專利名稱：光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及種對(duì)通過凹凸坑(concave-convex pits)記錄有主信息的光盤追加寫入固有的追記標(biāo)記(recordable mark)并且檢測(cè)追加寫入的追記標(biāo)記的光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路。
背景技術(shù)：
作為記錄數(shù)字內(nèi)容數(shù)據(jù)的介質(zhì)，DVD-ROM或BD-ROM等光盤得到廣泛利用。在 DVD-ROM中，單層盤具有4. 7GB (千兆字節(jié))的記錄容量，有兩層記錄層的雙層盤具有8. 5GB 的記錄容量。而且，在BD-ROM中，單層盤具有25GB的記錄容量，雙層盤具有50GB的記錄容量。因此，光盤作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的分發(fā)介質(zhì)得到廣泛普及。尤其是，能夠大量地記錄數(shù)據(jù)的 BD-ROM作為能夠容易地分發(fā)高清晰度的影像內(nèi)容數(shù)據(jù)等的光盤得到有效利用。這樣，光盤的記錄容量增大，一張光盤中保存的內(nèi)容信息的容量增加，每張光盤的價(jià)值增高，與此相伴，希望將通過凹凸坑記錄有內(nèi)容信息的光盤按每張盤進(jìn)行區(qū)別管理的要求也變得更高。但是，對(duì)于一般利用凹凸坑記錄內(nèi)容信息的光盤而言，其特征在于通過制作稱為母盤(stamper)的原盤，能夠一次復(fù)制多張光盤，但另一方面，由于從同一原盤進(jìn)行復(fù)制這一特性，從原盤復(fù)制的光盤具有完全相同的坑形狀。因此，不能逐張區(qū)別各光盤。對(duì)此，作為識(shí)別從母盤復(fù)制的光盤的每張盤的技術(shù)，公開有在光盤的內(nèi)周部設(shè)置稱為BCA (burst cutting area，燒錄區(qū))的特殊區(qū)域，通過利用稱為YAG激光器的高輸出激光器在半徑方向上以條形碼形狀記錄長(zhǎng)標(biāo)記，從而記錄盤固有的ID的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)1)?；蛘?，公開有在形成于光盤上的指定長(zhǎng)度以上的坑(pit)或岸(land)的中央附近進(jìn)行信道時(shí)鐘單位寬度非常短的脈沖記錄，使反射率局部地發(fā)生變化，從而記錄盤識(shí)別信息的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)2)。或者，公開有將光盤的區(qū)域分割為數(shù)據(jù)區(qū)域和識(shí)別區(qū)域，在識(shí)別區(qū)域中反復(fù)記錄調(diào)制后的模式分別被預(yù)先決定的多個(gè)坑和多個(gè)岸，對(duì)該反復(fù)記錄的坑及岸照射氣體激光使反射膜發(fā)生變化，從變化的反射膜檢測(cè)再生信號(hào)的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)3)。或者，公開有沿著記錄了作為隨機(jī)排列的主信息的內(nèi)容信息的凹凸標(biāo)記(凹凸坑)，以信道比特長(zhǎng)的整數(shù)倍，照射連續(xù)或間歇的激光以使反射膜的反射率發(fā)生變化，從而記錄副信息的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)4)。但是，在專利文獻(xiàn)1公開的發(fā)明中，如該文獻(xiàn)的第0035段所述的那樣，為了將光盤的反射膜熔融成狹縫狀，記錄需要較大的能量，如果不使用YAG激光器這樣的比較大型并且高輸出的工業(yè)用脈沖激光器，則無法進(jìn)行記錄。即，專利文獻(xiàn)1的記錄裝置必須是像在工廠設(shè)置的那樣的大規(guī)模裝置，在僅搭載了較低輸出的半導(dǎo)體激光光源的一般的個(gè)人計(jì)算機(jī)用光盤驅(qū)動(dòng)器中，無法熔融鋁的反射膜以記錄光盤識(shí)別用的ID。另外，在專利文獻(xiàn)2公開的發(fā)明中，如該文獻(xiàn)的第0017段所述的那樣，在記錄標(biāo)記時(shí)需要使用在工廠作為精加工裝置的特殊裝置，以光盤再生信號(hào)的信道比特(channel bit)為單位正確地同步，來記錄光盤識(shí)別信息。為了不損壞坑中本來寫入的信息的再生信號(hào)質(zhì)量，光盤識(shí)別信息的記錄脈沖寬度必須充分短于坑長(zhǎng)。在專利文獻(xiàn)2的例子中，記錄脈沖寬度為1信道比特。通常，如上所述，為了在熱傳導(dǎo)率較好的反射膜上，將能夠通過再生裝置進(jìn)行穩(wěn)定檢測(cè)的陡峭的脈沖記錄到高精度的位置，需要具有與記錄型光盤裝置同等以上精度的激光驅(qū)動(dòng)電路和輸出比較大的激光功率的激光光源。 另外，在專利文獻(xiàn)3公開的發(fā)明中，如該文獻(xiàn)的第0027段所述的那樣，作為激光源需要?dú)寮す馄骰騂e-Cd激光器等氣體激光器，與專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2同樣，使用由工廠管理的特殊記錄裝置。在本專利文獻(xiàn)3公開的發(fā)明中，必須在光盤的指定區(qū)域中準(zhǔn)備預(yù)先決定的多個(gè)坑及岸的模式(pattern)。在專利文獻(xiàn)3的圖IlA及圖IlB中，公開了 3信道比特(3T)長(zhǎng)的坑及岸的反復(fù)模式。另外，在專利文獻(xiàn)3中，在對(duì)反射膜照射氣體激光使反射膜的特性發(fā)生了變化的情況下，并未具體公開什么物理特性如何變化，使用再生裝置進(jìn)行什么樣的檢測(cè)。另外，在專利文獻(xiàn)4公開的發(fā)明中，對(duì)一定區(qū)域的凹凸坑照射激光，使光盤的反射率在某種程度的廣范圍發(fā)生變化。專利文獻(xiàn)4公開的發(fā)明的特征在于，由于使反射率在某種程度的廣范圍發(fā)生變化，因此在反射率變化量較少的情況下也容易取得檢測(cè)靈敏度。但是，在專利文獻(xiàn)4中，雖然涉及了對(duì)凹凸坑照射激光以記錄標(biāo)記，但并未提及具體的記錄裝
置的結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)1 日本專利公開公報(bào)特許第3089599號(hào)專利文獻(xiàn)2 日本專利公開公報(bào)特許第34M410號(hào)專利文獻(xiàn)3 日本專利公開公報(bào)特許第4211395號(hào)專利文獻(xiàn)4 國際公開第2007/139077號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述技術(shù)所存在的問題，其目的在于提供一種光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路，不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，就能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記(recordable mark)。本發(fā)明所提供的一種光盤裝置對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤，通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記，包括拾光器；RF信號(hào)處理部， 基于所述拾光器的輸出取得RF信號(hào)；基準(zhǔn)位置檢測(cè)部，解調(diào)所述RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)；旋轉(zhuǎn)速度控制部，將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度；發(fā)光時(shí)機(jī)生成部， 按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)；激光功率控制部，在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器照射的激光的激光功率；反射率變化量檢測(cè)部，從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量；凹凸坑再生控制部，當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在所述激光功率控制部設(shè)定第一激光功率；以及追記標(biāo)記記錄控制部，當(dāng)對(duì)所述光盤追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)對(duì)所述激光功率控制部設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)，解調(diào)RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)。 由旋轉(zhuǎn)速度控制部將光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度，由發(fā)光時(shí)機(jī)生成部按照基準(zhǔn)位置信號(hào)在預(yù)先決定的位置生成從拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，由激光功率控制部在發(fā)光時(shí)機(jī)增加從拾光器照射的激光的激光功率。由反射率變化量檢測(cè)部從RF信號(hào)中檢測(cè)光盤的反射光的反射率變化量。并且，當(dāng)再生形成在光盤上的凹凸坑時(shí)，在旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在激光功率控制部設(shè)定第一激光功率。另外，當(dāng)對(duì)光盤追加寫入追記標(biāo)記時(shí)，在旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定低于第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)發(fā)光時(shí)機(jī)對(duì)激光功率控制部設(shè)定大于第一激光功率的第二激光功率。根據(jù)本發(fā)明，不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，便能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記。通過以下詳細(xì)的說明和附圖，使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更加明確。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的光盤裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖2是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的光盤裝置中使用的光盤的數(shù)據(jù)格式的模式圖。圖3是表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖(timing chart)。圖4是表示再生通過凹凸坑記錄的內(nèi)容數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)再生動(dòng)作的流程圖。圖5是表示記錄追記標(biāo)記的標(biāo)記記錄動(dòng)作的流程圖。圖6是表示在本發(fā)明實(shí)施方式1中旋轉(zhuǎn)速度與記錄所需的激光功率的關(guān)系的圖。圖7是表示檢測(cè)記錄在光盤中的追記標(biāo)記的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作的流程圖。圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的標(biāo)記檢測(cè)處理的時(shí)間圖。圖9是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的其他追記標(biāo)記檢測(cè)方法的時(shí)間圖。圖10是用于更詳細(xì)地說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的標(biāo)記檢測(cè)處理的流程圖。圖11是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。圖12是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式3中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。圖13是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式4中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。圖14是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式5中的標(biāo)記記錄控制部以及時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。圖15是表示本發(fā)明實(shí)施方式6中的時(shí)機(jī)生成部的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的方框圖。圖16是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式6中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。圖17是表示本發(fā)明實(shí)施方式7中的時(shí)機(jī)生成部的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的方框圖。圖18是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式7中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。圖19是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式8中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。 圖20是表示本發(fā)明實(shí)施方式9的光盤裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖21是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式9中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。圖22是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式10中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作以及追記標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作的時(shí)間圖。圖23是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式11中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照適當(dāng)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，以下實(shí)施方式是將本發(fā)明具體化的一例，其性質(zhì)并非為限定本發(fā)明的技術(shù)范圍。(實(shí)施方式1)圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的光盤裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。在圖1中，光盤裝置 100包括輸入輸出部101、CPU(中央運(yùn)算處理裝置)102、時(shí)機(jī)生成部106、激光功率切換部 107、盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108、拾光器109、盤馬達(dá)110、RF信號(hào)處理部111、聚焦及追蹤控制部(focus and tracking controller) 112、解調(diào)電路(demodulating circuit) 113、糾錯(cuò)部 114以及標(biāo)記檢測(cè)部115。圖1的虛線內(nèi)的模塊(block)作為半導(dǎo)體集成電路124而被匯集安裝到一個(gè)芯片上。光盤裝置100對(duì)通過凹凸坑記錄有主信息的光盤1，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記。另外，光盤裝置100再生通過凹凸坑而被記錄的主信息，并且再生被追加寫入的追記標(biāo)記。盤馬達(dá)110使光盤1以一定速度旋轉(zhuǎn)。拾光器109從光盤1中讀取利用凹凸坑記錄的主信息。拾光器109對(duì)光盤1照射激光，并且接收來自光盤1的反射光，輸出拾光器輸出信號(hào)P0。RF信號(hào)處理部111基于來自拾光器109的拾光器輸出信號(hào)PO取得RF信號(hào)RFS。 聚焦及追蹤控制部112在聚焦方向及追蹤方向上驅(qū)動(dòng)拾光器109，以使拾光器109照射的光束正確地跟蹤光盤1上的凹凸坑。作為追蹤控制方式，通常，在再生由凹凸坑構(gòu)成的內(nèi)容信息時(shí)使用相位差檢測(cè)方式。即，聚焦及追蹤控制部112以相位差檢測(cè)方式進(jìn)行追蹤控制。 解調(diào)電路113解調(diào)RF信號(hào)RFS，并輸出解調(diào)后的數(shù)字信號(hào)DS。而且，解調(diào)電路113還檢測(cè)包含在RF信號(hào)RFS中的同步碼，產(chǎn)生基準(zhǔn)位置信號(hào)SY。糾錯(cuò)部114對(duì)包含在被解調(diào)電路113解調(diào)的數(shù)字信號(hào)DS中的隨機(jī)錯(cuò)誤(random error)以及突發(fā)錯(cuò)誤(burst error)進(jìn)行糾正，并作為數(shù)字再生信號(hào)RD傳送到輸入輸出部 101。輸入輸出部101是使得光盤裝置100從例如外部的個(gè)人計(jì)算機(jī)等接收再生指令的接口(interface)。輸入輸出部101將從外部輸入的數(shù)據(jù)再生、標(biāo)記記錄以及標(biāo)記檢測(cè)等動(dòng)作命令輸出到CPU102。另外，輸入輸出部101還接收由糾錯(cuò)部114進(jìn)行了糾錯(cuò)的數(shù)字再生信號(hào)RD以及標(biāo)記檢測(cè)部115的標(biāo)記檢測(cè)結(jié)果MDR，并輸出到外部。CPU102控制光盤裝置100整體，包括數(shù)據(jù)再生控制部103、標(biāo)記記錄控制部104、以及標(biāo)記檢測(cè)控制部105。標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)通過使反射膜的反射率發(fā)生變化而被記錄的追記標(biāo)記。標(biāo)記檢測(cè)部115從RF信號(hào)RFS中檢測(cè)光盤1的反射光的反射率的變化量。時(shí)機(jī)生成部106接收來自CPU102的指令，與從解調(diào)電路113接收的基準(zhǔn)位置信號(hào)SY同步地生成發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ。時(shí)機(jī)生成部106按照基準(zhǔn)位置信號(hào)SY，在預(yù)先決定的位置生成從拾光器109照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)。激光功率切換部107切換激光功率。激光功率切換部107在由時(shí)機(jī)生成部106生成的發(fā)光時(shí)機(jī)，增加從拾光器109照射的激光的激光功率。盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108切換光盤1的旋轉(zhuǎn)速度。盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108將光盤1的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度。數(shù)據(jù)再生控制部103，當(dāng)再生形成在光盤1上的凹凸坑時(shí)，在盤旋轉(zhuǎn)速度切換部 108設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在激光功率切換部107設(shè)定第一激光功率。標(biāo)記記錄控制部104當(dāng)對(duì)光盤1追加寫入追記標(biāo)記時(shí)，對(duì)盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108 設(shè)定低于第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)發(fā)光時(shí)機(jī)在激光功率切換部107設(shè)定大于第一激光功率的第二激光功率。標(biāo)記檢測(cè)控制部105在檢測(cè)形成在光盤1上的追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于由標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)出的反射率的變化量來檢測(cè)追記標(biāo)記的控制。此外，在本實(shí)施方式中，RF信號(hào)處理部111相當(dāng)于RF信號(hào)處理部的一例，解調(diào)電路113相當(dāng)于基準(zhǔn)位置檢測(cè)部的一例，盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108相當(dāng)于旋轉(zhuǎn)速度控制部的一例，時(shí)機(jī)生成部106相當(dāng)于發(fā)光時(shí)機(jī)生成部的一例，激光功率切換部107相當(dāng)于激光功率控制部的一例，標(biāo)記檢測(cè)部115相當(dāng)于反射率變化量檢測(cè)部的一例，數(shù)據(jù)再生控制部103相當(dāng)于凹凸坑再生控制部的一例，標(biāo)記記錄控制部104相當(dāng)于追記標(biāo)記記錄控制部的一例，標(biāo)記檢測(cè)控制部105相當(dāng)于追記標(biāo)記檢測(cè)控制部的一例，聚焦及追蹤控制部112相當(dāng)于追蹤控制部的一例。圖2是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的光盤裝置中使用的光盤的數(shù)據(jù)格式的模式圖。在圖 2 中，ECC(Error Collection (應(yīng)為 Correction) Code，糾錯(cuò)碼)Ife 2 表示能夠?qū)墓獗P1再生的數(shù)字信號(hào)DS進(jìn)行糾錯(cuò)的最小單位。幀3表示附加有同步碼的調(diào)制數(shù)據(jù)的最小單位。通常，一個(gè)ECC塊包含數(shù)百個(gè)幀。進(jìn)一步，幀3包含同步碼4和調(diào)制數(shù)據(jù)5。同步碼4是為了進(jìn)行光盤上的再生數(shù)據(jù)的定位而被附加的信號(hào)，通常使用不會(huì)出現(xiàn)在調(diào)制數(shù)據(jù)中的獨(dú)特的模式。解調(diào)電路113通過檢測(cè)同步碼4產(chǎn)生基準(zhǔn)位置信號(hào)SY。解調(diào)電路113能夠連續(xù)輸出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY，也能夠構(gòu)成為在解調(diào)電路113內(nèi)部具有地址解調(diào)電路，與指定的開始地址同步地從地址解調(diào)電路輸出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY。圖3是表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖(timing chart)。時(shí)機(jī)生成部106基于基準(zhǔn)位置信號(hào)SY輸出發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ。激光功率切換部107在發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ為L(zhǎng)ow時(shí)，使搭載在拾光器109中的激光光源以第一激光功率級(jí)(level) 11發(fā)光。 另外，激光功率切換部107在發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ為High時(shí)，使搭載在拾光器109中的激光光源以大于第一激光功率級(jí)11的第二激光功率級(jí)10發(fā)光。在激光功率為第二激光功率級(jí)10 的區(qū)間中，追記標(biāo)記8沿著光盤盤面上的凹凸坑7形成在光盤盤面上。為了穩(wěn)定地檢測(cè)追記標(biāo)記8，需要在與凹凸坑7的解調(diào)信號(hào)不同的頻帶中記錄追記標(biāo)記8，否則，有可能無法在RF信號(hào)RFS中區(qū)別追記標(biāo)記8與凹凸坑7。因此，追記標(biāo)記 8的長(zhǎng)度最好為凹凸坑7的最短坑長(zhǎng)的10倍以上。S卩，以第二激光功率照射激光的發(fā)光區(qū)間為凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上較為理想。
在使用價(jià)格低的半導(dǎo)體激光光源的情況下，無法將第二激光功率級(jí)10設(shè)定得明顯較高。從激光光源的壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，第二激光功率與第一激光功率相比為5倍以上、10 倍以下較為理想。接著，用圖4、圖5及圖7的流程圖、以及圖6的說明圖更為詳細(xì)地說明作為本發(fā)明實(shí)施方式1的特征的、接收到CPU102的指令時(shí)標(biāo)記檢測(cè)部115、時(shí)機(jī)生成部106、激光功率切換部107以及盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108的動(dòng)作。圖4是表示再生利用凹凸坑記錄的內(nèi)容數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)再生動(dòng)作的流程圖。首先，輸入輸出部101對(duì)數(shù)據(jù)再生控制部103輸出用于再生利用凹凸坑記錄的內(nèi)容數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)再生命令(步驟Sll)。數(shù)據(jù)再生控制部103接收從輸入輸出部101輸入的數(shù)據(jù)再生命令，并為了再生光盤1以讀取內(nèi)容數(shù)據(jù)而輸出用于設(shè)定光盤1的旋轉(zhuǎn)速度的盤旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定信號(hào)DRS、用于設(shè)定從拾光器109射出的激光的激光功率的激光功率設(shè)定信號(hào) LPS、以及用于設(shè)定激光的發(fā)光時(shí)機(jī)的發(fā)光時(shí)機(jī)設(shè)定信號(hào)EZC。接著，數(shù)據(jù)再生控制部103將盤旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定信號(hào)DRS輸出到盤旋轉(zhuǎn)速度切換部 108，設(shè)定盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108，以便通過盤馬達(dá)110使光盤1以第一旋轉(zhuǎn)速度即再生內(nèi)容數(shù)據(jù)時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)(步驟S12)。接著，數(shù)據(jù)再生控制部103將激光功率設(shè)定信號(hào)LPS輸出到激光功率切換部107， 設(shè)定激光功率切換部107，以便使激光光源以內(nèi)容數(shù)據(jù)再生時(shí)使用的第一激光功率發(fā)光 (步驟S13)。接著，數(shù)據(jù)再生控制部103將發(fā)光時(shí)機(jī)設(shè)定信號(hào)EZC輸出到時(shí)機(jī)生成部106，設(shè)定時(shí)機(jī)生成部106，以便輸出使激光光源始終以第一激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZjPF 輸出以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ (步驟S14)。在光盤1的內(nèi)容數(shù)據(jù)的再生開始后，RF信號(hào)RFS經(jīng)由拾光器109及RF信號(hào)處理部111被輸入到解調(diào)電路113。接著，解調(diào)電路113解調(diào)RF信號(hào)RFS，開始再生數(shù)字信號(hào) DS (步驟SM)。接著，糾錯(cuò)部114進(jìn)行數(shù)字信號(hào)DS的糾錯(cuò)，將數(shù)字再生信號(hào)RD輸出到輸入輸出部101(步驟S16)。此外，在再生數(shù)據(jù)時(shí)，由聚焦及追蹤控制部112進(jìn)行的聚焦控制及追蹤控制、或者拾光器109的位置控制等也是必需的，但這些功能是一般的光盤裝置普遍具備的功能，此處省略說明。圖5是表示記錄追記標(biāo)記的標(biāo)記記錄動(dòng)作的流程圖。首先，輸入輸出部101對(duì)標(biāo)記記錄控制部104輸出用于記錄追記標(biāo)記的標(biāo)記記錄命令(步驟S21)。標(biāo)記記錄控制部104接收從輸入輸出部101輸入的標(biāo)記記錄命令，并為了記錄追記標(biāo)記而輸出用于設(shè)定從拾光器109射出的激光的激光功率的激光功率設(shè)定信號(hào)LPS、用于設(shè)定光盤1的旋轉(zhuǎn)速度的盤旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定信號(hào)DRS、以及用于設(shè)定激光的發(fā)光時(shí)機(jī)的發(fā)光時(shí)機(jī)設(shè)定信號(hào)EZC。接著，標(biāo)記記錄控制部104將激光功率設(shè)定信號(hào)LPS輸出到激光功率切換部107， 設(shè)定激光功率切換部107，以便使激光光源以第二激光功率發(fā)光(步驟S22)。接著，標(biāo)記記錄控制部104將盤旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定信號(hào)DRS輸出到盤旋轉(zhuǎn)速度切換部 108，設(shè)定盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108，以便通過盤馬達(dá)110使光盤1以第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)(步驟 S23)。
接著，標(biāo)記記錄控制部104將發(fā)光時(shí)機(jī)設(shè)定信號(hào)EZC輸出到時(shí)機(jī)生成部106，設(shè)定時(shí)機(jī)生成部106，以便輸出使激光光源以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ (步驟S24)。 在圖3所示的時(shí)間圖的例子中，標(biāo)記記錄控制部104設(shè)定發(fā)光時(shí)機(jī)，以便在基準(zhǔn)位置信號(hào)SY 之后生成一定區(qū)間寬度的脈沖。如果光盤上的再生位置到達(dá)同步碼的位置，則從解調(diào)電路113輸出基準(zhǔn)位置信號(hào) SY。標(biāo)記記錄控制部104判斷基準(zhǔn)位置信號(hào)SY是否為記錄開始位置(步驟S2Q。此處，如果判斷出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY不是記錄開始位置(在步驟S25為“否”)，則反復(fù)進(jìn)行步驟S25 的判斷處理，直到基準(zhǔn)位置信號(hào)SY達(dá)到記錄開始位置為止。另一方面，如果判斷出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY是記錄開始位置(在步驟S25為“是”)， 時(shí)機(jī)生成部106基于基準(zhǔn)位置信號(hào)SY生成表示使激光發(fā)光的區(qū)間的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ(步驟S26)。激光功率切換部107在發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ所表示的發(fā)光區(qū)間，將激光光源的發(fā)光功率從第一激光功率切換為第二激光功率(步驟S27)。接著，標(biāo)記記錄控制部104判斷基準(zhǔn)位置信號(hào)SY是否為最終記錄地址(步驟 S28)。此處，如果判斷出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY不是最終記錄地址(在步驟幻8為“否”)，返回步驟S26的處理。另一方面，如果判斷出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY是最終記錄地址(在步驟幻8為 “是”)，結(jié)束標(biāo)記記錄動(dòng)作。以上的步驟S^至步驟S28的動(dòng)作在基準(zhǔn)位置信號(hào)SY達(dá)到最終記錄地址之前被反復(fù)執(zhí)行，從而記錄追記標(biāo)記。在以上說明中，當(dāng)光盤上的再生位置到達(dá)指定位置時(shí)，基準(zhǔn)位置信號(hào)SY被輸出， 但也可以是基準(zhǔn)位置信號(hào)SY始終在同步碼的位置被輸出，并且與基準(zhǔn)位置信號(hào)SY同時(shí)，地址信息從解調(diào)電路113被輸出到時(shí)機(jī)生成部106，時(shí)機(jī)生成部106基于地址信息判斷指定位置。圖6是表示在本發(fā)明實(shí)施方式1中旋轉(zhuǎn)速度與記錄所需的激光功率的關(guān)系的圖。 當(dāng)在形成有凹凸坑的光盤1上記錄追記標(biāo)記時(shí)，通過照射激光將一定的熱能提供給反射膜，使反射膜產(chǎn)生物理以及光學(xué)變化。光盤1的線速度即旋轉(zhuǎn)速度越快，對(duì)反射膜的每單位長(zhǎng)度提供的熱量越少，如果不從拾光器109以較大的激光功率照射激光，便無法使反射膜
產(chǎn)生變化。在圖6的功率曲線12中，假設(shè)以第一旋轉(zhuǎn)速度xl以及激光功率A能夠使反射膜產(chǎn)生物理以及光學(xué)變化。此時(shí)，為了以低于第一旋轉(zhuǎn)速度xl的低速的第二旋轉(zhuǎn)速度x2使反射膜產(chǎn)生與以第一旋轉(zhuǎn)速度xl旋轉(zhuǎn)時(shí)相同的物理以及光學(xué)變化所需要的激光功率為激光功率B，激光功率B為低于激光功率A的值。第二旋轉(zhuǎn)速度為能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的1/2以下較為理想。在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，能夠通過將第二旋轉(zhuǎn)速度x2設(shè)定成再生通常光盤裝置所具有的內(nèi)容數(shù)據(jù)時(shí)所需要的最低旋轉(zhuǎn)速度x3的例如一半以下，從而以充分低的激光功率使反射膜產(chǎn)生物理以及光學(xué)變化。另外，第二旋轉(zhuǎn)速度為第一旋轉(zhuǎn)速度的1/10以下較為理想。一般而言，光盤裝置通常被設(shè)計(jì)成能夠高速進(jìn)行內(nèi)容數(shù)據(jù)的再生，但通過使第二旋轉(zhuǎn)速度為第一旋轉(zhuǎn)速度的 1/10以下，能夠以充分低的激光功率使反射膜產(chǎn)生物理以及光學(xué)變化。圖7是表示檢測(cè)記錄在光盤中的追記標(biāo)記的標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作的流程圖。首先，輸入輸出部101對(duì)標(biāo)記檢測(cè)控制部105輸出用于檢測(cè)記錄在光盤1中的追記標(biāo)記的標(biāo)記檢測(cè)命令(步驟S31)。標(biāo)記檢測(cè)控制部105從輸入輸出部101接收標(biāo)記檢測(cè)命令，并為了檢測(cè)記錄在光盤1中的追記標(biāo)記而輸出用于設(shè)定激光的發(fā)光時(shí)機(jī)的發(fā)光時(shí)機(jī)設(shè)定信號(hào)EZC、用于設(shè)定從拾光器109射出的激光的激光功率的激光功率設(shè)定信號(hào)LPS、以及用于設(shè)定光盤1的旋轉(zhuǎn)速度的盤旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定信號(hào)DRS。接著，標(biāo)記檢測(cè)控制部105將激光功率設(shè)定信號(hào)LPS輸出到激光功率切換部107， 設(shè)定激光功率切換部107，以便使激光光源以內(nèi)容數(shù)據(jù)再生時(shí)使用的第一激光功率發(fā)光 (步驟S32)。接著，標(biāo)記檢測(cè)控制部105將盤旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定信號(hào)DRS輸出到盤旋轉(zhuǎn)速度切換部 108，設(shè)定盤旋轉(zhuǎn)速度切換部108，以便通過盤馬達(dá)110使光盤1以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)(步驟 S33)。接著，標(biāo)記檢測(cè)控制部105將發(fā)光時(shí)機(jī)設(shè)定信號(hào)EZC輸出到時(shí)機(jī)生成部106，設(shè)定時(shí)機(jī)生成部106，以便輸出使激光光源以第一激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ，即不輸出以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ (步驟S34)。在光盤1的內(nèi)容數(shù)據(jù)的再生開始后，RF信號(hào)RFS經(jīng)由拾光器109及RF信號(hào)處理部111被輸入到解調(diào)電路113。接著，解調(diào)電路113解調(diào)RF信號(hào)RFS，輸出基準(zhǔn)位置信號(hào) SY (步驟 S35)。接著，標(biāo)記檢測(cè)部115判斷基準(zhǔn)位置信號(hào)SY是否為最終記錄地址(步驟S36)。此處，如果判斷出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY是最終記錄地址(在步驟S36為“是”)，標(biāo)記檢測(cè)部115將標(biāo)記檢測(cè)結(jié)果MDR輸出到輸入輸出部101，標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作結(jié)束(步驟S37)。另一方面，在基準(zhǔn)位置信號(hào)SY到達(dá)最終記錄地址之前，即如果判斷出基準(zhǔn)位置信號(hào)SY不是最終記錄地址 (在步驟S36為“否”)，標(biāo)記檢測(cè)部115執(zhí)行后述的標(biāo)記檢測(cè)處理(步驟S38)。在本實(shí)施方式中，標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作時(shí)的盤旋轉(zhuǎn)速度為第一旋轉(zhuǎn)速度，但也能夠以第二旋轉(zhuǎn)速度檢測(cè)追記標(biāo)記。一般而言，盤馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)速度的切換需要應(yīng)答時(shí)間，切換所需的應(yīng)答時(shí)間對(duì)數(shù)據(jù)再生動(dòng)作、標(biāo)記記錄動(dòng)作以及標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作整體的所需時(shí)間產(chǎn)生影響。因此，較為理想的是，考慮內(nèi)容數(shù)據(jù)的再生、追記標(biāo)記的記錄以及追記標(biāo)記的再生的各動(dòng)作順序，決定旋轉(zhuǎn)速度以使整體的處理時(shí)間達(dá)到最短較為理想的。圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的標(biāo)記檢測(cè)處理的時(shí)間圖。在圖8中，ECC塊 2、幀3、凹凸坑7、以及追記標(biāo)記8與圖2相同。圖8所示的RF信號(hào)13作為模擬波形表示從RF信號(hào)處理部111輸出的RF信號(hào) RFS0在RF信號(hào)RFS的前頭具有同步碼部，接著，按照規(guī)定的調(diào)制規(guī)則的表面上隨機(jī)的坑列作為數(shù)據(jù)排列。用虛線表示的RF信號(hào)14表示記錄了追記標(biāo)記后的RF信號(hào)，用實(shí)線表示的 RF信號(hào)15表示記錄追記標(biāo)記前的RF信號(hào)，RF信號(hào)14表示相對(duì)于RF信號(hào)15存在反射率的變化。用點(diǎn)劃線表示的記錄了追記標(biāo)記后的RF信號(hào)的平均值17與用雙點(diǎn)劃線表示的記錄追記標(biāo)記前的RF信號(hào)的平均值16相比有所增加。即，能夠?qū)⒆酚洏?biāo)記的有無作為不存在追記標(biāo)記時(shí)的RF信號(hào)的平均值與存在追記標(biāo)記時(shí)的RF信號(hào)的平均值的差18來檢測(cè)。標(biāo)記檢測(cè)部115測(cè)量RF信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的振幅平均值的變動(dòng)量檢測(cè)反射率變化量。另外，標(biāo)記檢測(cè)部115也可以對(duì)記錄追記標(biāo)記的標(biāo)記追加寫入部的RF信號(hào)波形進(jìn)行積分，基于積分量的變化來檢測(cè)追記標(biāo)記。即，標(biāo)記檢測(cè)部115也可以分別檢測(cè)激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間內(nèi)的RF信號(hào)的積分值，以及激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間以外的長(zhǎng)度與發(fā)光區(qū)間相同的區(qū)間內(nèi)的RF信號(hào)的積分值，通過求出檢測(cè)出的兩個(gè)積分值的差來檢測(cè)反射率變化量。另外，標(biāo)記檢測(cè)部115也可以從解調(diào)電路113取得與坑長(zhǎng)有關(guān)的信息，僅將一定長(zhǎng)度以上的坑或岸的中央部附近的值用于平均值的計(jì)算。即，標(biāo)記檢測(cè)部115僅檢測(cè)在檢測(cè)出的坑長(zhǎng)為一定長(zhǎng)度以上的凹凸坑的中央部的反射率變化量。由此，能夠降低由于凹凸坑長(zhǎng)短不一地隨機(jī)排列而造成的振幅平均值計(jì)算時(shí)的誤差。另外，標(biāo)記檢測(cè)部115也可以僅將相同長(zhǎng)度的坑或岸用于平均值計(jì)算。另外，標(biāo)記檢測(cè)部115也可以將由追記標(biāo)記的記錄引起的反射率變化作為RF信號(hào)的微小波動(dòng)來檢測(cè)。例如，在圖8中可知，與記錄追記標(biāo)記前的RF信號(hào)15相比，記錄了追記標(biāo)記后的RF信號(hào)14由于追記標(biāo)記的影響在時(shí)間軸上發(fā)生微小變化(偏差)。標(biāo)記檢測(cè)部115通過對(duì)RF信號(hào)在時(shí)間軸上的微小變化進(jìn)行指定的統(tǒng)計(jì)處理，能夠檢測(cè)追記標(biāo)記的有無。統(tǒng)計(jì)處理例如是通常的導(dǎo)出抖動(dòng)值的處理。即，能夠根據(jù)抖動(dòng)值的不同檢測(cè)追記標(biāo)記的有無。另外，也可以使用圖9所示的追記標(biāo)記檢測(cè)方法。圖9是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的其他追記標(biāo)記檢測(cè)方法的時(shí)間圖。在圖9中，時(shí)機(jī)生成部106為了在追記標(biāo)記檢測(cè)時(shí)檢測(cè)在事先已知的追記標(biāo)記記錄區(qū)間中是否記錄了追記標(biāo)記，在應(yīng)當(dāng)記錄追記標(biāo)記的區(qū)間向標(biāo)記檢測(cè)部115輸出檢測(cè)區(qū)間信號(hào)DZ。在檢測(cè)區(qū)間信號(hào)DZ的輸出區(qū)間，當(dāng)光盤1的再生變得不穩(wěn)定時(shí)，標(biāo)記檢測(cè)部115 判斷記錄有追記標(biāo)記。例如，標(biāo)記檢測(cè)部115在檢測(cè)區(qū)間信號(hào)DZ的輸出區(qū)間檢測(cè)到PLL(Phase Lock Loop，鎖相環(huán))電路的鎖定發(fā)生了偏離。PLL電路的鎖定發(fā)生了偏離意味著頻率偏離了指定基準(zhǔn)值以上。此外，在由前面所述的標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)追記標(biāo)記時(shí)，通過不讓為了將再生信號(hào)質(zhì)量保持恒定而在光盤裝置中通常具備的指定的信號(hào)處理功能，例如，調(diào)整RF信號(hào)振幅的中心的基線控制功能(baseline control function)、調(diào)整振幅保持恒定幅度的AGC功能、或者保持頻率恒定的PLL功能工作，從而能夠提高追記標(biāo)記檢測(cè)靈敏度。這些信號(hào)處理功能通常是為了修正RF信號(hào)的變化而工作。因此，如果這些信號(hào)處理功能工作，則導(dǎo)致由追記標(biāo)記產(chǎn)生的RF信號(hào)的變動(dòng)減小，因此追記標(biāo)記的檢測(cè)靈敏度變差。圖10是用于更詳細(xì)地說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的標(biāo)記檢測(cè)處理的流程圖。使用圖10說明標(biāo)記檢測(cè)部115的詳細(xì)動(dòng)作。標(biāo)記檢測(cè)處理一旦開始，標(biāo)記檢測(cè)部115計(jì)算各指定區(qū)間的RF信號(hào)波形的信號(hào)電平(signal level)的平均值(步驟S41)。接著，標(biāo)記檢測(cè)部115判斷識(shí)別區(qū)域的RF信號(hào)波形的取得是否結(jié)束(步驟S42)。此處，如果判斷出識(shí)別區(qū)域的RF信號(hào)波形的取得未結(jié)束 (在步驟S42為“否”)，則返回步驟S41的處理。另一方面，如果判斷出識(shí)別區(qū)域的RF信號(hào)波形的取得已結(jié)束(在步驟S42為 “是”)，標(biāo)記檢測(cè)部115判斷是否存在RF信號(hào)波形的信號(hào)電平的平均值比其他區(qū)間高指定值以上的區(qū)間(步驟S43)。此處，如果判斷出存在RF信號(hào)波形的信號(hào)電平的平均值比其他區(qū)間高指定值以上的區(qū)間(在步驟S43為“是”)，標(biāo)記檢測(cè)部115判定在該區(qū)間中存在追記標(biāo)記(步驟S44)。另一方面，如果判斷出不存在RF信號(hào)波形的信號(hào)電平的平均值比其他區(qū)間高指定值以上的區(qū)間(在步驟S43為“否”)，標(biāo)記檢測(cè)部115判定在該區(qū)間中不存在追記標(biāo)記(步驟S45)。這樣，不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，便能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記。另外，不需要1信道比特寬度等高精度的脈沖記錄，能夠通過例如幀長(zhǎng)的整數(shù)倍等頻帶較低的激光功率控制實(shí)現(xiàn)追記標(biāo)記的記錄，因而不需要記錄型光盤中使用的高速并且高精度的激光驅(qū)動(dòng)電路，能夠廉價(jià)地構(gòu)成光盤裝置。另外，由于追記標(biāo)記并不是通過放大鏡等可目視的條狀標(biāo)記，因此用戶難以確定追記標(biāo)記的存在，從而能夠提高利用追記標(biāo)記記錄的信息的安全性。另外，不存在必須在同步碼模式(synchronization code pattern)上形成追記標(biāo)記的限制，作為記錄追記標(biāo)記的襯底的凹凸坑的調(diào)制模式(modulation pattern)無需是預(yù)先決定的固定模式。因此，追記標(biāo)記的記錄位置能夠設(shè)定在光盤上的任意位置，具有應(yīng)用上的靈活性較高的優(yōu)點(diǎn)。(實(shí)施方式2)接著，對(duì)實(shí)施方式2的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式2的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。在本發(fā)明中，通過對(duì)時(shí)機(jī)生成部106的動(dòng)作進(jìn)行改進(jìn)，考慮多種追記標(biāo)記的形成方法。圖11是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。實(shí)施方式2 的光盤裝置的結(jié)構(gòu)要素與圖1相同，因而省略說明，僅對(duì)與實(shí)施方式1不同的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作進(jìn)行說明。在實(shí)施方式2中，時(shí)機(jī)生成部106使追記標(biāo)記的記錄區(qū)間為基準(zhǔn)位置信號(hào)SY的整數(shù)倍。即，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為凹凸坑的幀間隔的整數(shù)倍較為理想。通過以此方式構(gòu)成，具有能夠以幀為單位構(gòu)成追記標(biāo)記的起始端以及結(jié)束端的優(yōu)點(diǎn)。另外，也可以以從某個(gè)ECC塊的前頭幀輸出的基準(zhǔn)位置信號(hào)SY至從下一個(gè)ECC塊的前頭幀輸出的基準(zhǔn)位置信號(hào)SY的長(zhǎng)度來記錄追記標(biāo)記的長(zhǎng)度。通過采用這種方式，能夠以ECC塊為單位容易地管理追記標(biāo)記的起始端以及結(jié)束端。另外，通常，在光盤裝置中，ECC塊與由凹凸坑記錄的物理地址信息關(guān)聯(lián)起來加以管理。因此，使追記標(biāo)記的記錄長(zhǎng)為ECC塊的整數(shù)倍，也能夠比較容易地管理記錄的開始點(diǎn)與結(jié)束點(diǎn)οS卩，光盤1上由凹凸坑記錄的主信息以對(duì)一定單位的用戶數(shù)據(jù)附加糾錯(cuò)信息的糾錯(cuò)塊(error correction block)為單位構(gòu)成。標(biāo)記記錄控制部104以糾錯(cuò)塊為單位，控制由時(shí)機(jī)生成部106生成的以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間。此時(shí)，由時(shí)機(jī)生成部106生成的以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光區(qū)間為糾錯(cuò)塊的單位長(zhǎng)度的整數(shù)倍。在這種長(zhǎng)期間中將激光功率切換為第二激光功率的情況下，能夠在該發(fā)光區(qū)間切換光檢測(cè)器的靈敏度，并且在第二激光功率發(fā)光時(shí)也進(jìn)行相位差伺服。即，聚焦及追蹤控制部112在以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間內(nèi)也進(jìn)行追蹤控制。
另外，在檢測(cè)如上所述那樣追加寫入的追記標(biāo)記時(shí)，由于追記標(biāo)記的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，因而RF信號(hào)的平均值穩(wěn)定，具有追記標(biāo)記的檢測(cè)結(jié)果不易受到介質(zhì)的傷痕或污跡等干擾的影響的特征。另外，由于記錄區(qū)間較長(zhǎng)，因而能夠不基于RF信號(hào)的平均值檢測(cè)追記標(biāo)記，而是基于與RF信號(hào)的變化量成比例的參數(shù)，例如主信息的調(diào)制編碼的再生抖動(dòng)的惡化，或者非對(duì)稱性的變化來檢測(cè)追記標(biāo)記。(實(shí)施方式3)接著，對(duì)實(shí)施方式3的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式3的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖12是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式3中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。實(shí)施方式 3的光盤裝置的結(jié)構(gòu)要素與圖1相同，因而省略說明，僅對(duì)與實(shí)施方式1及2不同的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式3中，追記標(biāo)記21例如以4幀為間隔被記錄。在將激光功率切換為通常的再生功率以上的第二激光功率并記錄追記標(biāo)記21的發(fā)光區(qū)間22中，有時(shí)拾光器109的光檢測(cè)器會(huì)發(fā)生飽和，無法輸出正常的拾光器輸出信號(hào) P0。在這種情況下，聚焦及追蹤控制部112中也不會(huì)被輸入正常的信號(hào)，因此拾光器109暫時(shí)無法進(jìn)行追蹤控制。于是，在實(shí)施方式3中，將為了記錄追記標(biāo)記21而以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間22設(shè)為1幀長(zhǎng)以下，使聚焦及追蹤控制部112在發(fā)光區(qū)間22內(nèi)暫停(hold)基于相位差信號(hào)的追蹤伺服。然后，聚焦及追蹤控制部112在相鄰的追記標(biāo)記21之間的3幀長(zhǎng)以上的區(qū)間23中進(jìn)行追蹤控制的恢復(fù)。S卩，聚焦及追蹤控制部112在以第二激光功率照射激光時(shí)暫停追蹤控制。另外，凹凸坑包含同步碼，在將同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間22的長(zhǎng)度為1幀長(zhǎng)以下，并且到下一個(gè)發(fā)光區(qū)間22為止的間隔為3幀長(zhǎng)以上。此外，較為理想的是，在解調(diào)電路113內(nèi)置自動(dòng)增益控制(AGC)電路或PLL電路的情況下，這些電路也暫停工作，以便不對(duì)基于第二激光功率的拾光器輸出信號(hào)PO的變動(dòng)進(jìn)行應(yīng)答。即，解調(diào)電路113在以第二激光功率照射激光時(shí)暫停PLL電路的頻率比較功能或相位比較功能。(實(shí)施方式4)接著，對(duì)實(shí)施方式4的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式4的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖13是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式4中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖13中， 每4幀記錄追記標(biāo)記的動(dòng)作與實(shí)施方式3相同，但在本實(shí)施方式4中，具有兩種記錄模式。 時(shí)機(jī)生成部106在糾錯(cuò)塊內(nèi)，以等間隔生成多個(gè)以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)。如圖13所示，在使具有第二激光功率的激光在周期為4幀的第一相位發(fā)光的情況下，第一追記標(biāo)記M在光盤1上形成。另外，在使具有第二激光功率的激光在與第一相位錯(cuò)開1幀的周期為4幀的第二相位發(fā)光的情況下，第二追記標(biāo)記25在光盤1上形成。標(biāo)記記錄控制部104指示時(shí)機(jī)生成部106在第一相位及第二相位的其中之一相位進(jìn)行記錄。時(shí)機(jī)生成部106生成事先被決定的在光盤1上不會(huì)相互重合的第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一。標(biāo)記記錄控制部104指示時(shí)機(jī)生成部106選擇第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一發(fā)光時(shí)機(jī)。S卩，在檢測(cè)追記標(biāo)記時(shí)，通過檢測(cè)記錄的相位，能夠記錄并識(shí)別兩種信息。能夠使兩種信息與例如二進(jìn)制數(shù)據(jù)(binary data)的“0”及“1”對(duì)應(yīng)。如果相鄰的追記標(biāo)記以 4幀為間隔，則通過使各相位分別錯(cuò)開一幀，能夠記錄最多四種信息，能夠與二進(jìn)制數(shù)據(jù)的 “00”、“01”、“10”、以及“11”等對(duì)應(yīng)。在此情況下，標(biāo)記檢測(cè)部115需要具有多個(gè)檢測(cè)電路， 在與各自相位對(duì)應(yīng)的區(qū)間進(jìn)行檢測(cè)處理。標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)在事先決定的第一發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量以及在第二發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量，并檢測(cè)在第一發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“0”、在第二發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“ 1，，的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。(實(shí)施方式5)接著，對(duì)實(shí)施方式5的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式5的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖14是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式5中的標(biāo)記記錄控制部及時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。在實(shí)施方式5中，標(biāo)記記錄控制部104進(jìn)一步準(zhǔn)備兩種第二激光功率，根據(jù)記錄追記標(biāo)記的幀，分別使用第三激光功率和大于第三激光功率的第四激光功率這兩種激光功率。追記標(biāo)記沈是通過照射第三激光功率的激光而被追加寫入的追記標(biāo)記。追記標(biāo)記27是通過照射第四激光功率的激光而被追加寫入的追記標(biāo)記。追記標(biāo)記28是通過在照射第三激光功率的激光之后，進(jìn)一步照射第四激光功率的激光而被追加寫入的追記標(biāo)記。在實(shí)施方式5中，通過分別使用多個(gè)激光功率，在光盤1上形成多個(gè)不同種類的追記標(biāo)記。通過使第三激光功率與第四激光功率不同，在圖8中說明的標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)出的RF信號(hào)的平均值的差分18不同。在實(shí)施方式5中，標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)與追記標(biāo)記 26對(duì)應(yīng)的RF信號(hào)的平均值、與追記標(biāo)記27對(duì)應(yīng)的RF信號(hào)的平均值、與追記標(biāo)記28對(duì)應(yīng)的 RF信號(hào)的平均值、以及與不存在追記標(biāo)記的部分四對(duì)應(yīng)的RF信號(hào)的平均值這四種值。因此，這些值與實(shí)施方式4同樣能夠作為2比特的二進(jìn)制數(shù)據(jù)使用。另外，也能夠用于在追加寫入了一次的追記標(biāo)記的記錄由于光盤的污跡等某些原因而不充分的情況下，將激光功率從第三激光功率增大至第四激光功率，以重新形成追記標(biāo)記。追記標(biāo)記是否充分地形成能夠根據(jù)圖4所示的RF信號(hào)的平均值的變化量來推定。(實(shí)施方式6)接著，對(duì)實(shí)施方式6的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式6的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖15是表示本發(fā)明實(shí)施方式6中的時(shí)機(jī)生成部的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的方框圖。光盤裝置 100具備時(shí)機(jī)生成部116以取代時(shí)機(jī)生成部106。在圖15中，時(shí)機(jī)生成部116包括地址區(qū)域識(shí)別部117、標(biāo)記間隔生成器118、以及標(biāo)記寬度生成器119。地址區(qū)域識(shí)別部117識(shí)別指定幀中是否包含地址信息。此處，地址區(qū)域識(shí)別部117從解調(diào)電路113取得為識(shí)別包含有地址信息的地址區(qū)域(幀)所需要的地址檢測(cè)信息。標(biāo)記間隔生成器118決定發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ的周期。標(biāo)記寬度生成器119生成具有事先決定的寬度的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ。接著，用圖16所示的時(shí)間圖，對(duì)實(shí)施方式6的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作進(jìn)行說明。圖16 是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式6中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖16中，ECC塊2包含不存在地址信息的幀30和存在地址信息的幀31。實(shí)施方式6中的時(shí)機(jī)生成部116在存在地址信息的幀31的區(qū)間不輸出發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ。其結(jié)果，激光以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間僅是與不存在地址信息的幀30對(duì)應(yīng)的區(qū)間。因此，在不存在地址信息的幀30中記錄追記標(biāo)記32，而在存在地址信息的幀31中，由于激光功率未被切換成第二激光功率所以不形成追記標(biāo)記32。S卩，在光盤1上由凹凸坑記錄的主信息包含表示光盤1內(nèi)的物理位置的地址信息。 時(shí)機(jī)生成部116生成發(fā)光時(shí)機(jī)，以便避開記錄有地址信息的區(qū)域以第二激光功率照射激光。在實(shí)施方式3中，例示了在激光以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間中，拾光器109的光檢測(cè)器發(fā)生飽和的情況，由于光檢測(cè)器發(fā)生飽和，即使在進(jìn)行伺服控制的聚焦及追蹤控制部112以外的RF信號(hào)處理部111中有時(shí)也無法進(jìn)行正常的信號(hào)處理。當(dāng)在該發(fā)光區(qū)間中RF信號(hào)處理部111所具有的AGC電路或PLL電路暫停工作時(shí)，在暫停的區(qū)間中，不對(duì)后續(xù)的解調(diào)電路113輸出正常信號(hào)，由此無法解調(diào)地址信息。在實(shí)施方式6中，如圖16所示，通過避開包含地址信息的區(qū)間(幀)形成追記標(biāo)記，即使在形成多個(gè)追記標(biāo)記的情況下，也不會(huì)在記錄有地址信息的幀中將激光功率切換為第二激光功率。因此，能夠進(jìn)行伺服控制及解調(diào)處理，也能檢測(cè)地址信息。因此，例如解調(diào)電路113或標(biāo)記記錄控制部104能夠監(jiān)視解調(diào)的地址信息的連續(xù)性，能夠檢測(cè)由介質(zhì)的傷痕或干擾造成的跳軌(skipping of track)。(實(shí)施方式7)接著，對(duì)實(shí)施方式7的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式7的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖17是表示本發(fā)明實(shí)施方式7中的時(shí)機(jī)生成部的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的方框圖。光盤裝置 100具備時(shí)機(jī)生成部120以取代時(shí)機(jī)生成部106。在圖17中，時(shí)機(jī)生成部120包括隨機(jī)數(shù)發(fā)生器121、標(biāo)記間隔生成器122、以及標(biāo)記寬度發(fā)生器123。隨機(jī)數(shù)發(fā)生器121產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)。標(biāo)記間隔生成器122基于隨機(jī)數(shù)發(fā)生器121產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)，隨機(jī)生成發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ 的周期。標(biāo)記寬度發(fā)生器123生成具有事先決定的寬度的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ。S卩，時(shí)機(jī)生成部120產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)，并基于產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)隨機(jī)地改變以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)的周期。接著，用圖18的時(shí)間圖，對(duì)實(shí)施方式7的追記標(biāo)記的記錄動(dòng)作進(jìn)行說明。圖18是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式7中的時(shí)機(jī)生成部的動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖18中，追記標(biāo)記36的間隔33、34、35通過隨機(jī)數(shù)而隨機(jī)變化。在實(shí)施方式7中，追記標(biāo)記36的記錄位置是隨機(jī)的。因此，在檢測(cè)標(biāo)記時(shí)，標(biāo)記檢測(cè)部115必須正確把握記錄追記標(biāo)記36的位置，生成檢測(cè)時(shí)機(jī)。但是，通過適當(dāng)?shù)馗鼡Q隨機(jī)數(shù)發(fā)生器121的隨機(jī)數(shù)序列，能夠以多個(gè)記錄模式記錄追記標(biāo)記。
(實(shí)施方式8)接著，對(duì)實(shí)施方式8的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式8的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖19是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式8中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖19中，在基準(zhǔn)位置信號(hào)SY之間的一幀內(nèi)記錄多個(gè)追記標(biāo)記。時(shí)機(jī)生成部106與由解調(diào)電路113生成的信道時(shí)鐘同步地生成以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ。在實(shí)施方式8中，基準(zhǔn)位置信號(hào)SY與追記標(biāo)記的記錄開始的時(shí)機(jī)不同。因此，在檢測(cè)追記標(biāo)記時(shí)，標(biāo)記檢測(cè)部115必須正確把握記錄的標(biāo)記位置，生成檢測(cè)時(shí)機(jī)。但是，由于生成發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ以便在一幀內(nèi)記錄多個(gè)追記標(biāo)記，因此能夠增加追記標(biāo)記的記錄信息量。此外，激光以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間為凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上較為理想。(實(shí)施方式9)接著，對(duì)實(shí)施方式9的光盤裝置進(jìn)行說明。圖20是表示本發(fā)明實(shí)施方式9的光盤裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。此外，在實(shí)施方式9的光盤裝置100’中，對(duì)與圖1所示的實(shí)施方式 1的光盤裝置100相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略說明。光盤裝置100’進(jìn)一步包括移位控制部125。CPU102的標(biāo)記記錄控制部104輸出移位控制設(shè)定信號(hào)SS，設(shè)定移位控制部125，使記錄追記標(biāo)記時(shí)激光照射位置在光盤的半徑方向上移動(dòng)事先決定的微小距離。移位控制部 125向聚焦及追蹤控制部112輸出追蹤控制信號(hào)，以便按照移位控制設(shè)定信號(hào)SS，與時(shí)機(jī)生成部106輸出的發(fā)光區(qū)間信號(hào)EZ的時(shí)機(jī)同步地使拾光器109相對(duì)于光盤的半徑方向移動(dòng)事先決定的微小距離。圖21是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式9中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖21中，追記標(biāo)記41a、41b通過從記錄凹凸坑40的位置在光盤的半徑方向上移動(dòng)微小距離而被記錄。移位控制部125生成用于使光盤半徑方向的追記標(biāo)記的中心從坑的中心向內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)移動(dòng)微小距離來記錄追記標(biāo)記的第一追記標(biāo)記移位信號(hào)，以及用于使追記標(biāo)記的中心向與第一追記標(biāo)記移位信號(hào)相反的方向移動(dòng)微小距離來記錄追記標(biāo)記的第二追記標(biāo)記移位信號(hào)。移位控制部125在由時(shí)機(jī)生成部106生成的以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，使拾光器109射出的激光從光盤半徑方向的凹凸坑的中心向內(nèi)周方向或外周方向移動(dòng)指定的距離。在由移位控制部125輸出第一追記標(biāo)記移位信號(hào)的區(qū)間中，追記標(biāo)記41a通過使光盤半徑方向的追記標(biāo)記的中心從凹凸坑40的中心向內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)移動(dòng)微小距離而被記錄。另外，在由移位控制部125輸出第二追記標(biāo)記移位信號(hào)的區(qū)間中，追記標(biāo)記41b通過使追記標(biāo)記的中心向與第一追記標(biāo)記移位信號(hào)相反的方向移動(dòng)微小距離而被記錄。例如，如圖21所示，追記標(biāo)記41a的中心線42相對(duì)于凹凸坑40的中心線43向內(nèi)周側(cè)移動(dòng)，追記標(biāo)記41b的中心線44相對(duì)于凹凸坑40的中心線43向外周側(cè)移動(dòng)。
在實(shí)施方式8的標(biāo)記檢測(cè)時(shí)，拾光器109檢測(cè)反射光的反射率的非對(duì)稱性，不僅檢測(cè)出記錄了追記標(biāo)記，還檢測(cè)出追記標(biāo)記向內(nèi)周方向或外周方向移位。即，標(biāo)記檢測(cè)部115檢測(cè)出來自追記標(biāo)記的反射光的分布相對(duì)于光盤半徑方向的凹凸坑的中心非對(duì)稱，測(cè)量非對(duì)稱的反射光的RF信號(hào)的振幅平均值，并通過監(jiān)視測(cè)量的振幅平均值的變動(dòng)量來檢測(cè)反射率變化量。在本實(shí)施方式8中，通過使追記標(biāo)記在光盤半徑方向上移動(dòng)微小距離，能夠增加可記錄的信息量。(實(shí)施方式10)接著，對(duì)實(shí)施方式10的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式10的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。圖22是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式10中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作以及追記標(biāo)記檢測(cè)動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖22所示的實(shí)施方式10中，以不同的振幅輸出激光，取得在檢測(cè)追記標(biāo)記時(shí)消除了凹凸坑55的影響的、矩形以外形狀的RF信號(hào)波形。激光功率切換部107在記錄追記標(biāo)記時(shí)，使拾光器109輸出的激光的振幅根據(jù)例如事先決定的模式或者基于隨機(jī)數(shù)序列的隨機(jī)模式(random pattern)而發(fā)生變化，來記錄追記標(biāo)記59。由此，在一個(gè)追記標(biāo)記59中，包含有反射率不同的多個(gè)區(qū)域56、57、58。艮口， 在由時(shí)機(jī)生成部106生成的以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，激光功率切換部107進(jìn)行控制，以便第二激光功率按照事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式而被變更為多個(gè)值。另外，在圖22中，示出記錄追記標(biāo)記前的RF信號(hào)51、記錄了追記標(biāo)記后的RF信號(hào)52、記錄追記標(biāo)記前的RF信號(hào)51與記錄了追記標(biāo)記后的RF信號(hào)52的差53、以及記錄追記標(biāo)記前的RF信號(hào)51與記錄了追記標(biāo)記后的RF信號(hào)52的理想的差M。在實(shí)施方式8中，標(biāo)記檢測(cè)部115在檢測(cè)追記標(biāo)記時(shí)，比較再生的RF信號(hào)的由追記標(biāo)記產(chǎn)生的差53與再生的RF信號(hào)的由追記標(biāo)記產(chǎn)生的理想的差M。標(biāo)記檢測(cè)部115在檢測(cè)追記標(biāo)記時(shí)，判斷再生的RF信號(hào)的由追記標(biāo)記產(chǎn)生的差53與再生的RF信號(hào)的由追記標(biāo)記產(chǎn)生的理想的差M是否一致。S卩，標(biāo)記檢測(cè)部115在由時(shí)機(jī)生成部106生成的以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，將激光照射前的RF信號(hào)的波形和激光照射后的RF信號(hào)的波形的差值與事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式進(jìn)行比較，當(dāng)差值與模式一致時(shí)判斷為追記標(biāo)記被正常記錄，當(dāng)差值與模式不一致時(shí)判斷為追記標(biāo)記未被正常地記錄。由此，例如能夠?qū)⒆酚洏?biāo)記的檢測(cè)作為密鑰認(rèn)證加以利用。標(biāo)記檢測(cè)部115在正確的記錄位置未檢測(cè)出與RF信號(hào)的理想的差44(應(yīng)為54) —致的RF信號(hào)的差43 (應(yīng)為 53)時(shí)，認(rèn)為事先沒有將正確的密鑰作為追記標(biāo)記進(jìn)行記錄，從而禁止光盤1上利用凹凸坑記錄的內(nèi)容數(shù)據(jù)的再生。(實(shí)施方式11)接著，對(duì)實(shí)施方式11的光盤裝置進(jìn)行說明。此外，實(shí)施方式11的光盤裝置的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)相同，因而省略說明，僅對(duì)與光盤裝置100的不同之處進(jìn)行說明。
圖23是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式11中的時(shí)機(jī)生成部的追記標(biāo)記記錄動(dòng)作的時(shí)間圖。在圖23中，追記標(biāo)記61的記錄區(qū)間與未記錄區(qū)間的周期均不固定，例如通過隨機(jī)數(shù)使記錄區(qū)間與未記錄區(qū)間隨機(jī)地發(fā)生變化。即，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度由隨機(jī)數(shù)序列決定。時(shí)機(jī)生成部106產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)，由產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)決定激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度以及相鄰發(fā)光區(qū)間的間隔。在此情況下，由于追記標(biāo)記61的記錄位置隨機(jī)發(fā)生變化，因此必須正確把握基于隨機(jī)數(shù)記錄的位置，生成檢測(cè)時(shí)機(jī)。但是，通過適當(dāng)?shù)馗鼡Q隨機(jī)數(shù)序列，能夠以多個(gè)記錄模式記錄追記標(biāo)記。此外，在上述具體的實(shí)施方式中主要包括具有以下結(jié)構(gòu)的發(fā)明。本發(fā)明所提供的一種光盤裝置對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤，通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記，包括拾光器；RF信號(hào)處理部， 基于所述拾光器的輸出取得RF信號(hào)；基準(zhǔn)位置檢測(cè)部，解調(diào)所述RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)；旋轉(zhuǎn)速度控制部，將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度；發(fā)光時(shí)機(jī)生成部， 按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)；激光功率控制部，在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器照射的激光的激光功率；反射率變化量檢測(cè)部，從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量；凹凸坑再生控制部，當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在所述激光功率控制部設(shè)定第一激光功率；以及追記標(biāo)記記錄控制部，當(dāng)對(duì)所述光盤上追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)對(duì)所述激光功率控制部設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)，解調(diào)RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)。 由旋轉(zhuǎn)速度控制部將光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度，由發(fā)光時(shí)機(jī)生成部按照基準(zhǔn)位置信號(hào)在預(yù)先決定的位置生成從拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，由激光功率控制部在發(fā)光時(shí)機(jī)增加從拾光器照射的激光的激光功率。由反射率變化量檢測(cè)部從RF信號(hào)中檢測(cè)光盤的反射光的反射率變化量。并且，當(dāng)再生形成在光盤上的凹凸坑時(shí)，對(duì)旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在激光功率控制部設(shè)定第一激光功率。另外，當(dāng)對(duì)光盤追加寫入追記標(biāo)記時(shí)，在旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定低于第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)發(fā)光時(shí)機(jī)在激光功率控制部設(shè)定大于第一激光功率的第二激光功率。因此，不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，便能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記。另外，較為理想的是，上述光盤裝置還包括在檢測(cè)形成在所述光盤上的所述追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于由所述反射率變化量檢測(cè)部檢測(cè)出的所述反射率變化量來檢測(cè)所述追記標(biāo)記的控制的追記標(biāo)記檢測(cè)控制部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在檢測(cè)形成在光盤上的追記標(biāo)記時(shí)，能夠基于由反射率變化量檢測(cè)部檢測(cè)出的反射率的變化量檢測(cè)追記標(biāo)記。
另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述第二旋轉(zhuǎn)速度為所述最低旋轉(zhuǎn)速度的1/2以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠以最低旋轉(zhuǎn)速度的1/2以下的第二旋轉(zhuǎn)速度，對(duì)光盤追加寫入追記標(biāo)記。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述第二旋轉(zhuǎn)速度為所述第旋轉(zhuǎn)速度的 1/10以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠以第一旋轉(zhuǎn)速度的1/10以下的第二旋轉(zhuǎn)速度，對(duì)光盤追加寫入追記標(biāo)記。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述第二激光功率是所述第一激光功率的5倍以上且10倍以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠以第一激光功率的5倍以上且10倍以下的第二激光功率，對(duì)光盤追加寫入追記標(biāo)記。另外，較為理想的是，上述光盤裝置還包括，控制對(duì)所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，所述追蹤控制部以相位差檢測(cè)方式進(jìn)行追蹤控制。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠以相位差檢測(cè)方式進(jìn)行追蹤控制。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間為所述凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間為凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10 倍以上，因此，在RF信號(hào)中能夠明確地區(qū)分追記標(biāo)記與凹凸坑。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述基準(zhǔn)位置檢測(cè)部至少利用PLL電路解調(diào)所述RF信號(hào)，在以所述第二激光功率照射激光時(shí)，暫停所述PLL電路的頻率比較功能或相位比較功能。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，至少利用PLL電路解調(diào)RF信號(hào)，在以第二激光功率照射激光時(shí)，暫停PLL電路的頻率比較功能或相位比較功能，因此，PLL電路的頻率比較功能或相位比較功能不會(huì)對(duì)由第二激光功率產(chǎn)生的拾光器輸出信號(hào)的變動(dòng)發(fā)生應(yīng)答，從而能夠正常地解調(diào)RF 信號(hào)。另外，較為理想的是，上述光盤裝置還包括，控制對(duì)所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，所述追蹤控制部在以所述第二激光功率照射激光時(shí)，暫停追蹤控制。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在以第二激光功率照射激光時(shí)，暫停追蹤控制，因此，追蹤控制不會(huì)對(duì)由第二激光功率產(chǎn)生的拾光器輸出信號(hào)的變動(dòng)發(fā)生應(yīng)答，從而能夠正常地進(jìn)行追蹤控制。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述凹凸坑包含同步碼，在將所述同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為1幀長(zhǎng)以下，并且到下一個(gè)發(fā)光區(qū)間為止的間隔為3幀長(zhǎng)以上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在將同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為1幀長(zhǎng)以下，并且到下一個(gè)發(fā)光區(qū)間為止的間隔為3幀長(zhǎng)以上，因此， 能夠在發(fā)光區(qū)間內(nèi)暫停追蹤控制，在相鄰的追記標(biāo)記間的3幀長(zhǎng)以上的區(qū)間中進(jìn)行追蹤控制的恢復(fù)。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述凹凸坑包含同步碼，在將所述同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為所述凹凸坑的幀間隔的整數(shù)倍。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在將同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為凹凸坑的幀間隔的整數(shù)倍，因此，能夠以頻帶較低的激光功率控制實(shí)現(xiàn)追記標(biāo)記的追加寫入，因而不需要記錄型光盤所使用的高速并且高精度的激光驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠廉價(jià)地制造光盤裝置。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述光盤上由所述凹凸坑記錄的所述主信息包含表示所述光盤內(nèi)的物理位置的地址信息，所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成所述發(fā)光時(shí)機(jī)，以便避開記錄有所述地址信息的區(qū)域以所述第二激光功率照射所述激光。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，生成發(fā)光時(shí)機(jī)以便避開記錄有地址信息的區(qū)域以第二激光功率照射激光。因此，即使在形成多個(gè)追記標(biāo)記的情況下，也不會(huì)在記錄有地址信息的區(qū)域中將激光功率切換為第二激光功率，因此能夠進(jìn)行該區(qū)域中的伺服控制以及解調(diào)處理，從而能夠正常地檢測(cè)地址信息。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述光盤上由所述凹凸坑記錄的所述主信息以對(duì)一定單位的用戶數(shù)據(jù)附加糾錯(cuò)信息的糾錯(cuò)塊為單位構(gòu)成，所述追記標(biāo)記記錄控制部以所述糾錯(cuò)塊為單位，控制由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，光盤上由凹凸坑記錄的主信息以對(duì)一定單位的用戶數(shù)據(jù)附加糾錯(cuò)信息的糾錯(cuò)塊為單位構(gòu)成。并且，以糾錯(cuò)塊為單位控制以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間，因而能夠比較容易地管理追記標(biāo)記的記錄的開始點(diǎn)與結(jié)束點(diǎn)。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光區(qū)間為所述糾錯(cuò)塊的單位長(zhǎng)度的整數(shù)倍。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，激光以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間為糾錯(cuò)塊的單位長(zhǎng)度的整數(shù)倍，因而能夠比較容易地管理追記標(biāo)記的記錄的開始點(diǎn)與結(jié)束點(diǎn)。另外，較為理想的是，上述光盤裝置還包括，控制對(duì)所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，所述追蹤控制部在以所述第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間內(nèi)進(jìn)行追蹤控制。根據(jù)該結(jié)構(gòu)， 在以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間內(nèi)，能夠進(jìn)行追蹤控制。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部在所述糾錯(cuò)塊內(nèi)， 以等間隔生成多個(gè)以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在糾錯(cuò)塊內(nèi)以等間隔生成多個(gè)以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)，因而能夠比較容易地管理追記標(biāo)記的記錄的開始點(diǎn)與結(jié)束點(diǎn)。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)，基于產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)隨機(jī)地改變以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)的周期。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)，并基于產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)隨機(jī)地改變以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)的周期，因此，能夠以多個(gè)記錄模式記錄追記標(biāo)記，從而能夠使追記標(biāo)記的復(fù)制較為困難。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成事先被決定的在光盤上不會(huì)相互重合的第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一，所述追記標(biāo)記記錄控制部指示所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部選擇所述第一發(fā)光時(shí)機(jī)和所述第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一發(fā)光時(shí)機(jī)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，生成事先決定的在光盤上不會(huì)相互重合的第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一，并且指示選擇第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一發(fā)光時(shí)機(jī)。因此，由于指示選擇事先被決定的在光盤上不會(huì)相互重合的第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一，所以能夠利用追記標(biāo)記追加寫入多種信息。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述反射率變化量檢測(cè)部檢測(cè)在事先決定的所述第一發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量以及在所述第二發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量，并檢測(cè)在所述第一發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“0”、在所述第二發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“1”的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，檢測(cè)在事先決定的第一發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量以及在第二發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量，并檢測(cè)在第一發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“0”、在第二發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“1的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。因此，能夠利用追記標(biāo)記追加寫入多種信息。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述反射率變化量檢測(cè)部測(cè)量所述RF 信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的所述振幅平均值的變動(dòng)量來檢測(cè)所述反射率變化量。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，測(cè)量RF信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的振幅平均值的變動(dòng)量來檢測(cè)反射率變化量。因此，能夠通過檢測(cè)反射率變化量來檢測(cè)追記標(biāo)記的有無。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述基準(zhǔn)位置檢測(cè)部檢測(cè)所述凹凸坑的坑長(zhǎng)，所述反射率變化量檢測(cè)部?jī)H檢測(cè)在檢測(cè)出的所述坑長(zhǎng)為一定長(zhǎng)度以上的所述凹凸坑的中央部的所述反射率變化量。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于檢測(cè)凹凸坑的坑長(zhǎng)，并僅檢測(cè)在檢測(cè)出的坑長(zhǎng)為一定長(zhǎng)度以上的凹凸坑的中央部的反射率變化量，因此，能夠降低由于凹凸坑長(zhǎng)短不一地隨機(jī)排列而產(chǎn)生的振幅平均值計(jì)算時(shí)的誤差。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述反射率變化量檢測(cè)部分別檢測(cè)激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間內(nèi)的RF信號(hào)的積分值，以及激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間以外且與所述發(fā)光區(qū)間具有相同長(zhǎng)度的區(qū)間內(nèi)的RF信號(hào)的積分值，通過求出檢測(cè)出的兩個(gè)積分值的差來檢測(cè)所述反射率變化量。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，分別檢測(cè)激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間內(nèi)的RF信號(hào)的積分值，以及激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間以外且與發(fā)光區(qū)間具有相同長(zhǎng)度的區(qū)間內(nèi)的 RF信號(hào)的積分值，通過求出檢測(cè)出的兩個(gè)積分值的差來檢測(cè)反射率變化量。因此，能夠通過檢測(cè)反射率變化量來檢測(cè)追記標(biāo)記的有無。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部與信道時(shí)鐘同步地生成以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，激光以所述第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間為所述凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與信道時(shí)鐘同步地生成以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，激光以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間為凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上。因此，由于生成發(fā)光時(shí)機(jī)以便在一幀內(nèi)記錄多個(gè)追記標(biāo)記，所以能夠增加追記標(biāo)記的記錄信息量。另外，較為理想的是，上述光盤裝置還包括，在由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，使所述拾光器射出的激光從所述光盤的半徑方向的所述凹凸坑的中心向內(nèi)周方向或外周方向移動(dòng)指定距離的移位控制部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，使拾光器射出的激光從光盤半徑方向的凹凸坑的中心向內(nèi)周方向或外周方向移動(dòng)指定的距離。因此，由于追記標(biāo)記從光盤半徑方向的凹凸坑的中心向內(nèi)周方向或外周方向移動(dòng)指定的距離而被追加寫入，所以能夠增加利用追記標(biāo)記可記錄的信息量。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述反射率變化量檢測(cè)部檢測(cè)出來自所述追記標(biāo)記的反射光的分布相對(duì)于所述光盤的半徑方向的所述凹凸坑的中心非對(duì)稱，測(cè)量非對(duì)稱的所述反射光的所述RF信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的所述振幅平均值的變動(dòng)量來檢測(cè)所述反射率變化量。根據(jù)結(jié)構(gòu)，檢測(cè)出來自追記標(biāo)記的反射光的分布相對(duì)于光盤半徑方的凹凸坑的中心非對(duì)稱，測(cè)量非對(duì)稱的反射光的RF信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的振幅平均值的變動(dòng)量檢測(cè)反射率變化量。因此，能夠檢測(cè)從光盤半徑方向的凹凸坑的中心向內(nèi)周方向或外周方向移動(dòng)指定距離而被追加寫入的追記標(biāo)記，從而能夠增加利用追記標(biāo)記可記錄的信息量。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述激光功率控制部，在由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，進(jìn)行控制以便所述第二激光功率按照事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式而被變更為多個(gè)值。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，進(jìn)行控制以便第二激光功率按照事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式而被變更為多個(gè)值。因此，能夠追加寫入包含反射率不同的多個(gè)區(qū)域的追記標(biāo)記。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述反射率變化量檢測(cè)部在由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，將激光照射前的RF信號(hào)的波形和激光照射后的RF信號(hào)的波形的差值與事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式進(jìn)行比較，當(dāng)所述差值與所述模式一致時(shí)判斷為所述追記標(biāo)記被正常記錄，當(dāng)所述差值與所述模式不一致時(shí)判斷為所述追記標(biāo)記未被正常地記錄。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在以第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，將激光照射前的RF信號(hào)的波形和激光照射后的RF信號(hào)的波形的差值與事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式進(jìn)行比較。并且，在差值與模式一致時(shí)判斷為追記標(biāo)記被正常記錄，在差值與模式不一致時(shí)斷為追記標(biāo)記未被正常地記錄。因此，能夠?qū)⒆酚洏?biāo)記的檢測(cè)作為密鑰認(rèn)證加以利用。另外，在上述光盤裝置中，較為理想的是，所述激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度由隨機(jī)數(shù)序列決定。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度由隨機(jī)數(shù)序列決定。因此，追記標(biāo)記的記錄位置隨機(jī)發(fā)生變化，因此必須正確把握基于隨機(jī)數(shù)記錄的位置，生成檢測(cè)時(shí)機(jī)，通過適當(dāng)?shù)馗鼡Q隨機(jī)數(shù)序列，能夠以多個(gè)記錄模式記錄追記標(biāo)記。本發(fā)明所提供的一種集成電路被設(shè)在對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤、通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記的光盤裝置中，包括RF 信號(hào)處理電路，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)；基準(zhǔn)位置檢測(cè)電路，解調(diào)RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)；旋轉(zhuǎn)速度控制電路，將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度；發(fā)光時(shí)機(jī)生成電路，按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)；激光功率控制電路，在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器射的激光的激光功率；反射率變化量檢測(cè)電路，從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量；凹凸坑再生控制電路，當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)速度控制電路設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且對(duì)所述激光功率控制電路設(shè)定第一激光功率；以及追記標(biāo)記記錄控制電路，當(dāng)對(duì)所述光盤追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)速度控制電路設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)對(duì)所述激光功率控制電路設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)，解調(diào)RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)。 由旋轉(zhuǎn)速度控制電路將光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度，由發(fā)光時(shí)機(jī)生成電路按照基準(zhǔn)位置信號(hào)在預(yù)先決定的位置生成從拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，由激光功率控制電路在發(fā)光時(shí)機(jī)增加從拾光器照射的激光的激光功率。由反射率變化量檢測(cè)電路從RF信號(hào)中檢測(cè)光盤的反射光的反射率變化量。并且，當(dāng)再生形成在光盤上的凹凸坑時(shí)，對(duì)旋轉(zhuǎn)速度控制電路設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且對(duì)激光功率控制電路設(shè)定第一激光功率。另外，當(dāng)對(duì)光盤追加寫入追記標(biāo)記時(shí)，對(duì)旋轉(zhuǎn)速度控制電路設(shè)定低于第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)發(fā)光時(shí)機(jī)對(duì)激光功率控制電路設(shè)定大于第一激光功率的第二激光功率。因此，不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，便能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記。另外，較為理想的是，上述集成電路還包括，在檢測(cè)形成在所述光盤上的所述追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于由所述反射率變化量檢測(cè)電路檢測(cè)出的所述反射率變化量來檢測(cè)所述追記標(biāo)記的控制的追記標(biāo)記檢測(cè)控制電路。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在檢測(cè)形成在光盤上的追記標(biāo)記時(shí)，能夠基于由反射率變化量檢測(cè)電路檢測(cè)出的反射率的變化量來檢測(cè)追記標(biāo)記。本發(fā)明所提供的一種光盤控制方法用于對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤，通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記，包括基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)的RF信號(hào)處理步驟；解調(diào)所述RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)的基準(zhǔn)位置檢測(cè)步驟；將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度的旋轉(zhuǎn)速度控制步驟；按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)的發(fā)光時(shí)機(jī)生成步驟；在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器照射的激光的激光功率的激光功率控制步驟； 從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量的反射率變化量檢測(cè)步驟；當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在所述激光功率控制步驟中設(shè)定第一激光功率的凹凸坑再生控制步驟；以及當(dāng)對(duì)所述光盤追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)在所述激光功率控制步驟中設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率的追記標(biāo)記記錄控制步驟。根據(jù)該方法，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)，解調(diào)RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)。 在旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中將光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度，在發(fā)光時(shí)機(jī)生成步驟中按照基準(zhǔn)位置信號(hào)在預(yù)先決定的位置生成從拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，在激光功率控制步驟中在發(fā)光時(shí)機(jī)增加從拾光器照射的激光的激光功率。在反射率變化量檢測(cè)步驟中從RF信號(hào)中檢測(cè)光盤的反射光的反射率變化量。并且，在再生形成在光盤上的凹凸坑時(shí)， 在旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在激光功率控制步驟中設(shè)定第一激光功率。另外，當(dāng)在光盤上追加寫入追記標(biāo)記時(shí)，在旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中設(shè)定低于第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)發(fā)光時(shí)機(jī)在激光功率控制步驟中設(shè)定大于第一激光功率的第二激光功率。因此，不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，便能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P，通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記。另外，較為理想的是，上述光盤控制方法還包括，在檢測(cè)形成在所述光盤上的所述追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于在所述反射率變化量檢測(cè)步驟中檢測(cè)出的所述反射率變化量來檢測(cè)所述追記標(biāo)記的控制的追記標(biāo)記檢測(cè)控制步驟。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在檢測(cè)形成在光盤上的追記標(biāo)記時(shí)，能夠基于在反射率變化量檢測(cè)步驟中檢測(cè)出的反射率的變化量來檢測(cè)追記標(biāo)記。此外，在用于實(shí)施發(fā)明的方式的項(xiàng)目中描述的具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├皇菫榱嗣鞔_本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，不應(yīng)僅限定于這樣的具體例而狹義解釋，在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求項(xiàng)的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變更并實(shí)施。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明所涉及的光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路可用于不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，只需利用價(jià)格較低并且低輸出的激光光源，便能夠?qū)τ砂纪箍佑涗浿餍畔⒌墓獗P通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記的光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路。
權(quán)利要求
1.一種光盤裝置，對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤，通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記，其特征在于包括拾光器；RF信號(hào)處理部，基于所述拾光器的輸出取得RF信號(hào)； 基準(zhǔn)位置檢測(cè)部，解調(diào)所述RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)； 旋轉(zhuǎn)速度控制部，將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度； 發(fā)光時(shí)機(jī)生成部，按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)；激光功率控制部，在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器照射的激光的激光功率； 反射率變化量檢測(cè)部，從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量； 凹凸坑再生控制部，當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，對(duì)所述激光功率控制部設(shè)定第一激光功率；以及追記標(biāo)記記錄控制部，當(dāng)對(duì)所述光盤追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)速度控制部設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)，對(duì)所述激光功率控制部設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤裝置，其特征在于還包括追記標(biāo)記檢測(cè)控制部，在檢測(cè)形成在所述光盤上的所述追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于由所述反射率變化量檢測(cè)部檢測(cè)出的所述反射率變化量來檢測(cè)所述追記標(biāo)記的控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光盤裝置，其特征在于所述第二旋轉(zhuǎn)速度為所述最低旋轉(zhuǎn)速度的1/2以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述第二旋轉(zhuǎn)速度為所述第一旋轉(zhuǎn)速度的1/10以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述第二激光功率為所述第一激光功率的5倍以上且10倍以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于還包括控制對(duì)所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，其中，所述追蹤控制部以相位差檢測(cè)方式進(jìn)行追蹤控制。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間為所述凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述基準(zhǔn)位置檢測(cè)部至少利用PLL電路解調(diào)所述RF信號(hào)，在以所述第二激光功率照射激光時(shí)，暫停所述PLL電路的頻率比較功能或相位比較功能。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于還包括控制對(duì)所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，其中，所述追蹤控制部，在以所述第二激光功率照射激光時(shí)，暫停追蹤控制。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于 所述凹凸坑包含同步碼，在將所述同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為1幀長(zhǎng)以下，并且到下一個(gè)發(fā)光區(qū)間為止的間隔為3幀長(zhǎng)以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述凹凸坑包含同步碼，在將所述同步碼間的距離設(shè)為1幀長(zhǎng)時(shí)，激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度為所述凹凸坑的幀間隔的整數(shù)倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述光盤上由所述凹凸坑記錄的所述主信息包含表示所述光盤內(nèi)的物理位置的地址 fn息，所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成所述發(fā)光時(shí)機(jī)，以便避開記錄有所述地址信息的區(qū)域來以所述第二激光功率照射所述激光。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述光盤上由所述凹凸坑記錄的所述主信息，以對(duì)一定單位的用戶數(shù)據(jù)附加糾錯(cuò)信息的糾錯(cuò)塊為單位構(gòu)成，所述追記標(biāo)記記錄控制部，以所述糾錯(cuò)塊為單位，控制由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光盤裝置，其特征在于由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光區(qū)間為所述糾錯(cuò)塊的單位長(zhǎng)度的整數(shù)倍。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于還包括控制對(duì)所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，其中，所述追蹤控制部在以所述第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間內(nèi)進(jìn)行追蹤控制。
16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的光盤裝置，其特征在于所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部在所述糾錯(cuò)塊內(nèi)，以等間隔生成多個(gè)以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)，基于產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)隨機(jī)地改變以第二激光功率發(fā)光的發(fā)光時(shí)機(jī)的周期。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部，生成被事先決定的在光盤上不會(huì)相互重合的第一發(fā)光時(shí)機(jī)和第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一，所述追記標(biāo)記記錄控制部，指示所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部選擇所述第一發(fā)光時(shí)機(jī)和所述第二發(fā)光時(shí)機(jī)的其中之一的發(fā)光時(shí)機(jī)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光盤裝置，其特征在于所述反射率變化量檢測(cè)部檢測(cè)事先決定的所述第一發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量以及在所述第二發(fā)光時(shí)機(jī)的反射率變化量，并檢測(cè)在所述第一發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“0”、在所述第二發(fā)光時(shí)機(jī)檢測(cè)出反射率變化量時(shí)賦予值“1”的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述反射率變化量檢測(cè)部測(cè)量所述RF信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的所述振幅平均值的變動(dòng)量來檢測(cè)所述反射率變化量。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光盤裝置，其特征在于所述基準(zhǔn)位置檢測(cè)部，檢測(cè)所述凹凸坑的坑長(zhǎng)，所述反射率變化量檢測(cè)部，僅檢測(cè)在檢測(cè)出的所述坑長(zhǎng)為一定長(zhǎng)度以上的所述凹凸坑的中央部的所述反射率變化量。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述反射率變化量檢測(cè)部，分別檢測(cè)激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間內(nèi)的RF信號(hào)的積分值，以及激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間以外且與所述發(fā)光區(qū)間具有相同長(zhǎng)度的區(qū)間內(nèi)的 RF信號(hào)的積分值，通過求出檢測(cè)出的兩個(gè)積分值的差來檢測(cè)所述反射率變化量。
23.根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部與信道時(shí)鐘同步地生成以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，激光以所述第二激光功率發(fā)光的發(fā)光區(qū)間為所述凹凸坑的最短坑長(zhǎng)的10倍以上。
24.根據(jù)權(quán)利要求1至23中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于還包括移位控制部，在由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，使所述拾光器射出的激光從所述光盤的半徑方向的所述凹凸坑的中心向內(nèi)周方向或外周方向移動(dòng)指定的距離。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的光盤裝置，其特征在于所述反射率變化量檢測(cè)部，檢測(cè)出來自所述追記標(biāo)記的反射光的分布相對(duì)于所述光盤的半徑方向的所述凹凸坑的中心非對(duì)稱，測(cè)量非對(duì)稱的所述反射光的所述RF信號(hào)的振幅平均值，通過監(jiān)視測(cè)量到的所述振幅平均值的變動(dòng)量來檢測(cè)所述反射率變化量。
26.根據(jù)權(quán)利要求1至25中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述激光功率控制部，在由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，進(jìn)行控制以便所述第二激光功率按照事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式而被變更為多個(gè)值。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的光盤裝置，其特征在于所述反射率變化量檢測(cè)部，在由所述發(fā)光時(shí)機(jī)生成部生成的以所述第二激光功率發(fā)出激光的發(fā)光時(shí)機(jī)，將激光照射前的RF 信號(hào)的波形和激光照射后的RF信號(hào)的波形的差值與事先決定的模式或者由隨機(jī)數(shù)序列決定的隨機(jī)模式進(jìn)行比較，當(dāng)所述差值與所述模式一致時(shí)判斷所述追記標(biāo)記被正常記錄，當(dāng)所述差值與所述模式不一致時(shí)判斷所述追記標(biāo)記未被正常記錄。
28.根據(jù)權(quán)利要求1至27中任一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于所述激光以所述第二激光功率照射的發(fā)光區(qū)間的長(zhǎng)度由隨機(jī)數(shù)序列決定。
29.一種集成電路，被設(shè)置在光盤裝置中，所述光盤裝置為對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤、通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記的光盤裝置，其特征在于包括RF信號(hào)處理電路，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)；基準(zhǔn)位置檢測(cè)電路，解調(diào)RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)；旋轉(zhuǎn)速度控制電路，將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度；發(fā)光時(shí)機(jī)生成電路，按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)；激光功率控制電路，在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器照射的激光的激光功率；反射率變化量檢測(cè)電路，從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量；凹凸坑再生控制電路，當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)速度控制電路設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并對(duì)所述激光功率控制電路設(shè)定第一激光功率；以及追記標(biāo)記記錄控制電路，當(dāng)對(duì)所述光盤追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)速度控制電路設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)，對(duì)所述激光功率控制電路設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的集成電路，其特征在于還包括追記標(biāo)記檢測(cè)控制電路，在檢測(cè)形成在所述光盤上的所述追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于由所述反射率變化量檢測(cè)電路檢測(cè)出的所述反射率變化量來檢測(cè)所述追記標(biāo)記的控制。
31.一種光盤控制方法，用于對(duì)由凹凸坑記錄主信息的光盤，通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記，其特征在于包括RF信號(hào)處理步驟，基于拾光器的輸出取得RF信號(hào)； 基準(zhǔn)位置檢測(cè)步驟，解調(diào)所述RF信號(hào)并檢測(cè)基準(zhǔn)位置信號(hào)； 旋轉(zhuǎn)速度控制步驟，將所述光盤的旋轉(zhuǎn)速度切換為至少兩種旋轉(zhuǎn)速度； 發(fā)光時(shí)機(jī)生成步驟，按照所述基準(zhǔn)位置信號(hào)，在預(yù)先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發(fā)光時(shí)機(jī)；激光功率控制步驟，在所述發(fā)光時(shí)機(jī)增加從所述拾光器照射的激光的激光功率； 反射率變化量檢測(cè)步驟，從所述RF信號(hào)中檢測(cè)所述光盤的反射光的反射率變化量； 凹凸坑再生控制步驟，當(dāng)再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且在所述激光功率控制步驟中設(shè)定第一激光功率；以及追記標(biāo)記記錄控制步驟，當(dāng)對(duì)所述光盤追加寫入所述追記標(biāo)記時(shí)，在所述旋轉(zhuǎn)速度控制步驟中設(shè)定低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)所述發(fā)光時(shí)機(jī)，在所述激光功率控制步驟中設(shè)定大于所述第一激光功率的第二激光功率。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光盤控制方法，其特征在于還包括追記標(biāo)記檢測(cè)控制步驟，在檢測(cè)形成在所述光盤上的所述追記標(biāo)記時(shí)，執(zhí)行基于在所述反射率變化量檢測(cè)步驟中檢測(cè)出的所述反射率變化量來檢測(cè)所述追記標(biāo)記的控制。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不必使用工廠內(nèi)的特殊裝置或高輸出的激光光源，能夠通過使形成在凹凸坑上的反射膜的反射率發(fā)生變化來追加寫入追記標(biāo)記的光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路。數(shù)據(jù)再生控制部(103)在再生凹凸坑時(shí)，對(duì)盤旋轉(zhuǎn)速度切換部(108)設(shè)定第一旋轉(zhuǎn)速度，并且對(duì)激光功率切換部(107)設(shè)定第一激光功率，標(biāo)記記錄控制部(104)在追加寫入追記標(biāo)記時(shí)，對(duì)盤旋轉(zhuǎn)速度切換部(108)設(shè)定低于第一旋轉(zhuǎn)速度并且也低于能夠再生凹凸坑的最低旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度，并且響應(yīng)發(fā)光時(shí)機(jī)對(duì)激光功率切換部(107)設(shè)定大于第一激光功率的第二激光功率。
文檔編號(hào)G11B19/02GK102326199SQ201080008678
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者中仙道剛, 山岡勝, 臼井誠, 高木裕司 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社