專利名稱：用于提高內(nèi)容可尋址存儲器中感測容限的編碼技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及內(nèi)容可尋址存儲器，更具體地說，本發(fā)明涉及用于在使用電阻存儲元件的內(nèi)容可尋址存儲器中存儲和搜索數(shù)據(jù)的編碼技術(shù)。
背景技術(shù)：
內(nèi)容可尋址存儲器(CAM)是一類在高速搜索應(yīng)用中使用的計算機(jī)存儲器。多數(shù) CAM設(shè)備使用被配置為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的晶體管，以及其他用于匹配操作的附加晶體管。一般而言，在這些CAM設(shè)備中，搜索線存取晶體管和字線存取晶體管是操作和編程存儲陣列中個別存儲單元所必需的。搜索線存取晶體管和字線存取晶體管通常由功率密集的大驅(qū)動場效應(yīng)晶體管(FET)組成。還可使用相變材料在CAM設(shè)備中存儲信息。相變材料可被操縱進(jìn)入不同的相或狀態(tài)，其中每個相表示不同的數(shù)據(jù)值。通常，每個相展現(xiàn)不同的電特性。非晶態(tài)相和晶態(tài)相通過是用于二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(1和0)的兩個相，因為它們具有可檢測的在電阻方面的差別。具體而言，非晶態(tài)相的電阻高于晶態(tài)相。在CAM設(shè)計中使用諸如相變存儲器之類的電阻存儲元件的一個難點在于當(dāng)在CAM 中存儲和搜索大的數(shù)據(jù)字時，感測容限(sense margin)太小。已存儲的數(shù)據(jù)字和搜索字之間的單個不匹配位可能不會導(dǎo)致檢測到足夠的匹配電流偏差。因此，帶有電阻存儲單元的傳統(tǒng)CAM設(shè)計在每個存儲字中的位數(shù)方面是有限的。本發(fā)明解決了采用電阻存儲元件的 CAM所具有的這種限制以及其他缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是一種用于操作內(nèi)容可尋址存儲器的方法。該方法包括提供位于并聯(lián)電路中的多個存儲單元。存儲單元電連接到匹配線，匹配線被配置為在存儲器搜索操作期間從存儲單元接收集合電流(collective current)。接收操作接收位長度為L的數(shù)據(jù)字以存儲在存儲單元中。轉(zhuǎn)換操作將數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為位長度大于L的代碼字，以便代碼字中的至少一個位取決于數(shù)據(jù)字中的至少兩個位。當(dāng)數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，代碼字保證在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配。存儲操作將代碼字存儲在存儲單元中。本發(fā)明所構(gòu)想的用于操作內(nèi)容可尋址存儲器的另一方法包括提供位于并聯(lián)電路中的多個存儲單元，并且存儲單元電連接到匹配線。匹配線被配置為在存儲器搜索操作期間從存儲單元接收集合電流。接收操作接收位長度為L的數(shù)據(jù)字以存儲在存儲單元中。轉(zhuǎn)換操作將數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為位長度為M的代碼字，其中M大于L。轉(zhuǎn)換操作確保代碼字中的至少一個位取決于數(shù)據(jù)字中的至少兩個位。存儲操作將代碼字存儲在存儲單元中。另一接收操作接收位長度為L的搜索字以便在存儲器搜索操作期間與數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較。第二轉(zhuǎn)換操作將搜索字轉(zhuǎn)換為位長度為M的搜索代碼，以便當(dāng)數(shù)據(jù)字和搜索字之間的至少一個位不匹配時，代碼字和搜索代碼之間的漢明距離大于給定閾值。
本發(fā)明的進(jìn)一步方面是內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備。該設(shè)備包括位于并聯(lián)電路中的多個存儲單元。存儲單元電連接到匹配線，匹配線被配置為在搜索操作期間從存儲單元接收集合電流。接收單元被配置為接收位長度為L的數(shù)據(jù)字。編碼單元被配置為將數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為位長度大于L的代碼字以便存儲在存儲單元中；所述轉(zhuǎn)換使得其中至少一個代碼字位取決于至少兩個數(shù)據(jù)字位。當(dāng)數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，代碼字保證在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配。本發(fā)明的又一方面是內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備。該設(shè)備包括位于并聯(lián)電路中的多個存儲單元。存儲單元電連接到匹配線，匹配線被配置為在搜索操作期間從存儲單元接收集合電流。接收單元被配置為接收位長度為L的數(shù)據(jù)字。編碼單元被配置為將數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為位長度大于L的代碼字以便存儲在存儲單元中。所述轉(zhuǎn)換使得其中至少一個代碼字位取決于至少兩個數(shù)據(jù)字位。代碼字被配置為當(dāng)數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，在存儲器搜索操作期間增加通過匹配線的電流。本發(fā)明的另一方面是體現(xiàn)在有形存儲器中的計算機(jī)程序。程序代碼與有形存儲器連接以操作計算機(jī)存儲器，并且計算機(jī)存儲器包括位于并聯(lián)電路中的多個存儲單元。存儲單元電連接到匹配線，匹配線被配置為在存儲器搜索操作期間從存儲單元接收集合電流。 計算機(jī)可讀程序代碼被配置為使得計算機(jī)程序接收位長度為L的數(shù)據(jù)字以存儲在存儲單元中；將數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為位長度大于L的代碼字以便至少一個代碼字位取決于至少兩個數(shù)據(jù)字位，當(dāng)數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，代碼字保證在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配；以及將代碼字存儲在存儲單元中。


在本說明書結(jié)尾的權(quán)利要求中專門指出并清晰地聲明了被認(rèn)為是本發(fā)明的主題。 當(dāng)結(jié)合附圖閱讀下面的詳細(xì)說明時，本發(fā)明的上述和其他目標(biāo)、特征和優(yōu)點將變得顯而易見，在這些附圖中圖1示出了本發(fā)明所構(gòu)想的存儲設(shè)備的一個實施例。圖2示出了本發(fā)明所構(gòu)想的用于CAM的示例性編程過程的流程圖。圖3示出了本發(fā)明所構(gòu)想的CAM的示例性搜索過程的流程圖。圖4示出了本發(fā)明所構(gòu)想的CAM設(shè)備的另一實施例。圖5示出了包含本發(fā)明的一個或多個方面的制品的一個實施例。
具體實施例方式將參考發(fā)明的實施例對本發(fā)明進(jìn)行描述。在對本發(fā)明的整個描述中，將參考圖 1-5。圖1示出本發(fā)明所構(gòu)想的內(nèi)容可尋址存儲器(CAM) 102的示例。CAM102包括位于存儲陣列中的多個存儲單元104。每個單獨的存儲單元104包括在串聯(lián)電路中電連接到存取器件110的存儲元件108。在本發(fā)明的實施例中，存儲單元104的存儲元件108由能夠存儲兩個電阻之一的相變材料構(gòu)成。此類相變材料的示例有鍺-銻-碲合金(Germanium-Antimony-Tellurium， GST)。因此，可以將存儲元件編程為兩個狀態(tài)之一晶態(tài)或非晶態(tài)。
晶態(tài)可表示存儲的二進(jìn)制0值，非晶態(tài)可表示存儲的二進(jìn)制1值。在晶態(tài)中，存儲元件展現(xiàn)相對較低的電阻(即漲歐姆)。另一方面，在非晶態(tài)中，存儲元件具有相對較高的電阻(即，500K歐姆)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，針對存儲元件108可以使用各種存儲技術(shù)，且所述相變材料示例僅是示例性的。例如，存儲元件108可以由浮柵晶體管(floating gate transistor)、電阻存儲元件、磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)或電荷捕獲器件(charge trapping device)構(gòu)成。在相變存儲器中，改變存儲元件的狀態(tài)需要將材料加熱到熔點，然后再將材料冷卻到可能的狀態(tài)之一。通過存儲元件的電流將產(chǎn)生歐姆加熱并使相變材料熔化。熔化并逐漸冷卻存儲元件中的相變材料使相變材料有時間形成晶態(tài)。熔化并突然冷卻存儲元件中的相變材料會將相變材料淬火為非晶態(tài)。存取器件110包括控制第一端子116和第二端子118之間的電流的公共端子114。 公共端子與搜索線122相連，搜索線控制通過存儲元件108的電流。存取器件110的第一端子116電連接到存儲元件108。在本發(fā)明的特定實施例中，存取器件110可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、雙極結(jié)晶體管(BJT)和二極管?？梢詷?gòu)想在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，使用其他存取器件。如圖所示，存儲元件108電連接到位線112。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，位線112 可用于將存儲元件108編程為所需狀態(tài)以及讀取存儲元件108的狀態(tài)。例如，在編程期間， 高電流通過位線112并進(jìn)入存儲元件108，因此導(dǎo)致相變材料通過歐姆加熱熔化。在存儲器搜索操作期間，低電流通過位線112并進(jìn)入存儲元件108。搜索操作電流不足以熔化相變材料，但是大到足以檢測跨存儲元件108的電壓降。存取器件110的第二端子116電連接到匹配線106。在編程期間，匹配線106發(fā)揮作用以接收(或發(fā)出)通過存儲元件108的相對較高的電流，從而導(dǎo)致相變材料熔化。在存儲器搜索操作期間，匹配線106使電流通過存儲元件106到達(dá)匹配電路120。存儲單元104的組連接在一起形成字128。每個字1 包括在位線112和匹配線 106之間的并聯(lián)電路中配置的存儲單元104。因此，編程特定的字1 要求激勵相應(yīng)的位線 112和匹配線106對。存儲設(shè)備102的編程操作涉及從CPU或其他外部源接收數(shù)據(jù)字。如下文詳細(xì)所述的，數(shù)據(jù)字被轉(zhuǎn)換為存儲在存儲陣列的特定字128中的代碼字。代碼字的每個位存儲在單個存儲單元104中。偏置電路IM通過應(yīng)用足以編程存儲單元中的代碼字位的預(yù)定信號來偏置存取器件110。例如，為了使相變存儲器存儲二進(jìn)制1(RESET或非晶態(tài))，對存取器件110的公共端子114施以脈沖以使相對較高的電流信號通過存儲元件108。導(dǎo)致陡峭后沿的快速斷電使存儲元件108中的相變材料淬火并進(jìn)入非晶態(tài)。為了存儲二進(jìn)制0 (SET或晶態(tài))，緩慢減小存取器件110的公共端子114上電流信號的幅度。這樣導(dǎo)致平緩的后沿并且允許緩慢冷卻存儲元件108中的相變材料并使其進(jìn)入晶態(tài)。在編程操作結(jié)束之時，二進(jìn)制代碼字在特定字128中表示為被編程為具有高低電阻的存儲單元。在搜索操作期間，將編碼搜索字與存儲器中存儲的代碼字進(jìn)行比較。如果匹配，則 CAM 102報告匹配代碼字的地址。搜索字一般從諸如中央處理單元(CPU)或外部存儲控制器之類的外部源接收。搜索字被轉(zhuǎn)換為編碼搜索字，其轉(zhuǎn)換方式與數(shù)據(jù)字被轉(zhuǎn)換為代碼字一樣。編碼搜索字中的每個搜索位按逐位順序與代碼字中已存儲的位對應(yīng)。偏置電路124將存取器件110偏置到有效電阻，該有效電阻與在存儲器編程期間與位關(guān)聯(lián)的電阻互補(bǔ)。例如，如果搜索位為二進(jìn)制1(高電阻存儲器)，則存取器件110的有效電阻被設(shè)為低電阻。如果搜索位為二進(jìn)制0(低電阻存儲器)，則存取器件110的有效電阻被設(shè)為高電阻。匹配電路120然后針對每個字128測量位線112和匹配線106之間的集合電阻 (collective resistance) 0搜索電流通過每個存儲元件108和每個存取器件110。因此， 可以測量存儲元件108和存取器件110的集合電阻。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可以針對電阻測量使用各種技術(shù)和電路，例如但不限于電流測量電路和電阻控制振蕩器。表1列出用于本發(fā)明的一個實施例的匹配電阻。該表是存儲器搜索操作期間存取器件電阻、存儲元件電阻和匹配線值的真值表。需要指出，電阻“L”和“H”代表存儲元件和存取器件中的高電阻和低電阻。為了簡單起見，假設(shè)存取器件110和存儲元件108使用相同的互補(bǔ)電阻，但是，這并不是本發(fā)明的要求。換言之，用于存儲元件108的“L”和“H”電阻可以例如分別為5K歐姆和500K歐姆，而用于存取器件110的“L”和“H”電阻可以例如分別為2K歐姆和200K歐姆。在本發(fā)明的特定配置中，高電阻狀態(tài)至少比低電阻狀態(tài)大一個量級。
權(quán)利要求
1.一種操作內(nèi)容可尋址存儲器的方法，該方法包括提供多個位于并聯(lián)電路中的存儲單元，所述存儲單元電連接到匹配線，所述匹配線被配置為在存儲器搜索操作期間從所述存儲單元接收集合電流；接收位長度為L的數(shù)據(jù)字以存儲在所述存儲單元中；將所述數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為位長度大于L的代碼字，以便所述代碼字中的至少一個代碼字位取決于所述數(shù)據(jù)字中的至少兩個數(shù)據(jù)字位，所述代碼字保證當(dāng)所述數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配；以及將所述代碼字存儲在所述存儲單元中。
2.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述代碼字是從具有恒定漢明權(quán)的一組代碼字確定的。
3.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述代碼字包括數(shù)據(jù)字和所述數(shù)據(jù)字中0的計數(shù)， 所述計數(shù)使用二進(jìn)制數(shù)制編碼。
4.如權(quán)利要求1中所述的方法，進(jìn)一步包括其中所述數(shù)據(jù)字包括多個被表示為第一二進(jìn)制值和第二二進(jìn)制值的數(shù)字；以及其中所述代碼字包括所述數(shù)據(jù)字和所述數(shù)據(jù)字中所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)，所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)是從具有恒定漢明權(quán)的一組編碼數(shù)確定的。
5.如權(quán)利要求1中所述的方法，進(jìn)一步包括其中所述數(shù)據(jù)字包括多個被表示為第一二進(jìn)制值和第二二進(jìn)制值的數(shù)字；以及其中所述代碼字包括所述數(shù)據(jù)字、所述數(shù)據(jù)字中所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)，以及所述數(shù)據(jù)字中所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)的按位求補(bǔ)。
6.如權(quán)利要求1中所述的方法，進(jìn)一步包括沿著并聯(lián)電路創(chuàng)建至少d個低電阻路徑，其中d為正整數(shù)。
7.如權(quán)利要求6中所述的方法，其中所述代碼字是從具有相同漢明權(quán)的一組二進(jìn)制向量中選擇的，所述二進(jìn)制向量具有至少為2d的漢明距離。
8.如權(quán)利要求1中所述的方法其中所述代碼字被配置為保證如果所述數(shù)據(jù)字在存儲器搜索期間與搜索字不匹配，在搜索操作期間通過至少一個存儲單元的匹配電流位于至少兩個電流范圍中的最高可能電流范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1中所述的方法，進(jìn)一步包括在內(nèi)容可尋址存儲器處接收長度為L的搜索字以便在搜索操作期間與所述數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較；在所述內(nèi)容可尋址存儲器處將所述搜索字轉(zhuǎn)換為搜索代碼以便在搜索操作期間與所述代碼字進(jìn)行比較；以及判定在存儲器搜索操作期間來自存儲單元的集合電流是否低于閾值。
10.如權(quán)利要求9中所述的方法，進(jìn)一步包括其中每個存儲單元包括在串聯(lián)電路中電連接到存取器件的存儲元件。所述存儲元件被配置為存儲作為兩個互補(bǔ)存儲元件電阻之一的二進(jìn)制數(shù)據(jù)；以及在存儲器搜索操作期間偏置每個存儲單元的存取器件以便所述存取器件的有效電阻是兩個互補(bǔ)存取器件電阻之一。
11.如權(quán)利要求1中所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟接收位長度為L的搜索字以便在存儲器搜索操作期間與所述數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較； 將所述搜索字轉(zhuǎn)換為位長度為M的搜索代碼，以便當(dāng)所述數(shù)據(jù)字和所述搜索字之間的至少一個位不匹配時，所述代碼字和所述搜索代碼之間的漢明距離大于漢明閾值；以及如果所述集合電流高于底部電流閾值并低于頂部電流閾值，則指示匹配。
12.—種內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，包括位于并聯(lián)電路中的多個存儲單元，所述存儲單元電連接到匹配線，所述匹配線被配置為在存儲器搜索操作期間從所述存儲單元接收集合電流； 被配置為接收長度為L的數(shù)據(jù)字的接收單元；以及被配置為將所述數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為長度大于L的代碼字以便存儲在所述存儲單元中的編碼單元，其中至少一個代碼字位取決于至少兩個數(shù)據(jù)字位，所述代碼字保證當(dāng)所述數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配。
13.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中代碼字是從具有恒定漢明權(quán)的一組代碼字中選擇的。
14.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括其中所述數(shù)據(jù)字包括多個被表示為第一二進(jìn)制值和第二二進(jìn)制值的數(shù)字；以及其中所述代碼字包括所述數(shù)據(jù)字和所述數(shù)據(jù)字中所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)，所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)是從具有恒定漢明權(quán)的一組編碼數(shù)確定的。
15.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括其中所述數(shù)據(jù)字包括多個被表示為第一二進(jìn)制值和第二二進(jìn)制值的數(shù)字；以及其中所述代碼字包括所述數(shù)據(jù)字、所述數(shù)據(jù)字中所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)，以及所述數(shù)據(jù)字中所述第一二進(jìn)制值的出現(xiàn)編碼數(shù)的按位求補(bǔ)。
16.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中所述編碼單元確保當(dāng)所述數(shù)據(jù)字在搜索操作期間與搜索字不匹配時，沿著并聯(lián)電路創(chuàng)建至少d個低電阻路徑。
17.如權(quán)利要求16中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中所述代碼字是從具有相同漢明權(quán)的一組二進(jìn)制向量中選擇的，所述二進(jìn)制向量具有至少為2d的漢明距離。
18.如權(quán)利要求12中所述的設(shè)備，其中所述代碼字包括所述數(shù)據(jù)字和所述數(shù)據(jù)字中0 的計數(shù)，所述計數(shù)使用二進(jìn)制數(shù)制編碼。
19.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括其中所述接收單元進(jìn)一步被配置為接收長度為L的搜索字以便在搜索操作期間與所述數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較；其中所述編碼單元進(jìn)一步被配置為將所述搜索字轉(zhuǎn)換為搜索代碼，以便在搜索操作期間與所述代碼字進(jìn)行比較；以及被配置為測量在搜索操作期間來自所述存儲單元的集合電流是否低于閾值的匹配單兀。
20.如權(quán)利要求19中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括其中每個存儲單元包括在串聯(lián)電路中電連接到存取器件的存儲元件。所述存儲元件被配置為存儲作為兩個互補(bǔ)電阻之一的二進(jìn)制數(shù)據(jù)；以及被配置為在搜索操作期間偏置每個存儲單元的存取器件以便所述存取器件的有效電阻是兩個設(shè)備電阻之一的偏置單元。
21.如權(quán)利要求20中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中所述存取器件電連接到搜索線，以便多個存取器件電連接到單個搜索線。
22.如權(quán)利要求19中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中所述匹配單元進(jìn)一步被配置為如果在搜索操作期間所述集合電流低于閾值，則指示所述存儲單元的存儲位置。
23.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中所述代碼字被配置為保證如果所述數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配，在搜索操作期間通過至少一個存儲單元的匹配電流位于至少兩個電流范圍中的最高可能電流范圍內(nèi)。
24.如權(quán)利要求12中所述的內(nèi)容可尋址存儲設(shè)備，其中所述代碼字被配置為當(dāng)所述數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，在存儲器搜索操作期間增加通過匹配線的電流。
25.一種包含在計算機(jī)可讀存儲器中的計算機(jī)程序，包括與所述計算機(jī)可讀存儲器相連以操作計算機(jī)存儲器的程序代碼，所述計算機(jī)存儲器包括多個位于并聯(lián)電路中的存儲單元，所述存儲單元電連接到匹配線，所述匹配線被配置為在存儲器搜索操作期間從所述存儲單元接收集合電流，所述計算機(jī)代碼被配置為使所述計算機(jī)程序接收位長度為L的數(shù)據(jù)字以存儲在所述存儲單元中；將所述數(shù)據(jù)字轉(zhuǎn)換為長度大于L的代碼字，以便所述代碼字中的至少一個位取決于所述數(shù)據(jù)字中的至少兩個位，所述代碼字保證當(dāng)所述數(shù)據(jù)字與搜索字不匹配時，在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配；以及將所述代碼字存儲在所述存儲單元中。
全文摘要
披露了使用編碼數(shù)據(jù)字和搜索字的內(nèi)容可尋址存儲器以及用于操作此類設(shè)備的技術(shù)。在一個實施例中，所述數(shù)據(jù)字被轉(zhuǎn)換為代碼字，所述代碼字保證當(dāng)所述數(shù)據(jù)字與所述搜索字不匹配時，在存儲器搜索操作期間不同二進(jìn)制值的至少兩個代碼字位不匹配。在另一實施例中，所述搜索字被轉(zhuǎn)換為搜索代碼，以便當(dāng)所述數(shù)據(jù)字和所述搜索字之間的至少一個位不匹配時，所述代碼字和所述搜索代碼之間的漢明距離大于給定閾值。
文檔編號G11C15/04GK102326207SQ201080008624
公開日2012年1月18日 申請日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月24日
發(fā)明者B·拉金德蘭, C·H·拉姆, L·拉斯特拉斯-莫塔諾, M·弗蘭切斯基尼 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司