專利名稱：具有存儲層材料的磁性元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及磁性元件裝置。更確切地說，本發(fā)明的實施例涉及包括新穎存儲層材料的磁性元件。
背景技術(shù)：
也稱作自方寵電子裝置(spin electronics devices 或 spintronics devices)的磁電裝置用于眾多信息技術(shù)中，且提供非易失性、可靠、抗輻射及高密度的數(shù)據(jù)存儲及檢索。 磁電裝置的實例包括(但不限于)磁性隨機存取存儲器(MRAM)、磁性傳感器，及磁盤驅(qū)動器的讀取/寫入磁頭。通常，磁電裝置(例如，磁性存儲器元件)具有包括由至少一個非磁性層分離的多個鐵磁性層的結(jié)構(gòu)。信息按照磁性層中的磁化向量的方向存儲于磁性存儲器元件中。一個磁性層中的磁化向量(例如)在磁性上是固定的或釘住的，而另一磁性層的磁化方向能夠在分別被稱為“平行”狀態(tài)及“逆平行”狀態(tài)的相同方向與相反方向之間自由地切換。響應(yīng)于平行狀態(tài)及逆平行狀態(tài)，磁性存儲器元件表示兩個不同電阻。當所述兩個磁性層的磁化向量指向大致相同方向時，電阻具有最小值，且當所述兩個磁性層的磁化向量指向大致相反方向時，電阻具有最大值。因此，對電阻變化的檢測允許裝置(例如，MRAM裝置)檢測存儲于磁性存儲器元件中的信息。圖IA及圖IB分別說明處于平行狀態(tài)及逆平行狀態(tài)中的被稱為磁性隧道結(jié)元件的一類型的磁性存儲器元件。如圖所示，磁性隧道結(jié)(MTJ)元件100可由通過絕緣(隧道勢壘)層120分離的兩個磁性層Iio及130形成，磁性層110及130中的每一者可固持一磁場。所述兩個層中的一者(例如，參考層110)被設(shè)定成特定極性。另一層(例如，存儲層130)的極性132能夠自由地改變以匹配可施加的外部場的極性。存儲層130的極性132的改變將改變MTJ元件100的電阻。舉例來說，當極性對準時(圖1A)，存在低電阻狀態(tài)。當極性不對準時(圖 1B)，存在高電阻狀態(tài)。已簡化MTJ 100的說明且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，所說明的每一層可包含一個或一個以上材料層，如此項技術(shù)中已知。與將數(shù)據(jù)存儲為電荷或電流的常規(guī)RAM技術(shù)對比，MRAM以磁性方式存儲信息。 MRAM具有使得其為通用存儲器的候選者的若干所要特性，所述特性例如為高速、高密度 (即，小的位單元大小)、低功率消耗，及無隨時間的降級。然而，MRAM具有可縮放性問題。 具體來說，隨著位單元變小，用于切換存儲器狀態(tài)的磁場增加。因此，電流密度及功率消耗增加以提供較高的磁場，因而限制MRAM的可縮放性。不同于常規(guī)MRAM，自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)使用隨著電子穿過薄膜(自旋過濾器)而變得自旋極化的電子。STT-MRAM也被稱為自旋轉(zhuǎn)移力矩 RAM(STT-RAM)、自旋力矩轉(zhuǎn)移磁化切換RAM(自旋RAM)及自旋動量轉(zhuǎn)移(SMT-RAM)。在寫入操作期間，自旋極化的電子對自由層施加力矩，所述力矩可切換自由層的極性。讀取操作與常規(guī)MRAM類似之處在于使用電流來檢測MTJ存儲元件的電阻/邏輯狀態(tài)，如前文中所論述。如圖2A中所說明，STT-MRAM位單元200包括MTJ 205、晶體管210、位線220及字線 230。針對讀取操作與寫入操作兩者，接通晶體管210以允許電流流經(jīng)MTJ 205，從而可讀取或?qū)懭脒壿嫚顟B(tài)。參看圖2B，說明STT-MRAM單元201的更詳細圖以用于進一步論述讀取/寫入操作。除先前所論述的元件(例如，MTJ 205、晶體管210、位線220及字線230)之外，說明源極線M0、讀出放大器250、讀取/寫入電路260及位線參考270。如上文所論述，STT-MRAM 中的寫入操作為電性的。讀取/寫入電路260在位線220與源極線240之間產(chǎn)生寫入電壓。 視位線220與源極線240之間的電壓的極性而定，可改變MTJ 205的自由層的極性且可相應(yīng)地將邏輯狀態(tài)寫入到單元201。同樣，在讀取操作期間，產(chǎn)生讀取電流，所述讀取電流穿過MTJ 205在位線220與源極線240之間流動。當準許電流流經(jīng)晶體管210時，可基于位線220與源極線240之間的電壓差(voltage differential)來確定MTJ 205的電阻(邏輯狀態(tài))，將所述電壓差與參考270比較且接著由讀出放大器250放大。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，存儲器單元201的操作及構(gòu)造是此項技術(shù)中已知的。額外細節(jié)提供于(例如) IEDM會議錄Q005)的M·細見(M. Hosomi)等人的“具有自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻磁化切換的新 g^RAM(A Novel Nonvolatile Memory with Spin Transfer Torque Magnetoresistive Magnetization Switching =Spin-RAM) ”中，所述文獻的全文以引用的方式并入本文中。返回參看圖1的MTJ結(jié)構(gòu)，STT-MRAM中的存儲層130及參考層110按照慣例由鈷-鐵-硼(Coi^eB)材料制成，而隧道層120按照慣例由氧化鎂(MgO)材料制成。然而， CoFeB作為存儲層材料具有缺點。舉例來說，其具有相對較大的磁致伸縮。磁致伸縮為鐵磁性材料的一性質(zhì)，所述性質(zhì)使得鐵磁性材料在經(jīng)受磁場時改變其形狀。因此，CoFeB的使用可誘導(dǎo)存儲器陣列中的相對較寬且不可控制的切換場(switching field)或切換電流分布。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實施例是針對包括新穎存儲層材料的磁性元件。因此，本發(fā)明的一實施例可包括一種磁性隧道結(jié)(MTJ)元件。所述MTJ包括參考鐵磁性層、存儲鐵磁性層，及絕緣層。所述存儲鐵磁性層包括經(jīng)由非磁性子層耦合到( 子層的鈷-鐵-硼(Coi^B)子層。所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。本發(fā)明的另一實施例可包括另一種MTJ元件。所述MTJ也包括參考鐵磁性層、存儲鐵磁性層，及絕緣層。此處，所述存儲鐵磁性層包括經(jīng)由非磁性子層耦合到鎳-鐵(NiFe) 子層的CoFeB子層。所述絕緣層也安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。本發(fā)明的另一實施例可包括一種形成MTJ裝置的方法。所述方法包括形成參考鐵磁性層；形成存儲鐵磁性層，所述存儲鐵磁性層包含經(jīng)由非磁性子層耦合到( 子層的 CoFeB子層；及形成絕緣層，所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。本發(fā)明的另一實施例可包括另一種形成MTJ裝置的方法。此處，所述方法包括形成參考鐵磁性層；形成存儲鐵磁性層，所述存儲鐵磁性層包含經(jīng)由非磁性子層耦合到Mi^e 子層的CoFeB子層；及形成絕緣層，所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。本發(fā)明的另一實施例可包括一種存儲器，其包含晶體管及串聯(lián)耦合到所述晶體管的磁性隧道結(jié)(MTJ)元件。所述磁性隧道結(jié)(MTJ)元件可包括參考鐵磁性層；存儲鐵磁性層，其包含經(jīng)由非磁性子層耦合到鈷-鐵(CoFe)子層的鈷-鐵-硼(Cc^eB)子層；及絕緣層，所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。


呈現(xiàn)隨附圖式以協(xié)助描述本發(fā)明的實施例且僅出于說明實施例且并非限制的目的而提供所述附隨圖式。圖IA及圖IB分別說明處于平行狀態(tài)及逆平行狀態(tài)中的被稱為磁性隧道結(jié)元件的類型的磁性存儲器元件。圖2A及圖2B說明使用MTJ元件作為磁性存儲裝置的常規(guī)STT-MRAM單元的存儲
器單元。圖3A至圖3D各自說明包括新穎存儲層的MTJ元件。圖4說明制造包括新穎存儲層的MTJ元件的方法。
圖5說明包括MTJ元件的STT-MRAM電路。
具體實施例方式以下描述中揭示本發(fā)明的實施例的方面，且相關(guān)圖式是針對本發(fā)明的特定實施例。可在不偏離本發(fā)明的范疇的情況下設(shè)計出替代實施例。另外，將不詳細描述本發(fā)明的眾所周知的元件或?qū)⑹÷运鲈?，以免混淆本發(fā)明的實施例的相關(guān)細節(jié)。詞“示范性”在本文中用以意謂“充當實例、例子或說明”。本文中描述為“示范性” 的任何實施例不必被解釋為較其它實施例優(yōu)選或有利。同樣，術(shù)語“本發(fā)明的實施例”并不需要本發(fā)明的所有實施例包括所論述的特征、優(yōu)點或操作模式。如本文中及此項技術(shù)中通常所使用，符號A指代測量的埃單位。本文中所使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例的目的且并不意在為本發(fā)明的實施例的限制。如本文中所使用，除非上下文清楚地另外指示，否則單數(shù)形式“一”及“所述”也意在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)進一步理解，術(shù)語“包含”及/或“包括”在本文中使用時指定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除一個或一個以上其它特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。如“背景技術(shù)”中所論述，鈷-鐵-硼(Cc^eB)作為存儲層材料具有缺點，因為其具有(例如)不合需要地大的磁致伸縮性質(zhì)。因此，本發(fā)明的實施例提供用于在磁性存儲器元件中使用的新穎存儲層，其幫助減輕Coi^eB的一個或一個以上缺點。圖3A至圖3D各自說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括新穎存儲層的MTJ元件。如本文中所使用，無對應(yīng)字母a至d的參考數(shù)字330指代存儲層330a至330d的統(tǒng)稱。如圖所示，MTJ 300由參考層310、絕緣層320及存儲層330形成。與圖1的常規(guī)設(shè)計中一樣，參考層310可由CoFeB或其類似物制成，且絕緣層320可由氧化鎂(MgO)或其類似物制成。然而，與圖1的設(shè)計對比，MTJ 300的存儲層330由鈷-鐵-硼(( /(非磁性子層)/(輔助子層)的多層鐵磁性結(jié)構(gòu)制成，其中CoFeB子層經(jīng)由非磁性(例如，釕(Ru)分隔子層)耦合到子輔助層，如下文將描述。為了容易用符號表示及解釋，在以下描述中可將釕或Ru用于非磁性子層。然而，應(yīng)了解，本發(fā)明的實施例不限于使用Ru作為非磁性子層。舉例來說，也可使用鉻(Cr)或鉭(Ta)作為非磁性子層。另外，應(yīng)了解，本文中所描述的各種層及子層可包括除明確展示的層及子層外的額外層及子層。視存儲層330的CoFeB子層與輔助子層之間的交換耦合強度而定，所述兩個子層可以鐵磁性或逆鐵磁性的方式耦合。大體來說，交換耦合指代兩個子層中的磁矩試圖在平行或逆平行方向(視Ru的厚度而定)上以磁性方式彼此耦合以使得交換能可得到最小化的觀念。簡而言之，磁性交換耦合為磁矩使其自身在平行或逆平行方向上對準所需的交換強度。具體來說，鐵磁性交換耦合指代其中兩個子層的磁化向量相對平行的狀態(tài)，且逆鐵磁性交換耦合指代其中兩個子層的磁化向量相對逆平行的狀態(tài)。已注意到，當交換耦合強度較強時，臨界切換電流將較低。另外，可通過調(diào)整非磁性(例如，Ru子層)的厚度來控制交換耦合強度。大體來說，當薄的非磁性金屬層夾在兩個鐵磁性層之間時，中心層中的電子變得以振蕩方向極化。舉例來說，大致6 A至IOA (例如，8A)的相對較薄的Ru子層可提供逆鐵磁性耦合。大致2 A至5 A的厚度或至大致10 A 至15 A (例如，12 A)的厚度的Ru子層可提供鐵磁性耦合。進一步將Ru子層的厚度增加至大致15 A至20 A (例如，18 A)又可提供逆鐵磁性耦合。然而，雖然極化方向在本質(zhì)上可為振蕩的，但交換耦合強度的量值隨著Ru子層厚度的增加而衰減，使得振蕩隨著Ru子層變得太厚而逐漸消失。因此，可根據(jù)設(shè)計標準通過選擇適當?shù)腞u子層厚度來設(shè)定CoFeB子層與子輔助層之間的耦合的類型，以及交換耦合強度。同樣，其它鐵磁性子層的厚度可為大約 5 A至50 A,但本發(fā)明的實施例不限于任何特定厚度。為減少臨界切換電流且改善STT-MRAM單元穩(wěn)定性，根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的輔助子層可包括( 材料。另外，為幫助減輕磁致伸縮，根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的輔助子層可視應(yīng)用而除( 材料之外或取代( 材料包括Nii^e材料。確切地說，圖3A 說明由 Coi^eB/ 非磁性 /CoFe/NWe (例如，CoFeB/Ru/CoFe/NiFe) 層結(jié)構(gòu)制成的存儲層330a。圖;3B說明由Cc^eB/非磁性/( (例如，CoFeB/Ru/CoFe)層結(jié)構(gòu)制成的存儲層330b。圖3C說明由CoFeB/非磁性/NiFe (例如，CoFeB/Ru/NiFe)層結(jié)構(gòu)制成的存儲層330c。圖3D說明由Coi^eB/非磁性/Coi^eB/Nii^e (例如，CoFeB/Ru/CoFeB/ NiFe)層結(jié)構(gòu)制成的存儲層330d。圖3A及圖的結(jié)構(gòu)使用( 材料作為輔助子層的一部分以提供經(jīng)由非磁性(例如，Ru)子層的與CoFeB子層的相對較強的交換耦合，借此減少用于寫入操作的臨界切換電流。圖3A、圖3C及圖3D的結(jié)構(gòu)使用Mi^e材料來減少存儲器陣列中的磁致伸縮誘導(dǎo)的切換電流及切換場變化。另外，如上文所注釋，可用其它非磁性材料替換上文所描述及圖3A至圖3D中所說明的Ru子層以形成非磁性子層。圖4說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造包括新穎存儲層的MTJ元件的方法。參看圖3及圖4，可通過在襯底或另一層上形成第一鐵磁性層310( S卩，存儲層330 及參考層310中的一者)來制造MTJ 300(框410)。在第一鐵磁性層310上形成絕緣層 320(框420)。在絕緣層320上形成第二鐵磁性層330(即，存儲層330及參考層310中的另一者)(框430)。同樣，每一層可由一個或多個層構(gòu)成，所述一個或多個層由一種或一種以上材料制成，且未必需要將一據(jù)稱形成于另一層上的層以與所述層直接接觸的形式而形成。如圖3A至圖3D中所說明，根據(jù)本發(fā)明的各種實施例，存儲層可由本文中所描述的各種組合(例如，CoFeB/Ru/CoFe/NiFe, CoFeB/Ru/CoFe, CoFeB/Ru/NiFe 或 Coi^eB/Ru/Coi^B/ NiFe)中的任一者形成。圖5說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括MTJ元件的存儲器元件(例如，STT-MRAM電路)。所述電路包括位單元501，其包括耦合于位線(BL)520與源極線(SL) 540之間的 MTJ 505及字線晶體管510。字線晶體管510從字線(未圖示)接收字線讀取電壓(WL_rd)。 讀取隔離元件550耦合到位線520以在寫入操作期間隔離讀出放大器570。元件550 (例如，讀取多路復(fù)用器)可用以在讀取操作期間選擇位線中的一者，以及提供讀出放大器隔離。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，讀取隔離元件550可為可在讀取操作期間將讀出放大器570耦合到位線520且可在寫入操作期間隔離讀出放大器570的任何裝置或裝置的組合。舉例來說，隔離元件550可為與讀出放大器570的輸入端串聯(lián)耦合的傳輸門。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可使用例如多路復(fù)用器及其類似者等其它裝置及/或裝置的組合。另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，本文中所說明的電路配置僅用以促進描述本發(fā)明的實施例的方面，且不意在將實施例限制于所說明的元件及/或布置。返回參看圖5，隔離元件550可接收讀取啟用信號(rd_en)以與讀取操作協(xié)調(diào)。讀出放大器570耦合到位線520且耦合到參考560。讀出放大器570可用以通過在讀取操作期間放大讀出放大器570的輸入端處的位線520與參考560之間的電壓差來確定位單元501 的狀態(tài)。在讀取操作期間，晶體管510為導(dǎo)電的且讀取電流流經(jīng)MTJ 505。讀取隔離元件 550將為導(dǎo)電的且將在讀出放大器570處產(chǎn)生并檢測到與MTJ 505的電阻成比例的電壓。 如上文所論述，電阻將基于MTJ 505的邏輯狀態(tài)而變化。因此，可讀取存儲于位單元501中的數(shù)據(jù)。寫入驅(qū)動器580與寫入隔離元件582及584耦合于位線520與源極線540之間， 以使得能夠選擇位線且將數(shù)據(jù)寫入到位單元501。可使用本文中所描述的技術(shù)來實施MTJ 505以減少臨界切換電流，幫助減輕磁致伸縮，且改善STT-MRAM單元穩(wěn)定性。舉例來說，可如圖3A至圖3D中的任一者中所展示來實施MTJ 505，及/或如圖4中所說明來制造MTJ 505。另外，應(yīng)了解，存儲器陣列可由由MTJ 505及晶體管510形成的個別位單元陣列形成。雖然前述揭示內(nèi)容展示本發(fā)明的說明性實施例，但應(yīng)注意，可在不偏離如通過所附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的實施例的范疇的情況下在本文中作出各種改變及修改。舉例來說，雖然本文中所描述的用于制造磁性元件的技術(shù)大體上是針對MTJ元件及STT-MRAM裝置，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，本文中所呈現(xiàn)的存儲層可在各種應(yīng)用中結(jié)合各種磁電元件使用以提供改善的性能。又，可在適當時改變對應(yīng)于待激活的晶體管/電路的特定邏輯信號以實現(xiàn)所揭示的功能性，因為可將晶體管/電路修改成互補裝置(例如，互換PMOS 裝置與NMOS裝置)。同樣，不需要以所展示的特定次序執(zhí)行根據(jù)本文中描述的本發(fā)明的實施例的方法的功能、步驟及/或動作。此外，雖然可能以單數(shù)形式描述或主張本發(fā)明的元件，但除非明確聲明限于單數(shù)形式，否則涵蓋復(fù)數(shù)形式。
權(quán)利要求
1.一種磁性隧道結(jié)(MTJ)元件，其包含參考鐵磁性層；存儲鐵磁性層，其包含經(jīng)由非磁性子層耦合到鈷-鐵(CoFe)子層的鈷-鐵-硼(Cc^eB) 子層；以及絕緣層，其安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTJ元件，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述 CoFe子層的鎳-鐵(NiFe)子層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTJ元件，其中所述非磁性子層為釕(Ru)且具有在約2A至約20 A的范圍內(nèi)的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTJ元件，其中所述CoFeB子層以鐵磁性方式耦合到所述 CoFe子層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MTJ元件，其中所述非磁性子層為釕(Ru)且具有在約2A至約5 A的范圍內(nèi)的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTJ元件，其中所述CoFeB子層以逆鐵磁性方式耦合到所述 CoFe子層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MTJ元件，其中所述非磁性子層為釕(Ru)且具有在約6A至約 ο A的范圍內(nèi)的厚度。
8.一種磁性隧道結(jié)(MTJ)元件，其包含參考鐵磁性層；存儲鐵磁性層，其包含經(jīng)由非磁性子層耦合到鎳-鐵(NiFe)子層的鈷-鐵-硼(Cc^eB) 子層；以及絕緣層，其安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MTJ元件，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述 NiFe子層的鈷-鐵(CoFe)子層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MTJ元件，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述 NiFe子層的第二 CoFeB子層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MTJ元件，其中所述非磁性子層為釕(Ru)且具有在約2A 至約20 A的范圍內(nèi)的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MTJ元件，其中所述CoFeB子層以鐵磁性方式耦合到所述 NiFe子層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MTJ元件，其中所述CoFeB子層以逆鐵磁性方式耦合到所述 NiFe子層。
14.一種形成磁性隧道結(jié)(MTJ)裝置的方法，其包含形成參考鐵磁性層；形成存儲鐵磁性層，所述存儲鐵磁性層包含經(jīng)由非磁性子層耦合到鈷-鐵(CoFe)子層的鈷-鐵-硼(Coi^eB)子層；以及形成絕緣層，所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述( 子層的附狗子層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述非磁性子層為釕(Ru)且具有在約2A至約 20 A的范圍內(nèi)的厚度。
17.一種形成磁性隧道結(jié)(MTJ)裝置的方法，其包含 形成參考鐵磁性層；形成存儲鐵磁性層，所述存儲鐵磁性層包含經(jīng)由非磁性子層耦合到鎳-鐵(NiFe)子層的鈷-鐵-硼(Coi^eB)子層；以及形成絕緣層，所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述Mi^e 子層的鈷-鐵(CoFe)子層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述Mi^e 子層的第二 CoFeB子層。
20.一種存儲器，其包含 晶體管；以及磁性隧道結(jié)(MTJ)元件，其串聯(lián)耦合到所述晶體管，其中所述磁性隧道結(jié)(MTJ)元件包含參考鐵磁性層；存儲鐵磁性層，其包含經(jīng)由非磁性子層耦合到鈷-鐵(CoFe)子層的鈷-鐵-硼(Cc^eB) 子層；以及絕緣層，其安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲器，其中所述存儲鐵磁性層進一步包含耦合到所述 CoFe子層的鎳-鐵(NiFe)子層。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲器，其中所述非磁性子層為釕(Ru)且具有在約2A至約20 A的范圍內(nèi)的厚度。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，一種磁性隧道結(jié)(MTJ)元件包括參考鐵磁性層、存儲鐵磁性層，及絕緣層。所述存儲鐵磁性層包括經(jīng)由非磁性子層耦合到CoFe子層及/或NiFe子層的CoFeB子層。所述絕緣層安置于所述參考鐵磁性層與存儲鐵磁性層之間。
文檔編號G11C11/15GK102272965SQ201080004267
公開日2011年12月7日 申請日期2010年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月13日
發(fā)明者升·H·康, 朱曉春, 李霞 申請人:高通股份有限公司