專利名稱：電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置及方法、芯片及其數(shù)據(jù)寫入方法、耗材容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域，尤其是涉及一種電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫裝置、擦寫方法以及具有這種裝置的芯片以及芯片的數(shù)據(jù)寫入方法、具有這種芯片的耗材容器。
背景技術(shù)：
打印機(jī)作為常見的辦公設(shè)備，為現(xiàn)代化辦公提供了極大的方便。現(xiàn)有的打印機(jī)分為噴墨打印機(jī)以及激光打印機(jī)，噴墨打印機(jī)使用容納有墨水的墨盒作為耗材容器向紙張噴射墨水，以在紙張上形成需要打印的文字或圖案；激光打印機(jī)則使用容納有碳粉的碳粉盒作為耗材容器在介質(zhì)上形成需要打印的文字或圖案。
參見圖1，現(xiàn)有一種彩色噴墨打印機(jī)具有機(jī)殼11，圖1所示的噴墨打印機(jī)省略了機(jī)殼11的托板。機(jī)殼11內(nèi)設(shè)有噴墨打印機(jī)的機(jī)芯12，并設(shè)有一根滑桿，打印字車14在電機(jī) (圖1中不可見)的帶動下沿著滑桿往復(fù)運(yùn)動。打印字車14內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)接板(圖1中不可見)， 轉(zhuǎn)接板通過排線13與機(jī)芯12進(jìn)行通訊。
打印字車14上可拆卸地安裝有多個墨盒15，不同墨盒15內(nèi)容納有不同顏色的墨水。墨盒15的結(jié)構(gòu)如圖2所示。墨盒15具有殼體16，殼體16圍成容納墨水的腔體，腔體的下端設(shè)有出墨口 17，腔體內(nèi)的墨水通過出墨口 17流出，并向打印字車14的供墨針供墨。
墨盒15殼體16的外壁上安裝有一塊芯片18，芯片18具有基板，基板的一側(cè)設(shè)有多個電觸點(diǎn)19，用于與轉(zhuǎn)接板電連接。基板的另一側(cè)設(shè)有與電觸點(diǎn)19電連接的電子模塊 (圖2中不可見)。
參見圖3，現(xiàn)有碳粉盒具有殼體21，殼體21圍成容納碳粉的腔體，殼體的外壁上設(shè)有一個芯片安裝位22，芯片23安裝于芯片安裝位22上。與墨盒的芯片類似，碳粉盒的芯片 23也具有基板，基板上設(shè)有作為通訊單元的電觸點(diǎn)24，用于與激光打印機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。 并且，基板的另一側(cè)設(shè)有與電觸點(diǎn)M電連接的電子模塊。
現(xiàn)有墨盒芯片或碳粉盒芯片的電子模塊大多設(shè)有電可擦可編程只讀存儲器 (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,以下簡稱 EEPR0M),用于存儲與墨盒或碳粉盒相關(guān)的信息。
EEPROM是一種浮柵型存儲器，電荷被儲存在浮柵中，這些電荷在無電源供應(yīng)的情況下仍然可以保持。EEPROM由排列成陣列的存儲單元組成，每一個存儲單元由兩個晶體管組成，其結(jié)構(gòu)如圖4所示，存儲單元的一個晶體管是浮柵晶體管sense Tr，另一個是選擇晶體管select Tr，其中選擇晶體管是用于在編程和擦除數(shù)據(jù)時選擇相應(yīng)的浮柵晶體管，由接外端口的字線端口 WL(Wordline)和位線端口 BL (bitline)的信號來控制存儲單元的選擇。
EEPROM的存儲單元還設(shè)有兩個門極，第一個門極為浮柵管的源極AG (floating gate)，其被埋在EEPROM的門極氧化層和極間氧化層之間第二個門極被稱為控制柵極 CG (control gate)，它和外部的電極相連接。
對存儲單元進(jìn)行讀、寫、擦除操作時，向字線端口 WL、位線端口 BL、浮柵管的源極 AG以及控制柵極CG加載的電壓信號如表1所示電壓擦除寫入讀出字線端口 WLVppVppVDD位線端口 BL0或懸浮VppVt浮柵管的源極AGVpp0Vsense控制柵極CG0或懸浮懸浮0表1表1中，Vpp表示加載高壓電源信號，VDD表示加載低壓電源信號。并且，現(xiàn)有EEPROM 的存儲單元中，如希望其存儲數(shù)據(jù)為“ 1 ”，通常是通過擦除操作實(shí)現(xiàn)的，即擦除操作后，存儲單元存儲的數(shù)據(jù)為二進(jìn)制數(shù)“1”。若存儲數(shù)據(jù)“0”，通常是寫入操作實(shí)現(xiàn)的，即對存儲單元進(jìn)行寫入操作后，其存儲的數(shù)據(jù)為二進(jìn)制數(shù)“0”。當(dāng)然，現(xiàn)有的一些EEraOM是反過來設(shè)置的。本發(fā)明創(chuàng)造是以第一種EEPROM作為實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行介紹，也就是EEPROM在擦除操作后，存儲單元存儲的數(shù)據(jù)為“1”，寫入操作后，存儲單元存儲的數(shù)據(jù)為“0”。
EEPROM的擦寫操作通常由芯片的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)現(xiàn)，而現(xiàn)有EEPROM的擦寫通常是按字節(jié)進(jìn)行，如公開號為CN1975932A的發(fā)明專利申請公開了一種“可字節(jié)擦除非易失性存儲器”的發(fā)明創(chuàng)造，該申請公開的EEPROM通過將選擇晶體管的字線端口 WL及位線端口 BL連接至公共線上，實(shí)現(xiàn)多個存儲單元的同時擦除。
這樣，向EEPROM寫入數(shù)據(jù)時，首先需要將多個存儲單元的數(shù)據(jù)擦除，然后寫入數(shù)據(jù)。但是，由于向存儲單元擦除數(shù)據(jù)、寫入數(shù)據(jù)的時間較長，導(dǎo)致EEPROM的數(shù)據(jù)寫入速度慢，往往不能滿足快速寫入數(shù)據(jù)的要求，影響芯片的工作效率，進(jìn)而影響到耗材容器的工作。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的是提供一種能夠快速向EEPROM的存儲單元寫入數(shù)據(jù)的電可擦可編程只讀存儲器擦寫控制裝置。
本發(fā)明的第二目的是提供一種提高EEPROM存儲單元擦寫速度的電可擦可編程只讀存儲器擦寫控制方法。
本發(fā)明的第三目的是提供一種EEPROM存儲單元擦寫速度較快的芯片。
本發(fā)明的第四目的是提供一種能夠快速向EEPROM寫入數(shù)據(jù)的芯片數(shù)據(jù)寫入方法。
本發(fā)明的第五目的是提供一種芯片的工作效率較高的耗材容器。
為實(shí)現(xiàn)上述的第一目的，本發(fā)明提供的電可擦可編程只讀存儲器擦寫控制裝置用于對EEPROM進(jìn)行擦寫操作，該電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極，該控制裝置包括延時模塊，接收外部輸入的寫入信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個存儲單元的行列地址信號；數(shù)據(jù)讀出模塊，暫存存儲器輸出的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)比較模塊，比較數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與行列地址信號對應(yīng)地址的存儲單元的數(shù)據(jù)進(jìn)7行擦寫操作。
由上述方案可見，地址譯碼模塊將接收到的地址信息譯碼成存儲單元的行列地址信號，存儲單元擦寫單元對每一存儲單元進(jìn)行單獨(dú)的擦寫操作，且通過數(shù)據(jù)比較模塊，只有判斷需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)不相同時才進(jìn)行擦或?qū)懖僮?。由于需要寫入存儲單元的?shù)據(jù)與該存儲單元原來所存儲的數(shù)據(jù)總會有相同的的，對于這一部分的存儲單元無需執(zhí)行任何擦或?qū)懖僮?，同時對不相同的存儲單元也根據(jù)需要寫入的數(shù)據(jù)執(zhí)行擦除或?qū)懭氩僮?，并不需要?zhí)行先擦后寫過程，因此本發(fā)明的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置能節(jié)省一半的擦寫操作時間，大大提高EEPROM的數(shù)據(jù)擦寫效率，同時減少電源功率損耗。
一個優(yōu)選的方案是，存儲單元擦寫單元包括擦寫控制模塊，根據(jù)延時寫信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號及寫入存儲單元的數(shù)據(jù)生成對應(yīng)多個存儲單元的擦寫控制信號；存儲單元字線電壓控制模塊，根據(jù)行列地址信號以及擦寫控制信號、讀脈沖信號生成多個存儲單元的字線電壓，并作為字線信號輸出至對應(yīng)存儲單元的字線端口 ；存儲單元擦寫控制模塊，根據(jù)每一存儲單元的字線信號及擦寫控制信號、讀脈沖信號生成對應(yīng)的存儲單元的位線信號、 控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
由此可見，存儲單元擦寫控制模塊生成用于控制每一存儲單元字線端口、位線端口、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號，能夠精確地對每一存儲單元進(jìn)行擦或?qū)懖僮鳌?br> 進(jìn)一步的方案是，擦寫控制模塊設(shè)有多組邏輯運(yùn)算電路，每一邏輯運(yùn)算電路生成對應(yīng)于一個存儲單元的寫信號或擦信號。
可見，通過多組邏輯運(yùn)算電路生成對應(yīng)的每一個存儲單元的信號，能夠確保每一存儲單元的數(shù)據(jù)擦寫操作單獨(dú)執(zhí)行，不受其他存儲單元的擦寫操作影響，避免存儲單元的錯誤擦寫。
為實(shí)現(xiàn)上述的第二目的，本發(fā)明提供的電可擦可編程只讀存儲器擦寫控制方法包括數(shù)據(jù)擦寫控制裝置接收向存儲器寫入數(shù)據(jù)信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊接收需要寫入數(shù)據(jù)的地址信息并譯碼生成多個存儲單元的行列地址信號；讀取需要寫入數(shù)據(jù)的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)，判斷所需寫入至存儲單元的數(shù)據(jù)是否與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)相等，若不相等，由存儲單元擦寫單元將該存儲單元的數(shù)據(jù)擦除或向該存儲單元寫入數(shù)據(jù)。
由上述方案可見，向EEPROM寫入數(shù)據(jù)時，首先對接收的地址信息進(jìn)行譯碼，形成存儲單元的行列地址信號，再將相應(yīng)的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)讀出并進(jìn)行對比，只有需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)不相同時才執(zhí)行擦或?qū)懖僮?。這樣，能減少大量存儲單元的擦寫操作，提高EEPROM的數(shù)據(jù)寫入速度。
為實(shí)現(xiàn)上述的第三目的，本發(fā)明提供的芯片包括基板，基板上設(shè)有電子模塊，電子模塊內(nèi)設(shè)有電可擦可編程只讀存儲器以及數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極，該數(shù)據(jù)擦寫控制裝置包括延時模塊，接收外部輸入的寫入信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個存儲單元的行列地址信號；數(shù)據(jù)讀出模塊，接收存儲器輸出的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)比較模塊，比較數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與行列地址信號對應(yīng)地址的存儲單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦或?qū)懖僮鳌?br> 由此可見，芯片向EEPROM寫入數(shù)據(jù)時，能夠?qū)Υ鎯卧臄?shù)據(jù)進(jìn)行擦寫操作，也即是按位進(jìn)行擦寫，不是按字節(jié)進(jìn)行操作，這樣只有在存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)與需要寫入的數(shù)據(jù)不一致時才進(jìn)行擦或?qū)懖僮?，能夠?jié)省向EEPROM寫入數(shù)據(jù)的時間，提高寫入速度。
為實(shí)現(xiàn)上述的第四目的，本發(fā)明提供上述芯片的數(shù)據(jù)寫入方法，包括數(shù)據(jù)擦寫控制裝置接收向存儲器寫入數(shù)據(jù)信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊接收需要寫入數(shù)據(jù)的地址信息并譯碼生成多個存儲單元的行列地址信號；讀取需要寫入數(shù)據(jù)的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)，判斷所需寫入至存儲單元的數(shù)據(jù)是否與該存儲單元原來所存儲的數(shù)據(jù)相等，若不相等，由存儲單元擦寫單元將該存儲單元的數(shù)據(jù)擦除或向該存儲單元寫入數(shù)據(jù)。
可見，芯片是按位對EEPROM進(jìn)行擦或?qū)懖僮?，不同?shù)據(jù)位的擦或?qū)懯峭瑫r進(jìn)行的，而不是按字節(jié)進(jìn)行先擦后寫操作，因此能夠節(jié)省數(shù)據(jù)寫入時間，提高EEPROM整體的數(shù)據(jù)擦寫效率。
為實(shí)現(xiàn)上述的第五目的，本發(fā)明提供的耗材容器包括殼體，殼體圍成容納耗材的腔體，腔體下端設(shè)有耗材出口，且殼體上設(shè)有耗材芯片，芯片設(shè)有基板，基板上設(shè)有電子模塊，電子模塊內(nèi)設(shè)有電可擦可編程只讀存儲器以及數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極，該數(shù)據(jù)擦寫控制裝置包括延時模塊，接收外部輸入的寫入信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個存儲單元的行列地址信號；數(shù)據(jù)讀出模塊，暫存存儲器輸出的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)比較模塊，比較數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與行列地址信號對應(yīng)地址的存儲單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦或?qū)懖僮鳌?br> 由上述方案可見，耗材容器的芯片接收外部的數(shù)據(jù)寫入命令后，對地址信息進(jìn)行譯碼，并對存儲單元進(jìn)行按位的擦或?qū)懖僮鳎蟠蠊?jié)省了 EEPROM的數(shù)據(jù)擦寫時間，提高數(shù)據(jù)擦寫的效率。


圖1是現(xiàn)有一種噴墨打印機(jī)的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是現(xiàn)有墨盒的結(jié)構(gòu)放大圖。
圖3是現(xiàn)有一種碳粉盒的結(jié)構(gòu)分解圖。
圖4是EEPROM存儲單元的電原理圖。
圖5是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例與EEPROM連接的電原理框圖。
圖6是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例中延時模塊的電原理圖。
圖7是圖6中寫入信號、讀脈沖信號及延時寫信號的波形圖。
圖8是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例中擦寫控制模塊的電原理圖。
圖9是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例中存儲單元字線電壓控制模塊的電原理圖。
圖10是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例中存儲單元擦寫控制模塊位線信號產(chǎn)生電路的電原理圖。
圖11是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例中存儲單元擦寫控制模塊控制柵極信號產(chǎn)生電路的電原理圖。
圖12是本發(fā)明EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置實(shí)施例中存儲單元擦寫控制模塊浮柵管的源極連接信號產(chǎn)生電路的電原理圖。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的耗材容器既可以是安裝在噴墨打印機(jī)上的墨盒，也可以是安裝在激光打印機(jī)上的碳粉盒，下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
芯片實(shí)施例本實(shí)施例的芯片是安裝在墨盒的殼體上，其具有一塊基板，基板的一面設(shè)有作為通訊單元的多個電觸點(diǎn)，用于與噴墨打印機(jī)的電觸點(diǎn)連接。當(dāng)然，若噴墨打印機(jī)與耗材芯片之間為無線通訊，則通訊單元為用于無線通訊的天線。在基板的另一面設(shè)有與電觸點(diǎn)連接的電子模塊，電子模塊具有EEPR0M，并設(shè)有數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，用于控制對EEPROM的數(shù)據(jù)擦寫操作。
EEPROM數(shù)據(jù)擦寫控制裝置及方法實(shí)施例參見圖5，本實(shí)施例的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置可接收外部發(fā)送的需要寫入EEPR0M40的數(shù)據(jù) Din、寫入信號WRin、讀信號RD以及地址信息AO-An，其中數(shù)據(jù)Din通常是一個字節(jié)的數(shù)據(jù)， 即包括8位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，而地址信息AO-An是數(shù)據(jù)存儲模塊中按字節(jié)或多字節(jié)尋址的二進(jìn)制編碼數(shù)，因此地址信息AO-An指向的是一個字節(jié)，即8個存儲單元。當(dāng)然，若外部對EEPROM 的數(shù)據(jù)讀寫以16位二進(jìn)制數(shù)據(jù)為單位，則寫入的數(shù)據(jù)Din包含16位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，則每個地址信息對應(yīng)于16個存儲單元。
數(shù)據(jù)擦寫裝置31內(nèi)設(shè)有數(shù)據(jù)比較電路32、標(biāo)志寄存器組33、延時模塊34、擦寫控制模塊35、存儲單元擦寫控制模塊36、地址譯碼模塊38、存儲單元字線電壓控制模塊39以及讀出放大模塊41、讀出寄存器組42，數(shù)據(jù)擦寫裝置31向EEPR0M40輸出讀脈沖信號RDE， 并且輸出多個存儲單元的字線信號WL[n，0]、位線信號BL[n，0]、控制柵極信號CG[n，0]、浮柵管的源極連接信號AG[n，0]。
并且，擦寫控制模塊35、存儲單元擦寫控制模塊36以及存儲單元字線電壓控制模塊39組成本實(shí)施例的存儲單元擦寫單元，數(shù)據(jù)比較電路32與標(biāo)志寄存器組33組成本實(shí)施例的數(shù)據(jù)比較模塊。
參見圖6，延時模塊34設(shè)有延時非門Tl、與門T2、或門T3以及延時緩沖器T4，外部輸入的寫入信號WRin經(jīng)過延時非門Tl后輸出至與門T2的一個輸入端，且寫入信號WRin 還直接輸入至與門T2的另一個輸入端，與門T2的輸出端連接至或門T3的一個輸入端，或門T3的另一個輸入端接收讀信號RD，或門T3輸出讀脈沖信號RDE。寫入信號WRin經(jīng)過延時緩沖器T4后得到延時寫信號WR，如圖7所示，延時寫信號WR與寫入信號WRin之間存在時間延時。
外部設(shè)備未對EEPROM進(jìn)行讀寫操作時，寫入信號WRin與讀信號RD均為低電平， 讀脈沖信號RDE為低電平。當(dāng)外部設(shè)備需要對EEPROM寫入數(shù)據(jù)時，寫入信號WRin由低電平變?yōu)楦唠娖叫盘?，由于Tl為延時非門，因此再寫入信號WRin由低電平變?yōu)楦唠娖胶蟮亩虝r間內(nèi)，與門T2的兩個輸入端均為高電平信號，因此與門T2輸出高電平信號，讀脈沖信號 RDE為高電平。經(jīng)過一段延時時間后，延時非門Tl輸出低電平信號，讀脈沖信號RDE變?yōu)榈碗娖叫盘?，因此讀脈沖信號RDE的波形圖如圖7所示，在寫入信號WRin由低電平變?yōu)楦唠娖叫盘柡笮纬梢粋€窄的脈沖信號。
若外部設(shè)備需要讀取EEPROM的數(shù)據(jù)時，讀信號RD為高電平信號，讀脈沖信號RDE 也變?yōu)楦唠娖叫盘?，并輸出至EEPR0M。當(dāng)然，此時寫入信號WRin為低電平信號。
地址譯碼模塊38接收地址信息AO-An，并將接收的地址信息譯碼生成存儲單元的行列地址信號。為了減少EEPROM的面積，其存儲單元一般是按矩陣排列的，所以存儲單元排列成行列，因此每一存儲單元的地址由行地址與列地址構(gòu)成，地址信息AO-An為二進(jìn)制數(shù)，其某些位表示行地址，其余若干位則表示列地址，只需要分別對這些表示行地址的位與表示列地址的位分別進(jìn)行譯碼，即可生成每一存儲單元的行列地址信號。如圖9所示，地址譯碼模塊38譯碼后獲得多個存儲單元的行列地址信號Ln-LO，且該信號被傳送至EEPROM 中。
EEPROM接收到讀脈沖信號RDE以及存儲單元的行列地址信號后，將該行列地址信號對應(yīng)的存儲單元的數(shù)據(jù)讀出，并將讀出的數(shù)據(jù)Dout輸出至讀出放大模塊41以及讀出寄存器組42。讀出放大模塊41與讀出寄存器組42組成本實(shí)施例的數(shù)據(jù)讀出模塊，將從 EEPROM讀出的數(shù)據(jù)信號放大、存儲并傳送至數(shù)據(jù)比較模塊32。
數(shù)據(jù)比較模塊32將輸入至某一存儲單元的數(shù)據(jù)Din與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并將數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號FO-Fn輸出至標(biāo)志寄存器組33，標(biāo)志寄存器組33將數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號FO-Fn輸出至擦寫控制模塊35。
數(shù)據(jù)比較模塊32將需要寫入至存儲單元的數(shù)據(jù)與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行異或運(yùn)算，若需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)相同，則輸出二進(jìn)制數(shù)“0”，即數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號為“0”，若不同，則輸出二進(jìn)制數(shù)“1”，即數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號為 “1”。
參見圖8，擦寫控制模塊35內(nèi)設(shè)有多組邏輯運(yùn)算電路，每一組邏輯運(yùn)算電路對應(yīng)于一個存儲單元。第一組邏輯運(yùn)算電路由與門U0、U10、U20以及非門U30組成。與門UO的兩個輸入端分別接收一個存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號FO與延時寫信號WR，輸出端輸出對應(yīng)于該存儲單元的寫入信號WR0。
同時，需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)DinO經(jīng)過非門U30后輸出至與門U10，與門UlO的另一個輸入端接收寫入信號WR0。與門UlO的輸出端輸出對應(yīng)于該存儲單元的寫信號WRbO。 與門U20的兩個輸入端分別接收需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)DinO以及寫入信號WR0，并輸出對應(yīng)于該存儲單元的擦信號ERbO。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號FO為高電平且延時寫信號 WR為高電平時，表示數(shù)據(jù)DinO對應(yīng)的存儲單元的數(shù)據(jù)需要擦或?qū)?。如果?shù)據(jù)DinO為1，因 FO輸出為高電平，則該存儲單元原來存儲數(shù)據(jù)為0，因此只需要對該存儲單元進(jìn)行擦除操作，即擦信號ERbO輸出高電平而寫信號WRbO輸出低電平，就能將該位數(shù)據(jù)變?yōu)?。如果數(shù)據(jù)DinO為0，因FO輸出為高電平，則該存儲單元原來存儲數(shù)據(jù)為1，不再需要對該位數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除操作，因此只需要對該存儲單元進(jìn)行寫入操作，即寫信號WRbO輸出高電平而擦信號 ERbO輸出低電平，就能將該位數(shù)據(jù)改寫為0。寫入信號WRO為高電平信號時，同一存儲單元11的寫信號WRbO與擦信號ERbO的電位相反，即對某一存儲單元只能進(jìn)行擦或?qū)懖僮?，不能同時進(jìn)行擦寫操作。寫信號WRbO與擦信號ERbO為該存儲器的擦寫控制信號。
擦寫控制模塊35內(nèi)的其他邏輯運(yùn)算電路的結(jié)構(gòu)與第一組邏輯運(yùn)算電路的結(jié)構(gòu)相同，也是對應(yīng)于一個存儲單元，輸出相應(yīng)存儲單元的寫信號WRbl "WRbn以及擦信號ERbl··· ERbn0
存儲單元字線電壓控制模塊具有多組電壓產(chǎn)生電路，參見圖9，每一個電壓產(chǎn)生電路分別至高壓電源Vpp及低壓電源VDD，且每一電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生一個存儲單元的字線電壓作為該存儲單元的字線信號WLn。圖9中僅示出對應(yīng)于第η個存儲單元的電壓產(chǎn)生電路， 對應(yīng)于其他存儲單元的電壓產(chǎn)生電路與該電壓產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)相同。
電壓產(chǎn)生電路具有或門Τ5、與門Τ6、場效應(yīng)管Ql、Q2以及高壓驅(qū)動電路45，或門 Τ5的三個輸入端分別接收存儲單元的寫信號WRbn、擦信號ERbn以及行列地址信號Ln，輸出端向高壓驅(qū)動電路45輸出信號。與門T6的兩個輸入端分別接收讀脈沖信號RDE以及行列地址信號Ln，輸出端向場效應(yīng)管Q2輸出控制信號。
場效應(yīng)管Ql的柵極與高壓驅(qū)動電路45連接，由高壓驅(qū)動電路45控制通斷，且漏極、源極分別連接至高壓電壓Vpp以及電壓產(chǎn)生電路的輸出端。場效應(yīng)管Q2的漏極、源極分別連接至低壓電源VDD及電壓產(chǎn)生電路的輸出端，電壓產(chǎn)生電路的輸出端輸出存儲單元的字線電壓，也就是字線信號WLn。
存儲單元擦寫控制模塊36具有多組擦寫控制電路，每一擦寫控制電路根據(jù)一個存儲單元的寫信號、擦信號及字線信號生成該存儲單元的位線信號、控制柵極信號，因此每一組擦寫電路具有位線信號產(chǎn)生電路、控制柵極信號產(chǎn)生電路及浮柵管的源極連接信號產(chǎn)生電路。
參見圖10，位線信號產(chǎn)生電路具有高壓驅(qū)動電路45以及場效應(yīng)管Q4、Q5、Q6，高壓驅(qū)動電路45接收寫信號WRbn，并向場效應(yīng)管Q3輸出控制信號。場效應(yīng)管Q3的漏極、源極分別連接高壓電壓Vpp、場效應(yīng)管Q5的漏極，場效應(yīng)管Q4的柵極接收擦信號ERbn，漏極、源極分別連接場效應(yīng)管Q3的源極、地。場效應(yīng)管Q5的柵極接收字線信號WLn，源極輸出位線信號BLn。
參見圖11，控制柵極信號產(chǎn)生電路具有高壓驅(qū)動電路45以及場效應(yīng)管Q6、Q7、Q8、 Q9。高壓驅(qū)動電路45接收擦信號ERbn，并向場效應(yīng)管Q6的柵極輸出控制信號，場效應(yīng)管 Q6的漏極連接至高壓電壓Vpp。場效應(yīng)管Q9的柵極接收字線信號WLn，漏極連接場效應(yīng)管 Q6的源極，源極輸出控制柵極信號C&i。
場效應(yīng)管Q7的柵極接收讀脈沖信號RDE，漏極、源極分別連接至電源Vsense、場效應(yīng)管Q6的源極，場效應(yīng)管Q8的柵極接收寫信號WRbn，漏極與場效應(yīng)管Q7的源極相接，場效應(yīng)管Q8的源極接地。
參見圖12，浮柵管的源極連接信號產(chǎn)生電路具有或門T7、非門T8以及與門T9，并設(shè)有場效應(yīng)管Q10?；蜷TT7的兩個輸入端分別接收擦信號ERbn以及讀脈沖信號RDE，輸出端將信號輸出至與門T9。非門接收寫信號WRbn，并將反置的信號輸出至與門T9，與門T9的輸出端連接至場效應(yīng)管QlO的柵極，控制場效應(yīng)管QlO的通斷。場效應(yīng)管QlO的漏極輸出浮柵管的源極連接信號AGn，源極接地。
在外部設(shè)備發(fā)送寫入信號WRin或者讀信號RD后，延時模塊產(chǎn)生讀脈沖RDE信號，如圖9所示，與門T6輸出高電平信號，場效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，字線信號WLn的電平為VDD，為高電平信號。
圖10至圖12中，寫信號WRbn與擦信號ERbn均為低電平信號，因此場效應(yīng)管Q3、 Q4截止，場效應(yīng)管Q5導(dǎo)通，位線端口用于輸出數(shù)據(jù)。并且，場效應(yīng)管Q6、Q8截止，場效應(yīng)管 Q7、Q9導(dǎo)通，控制柵極信號C&i為電平Vsense。此外，與門T9的兩個輸入端均為高電平信號，場效應(yīng)管QlO導(dǎo)通，浮柵管的源極連接信號AGn為0。
因此，此時存儲單元的字線信號WLn的電平為VDD，控制柵極信號C&i為電平 Vsense，浮柵管的源極連接信號AGn為0，對照表1可知，存儲單元為讀出狀態(tài)，數(shù)據(jù)從位線端口 BL讀出。
若外部設(shè)備發(fā)送的是寫入信號WRin，EEPROM將存儲單元的數(shù)據(jù)發(fā)送至讀出放大模塊41，并經(jīng)過與需要寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較后，輸出數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號。如前所述的，若需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)與存儲在存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)相同，數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號為0，即圖8中而為0，若不相同，數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號為1，即而為1。
若比較結(jié)果為相同，與門Un的輸出結(jié)果為低電平，寫入信號WRn也為低電平，寫信號WRbn與擦信號ERbn均為0。并且，由于讀信號RD也為低電平，因此讀脈沖信號RDE也為 0，如圖9所示，字線信號WLn為0，存儲單元不執(zhí)行任何操作。
若比較結(jié)果為不相同，數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號而為1，延時寫信號WR為高電平，與門 Un輸出的寫入信號Wfoi為1。此時，若需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)Dirm為1，表示存儲單元當(dāng)前所存儲的數(shù)據(jù)為0，即需要對存儲單元執(zhí)行擦除操作。
由圖8的邏輯運(yùn)算電路可知，在上述條件下，寫信號WRbn為0，擦信號ERbn為1， 由圖9的電路可知，此時場效應(yīng)管Ql導(dǎo)通，場效應(yīng)管Q2截止，字線信號WLn為Vpp，高電平信號。
由圖10至圖12的電路可知，場效應(yīng)管Q3截止，場效應(yīng)管Q4、Q5導(dǎo)通，字線信號 BLn為0。并且，場效應(yīng)管Q6、Q9導(dǎo)通，場效應(yīng)管Q7、Q8截止，控制柵極信號C&i為Vpp。此外，與門T9的兩個輸入端均為1，場效應(yīng)管QlO導(dǎo)通，浮柵管的源極連接信號AGn為0。
可見，此時字線信號WLn為Vpp，字線信號BLn為0，控制柵極信號CGn為Vpp，浮柵管的源極連接信號AGn為0，對照表1可知，此時存儲單元執(zhí)行擦除操作，所存儲的數(shù)據(jù)由 “0” 變?yōu)?“1”。
若比較結(jié)果為不相同，且需要寫入的數(shù)據(jù)Dirm為0，表示存儲單元當(dāng)前所存儲的數(shù)據(jù)為1，即需要對存儲單元執(zhí)行寫入操作。由圖8與圖9的電路可知，此時寫信號WRbn為 1，擦信號ERbn為0，字線信號WLn為Vpp。
由圖10至圖12的電路可知，此時場效應(yīng)管Q3、Q5導(dǎo)通，場效應(yīng)管Q4截止，字線信號BLn為Vpp。并且，場效應(yīng)管Q6、Q7截止，場效應(yīng)管Q8、Q9導(dǎo)通，控制柵極信號CGn為0。 此外，或門T7的兩個輸入端均為低電平，其輸出的信號為0，與門T9的輸出信號也為0，場效應(yīng)管QlO截止，浮柵管的源極連接信號AGn為懸浮。對照表1可知，此時存儲單元執(zhí)行寫入操作，所存儲的數(shù)據(jù)由“ 1”變?yōu)椤?0 ”。
由上述方案可知，數(shù)據(jù)擦寫控制裝置在接收到寫入信號后，并不是直接對EEPROM 的整個字節(jié)先進(jìn)行擦除操作，然后再進(jìn)行寫入操作，而是先產(chǎn)生讀脈沖信號以及延伸寫信號，并將地址信息譯碼形成對應(yīng)存儲單元的行列地址信號，由EEPROM將對應(yīng)的存儲單元的數(shù)據(jù)讀出，經(jīng)過比較后，若需要寫入存儲單元的數(shù)據(jù)與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)相同，則不執(zhí)行操作，只有存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)與需要寫入的數(shù)據(jù)不相同，才執(zhí)行擦或?qū)懖僮鳌?br> 由于存儲單元每次只進(jìn)行擦除或?qū)懭氩僮鳎也粱驅(qū)懯峭瑫r進(jìn)行的，所以對存儲單元寫入數(shù)據(jù)的時間減少一半，因此本發(fā)明的方法能夠大大縮短對EEPROM的數(shù)據(jù)寫入時間，提高對EEPROM的數(shù)據(jù)寫入效率。
墨盒實(shí)施例本實(shí)施例具有一個殼體，殼體圍成一個容納墨水的腔體，在腔體的下方設(shè)有與腔體連通的出墨口，腔體內(nèi)的墨水可通過出墨口流出。并且，在殼體的一個外壁上可拆卸地安裝有一塊依據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的芯片。
碳粉盒實(shí)施例本實(shí)施例具有殼體，殼體圍成容納碳粉的腔體，腔體的一端設(shè)有出粉口。在殼體的外壁上可拆卸地安裝一塊如上述實(shí)施例的芯片。
當(dāng)然，上述實(shí)施例僅是本發(fā)明較佳的實(shí)施方案，實(shí)際應(yīng)用時還可以有更多的變化， 例如，上述實(shí)施例中，所有的場效應(yīng)管均可以使用三極管等開關(guān)器件替代；或者，邏輯運(yùn)算電路、擦寫控制電路、電壓產(chǎn)生電路等均可以使用其他的邏輯運(yùn)算器件組成具有相同功能的電路替代，這樣的改變同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。此外，本發(fā)明的芯片還可以是應(yīng)用在其他領(lǐng)域的芯片。
最后需要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，如比較電路的改變、地址譯碼電路的改變等變化也應(yīng)該包括在本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，所述電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一所述存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極， 其特征在于該控制裝置包括延時模塊，接收外部輸入的寫入信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號； 地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個所述存儲單元的行列地址信號； 數(shù)據(jù)讀出模塊，暫存所述存儲器輸出的所述存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)； 數(shù)據(jù)比較模塊，比較所述數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一所述存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出所述存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)所述行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與所述行列地址信號對應(yīng)地址的所述存儲單元進(jìn)行擦寫操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，其特征在于所述存儲單元擦寫單元包括擦寫控制模塊，根據(jù)所述延時寫信號、所述數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號及寫入所述存儲單元的數(shù)據(jù)生成對應(yīng)多個所述存儲單元的擦寫控制信號；存儲單元字線電壓控制模塊，根據(jù)所述行列地址信號以及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成多個所述存儲單元的字線電壓，并作為字線信號輸出至對應(yīng)所述存儲單元的字線端口 ；存儲單元擦寫控制模塊，根據(jù)每一所述存儲單元的所述字線信號及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成對應(yīng)的所述存儲單元的位線信號、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，其特征在于所述擦寫控制模塊設(shè)有多組邏輯運(yùn)算電路，每一所述邏輯運(yùn)算電路生成對應(yīng)于一個所述存儲單元的寫信號及擦信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，其特征在于所述存儲單元擦寫控制模塊設(shè)有多組擦寫控制電路，每一所述擦寫控制電路根據(jù)所述存儲單元的寫信號、所述擦信號及所述字線信號生成對應(yīng)存儲單元的位線信號、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，其特征在于所述存儲單元字線電壓控制模塊設(shè)有多組電壓產(chǎn)生電路，每一電壓產(chǎn)生電路連接分別有高壓電源及低壓電源，且每一所述電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生一個所述存儲單元的字線電壓。
6.電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制方法，所述電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一所述存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極， 其特征在于該方法包括數(shù)據(jù)擦寫控制裝置接收向所述存儲器寫入數(shù)據(jù)信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊接收需要寫入數(shù)據(jù)的地址信息并譯碼生成多個所述存儲單元的行列地址信號；讀取需要寫入數(shù)據(jù)的所述存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)，并判斷所需寫入至所述存儲單元的數(shù)據(jù)是否與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)相等，若不相等，由存儲單元擦寫單元根據(jù)待寫入數(shù)據(jù)將該存儲單元的數(shù)據(jù)擦除或向該存儲單元寫入數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制方法，其特征在于所述存儲單元擦寫單元擦寫所述存儲單元的數(shù)據(jù)的步驟包括 由擦寫控制模塊根據(jù)所述延時寫信號、所述數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號及寫入所述存儲單元的數(shù)據(jù)生成對應(yīng)多個所述存儲單元的擦寫控制信號；由存儲單元字線電壓控制模塊根據(jù)所述行列地址信號以及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成多個所述存儲單元的字線電壓，并作為字線信號輸出至對應(yīng)所述存儲單元的字線端口 ；由存儲單元擦寫控制模塊根據(jù)每一所述存儲單元的所述字線信號及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成對應(yīng)的所述存儲單元的位線信號、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
8.芯片，包括基板，所述基板上設(shè)有電子模塊，所述電子模塊內(nèi)設(shè)有電可擦可編程只讀存儲器以及數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，所述電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極； 其特征在于所述數(shù)據(jù)擦寫控制裝置包括延時模塊，接收外部輸入的寫入信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號； 地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個所述存儲單元的行列地址信號； 數(shù)據(jù)讀出模塊，暫存所述存儲器輸出的所述存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)； 數(shù)據(jù)比較模塊，比較所述數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一所述存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出所述存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)所述行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與所述行列地址信號對應(yīng)地址的所述存儲單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦寫操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片，其特征在于 所述存儲單元擦寫單元包括擦寫控制模塊，根據(jù)所述延時寫信號、所述數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號及寫入所述存儲單元的數(shù)據(jù)生成對應(yīng)多個所述存儲單元的擦寫控制信號；存儲單元字線電壓控制模塊，根據(jù)所述行列地址信號以及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成多個所述存儲單元的字線電壓，并作為字線信號輸出至對應(yīng)所述存儲單元的字線端口 ；存儲單元擦寫控制模塊，根據(jù)每一所述存儲單元的所述字線信號及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成對應(yīng)的所述存儲單元的位線信號、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
10.芯片的數(shù)據(jù)寫入方法，該芯片具有基板，所述基板上設(shè)有電子模塊，所述電子模塊內(nèi)設(shè)有電可擦可編程只讀存儲器以及數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，所述電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一所述存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極，其特征在于該方法包括數(shù)據(jù)擦寫控制裝置接收向所述存儲器寫入數(shù)據(jù)信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊接收需要寫入數(shù)據(jù)的地址信息并譯碼生成多個所述存儲單元的行列地址信號；讀取需要寫入數(shù)據(jù)的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)，判斷所需寫入至所述存儲單元的數(shù)據(jù)是否與該存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)相等，若不相等，由存儲單元擦寫單元將該存儲單元的數(shù)據(jù)擦除或向該存儲單元寫入數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片數(shù)據(jù)寫入方法，其特征在于 所述存儲單元擦寫單元擦寫所述存儲單元的數(shù)據(jù)的步驟包括由擦寫控制模塊根據(jù)所述延時寫信號、所述數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號及寫入所述存儲單元的數(shù)據(jù)生成對應(yīng)多個所述存儲單元的擦寫控制信號；由存儲單元字線電壓控制模塊根據(jù)所述行列地址信號以及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成多個所述存儲單元的字線電壓，并作為字線信號輸出至對應(yīng)所述存儲單元的字線端口 ；由存儲單元擦寫控制模塊根據(jù)每一所述存儲單元的所述字線信號及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成對應(yīng)的所述存儲單元的位線信號、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
12.耗材容器，包括殼體，所述殼體圍成容納耗材的腔體，所述腔體下端設(shè)有耗材出口，且所述殼體上設(shè)有耗材芯片，所述芯片設(shè)有基板，所述基板上設(shè)有通信模塊以及與所述通信模塊電連接的電子模塊，所述電子模塊設(shè)有電可擦可編程只讀存儲器以及數(shù)據(jù)擦寫控制裝置，所述電可擦可編程只讀存儲器具有多個存儲單元，每一所述存儲單元具有字線端口、位線端口、控制柵極以及浮柵管的源極；其特征在于所述數(shù)據(jù)擦寫控制裝置包括延時模塊，接收外部輸入的寫入信號后，產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號； 地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個所述存儲單元的行列地址信號； 數(shù)據(jù)讀出模塊，暫存所述存儲器輸出的所述存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)； 數(shù)據(jù)比較模塊，比較所述數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一所述存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出所述存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)所述行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與所述行列地址信號對應(yīng)地址的所述存儲單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦寫操作。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的耗材容器，其特征在于 所述存儲單元擦寫單元包括擦寫控制模塊，根據(jù)所述延時寫信號、所述數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號及寫入所述存儲單元的數(shù)據(jù)生成對應(yīng)的多個所述存儲單元的擦寫控制信號；存儲單元字線電壓控制模塊，根據(jù)所述行列地址信號以及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成多個所述存儲單元的字線電壓，并作為字線信號輸出至對應(yīng)所述存儲單元的字線端口 ；存儲單元擦寫控制模塊，根據(jù)每一所述存儲單元的所述字線信號及所述擦寫控制信號、所述讀脈沖信號生成對應(yīng)的所述存儲單元的位線信號、控制柵極信號及浮柵管的源極連接信號。
全文摘要
本發(fā)明提供電可擦可編程只讀存儲器的數(shù)據(jù)擦寫控制裝置及方法、芯片及數(shù)據(jù)寫入方法、耗材容器，該裝置包括延時模塊，接收寫入信號后產(chǎn)生讀脈沖信號及延時寫信號；地址譯碼模塊，接收地址信息并譯碼生成多個存儲單元的行列地址信號；數(shù)據(jù)讀出模塊，暫存存儲器輸出的存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)比較模塊，比較數(shù)據(jù)讀出模塊輸出的數(shù)據(jù)與寫入至同一存儲單元的數(shù)據(jù)是否一致，并輸出存儲單元的數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號；存儲單元擦寫單元，根據(jù)行列地址信號、數(shù)據(jù)比較結(jié)果信號以及讀脈沖信號、延時寫信號對與行列地址信號對應(yīng)地址的存儲單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行擦寫操作。該方法是應(yīng)用上述裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫操作。本發(fā)明能提高EEPROM的數(shù)據(jù)擦寫效率，縮短擦寫時間。
文檔編號G11C16/06GK102509557SQ20111034498
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者秦正南 申請人:珠海天威技術(shù)開發(fā)有限公司