADDRl (未示出)進(jìn)行比較。比較的結(jié)果是，如果地址ADDR和第一地址ADDRl相同，則地址比較單元311輸出第一信號(hào)MRS_START。此外，地址比較單元311響應(yīng)于被使能的MRS模式信號(hào)MRSP而將經(jīng)由已經(jīng)提供給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的地址引腳從外部接收來(lái)的地址ADDR與可以被儲(chǔ)存在地址比較單元311中的第二地址ADDR2(未示出)進(jìn)行比較。比較的結(jié)果是，如果地址ADDR與第二地址ADDR2相同，則地址比較單元311輸出第二信號(hào)MRS_END。
控制信號(hào)發(fā)生單元315響應(yīng)于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)GI0_EN而將地址比較單元311所輸出的第一信號(hào)MRS_START與第二信號(hào)MRS_END進(jìn)行邏輯組合，并產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB。數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB是用于控制數(shù)據(jù)緩沖器250以經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ接收第一 MRS碼A<0 12>和第二 MRS碼BA<0 2>的信號(hào)。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)GI0_EN是用于將數(shù)據(jù)線使能以經(jīng)由數(shù)據(jù)線傳送MRS選擇信號(hào)匪RSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3和TMRSP以及MRS源信號(hào)MREGK0:12>的信號(hào)。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，使能信號(hào)WE可以被用作全局線驅(qū)動(dòng)信號(hào)GI0_EN。在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以使用提前寫入潛伏時(shí)間(EWL)信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)全局輸入/輸出線GI0。盡管提供了這兩種情況，但是本發(fā)明的范圍和精神不限于這些情況。圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的在圖3中所示的MRS命令發(fā)生電路的輸入/輸出信號(hào)時(shí)序圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的在圖3中所示的MRS命令發(fā)生電路的輸入/輸出信號(hào)時(shí)序圖。圖5示出經(jīng)由一個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0>輸入第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0 2>，且示出何時(shí)激活MRS選擇信號(hào)匪RSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3和TMRSP以用于產(chǎn)生MRS 命令匪RS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 和 TMRS_CfflKO :12>。延遲器220接收在MRS模式下被使能的MRS模式信號(hào)MRSP，將所接收的MRS模式信號(hào)MRSP延遲根據(jù)數(shù)據(jù)線長(zhǎng)度的延遲量，并輸出被延遲的MRS模式信號(hào)MRSP作為延遲的MRS模式信號(hào)MRSP_D?？刂破?30將在MRS模式下被使能的MRS模式信號(hào)MRSP與經(jīng)由地址引腳接收的地址ADDR組合，并產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB。首先，當(dāng)數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB被使能為邏輯低電平時(shí)，數(shù)據(jù)緩沖器250被使能且經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ<0>順序地接收第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>。數(shù)據(jù)緩沖器250順序地接收第一 MRS碼A<0 12>和第二 MRS碼BA<0 2>，將其轉(zhuǎn)換為并行數(shù)據(jù)(如，轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)DO至D4，如圖5所示)，將所述并行數(shù)據(jù)緩沖，并將緩沖的數(shù)據(jù)加載在全局輸入/輸出線GIO上。MRS選擇信號(hào)發(fā)生器270響應(yīng)于觸發(fā)的MRS模式信號(hào)MRSP，通過(guò)使用被數(shù)據(jù)緩沖器250轉(zhuǎn)換成并行信號(hào)的第二 MRS碼ΒΑ<0:2>來(lái)產(chǎn)生MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3和TMRSP，并將它們加載到全局輸入/輸出線GIO上。MRS源信號(hào)發(fā)生器280產(chǎn)生MRS源信號(hào)MREGKO 12>并通過(guò)使用被數(shù)據(jù)緩沖器250轉(zhuǎn)換成并行數(shù)據(jù)的第一 MRS碼A<0 12>將MRS源信號(hào)MREGKO 12>加載到局部輸入/輸出線LIO上。MRS命令發(fā)生器^OA至^OE響應(yīng)于延遲的MRS模式信號(hào)MRSP_D，通過(guò)將MRS源信號(hào) MREGKO 12> 譯碼來(lái)產(chǎn)生 MRS 命令匪 RS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12>和TMRS_CMD<0 12>并將它們加載到局部輸入/輸出線LIO上。MRS命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 禾Π TMRS_CMD<0 12>包括多個(gè)碼，所述多個(gè)碼包括MRS碼，所述MRS碼包括測(cè)試模式碼TM、DLL復(fù)位碼DLL、寫入恢復(fù)碼WR、以及斷電碼PD，用于設(shè)置操作模式。參見(jiàn)圖5，相比于驅(qū)動(dòng)多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0:N>，驅(qū)動(dòng)一個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0>時(shí)消耗更少的電流。圖6示出經(jīng)由多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0:N>輸入第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>,且示出產(chǎn)生 MRS 命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0:12> 和 TMRS_CMD<0 12> 的定時(shí)。參見(jiàn)圖6，當(dāng)數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB在MRS模式下被使能為邏輯低電平時(shí)，開始經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤DQ<0:N>輸入第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>。數(shù)據(jù)緩沖器250響應(yīng)于被使能的數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB而順序地將第一 MRS 碼 A<0 12> 和第二 MRS 碼 BA<0 2> 緩沖。數(shù)據(jù)緩沖器250基于被使能為邏輯低電平的數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)DQBUF_ENDB而將經(jīng)由多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0:N>輸入的第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>緩沖并將緩沖的信號(hào)轉(zhuǎn)換為并行信號(hào)(如，轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)DO至D4，如圖6所示)。MRS選擇信號(hào)發(fā)生器270響應(yīng)于被數(shù)據(jù)緩沖器250轉(zhuǎn)換為并行信號(hào)的第二 MRS碼BA<0:2>而產(chǎn)生MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3和TMRSP并將產(chǎn)生的MRS選擇信號(hào)加載到全局輸入/輸出線GIO上。MRS命令發(fā)生器^OA至290E通過(guò)將MRS源信號(hào)MREGKO 12>譯碼而產(chǎn)生MRS命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 禾Π TMRS_CMD<0:12>，并將產(chǎn)生的MRS命令加載到局部輸入/輸出線LIO上。一般而言，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件將數(shù)據(jù)與時(shí)鐘的上升沿和下降沿同步，并輸出同步的數(shù)據(jù)至存儲(chǔ)控制器。這里，可以在內(nèi)部時(shí)鐘的上升沿和下降沿位于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件所輸出的數(shù)據(jù)的有效窗口之內(nèi)時(shí)傳送數(shù)據(jù)。然而，隨著在高速操作系統(tǒng)中有效數(shù)據(jù)窗口的尺寸變得越來(lái)越小、且半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與存儲(chǔ)控制器之間所交換的數(shù)據(jù)容量增加，接收數(shù)據(jù)變得越來(lái)越難。因此，需要數(shù)據(jù)訓(xùn)練(data training)以保證半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和數(shù)據(jù)處理器件的高速操作。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，由于第一 MRS碼A<0:12>和第二 MRS碼BA<0:2>是經(jīng)由多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0:N>輸入的，因此在不需要數(shù)據(jù)訓(xùn)練過(guò)程的情況下在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中保證了更寬的數(shù)據(jù)的建立/保持窗口余量。參見(jiàn)圖6，由于 MRS 選擇信號(hào) NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3 和 TMRSP — 次全部輸入到多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤DQ<0:N>，因此存在的優(yōu)點(diǎn)在于，相比與圖5所示的示例性實(shí)施例，可以減少用于產(chǎn)生 MRS 命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0:12> 和 TMRS_CMD<0:12> 的時(shí)間。另外，通過(guò)將用于產(chǎn)生MRS 命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 和 TMRS_CMD<0 12> 的 MRS 命令發(fā)生器 290A 至 290E 設(shè)置于在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部中使用相應(yīng)MRS命令匪RS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0:12>、EMRS3_CMD<0:12>和TMRS_CMD<0 12>的構(gòu)成元件中，還可以減小外圍電路區(qū)的大小。在圖3至圖6所描述的本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤而不是經(jīng)由地址引腳來(lái)接收多個(gè)MRS碼。因此，可以同時(shí)產(chǎn)生不同的MRS碼。此外，通過(guò)經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤接收多個(gè)MRS碼并一次將接收的MRS碼全部譯碼，可以減少用于產(chǎn)生MRS命令NMRS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12> 和 TMRS_CMD<0 12> 所花費(fèi)的時(shí)間。此外，由于 MRS 命令 NMRS_CMD<0 12>、EMRS_CMD<0 12>、EMRS2_CMD<0 12>、EMRS3_CMD<0 12>和TMRS_CMD<0 12>是經(jīng)由現(xiàn)有的線——例如全局輸入/輸出線GIO和局部輸入/輸出線LIO——而被傳送至在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部中使用MRS命令的構(gòu)成元件，因此可以在不形成額外的專用于傳送MRS命令的線的情況下傳送MRS命令NMRS_CMD<0:12>、EMRS_CMD<0:12>、EMRS2_CMD<0:12>、EMRS3_CMD<0:12> 和 TMRS_CMD<0 12>。此外，可以通過(guò)只在輸入用于產(chǎn)生MRS命令的MRS碼時(shí)才驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)緩沖器來(lái)減少不需要的等待電流。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件700的框圖。如圖7所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件700包括外圍電路區(qū)和存儲(chǔ)器單元區(qū)。可以在外圍電路區(qū)中形成MRS碼輸入電路701。MRS碼輸入電路701可以包括圖3的MRS模式信號(hào)發(fā)生器210、延遲器220、控制器230、數(shù)據(jù)緩沖器250、MRS選擇信號(hào)發(fā)生器270、以及MRS源信號(hào)發(fā)生器觀0。MRS碼輸入電路701經(jīng)由全局輸入/輸出線GIO將MRS源信號(hào)MREGKO 12>和MRS選擇信號(hào)NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3、TMRSP輸出至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件700的存儲(chǔ)器單元區(qū)中的相應(yīng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊。半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊包括圖3的MRS命令發(fā)生器^OA至四( 。MRS命令發(fā)生器290A至^OE經(jīng)由與全局輸入/輸出線GIO連接的局部輸入/輸出線LIO來(lái)接收MRS源信號(hào) MREGKO 12> 和相應(yīng)的 MRS 選擇信號(hào) NMRSP、EMRSP、EMRSP2、EMRSP3 和 TMRSP。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以通過(guò)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部中使用相應(yīng)MRS命令的位置設(shè)置用于產(chǎn)生多個(gè)MRS命令的MRS命令發(fā)生器來(lái)減小外圍電路區(qū)的大小。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤接收多個(gè)MRS碼，并且可以產(chǎn)生各種MRS命令。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以通過(guò)經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤接收多個(gè)MRS碼并一次將它們?nèi)孔g碼來(lái)減少用于產(chǎn)生MRS命令所花費(fèi)的時(shí)間。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在不形成額外的數(shù)據(jù)線的情況下傳送MRS命令，這是因?yàn)镸RS命令是經(jīng)由現(xiàn)有的數(shù)據(jù)線——例如全局輸入/輸出線GIO和局部輸入/輸出線LIO——被傳送到在半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部中使用MRS命令的構(gòu)成元件。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，由于數(shù)據(jù)緩沖器是在用于產(chǎn)生MRS命令的MRS碼輸入時(shí)被驅(qū)動(dòng)，因此可以防止不需要的電流消耗。雖然已結(jié)合具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言明顯的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的主旨和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括控制器，所述控制器被配置成在模式寄存器組MRS模式下產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)；數(shù)據(jù)緩沖器，所述數(shù)據(jù)緩沖器被配置成響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)而將經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤輸入的多個(gè)MRS碼緩沖并輸出；以及多個(gè)MRS命令發(fā)生器，所述多個(gè)MRS命令發(fā)生器被配置成經(jīng)由數(shù)據(jù)線接收從所述數(shù)據(jù)緩沖器輸出的所述MRS碼，并基于接收的所述MRS碼來(lái)產(chǎn)生多個(gè)MRS命令。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，當(dāng)在所述MRS模式下施加數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，所述控制器響應(yīng)于從外部傳送來(lái)的特定地址來(lái)產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述控制器包括地址比較單元，所述地址比較單元被配置成當(dāng)接收的地址與第一地址相同時(shí)產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述數(shù)據(jù)緩沖器的第一信號(hào)，而當(dāng)接收的地址與第二地址相同時(shí)產(chǎn)生用于停止驅(qū)動(dòng)所述數(shù)據(jù)緩沖器的第二信號(hào)；以及控制信號(hào)發(fā)生單元，所述控制信號(hào)發(fā)生單元被配置成通過(guò)將所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)、所述第一信號(hào)和所述第二信號(hào)進(jìn)行邏輯組合來(lái)產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)是寫入使能WE信號(hào)或提前寫入潛伏時(shí)間EWL信號(hào)。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述MRS命令發(fā)生器形成在使用所述MRS命令的相應(yīng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)線包括全局輸入/輸出線和局部輸入/輸出線。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括延遲器，所述延遲器被配置成將MRS模式信號(hào)延遲所述數(shù)據(jù)線的線延遲量，并輸出延遲的MRS模式信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述MRS命令發(fā)生器中的每個(gè)響應(yīng)于所述延遲的MRS模式信號(hào)而將所述MRS命令之中的選中的MRS命令傳送至相應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括MRS模式信號(hào)發(fā)生器，所述MRS模式信號(hào)發(fā)生器被配置成接收一個(gè)或多個(gè)外部命令信號(hào)并產(chǎn)生所述MRS模式信號(hào)，其中，所述MRS模式信號(hào)在所述MRS模式下被使能。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)緩沖器將經(jīng)由所述數(shù)據(jù)焊盤串行接收的所述MRS碼并行化，并將并行化的所述MRS碼傳送至所述全局輸入/輸出線。
11.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括MRS源信號(hào)發(fā)生器，所述MRS源信號(hào)發(fā)生器被配置成響應(yīng)于所述MRS模式信號(hào)，從所述數(shù)據(jù)緩沖器接收第一 MRS碼，產(chǎn)生多個(gè)MRS源信號(hào)，并輸出產(chǎn)生的所述MRS源信號(hào)至全局線；以及MRS選擇信號(hào)發(fā)生器，所述MRS選擇信號(hào)發(fā)生器被配置成響應(yīng)于所述MRS模式信號(hào)，從所述數(shù)據(jù)緩沖器接收第二 MRS碼，產(chǎn)生多個(gè)MRS選擇信號(hào)，并輸出產(chǎn)生的所述MRS選擇信號(hào)至所述全局線。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述MRS源信號(hào)是用于設(shè)置所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的模式的信號(hào)，所述MRS選擇信號(hào)是用于在所述多個(gè)MRS命令之中選擇一種MRS以便建立所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的所述模式的信號(hào)。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述MRS命令順序地產(chǎn)生。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，設(shè)置至少一個(gè)額外的數(shù)據(jù)焊盤以輸入所述多個(gè)MRS碼。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述MRS命令是同時(shí)產(chǎn)生的。
16.一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括以下步驟在模式寄存器組MRS模式下產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)；響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)而將經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤輸入的多個(gè)MRS碼緩沖并輸出；以及經(jīng)由數(shù)據(jù)線接收所述MRS碼并基于接收的所述MRS碼來(lái)產(chǎn)生多個(gè)MRS命令。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，當(dāng)在所述MRS模式下施加數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，響應(yīng)于從外部傳送來(lái)的特定地址而產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)的步驟包括以下步驟當(dāng)所述特定地址與第一地址相同時(shí)產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述數(shù)據(jù)緩沖器的第一信號(hào)，而當(dāng)所述特定地址與第二地址相同時(shí)產(chǎn)生用于停止驅(qū)動(dòng)所述數(shù)據(jù)緩沖器的第二信號(hào)；以及通過(guò)將所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)、所述第一信號(hào)和所述第二信號(hào)邏輯組合來(lái)產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，在使用所述MRS命令的相應(yīng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)塊內(nèi)部產(chǎn)生所述多個(gè)MRS命令。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括以下步驟在所述MRS模式下從所述數(shù)據(jù)緩沖器接收第一 MRS碼，產(chǎn)生多個(gè)MRS源信號(hào)，并輸出產(chǎn)生的所述MRS源信號(hào)至全局線；以及在所述MRS模式下從所述數(shù)據(jù)緩沖器接收第二 MRS碼，產(chǎn)生多個(gè)MRS選擇信號(hào)，并輸出產(chǎn)生的所述MRS選擇信號(hào)至所述全局線。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括以下步驟在所述MRS模式下產(chǎn)生MRS模式信號(hào)；將所述MRS模式信號(hào)延遲所述數(shù)據(jù)線的線延遲量；以及輸出延遲的MRS模式信號(hào)。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，產(chǎn)生所述多個(gè)MRS命令的步驟包括以下步驟接收所述MRS源信號(hào)；接收所述MRS選擇信號(hào)；以及響應(yīng)于所述延遲的MRS模式信號(hào)并基于接收到的所述MRS源信號(hào)和所述MRS選擇信號(hào)來(lái)產(chǎn)生所述多個(gè)MRS命令。
23.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括以下步驟將經(jīng)由所述數(shù)據(jù)焊盤串行接收的所述MRS碼并行化；以及傳送并行化的所述MRS碼至所述全局輸入/輸出線。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括以下步驟響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)而經(jīng)由一個(gè)或更多個(gè)額外的數(shù)據(jù)焊盤來(lái)輸入額外的MRS 碼。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括模式寄存器組的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法。本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括控制器，所述控制器被配置成在模式寄存器組(MRS)模式下產(chǎn)生數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)；數(shù)據(jù)緩沖器，所述數(shù)據(jù)緩沖器被配置成響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)緩沖器控制信號(hào)而將經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤輸入的多個(gè)MRS碼緩沖并輸出；以及多個(gè)MRS命令發(fā)生器，所述多個(gè)MRS命令發(fā)生器被配置成經(jīng)由數(shù)據(jù)線接收從所述數(shù)據(jù)緩沖器輸出的所述MRS碼，并基于接收的所述MRS碼來(lái)產(chǎn)生多個(gè)MRS命令。
文檔編號(hào)G11C7/22GK102568556SQ201110434829
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者具岐峰 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司