專利名稱：可記錄光盤、記錄裝置、記錄方法和再現裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及諸如一次寫入盤和可重寫盤之類的可記錄光盤、能夠應對可記錄光盤的記錄裝置、記錄方法和再現裝置。
背景技術：
已知諸如Blu-ray Disc (藍光盤)(注冊商標)之類的光記錄介質。在光記錄介質中，通過使用半導體激光執(zhí)行信息的記錄和再現。
利用半導體激光對光盤的記錄受到由溫度和隨時間的變化而弓I起的激光功率變動、由制造時的調整誤差引起的各種歪斜和偏差以及驅動控制中的記錄條件差距的很大影響。因此，特別是對于諸如一次寫入盤和可重寫盤之類的可記錄光盤，要抑制激光驅動電路和光學元件的變動并且執(zhí)行精確的發(fā)光波形控制。
在實際的信息記錄裝置中，一般地，在即將進行數據記錄之前，通過使用部署在每個記錄層中的測試寫入區(qū)域(最優(yōu)功率控制(OPC)區(qū)域)來探索最優(yōu)激光功率并且調整記錄激光功率和策略以便優(yōu)化記錄條件。
在用于此記錄激光功率調整的試驗寫入過程(測試寫入)中，需要在最優(yōu)記錄條件不明的狀態(tài)中執(zhí)行上述的擾動的去除、記錄功率的優(yōu)化和激光驅動脈沖的優(yōu)化。
在探索最優(yōu)條件時，取決于情況，利用具有過高能量的激光照射測試寫入區(qū)域并且在激光驅動脈沖的寬度(激光發(fā)射時間)不適當的情況下執(zhí)行激光照射。從而，可能對記錄層中的測試寫入區(qū)域造成嚴重損傷。
另外，在其中在盤基板上形成多個記錄層的所謂多層光盤中，某一記錄層的記錄/ 再現受另一記錄層的影響。
例如，發(fā)生由記錄引起的記錄層的透過率變化，這可能妨礙以適當的光量對期望記錄層的光照射。
另外，透過率變化對于記錄功率有依從性。因此，在像OPC區(qū)域這樣在記錄功率變動的情況下執(zhí)行記錄的地方，無法控制透過率變化，即對其他記錄層的影響程度。
這些事實導致這樣一個問題，S卩，取決于其他記錄層的記錄狀態(tài)，無法實現期望的 OPC控制，并且難以得出準確的優(yōu)化條件。
具體而言，在在某一記錄層中的OPC區(qū)域中執(zhí)行試驗寫入并且調整激光功率的情況下，此試驗寫入受到如下測試寫入區(qū)域的影響該測試寫入區(qū)域在另一記錄層中并且被部署在與此OPC區(qū)域在平面方向(盤半徑方向)上相同的位置(即，與此OPC區(qū)域在厚度方向(=層方向)上重疊的位置)。
為了解決此問題，作為相關技術，例如，如在以上所示的專利文獻1中可見，已經設計了使不同記錄層中的測試寫入區(qū)域沿著記錄層的半徑方向相互錯開的方法，以及在不同記錄層中的試驗寫入區(qū)域之間不為試驗寫入使用同一半徑位置的方法。
另外，在現有的Blu-ray Disc的雙層標準中，規(guī)定部署在盤內周側的導入區(qū)塊中的各個記錄層的測試寫入區(qū)域被部署成沿著記錄層的半徑方向相互錯開。
現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :PCT專利公布No. W005/034110小冊子 專利文獻2 日本專利早期公布No. 2004-295940
發(fā)明內容
順便說一下，對于信息記錄介質，始終希望其記錄容量增大。例如，在Blu-ray Disc的情況下，設想了記錄層數目的增大將向三層結構和四層結構推進，并且將實現容量的顯著增大。
在開發(fā)包括至少三層的光盤時，難以在各個記錄層中設計OPC區(qū)域并且設計記錄和再現各種管理信息的區(qū)域。
其原因之一如下。因為如上所述由于對記錄層的記錄操作而發(fā)生透過率變化，所以OPC操作和記錄/再現操作受到另一層的影響。因此，需要考慮到這一點來設計這些區(qū)域。
另外，由于透過率變化對記錄功率的依從性，對其他層的影響程度是不定的，并且難以預測透過率變化。這也是原因之一。
另外，在設計OPC區(qū)域和管理信息區(qū)域時，也考慮了與現有單層盤和雙層盤的兼容性。從而，所有必要的區(qū)域都需要被適當地布置在預定的有限半徑范圍(例如導入區(qū)域) 中。
需要本發(fā)明考慮上述這些點并且提出一種適合于可記錄多層光盤的區(qū)域布置。
根據本發(fā)明的一個實施例，提供了一種作為多層盤的可記錄光盤，包括被配置為設在盤基板上的至少三個記錄層；以及被配置為形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱?。在此可記錄光盤中，在每個記錄層中，在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內區(qū)塊側區(qū)域中設有用于激光功率控制的測試區(qū)域，并且記錄層中的測試區(qū)域被部署成避免在層方向上相互重疊。
另外，在每個記錄層中的內周側區(qū)域中設有用于管理信息的記錄和再現的管理信息記錄/再現區(qū)域，并且管理信息記錄/再現區(qū)域被部署成使得，對于記錄層中的每個測試區(qū)域，在比該測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與該測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目等于或小于一個。
此外，管理信息記錄/再現區(qū)域的每一個被部署成避免與記錄層中的測試區(qū)域在該測試區(qū)域的盤基板側在層方向上重疊。
根據本發(fā)明的另一實施例，提供了一種用于作為多層盤的可記錄光盤的記錄裝置，該可記錄光盤包括設在盤基板上的至少三個記錄層和形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱?。該記錄裝置包括控制器，該控制器被配置為在可記錄光盤的各個記錄層中在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內周側區(qū)域中以防止用于與各個記錄層有關的激光功率控制的測試區(qū)域在層方向上相互重疊的方式部署這些測試區(qū)域，該控制器進行控制以在利用部署的測試區(qū)域進行激光功率調整后執(zhí)行信息記錄。
根據本發(fā)明的另一實施例，提供了一種用于上述可記錄光盤的記錄方法。該記錄方法包括以下步驟在可記錄光盤的各個記錄層中在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內周側區(qū)域中以防止用于與各個記錄層有關的激光功率控制的測試區(qū)域在層方向上相互重疊的方式部署這些測試區(qū)域，并且在利用部署的測試區(qū)域進行激光功率調整后執(zhí)行信息記錄。
根據本發(fā)明的另ー實施例，提供了ー種用于作為多層盤的可記錄光盤的再現裝置，該可記錄光盤包括設在盤基板上的至少三個記錄層和形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱?。在該可記錄盤中，在鋒個記錄層中在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內區(qū)塊側區(qū)域中設有用于激光功率控制的測試區(qū)域，并且記錄層中的測試區(qū)域被部署成避免在層方向上相互重疊。并且，該再現裝置包括控制器，該控制器被配置為識別管理信息記錄/再現區(qū)域，管理信息記錄/再現區(qū)域被部署在鋒個記錄層中的內周側區(qū)域中，使得對于記錄層中的鋒個測試區(qū)域，在比該測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與該測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目等于或小于ー個，并且管理信息記錄/再現區(qū)域被防止與記錄層中的測試區(qū)域在該測試區(qū)域的盤基板側在層方向上重疊，該控制器從管理信息記錄/再現區(qū)域中再現管理信息并且基于管理信息來控制用戶數據的再現。
在本發(fā)明的這些實施例中，首先在至少三個記錄層的鋒ー層中的內周側區(qū)域中形成測試區(qū)域(0 〔區(qū)域)。各個記錄層中的測試區(qū)域被部署成避免在層方向上相互重疊。這是為了防止鋒個記錄層中的測試區(qū)域受到由另ー層中的測試區(qū)域中的記錄引起的透過率變化和透過率變化對激光功率的依從性的影響。
另外，在比測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與該測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目被設定成等于或小于ー個，從而最小化了由管理信息記錄/再現區(qū)域中的記錄和再現引起的透過率變化對測試區(qū)域中的0 〔操作的影響，并且實現了與現有雙層盤的兼容性。
管理信息記錄/再現區(qū)域的鋒ー個被部署成避免與各個記錄層中的測試區(qū)域在該測試區(qū)域的盤基板側在層方向上重疊。從而，防止了管理信息記錄/再現區(qū)域中的記錄 /再現受到測試區(qū)域的透過率變化和透過率變化對激光功率的依從性的影響。
本發(fā)明的實施例提供了如下優(yōu)點在諸如三層盤和四層盤之類的可記錄多層光盤中，可以實現內周側區(qū)域中的適當布置并且允許了適當的0 〔操作和對管理信息的記錄/ 再現。
圖1是根據本發(fā)明實施例的盤的區(qū)域結構的說明圖。
圖2是實施例的盤中的DMA的說明圖。
圖3是實施例的盤中的DDS的內容的說明圖。
圖4是實施例的盤中的DFL的內容的說明圖。
圖5是實施例的盤中的DFL和TDFL中的缺陷列表管理信息的說明圖。
圖6是實施例的盤中的DFL和TDFL中的替換地址信息的說明圖。
圖7是實施例的盤中的TDMA的說明圖。
圖8是實施例的盤中的空間位圖的說明圖。
圖9是實施例的盤中的TDFL的說明圖。
圖10是實施例的盤中的TDDS的說明圖。
圖11是實施例的盤的層結構的說明圖。
圖12是現有的雙層BD-R的內區(qū)塊配置的說明圖。
圖13是新穎的三層BD-R的內區(qū)塊配置的說明圖。
圖14是新穎的三層BD-R的內區(qū)塊中的各個區(qū)域的位置的說明圖。
圖15是新穎的三層盤中的各個記錄層的公差的說明圖。
圖16是實施例的三層BD-RE的內區(qū)塊配置的說明圖。
圖17是實施例的四層BD-R的內區(qū)塊配置的說明圖。
圖18是實施例的四層BD-R的內區(qū)塊中的各個區(qū)域的位置的說明圖。
圖19是實施例的四層盤中的OPC配對的說明圖。
圖20是實施例的四層盤中的配對中的OPC布置的說明圖。
圖21是實施例的四層盤中的各個記錄層的公差的說明圖。
圖22是實施例的四層BD-RE的內區(qū)塊配置的說明圖。
圖23是實施例的盤驅動裝置的框圖。
圖M是實施例的盤驅動裝置進行的處理的流程圖。
圖25是實施例的盤驅動裝置進行的OPC處理的流程圖。
圖沈是實施例的盤驅動裝置進行的OPC處理的流程圖。
具體實施例方式下面將按以下順序描述本發(fā)明的實施例。
[1.盤結構] [2. DMA] [3. TDMA] [4.多層盤/現有雙層盤的內區(qū)塊] [5.實施例的三層盤的內區(qū)塊] [6.實施例的四層盤的內區(qū)塊] [7.盤驅動裝置] [1.盤結構] 首先，將描述實施例的光盤的概要。在被稱為所謂的Blu-ray Disc的高密度光盤系統(tǒng)的范疇中，此光盤可實現為一次寫入盤(BD-R)或可重寫盤(BD-RE)。
將描述本實施例的高密度光盤的物理參數的一個示例。
作為本實施例的光盤的盤大小，直徑是120mm并且盤厚度是1. 2mm。S卩，從這些點來看，此光盤就外形而言與CD(壓縮盤)系統(tǒng)的盤和DVD(數字多功能盤)系統(tǒng)的盤相同。
所謂的藍色激光被用作用于記錄/再現的激光，并且對于光學系統(tǒng)設定了高 NA (例如0. 85)。另外，實現了窄軌道間距(例如0. 32 μ m)和高線密度(例如記錄線密度是0.12 μ m)?；谶@些特征，在12cm直徑盤中實現了大約23至25千兆字節(jié)(GB)作為用戶數據容量。另外，認為通過更高密度記錄，也允許大約30GB的容量。
此外，也已開發(fā)了具有多個記錄層的所謂多層盤。在多層盤中，用戶數據容量基本上按層數倍增。
圖1示出了整個盤的布局(區(qū)域配置)。
作為盤上的區(qū)域，從內周側起部署了內區(qū)塊、數據區(qū)塊和外區(qū)塊。
在圖1中，盤被示為具有包括一個記錄層的結構(單層結構)。在此情況下，內區(qū)塊充當導入區(qū)域，而外區(qū)塊充當導出區(qū)域。
實施例的盤是如后所述的三層盤或四層盤。在此盤中，第一層(層L0)的內區(qū)塊充當導入區(qū)域。最終，取決于記錄于其上的用戶數據容量，第一層(層L0)的外區(qū)塊及其后區(qū)塊(層Li、L2和L3的內區(qū)塊和外區(qū)塊)中的任何一個被用作導出區(qū)域。
為了便于描述，包括第一層(層L0)的導入區(qū)域在內的各個記錄層的內周側區(qū)域將被統(tǒng)稱為內區(qū)塊。另外，各個記錄層的外周側區(qū)域將被統(tǒng)稱為外區(qū)塊。
就與記錄和再現有關的區(qū)域配置而言，內區(qū)塊(導入區(qū)域)的最內周側的區(qū)域被用作再現專用區(qū)域，并且從內區(qū)塊的中間到外區(qū)塊的區(qū)域被用作可記錄區(qū)域。
在再現專用區(qū)域中，設有BCA (Burst Cutting Area,突發(fā)切割區(qū)域)和 PIC (pre-recorded information area，預記錄信息區(qū)域)。然而，在具有兩層或更多層的多層盤的內區(qū)塊結構中，如下文中詳細描述的，僅在第一層(層L0)中設有PIC，而在第二層 (層Li)及其后的記錄層中，與PIC具有相同半徑的部分充當可記錄區(qū)域。
在內區(qū)塊中的可記錄區(qū)域中，為了管理/控制信息的記錄等等，形成了下文中將描述的OPC、TDMA, INFO (包括DMA等等)和保留區(qū)域RSV等等。
在再現專用區(qū)域和可記錄區(qū)域中，基于擺動溝槽(蛇行溝)的記錄軌道被形成為螺旋狀。溝槽在激光光斑跟蹤時被用作循軌的引導，并且數據記錄/再現是在此溝槽被用作記錄軌道的情況下執(zhí)行的。
本示例是基于對在溝槽中記錄數據的光盤的假設的。然而，本發(fā)明的實施例并不限于這種溝槽記錄系統(tǒng)的光盤，而是可以應用到岸臺記錄系統(tǒng)的光盤，其中數據被記錄在溝槽之間的岸臺中。另外，它也可應用到岸臺和溝槽記錄系統(tǒng)的光盤，其中數據被記錄在溝槽和岸臺中。
用作記錄軌道的溝槽具有與擺動信號相對應的蛇行形狀。因此，在用于該光盤的盤驅動裝置中，可通過從發(fā)射到溝槽上的激光光斑的反射光檢測溝槽的兩邊緣位置并且在沿著記錄軌道移動激光光斑的同時提取兩邊緣位置在盤半徑方向上的波動成分來再現擺動信號。
在此擺動信號中，調制了其記錄位置處的記錄軌道的地址信息(物理地址、其他附加信息等等)。從而，在盤驅動裝置中，可以通過對來自此擺動信號的地址信息等等解調來執(zhí)行數據記錄/再現中的地址控制等等。
圖1中所示的內區(qū)塊例如是半徑24mm的位置內側的區(qū)域。
在內區(qū)塊中的PIC(預記錄信息區(qū)域)中，通過溝槽的擺動預先記錄了諸如記錄和再現功率條件之類的盤信息、關于盤上的區(qū)域的信息、用于拷貝保護的信息等等，作為再現專用信息。可以通過壓紋坑之類的來記錄這些信息。
BCA被設在比PIC更靠近內周之處。BCA是通過利用例如燒掉記錄層的記錄系統(tǒng)記錄依盤記錄介質而定的唯一 ID來制作的。具體而言，通過形成以同心圓形式對齊的記錄標記來形成條碼式的記錄數據。
另夕卜,在內區(qū)塊中，設定了具有 TDMA (Temporary Defect Management Area，臨時缺陷管理區(qū)域)、OPC(Optimum Power Control (最優(yōu)功率控制)區(qū)域測試寫入區(qū)域)、
7INFO(信息區(qū)域管理信息區(qū)域)、保留區(qū)域RSV、緩沖區(qū)域BUF等等的預定區(qū)域格式。
OPC用于例如在設定諸如記錄/再現時的激光功率之類的數據記錄/再現條件時的試驗寫入。即，它是用于記錄/再現條件的調整的區(qū)域。
INFO包括DMA (Defect Management Area，缺陷管理區(qū)域)和控制數據區(qū)域。
在控制數據區(qū)域中，例如記錄了盤類型、盤大小、盤版本、層結構、通道比特長度、 BCA信息、傳送速率、數據區(qū)塊位置信息、記錄線速度以及關于記錄/再現激光功率的信息。
DMA設于INFO中。一般地，在光盤的領域中，用于缺陷管理的替換管理信息被記錄在DMA中。然而，在本示例的盤中，在DMA中記錄了管理/控制信息，其不僅用于實現缺陷部位的替換管理，還用于實現此一次寫入盤中的數據重寫。在此情況下，特別地，在DMA中記錄了下文中將描述的ISA和OSA的管理信息。
為了允許利用替換處理的數據重寫，也需要響應于數據重寫而更新DMA的內容。 為了此更新，設有TDMA。
替換管理信息被追加記錄到TDMA并被更新。在DMA中，記錄了最終在TDMA中記錄的最后(最新)的替換管理信息。
DMA和TDMA的細節(jié)將在下文中描述。
包括DMA等等的INFO是最終存儲最新的管理信息的確定管理信息區(qū)域。INFO (確定管理信息區(qū)域)在所有記錄層中被部署成相互分開至少與允許的缺陷大小相當的距離。
另一方面，TDMA是臨時管理信息區(qū)域，其中根據需要追加存儲管理信息。TDMA (臨時管理信息區(qū)域)例如被幾乎均等地部署在每個記錄層中。在一些情況下，對于四層盤的示例，如下文中所述，它被幾乎均等地部署在除了最靠近盤基板的記錄層以外的多個記錄層中。
比內區(qū)塊更靠近外周的區(qū)域，具體而言例如是與24. 0至58. Omm的半徑范圍相對應的區(qū)域，被用作數據區(qū)塊。數據區(qū)塊是實際記錄和再現用戶數據的區(qū)域。數據區(qū)塊的起始地址ADdts和結束地址ADdte由上述控制數據區(qū)域中的數據區(qū)塊位置信息指示。
在數據區(qū)塊中，在數據區(qū)塊的最內周側設有ISAdrmer Spare Area，內備用區(qū)域)，并且在數據區(qū)塊的最外周側設有0SA(0uter Spare Area，外備用區(qū)域)。ISA和OSA 被用作缺陷和數據重寫(覆寫)的替換區(qū)域。
ISA是從數據區(qū)塊的起始位置起形成的，具有相當于預定簇數目(一個簇=65536 字節(jié))的大小。
OSA是從數據區(qū)塊的結束位置朝著內周形成的，具有相當于預定簇數目的大小。 ISA和OSA的大小在上述DMA中記載。
數據區(qū)塊中介于ISA與OSA之間的區(qū)間被用作用戶數據區(qū)域。此用戶數據區(qū)域是用于通常的用戶數據的記錄和再現的通常記錄/再現區(qū)域。
用戶數據區(qū)域的位置，即起始地址ADus和結束地址ADue，在DMA中記載。
比數據區(qū)塊更靠近外周的區(qū)域，具體而言是與58. 0至58. 5mm的半徑范圍相對應的區(qū)域，被用作外區(qū)塊(例如導出區(qū)塊)。在外區(qū)塊中也記錄了管理/控制信息。具體而言，以預定的格式形成了 INFO (控制數據區(qū)域、DMA、緩沖區(qū)域)。
在控制數據區(qū)域中，例如與內區(qū)塊中的控制數據區(qū)域類似地記錄了各種管理/控制信息。與內區(qū)塊中的DMA類似地，作為記錄ISA和OSA的管理信息的區(qū)域，準備了 DMA。
本實施例具有關于三層盤和四層盤的內區(qū)塊的結構的特征。下文中將描述內區(qū)塊中的各個區(qū)域的布局，包括現有的雙層盤。
[2. DMA] 下面將描述記錄內區(qū)塊和外區(qū)塊中記錄的DMA的結構。圖2示出了 DMA的結構。
這里，示出了 DMA的大小是32個簇(32X65536字節(jié))的示例。簇是數據記錄的最小單位。
當然，DMA大小并不限于32個簇。在圖2中，32個簇被賦予了簇號碼1至32，從而指示出DMA中的每個內容的數據位置。另外，每個內容的大小是以簇數目的形式指示的。
在DMA中，在簇號碼為1至4的四個簇的區(qū)間中，以盤定義結構(disk definition structure, DDS)的形式記錄了關于盤的詳細信息。
此DDS的內容將在下文中利用圖3來描述。DDS具有一個簇的大小，并且在此四簇區(qū)間中被反復記錄四次。
簇號碼為5至8的四個簇的區(qū)間充當缺陷列表DFL的第一記錄區(qū)域(DFL#1)。缺陷列表DFL的結構將在下文中利用圖4來描述。缺陷列表DFL是大小為四個簇的數據，并且其中列出了各條替換地址信息。
簇號碼為9至12的四個簇的區(qū)間充當缺陷列表DFL的第二記錄區(qū)域(DFL#2)。
另外，四個簇一組地準備第三及其后的缺陷列表DFL#3至DFL#6的記錄區(qū)域，從而簇號碼為四至32的四個簇的區(qū)間充當缺陷列表DFL的第七記錄區(qū)域(DFL#7)。
S卩，在由32個簇構成的DMA中，準備了用于缺陷列表DFL#1至DFL#7的七個記錄區(qū)域。
在BD-R(—次寫入光盤)的情況下，需要執(zhí)行封閉(closing)的處理來記錄此DMA 的內容。在此情況下，在DMA中寫入的所有七個缺陷列表DFL#1至DFL#7包括相同的內容。 寫入的內容等于最新的TDMA的內容。
在BE-RE (可重寫光盤)中，未設有TDMA。這是因為每次執(zhí)行記錄時可以重寫DMA。
在圖2的DMA的開頭處記錄的DDS的內容在圖3中示出。
如上所述，DDS的大小是一個簇(=65536個字節(jié))。
在圖3中，“字節(jié)位置”將字節(jié)0示為由65536個字節(jié)構成的DDS的開頭字節(jié)。“字節(jié)數目”指示出每個數據內容的字節(jié)數目。
在字節(jié)位置0和1處的兩個字節(jié)中，記錄有用于識別出這個簇是DDS的簇的DDS 標識符=“DS”。
在字節(jié)位置2處的一個字節(jié)中，指示出DDS格式號碼(格式版本)。
在字節(jié)位置4至7處的四個字節(jié)中，記錄了 DDS的更新次數。在本示例中，不更新 DMA本身，而是在封閉時向其中寫入替換管理信息。在TDMA中更新替換管理信息。因此，當最終執(zhí)行封閉時，TDMA中的DDS(TDDS 臨時DDQ的更新次數被記錄在這些字節(jié)位置處。
在字節(jié)位置16至19處的四個字節(jié)中，記錄了 DMA中的驅動區(qū)域的起始物理扇區(qū)地址(AD DRV)。
在字節(jié)位置M至27處的四個字節(jié)中，記錄了 DMA中的缺陷列表DFL的起始物理扇區(qū)地址(AD DFL)。
字節(jié)位置32至35處的四個字節(jié)用PSN (物理扇區(qū)號碼物理扇區(qū)地址)指示出數據區(qū)塊中的用戶數據區(qū)域的開頭位置，即LSN(邏輯扇區(qū)號碼邏輯扇區(qū)地址)為“0”的位置。
字節(jié)位置36至39處的四個字節(jié)用LSN(邏輯扇區(qū)地址)指示出數據區(qū)塊中的用戶數據區(qū)域的結束位置。
在字節(jié)位置40至43處的四個字節(jié)中，指示出了數據區(qū)塊中的ISA(單層盤的ISA 或雙層盤的層0中的ISA)的大小。
在字節(jié)位置44至47處的四個字節(jié)中，指示出了數據區(qū)塊中的OSA的大小。
在字節(jié)位置48至51處的四個字節(jié)中，指示出了數據區(qū)塊中的ISA(雙層盤的層1 中的ISA)的大小。
在字節(jié)位置52處的一個字節(jié)中，指示出了替換區(qū)域可用性標志，該標志指示出是否可利用ISA或OSA來重寫數據。當ISA或OSA的整體被使用時，替換區(qū)域可用性標志指示出這一點。
除了上述位置以外的字節(jié)位置被認為是保留的(未定義的)，并且在所有這些字節(jié)位置處設定00h。
如上所述，DDS包括用戶數據區(qū)域的地址、ISA和OSA的大小以及替換區(qū)域可用性標志。即，DDS被用作數據區(qū)塊中的ISA和OSA的區(qū)域管理的管理/控制信息。
接下來，缺陷列表DFL的結構在圖4中示出。
如利用圖2所述，缺陷列表DFL被記錄在四個簇的記錄區(qū)域中。
在圖4中，以“字節(jié)位置”的形式示出了由四個簇構成的缺陷列表DFL中的每個數據內容的數據位置。一個簇=32個扇區(qū)=65536個字節(jié)的關系成立，并且一個扇區(qū)=2048 個字節(jié)。
“字節(jié)數目”指示出作為每個數據內容的大小的字節(jié)數目。
缺陷列表DFL中的開頭64個字節(jié)被用作缺陷列表管理信息。
在此缺陷列表管理信息中，記錄了用于識別出這些簇是缺陷列表的簇的信息、版本、缺陷列表的更新次數、缺陷列表中的條目數目等等。
在字節(jié)位置64及其后的字節(jié)位置處，作為缺陷列表中的條目的內容，記錄了各自由八個字節(jié)構成的多條替換地址信息ati。
緊挨著最后的有效替換地址信息ati#N之后，記錄了由八個字節(jié)構成并且充當替換地址信息末端的末端符信息。
在此DFL中，在從替換地址信息末端以后的字節(jié)到這些簇的最后的所有字節(jié)中設定了 00h。
由64個字節(jié)構成的缺陷列表管理信息如圖5所示。
在從字節(jié)位置0起的兩個字節(jié)中，作為缺陷列表DFL的標識符，記錄了字符串 “DL”。
字節(jié)位置2處的一個字節(jié)指示出缺陷列表DFL的格式號碼。
從字節(jié)位置4起的四個字節(jié)指示出缺陷列表DFL的更新次數。此數字是遵循下文中將描述的臨時缺陷列表TDFL的更新次數的值。
從字節(jié)位置12起的四個字節(jié)指示出缺陷列表DFL中的條目數目，即替換地址信息 ati的條數。
從字節(jié)位置M起的四個字節(jié)用簇數目指示出替換區(qū)域ISAO、ISAU OSAO和OSAl 的每一個中的空閑區(qū)域的大小。
除上述位置以外的字節(jié)位置被用作保留，并且在所有這些字節(jié)位置處設定了 OOh。
圖6示出了替換地址信息ati的結構。具體而言，替換地址信息ati指示出由于替換處理而得到的條目的內容。
替換地址信息ati的最大總條數在單層盤的情況下是32759。
一條替換地址信息ati由八個字節(jié)陽4個比特)構成。各個比特被表示為比特 b63 至 b0。
在比特b63至b60中，記錄了條目的狀態(tài)信息(狀態(tài)1) 在DFL中，狀態(tài)信息被設定為“0000”，指示通常替換處理條目。
其他狀態(tài)信息值將在下文中描述TDMA中的TDFL中的替換地址信息ati時描述。
在比特b59至b32中，指示出了替換對象簇的起始物理扇區(qū)地址PSN。具體而言， 由于缺陷或重寫而被取代的簇由該簇的開頭扇區(qū)的物理扇區(qū)地址PSN指示。
比特b31至b 被用作保留?；蛘?，其中可記錄條目的另一條狀態(tài)信息(狀態(tài)2)。
在比特1^27至b0中，指示出了替代簇的起始物理扇區(qū)地址PSN。
具體而言，如果一個簇由于缺陷或重寫而被取代，則作為其替代者的簇由該簇的開頭扇區(qū)的物理扇區(qū)地址PSN指示。
上述替換地址信息ati被視為一個條目，并且指示出與一輪替換處理有關的替換對象簇和替代簇。
這種條目被登記在具有圖4的結構的缺陷列表DFL中。
在DMA中，利用上述數據結構記錄替換管理信息。然而，如上所述，在DMA中記錄這些信息的時間是盤的封閉被執(zhí)行時。此時，反映出TDMA中的最新替換管理信息。
用于缺陷管理和數據重寫的替換處理和響應于替換處理的替換管理信息的更新在接下來要描述的TDMA中執(zhí)行。
[3. TDMA] 下面將描述在內區(qū)塊中設置的TDMA。TDMA(臨時DMA)像DMA —樣被用作記錄替換管理信息的區(qū)域。然而，TDMA是通過響應于為了數據重寫或缺陷檢出而發(fā)生替換處理而在其中追加記錄替換管理信息來更新的。
圖7示出了 TDMA的結構。
TDMA的大小例如是2048個簇。
如圖中所示，在被賦予簇號碼1的第一簇中，記錄了用于層0的空間位圖。
空間位圖是通過向充當主數據區(qū)域的數據區(qū)塊以及作為記錄管理/控制信息的區(qū)域的內區(qū)塊和外區(qū)塊的每個簇分配一個比特來做成的?？臻g位圖被用作寫入有無提示信息，該信息被配置為用一比特值來指示出在各個簇中是否已完成寫入。
雖然在空間位圖中向從內區(qū)塊到外區(qū)塊的所有簇中的每一個分配了一個比特，但是此空間位圖可以用一簇的大小來構成。
簇號碼1的簇被用作用于層LO (第一層)的空間位圖。簇號碼2的簇的被用作用于層Ll (第二層)的空間位圖。雖然在圖中沒有示出，但在三層盤和四層盤的情況下，在預定簇號碼的簇中準備了用于層L2(第三層)和層L3(第四層)的空間位圖。例如，簇號碼
113和4被分配給這些空間位圖。
在TDMA中，如果因為數據內容的改變等等而執(zhí)行替換處理，則在TDMA中的未記錄區(qū)域的開頭簇中追加記錄TDFL (臨時缺陷列表)。因此，在雙層盤的情況下，第一 TDFL如圖中所示被記錄在簇號碼3的位置處。在單層盤的情況下，第一 TDFL被記錄在簇號碼2的位置處，因為不需要用于層Ll的空間位圖。從此時起，響應于替換處理的發(fā)生，在被記錄的簇之間沒有未記錄區(qū)域的情況下在各簇位置處追加記錄TDFL。
TDFL的大小在一個簇到四個簇的范圍中。
因為空間位圖是指示出每個簇的寫入狀態(tài)的信息，所以它響應于數據寫入的發(fā)生而被更新。在此情況下，與TDFL類似地，從TDMA中的空閑區(qū)域的開頭起記錄新的空間位圖。
S卩，在TDMA中，根據需要追加記錄空間位圖或TDFL。
如接下來關于空間位圖和TDFL的配置的描述中所述，作為光盤的詳細信息的 TDDS(臨時DDS(臨時盤定義結構))被記錄在用作空間位圖的一個簇的最后扇區(qū)(2048個字節(jié))和用作TDFL的一至四個簇的最后扇區(qū)(2048個字節(jié))中。
圖8示出了空間位圖的配置。
如上所述，空間位圖是用一比特表示盤上的一個簇的記錄/未記錄狀態(tài)的位圖， 其中例如如果簇處于未記錄狀態(tài)中則向相應的比特設定“1”。圖8示出了雙層盤的情況的空間位圖，作為各層獨立保存信息的位圖的示例。在三層盤和四層盤的情況下，擴展地看待此位圖。
在圖8中，一個簇中的32個扇區(qū)被示為扇區(qū)0至31。“字節(jié)位置”被示為扇區(qū)中的字節(jié)位置。
在開頭扇區(qū)0中，記錄了空間位圖的管理信息。
在扇區(qū)0的從字節(jié)位置0起的兩個字節(jié)中，記錄有“UB”作為空間位圖ID(未分配空間位圖標識符)。
在字節(jié)位置2處的一個字節(jié)中，記錄了格式版本(格式號碼)，其中例如設定了 在從字節(jié)位置4起的四個字節(jié)中，記錄了層號碼。具體而言，指示出了此空間位圖是對應于層LO還是層Li。
在從字節(jié)位置16起的48個字節(jié)中，記錄了位圖信息(Bitmap Information)。
位圖信息由與內區(qū)塊、數據區(qū)塊和外區(qū)塊中的各個相對應的區(qū)塊信息構成(關于內區(qū)塊的區(qū)塊信息)(關于數據區(qū)塊的區(qū)塊信息)(關于外區(qū)塊的區(qū)塊信息)。
每條區(qū)塊信息由16個字節(jié)構成。具體而言，在每條區(qū)塊信息中，向區(qū)塊的起始位置(起始簇第一 PSN)、位圖數據的起始位置(位圖數據的起始字節(jié)位置)、位圖數據的大小 (位圖數據中的有效比特長度)以及保留中的每一個分配四個字節(jié)。
在區(qū)塊的起始位置(起始簇第一 PSN)中，盤上的區(qū)塊的起始位置，即在將區(qū)塊位圖化時的起始地址，由PSN(物理扇區(qū)地址)來指示。
在位圖數據的起始位置(位圖數據的起始字節(jié)位置)中，與區(qū)塊有關的位圖數據的起始位置由作為從空間位圖的開頭處的未分配空間位圖標識符起的相對位置的字節(jié)數目來指示。
在位圖數據的大小(位圖數據中的有效比特長度)中，區(qū)塊的位圖數據的大小由比特數目來指示。
從空間位圖的第二扇區(qū)(=扇區(qū)1)的字節(jié)位置0起，記錄了實際位圖數據 (Bitmap data)。位圖數據的大小是每IGB—個扇區(qū)。
從最后位圖數據的后一字節(jié)到最終扇區(qū)(扇區(qū)31)的前一字節(jié)的區(qū)域被用作保留，并且其中設定了 “ OOh ”。
在空間位圖的最終扇區(qū)(扇區(qū)31)中，記錄了 TDDS。
通過上述位圖信息進行的管理如下。
首先，將描述其中層LO被指示為字節(jié)位置4處的層號碼的空間位圖，即與單層盤或多層盤的層LO相對應的空間位圖的情況。
在此情況下，關于層LO中的內區(qū)塊亦即導入區(qū)塊的信息由關于內區(qū)塊的區(qū)塊信息來指不。
利用區(qū)塊的起始位置(起始簇第一 PSN)，指示出內區(qū)塊(在此情況下是導入區(qū)塊)的起始位置的PSN，如實線箭頭所示。
利用位圖數據的起始位置(位圖數據的起始字節(jié)位置)，指示出此空間位圖中與內區(qū)塊相對應的位圖數據的位置(指示扇區(qū)1中的字節(jié)位置0的信息)，如虛線所示。
利用位圖數據的大小(位圖數據中的有效比特長度)，指示出用于內區(qū)塊的位圖數據的大小。
在關于數據區(qū)塊的區(qū)塊信息中，指示出關于層LO中的數據區(qū)塊的信息。
利用區(qū)塊的起始位置(起始簇第一 PSN)，指示出數據區(qū)塊的起始位置的PSN，如實線箭頭所示。
利用位圖數據的起始位置(位圖數據的起始字節(jié)位置)，指示出此空間位圖中與數據區(qū)塊相對應的位圖數據的位置(指示扇區(qū)2中的字節(jié)位置0的信息)，如虛線所示。
利用位圖數據的大小(位圖數據中的有效比特長度)，指示出用于數據區(qū)塊的位圖數據的大小。
利用關于外區(qū)塊的區(qū)塊信息，指示出關于層LO中的外區(qū)塊的信息(例如，單層盤的導出區(qū)塊)。
利用區(qū)塊的起始位置(起始簇第一 PSN)，指示出外區(qū)塊的起始位置的PSN，如實線箭頭所示。
利用位圖數據的起始位置(位圖數據的起始字節(jié)位置)，指示出此空間位圖中與外區(qū)塊相對應的位圖數據的位置(指示扇區(qū)N中的字節(jié)位置0的信息)，如虛線所示。
利用位圖數據的大小(位圖數據中的有效比特長度)，指示出用于外區(qū)塊的位圖數據的大小。
在關于第二及其后記錄層(例如層Li)的空間位圖中，也執(zhí)行類似的管理。例如， 在關于層Ll的空間位圖中，如點劃線所示，執(zhí)行關于層Ll的內區(qū)塊、數據區(qū)塊和外區(qū)塊的管理。
接下來，將描述TDFL(臨時DFL)的配置。如上所述，TDFL被記錄在TDMA中空間位圖之后的空閑區(qū)域中，并且響應于每次更新被追加記錄在空閑區(qū)域的開頭處。
圖9示出了 TDFL的配置。
TDFL由一至四個簇構成。通過與圖4的DFL相比較清楚可見，TDFL的內容與DFL的內容的相同之處在于開頭64個字節(jié)被用作缺陷列表管理信息并且各自由八個字節(jié)構成的多條替換地址信息ati被記錄在字節(jié)位置64及其后的字節(jié)位置處，并且最后的替換地址信息ati#N以后的八個字節(jié)被用作替換地址信息末端。
然而，在由一至四個簇構成的TDFL中，與DFL不同的是，在作為其最后扇區(qū)的2048 個字節(jié)中記錄有臨時DDS(TDDS)。
在TDFL的情況下，在到替換地址信息末端所屬的簇的最終扇區(qū)的前一字節(jié)為止的區(qū)域中設定了 00h。TDDS被記錄在最終扇區(qū)中。如果替換地址信息末端屬于簇的最終扇區(qū)，則在到下一簇的最終扇區(qū)的前一字節(jié)為止的區(qū)域中設定0，并且在最終扇區(qū)中記錄 TDDS0 由64個字節(jié)構成的缺陷列表管理信息與利用圖5描述的DFL中的類似。
然而，作為由從字節(jié)位置4起的四個字節(jié)指示的缺陷列表的更新次數，記錄了缺陷列表的序列號。由于此特征，最新TDFL中的缺陷列表管理信息的序列號指示出缺陷列表的更新次數。
另外，利用從字節(jié)位置12起的四個字節(jié)，作為缺陷列表DFL中的條目數目亦即替換地址信息ati的條數，以及利用從字節(jié)位置M起的四個字節(jié)，作為每個替換區(qū)域ISA0、 ISAU OSAO和OSAl中的空閑區(qū)域的大小(簇數目)，記錄了在更新TDFL的時刻的值。
TDFL中的替換地址信息ati的結構也與圖6所示的DFL中的替換地址信息ati的結構類似。替換地址信息ati被視為一個條目，并且指示出與一輪替換處理有關的替換對象簇和替代簇。這種條目被登記在具有圖9的結構的臨時缺陷列表TDFL中。
然而，作為TDFL中的替換地址信息ati的狀態(tài)1，除了 “0000”以外還經常設定 “0101” 或 “1010”。
當物理上連續(xù)的多個簇集體經歷替換處理并且對于這多個簇的替換管理(突發(fā)傳送管理)被集體執(zhí)行時，“0101”或“1010”被設定為狀態(tài)1。
具體而言，如果狀態(tài)1是“0101”，則替換地址信息ati中的替換對象簇的起始物理扇區(qū)地址和替代簇的起始物理扇區(qū)地址指示出關于物理上連續(xù)的多個簇的開頭簇的替換對象和替代者。
如果狀態(tài)1是“1010”，則替換地址信息ati中的替換對象簇的起始物理扇區(qū)地址和替代簇的起始物理扇區(qū)地址指示出關于物理上連續(xù)的多個簇的最后簇的替換對象和替代者。
因此，在對物理上連續(xù)的多個簇集體執(zhí)行替換管理的情況下，替換地址信息ati 不需要被記錄成對于所有多個簇中的每一個有一個條目，而只要關于開頭簇和結束簇的兩條替換地址信息ati被記錄為條目就夠了。
如上所述，TDFL基本上具有與DFL相同的結構，但具有如下特性其大小可被擴展到四個簇，TDDS被記錄在最后扇區(qū)中，作為替換地址信息ati允許突發(fā)傳送管理，等等。
在TDMA中，如圖7所示記錄了空間位圖和TDFL。如上所述，臨時盤定義結構 (TDDS)被記錄在作為空間位圖和TDFL的最后扇區(qū)的2048個字節(jié)中。
此TDDS的結構在圖10中示出。
TDDS由一個扇區(qū)(2048個字節(jié))構成，并且包括與上述DMS中的DDS相同的內容。 雖然DDS的大小是一個簇(65536個字節(jié))，但是在DDS中定義實質內容的區(qū)域是到字節(jié)位置52為止的區(qū)域，如利用圖3所述。即，實質內容被記錄在一個簇的開頭扇區(qū)中。因此， TDDS可包含DDS的內容，雖然其大小是一個扇區(qū)。
通過比較圖10和圖3清楚可見，TDDS在字節(jié)位置0至53處具有與DDS類似的內容。然而，在TDDS中，從字節(jié)位置4起記錄了 TDDS序列號。從字節(jié)位置16起記錄了 TDMA 中的驅動區(qū)域的起始物理地址。從字節(jié)位置M起記錄了 TDMA中的TDFL的起始物理地址 (AD DFL)。
在TDDS中的字節(jié)位置IOM及其后的字節(jié)位置中，記錄了 DDS中沒有的信息。
在從字節(jié)位置IOM起的四個字節(jié)中，記錄了用戶數據區(qū)域中的數據記錄區(qū)域的最外周的物理扇區(qū)地址PSN。
在從字節(jié)位置10 起的四個字節(jié)中，記錄了 TDMA中用于層LO的最新空間位圖的起始物理扇區(qū)地址(AD ΒΡ0)。
在從字節(jié)位置1032起的四個字節(jié)中，記錄了 TDMA中用于層Ll的最新空間位圖的起始物理扇區(qū)地址(AD BPl)。
在字節(jié)位置1036處的一個字節(jié)中，記錄了用于控制覆寫功能的使用的標志。
除了這些字節(jié)位置處的字節(jié)以外的字節(jié)被用作保留，并且其所有內容都是00h。
然而，例如在三層盤的情況下，決定了這些保留中的預定字節(jié)位置，并且在這些位置處記錄了 TDMA中的用于層L2的最新空間位圖的起始物理扇區(qū)地址(AD BP2)。
在四層盤的情況下，決定了這些保留中的預定字節(jié)位置，并且記錄了 TDMA中的用于層L2的最新空間位圖的起始物理扇區(qū)地址(AD BP2)和用于層L3的最新空間位圖的起始物理扇區(qū)地址(AD BP3)。
另外，在圖10中被視為保留的任何位置處，各用四個字節(jié)記錄了關于各個層中的 OPC區(qū)域的下個OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)。即，記錄了接下來要用于 OPC操作的部分的地址。
例如，在三層盤的情況下，一般地，作為接下來要使用的部分的地址，各用四個字節(jié)來描述如下文所述的層L0、Ll和L2中設置的各個OPC區(qū)域中的未使用部分(尚未執(zhí)行 OPC操作的部分)的起始地址。
在四層盤的情況下，一般地，作為接下來要使用的部分的地址，各用四個字節(jié)來描述如下文所述的層L0、Li、L2和L3中設置的各個OPC區(qū)域中的未使用部分的起始地址。
然而，如下文中對圖沈的示例所述，作為接下來要使用的部分的地址的“下個可用Ln OPC地址”經常被改變成不在未使用部分的開頭處的位置的地址。
如上所述，TDDS包括用戶數據區(qū)域的地址、ISA和OSA的大小以及替換區(qū)域可用性標志。即，TDDS被用作數據區(qū)塊中的ISA和OSA的區(qū)域管理的管理/控制信息。TDDS在這一點上與DDS相同。
另外，TDDS具有指示出最新有效空間位圖的位置的信息(AD ΒΡ0,AD BPl (此外還有AD BP2、AD BP3))，并且具有指示出最新有效臨時DFL (TDFL)的信息(AD DFL)的位置的
fn息ο 此外，TDDS具有指示出各個層中的OPC區(qū)域的未使用部分的下個OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)。
此TDDS被記錄在空間位圖和TDFL的最終扇區(qū)中。因此，每次添加空間位圖或TDFL時，就記錄新的TDDS。從而，在圖7的TDMA中，最后添加的空間位圖或TDFL中的TDDS是最新TDDS，并且其中指示了最新空間位圖和TDFL。
下面將簡單描述TDMA的更新。
利用圖1所示的充當替換區(qū)域的ISA和OSA進行的替換處理是以如下方式執(zhí)行的。以數據重寫的情況為例。例如，假定發(fā)出了對用戶數據區(qū)域中已經記錄有數據的簇進行數據寫入的請求，即重寫請求。在此情況下，不可能對此簇寫入，因為盤是一次寫入盤。因此，此重寫數據被寫入到ISA或OSA中的某個簇。這就是替換處理。
此替換處理作為上述替換地址信息ati的條目被管理。具體而言，記錄一條替換地址信息ati，作為指示出作為替換對象的其中原本記錄了數據的簇的地址并且指示出作為替代者的其中重寫數據被寫入在ISA或OSA中的簇的地址的條目。
S卩，在數據重寫的情況下，重寫數據被記錄在ISA或OSA中，并且由于此重寫而發(fā)生的數據位置的替換由TDMA中的TDFL中的替換地址信息ati來管理。從而，盡管是一次寫入盤，實質上也可實現數據重寫(從例如主機系統(tǒng)的OS和文件系統(tǒng)的角度來看)。
在缺陷管理的情況下也執(zhí)行類似的操作。如果某個簇被視為缺陷區(qū)域，則應當寫入在其中的數據通過替換處理被寫入在ISA或OSA中的某個簇中。為了此替換處理的管理， 一條替換地址信息ati被記錄作為一個條目。
另外，響應于記錄操作(簇消耗)，還執(zhí)行空間位圖的更新。
這樣，在TDMA中，響應于數據重寫和替換處理根據需要更新空間位圖和TDFL。在封閉時，最新TDMA的內容被記錄在INFO中的DMA中，從而固定了管理信息。
在諸如三層盤和四層盤之類的多層盤中，TDMA如下文所述被部署在各個記錄層的全部或一部分中。這些TDMA以依次耗盡的方式用于TDFL/空間位圖的更新。由于此特征， 各個記錄層中的TDMA被集體用作一個大的TDMA，從而多個TDMA可被高效地使用。
另外，無論各層中的TDMA如何，只要通過探索最新記錄的TDDS就可掌握有效 TDFL/空間位圖。
另外，雖然在圖7中沒有示出，但對于最新TDMA的判定，僅在開頭TDMA(例如下文中將描述的TDMA#1)中，TDMA中的最初預定數目的簇被用作TDMA訪問指示符。
假定在整個盤中設有12個TDMA，即TDMAO至TDMA11，則開頭TDMAO中的前12個簇被用作TDMA訪問指示符并且每一個表示TDMAl至11和DMA中相應一個的記錄的信息。
在開頭TDMAO的使用期間，在TDMA訪問指示符中沒有記錄數據。當整個TDMAO已被使用并且對TDMAl的使用開始時，例如“00h”數據被記錄在TDMA訪問指示符的整個第一簇(對應于TDMA1)中。當整個整個TDMAl已被使用并且對TDMA2的使用開始時，例如 “00h”數據被記錄在TDMA訪問指示符的整個第二簇(對應于TDMA2)中。如果以這種方式使用TDMA訪問指示符，則實現了以下優(yōu)點。具體而言，例如在裝載盤時，盤驅動裝置可以通過訪問第一 TDMAO并且讀取TDMA訪問指示符來獲知其中記錄有此時刻最新的TDMA數據的 TDMA。如果在TDMA訪問指示符的所有12個簇中都已經記錄了 “ OOh ”，則盤驅動裝置可以知道數據被記錄在DMA中。
[4.多層盤/現有雙層盤的內區(qū)塊] 下面利用圖11來描述多層盤的層結構。
圖11(a)示意性地示出了現有雙層盤的層結構，并且圖11(b)和11(c)分別示意
16性地示出了實施例的三層盤和四層盤的層結構。
圖11 (a)、11(b)和11(c)的每個盤具有厚度約為1. Imm的盤基板201。盤基板201 例如是通過聚碳酸酯樹脂的注射成型來成形的。在用于注射成型的模具中設有壓模，從而形成了轉印有溝槽形狀的盤基板201。
在雙層盤的情況下，如圖11(a)中所示，在基板201上形成第一層(層L0)，然后形成第二層(層Li)，其間有中間層204。另外，在第二層(層Li)上形成透光層203。
透光層203的表面充當激光入射表面。
形成透光層203是為了保護光盤。信息信號的記錄和再現是通過例如將激光通過透光層203聚焦在層LO或Ll上來執(zhí)行的。
透光層203是通過例如旋轉涂覆UV固化樹脂并利用UV照射對其進行固化來形成的?；蛘?，也可以利用UV固化樹脂和聚碳酸酯片或者粘合層和聚碳酸酯片來形成透光層 203。
透光層203的厚度大約為100 μ m。當其與厚度大約為1. Imm的基板201相組合時，整個光盤的厚度大約是1. 2mm。
圖11 (b)的三層盤包括三個記錄層，即層L0、Ll和L2。
在此盤中，層LO、Ll和L2也形成在基板201上，其間有中間層204。
圖11(c)的四層盤包括四個記錄層，即層L0、Li、L2和L3。在此盤中，層L0、L1、 L2和L3也形成在基板201上，其間有中間層204。
圖11 (a)、(b)和(c)中的每個中間層204是通過例如用旋轉涂覆方法旋轉地涂覆具有UV感光性的透光材料并且用UV照射對其進行固化來形成的。
在向/從多層光盤記錄介質執(zhí)行信息信號的記錄/再現的情況下，出于抑制層間串擾的目的來設計此中間層204的布置和膜厚度。
在三層盤中，層L2被設在離激光入射表面大約50μπι的位置處。在四層盤中，中間層204的厚度被調整并且層L3被設在離激光入射表面大約50 μ m的位置處。
圖11 (b)的三層盤例如是通過以下過程(STl至ST7)來制造的。
(STl)通過利用用于層LO的壓模的注射成型來制作其上轉印有層LO的溝槽圖案的盤基板201。
(ST2)通過濺鍍之類的在用于LO的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層L0。
(ST3)通過旋轉涂覆在層LO上延展樹脂，并且在把用于層Ll的壓模壓在樹脂上的同時固化樹脂。從而，形成了其上轉印有層Ll的溝槽圖案的中間層204。
(ST4)通過濺鍍之類的在用于Ll的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層Li。
(ST5)通過旋轉涂覆在層Ll上延展樹脂，并且在把用于層L2的壓模壓在樹脂上的同時固化樹脂。從而，形成了其上轉印有層L2的溝槽圖案的中間層204。
(ST6)通過濺鍍之類的在用于L2的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層L2。
(ST7)通過諸如旋轉涂覆和固化或者片材粘結之類的技術形成透光層203。
通過上述步驟，制造了三層盤。
在四層盤的情況下，添加用于層L3的步驟，從而例如通過以下過程(ST11至ST19)
來制造。
(STll)通過利用用于層LO的壓模的注射成型來制作其上轉印有層LO的溝槽圖案的盤基板201。
(ST12)通過濺鍍之類的在用于LO的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層L0。
(ST13)通過旋轉涂覆在層LO上延展樹脂，并且在把用于層Ll的壓模壓在樹脂上的同時固化樹脂。從而，形成了其上轉印有層Ll的溝槽圖案的中間層204。
(ST14)通過濺鍍之類的在用于Ll的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層Li。
(ST15)通過旋轉涂覆在層Ll上延展樹脂，并且在把用于層L2的壓模壓在樹脂上的同時固化樹脂。從而，形成了其上轉印有層L2的溝槽圖案的中間層204。
(ST16)通過濺鍍之類的在用于L2的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層L2。
(ST17)通過旋轉涂覆在層L2上延展樹脂，并且在把用于層L3的壓模壓在樹脂上的同時固化樹脂。從而，形成了其上轉印有層L3的溝槽圖案的中間層204。
(ST18)通過濺鍍之類的在用于L3的溝槽圖案上淀積記錄膜以形成層L2。
(ST19)通過諸如旋轉涂覆和固化或者片材粘結之類的技術形成透光層203。
通過上述步驟，制造了四層盤。
為了與下文中將描述的實施例的三層盤和四層盤相比較，下面將利用圖12來描述現有的雙層盤的內區(qū)塊的布局。
內區(qū)塊被設在21. Omm至24. Omm的半徑位置范圍中。
從21. Omm的半徑位置起形成BCA。
在層LO和Ll的每一個中，出于將BCA與執(zhí)行管理信息的記錄/再現的區(qū)域相分離的目的，從22. 2mm的半徑位置起設有保護區(qū)塊PZ1。
在層LO中，在22. 5mm到約23. Imm的半徑位置范圍中，形成了 PIC，其中如上所述通過擺動溝槽記錄了再現專用管理信息。
在層LO中，到此PIC為止的區(qū)域充當再現專用區(qū)域。
在從PIC朝著外周側到Omm的半徑位置的區(qū)域中，順次部署了保護區(qū)塊PZ2、緩沖區(qū)域 BUF、INF0#2、OPC (LO)、TDMA#1 和 INF0#1。
在層Ll中，在22. 5mm到約24. Omm的半徑位置范圍中，順次部署了緩沖區(qū)域BUF、 OPC(Ll)、保留區(qū)域 RSV、INF0#4、TDMA#2、保留區(qū)域 RSV 和 INF0#3。
緩沖區(qū)域BUF是不用于管理信息的記錄/再現的區(qū)域。保留區(qū)域RSV是當前未使用但將來有可能用于管理信息的記錄/再現的區(qū)域。
在每個層中設有作為測試寫入區(qū)域的OPC區(qū)域。在對內區(qū)塊中的區(qū)域的描述中， 表示法"OPC(Lx) ”指的是“存在于層Lx中的OPC區(qū)域”。
雖然TDMA和INFO是帶著符號#1至#n示出的，但是它們整體上被集體用作一個 TDMA區(qū)域和一個INFO區(qū)域，無論其被部署在哪一層中。
[5.實施例的三層盤的內區(qū)塊] 下面將描述實施例的三層盤的內區(qū)塊。
由于記錄密度的增大，三層盤實現大約每一層33GB的容量。必需有適合于此情況的內區(qū)塊布局。
首先，將描述在開發(fā)三層盤時要注意的點Pl至P6。
(Pl)固定錨定位置。
鑒于現有的雙層盤，考慮盤驅動裝置的內區(qū)塊的使用性和兼容性。為此，固定圖12
18中箭頭F所指示的位置，即BCA末端(半徑位置22. 2mm)、保護區(qū)塊PZl的末端(半徑位置 22. 5mm)和內區(qū)塊末端(半徑位置24. Omm)。
S卩，在22. 5mm到Omm的半徑位置中布置了 PIC、0PC、TDMA等等。然而，由于雙層盤、三層盤和四層盤之間的數據線密度的差異，發(fā)生半徑位置的微小變動。
(P2)防止各個層中的OPC區(qū)域在層方向上相互重疊。
這一點是為了適當地執(zhí)行OPC操作。當向記錄層執(zhí)行記錄時，記錄層的透過率發(fā)生變化，并且透過率變化對記錄功率有依從性。從而，在像OPC區(qū)域這樣的在記錄功率變動的情況下執(zhí)行記錄的地方，發(fā)生多種透過率變化。如果某個OPC區(qū)域在層方向上與另一 OPC 區(qū)域重疊，則在更遠離激光入射表面(更靠近盤基板201)的OPC區(qū)域中，可能無法執(zhí)行適當的OPC操作。
例如，假定OPC(LO)與OPC(Ll)重疊。由于在OPC(Ll)中在激光功率變動的情況下進行的OPC操作，OPC(Ll)的透過率逐部分地變動。此后，由于OPC(Ll)中的透過率變化的影響，不可能以期望功率對更遠離激光入射表面的OPC(LO)進行激光照射。另外，對于該 OPC區(qū)域經常執(zhí)行過大功率的激光照射，從而經常損傷記錄層。
由于這些原因，OPC區(qū)域的層方向上的重疊導致更靠近盤基板201的OPC區(qū)域中的操作障礙。從而，需要防止各個層中的OPC區(qū)域在層方向上相互重疊。
(P3)遵循現有雙層盤的管理信息容量 與現有的單層盤和雙層盤一樣，PIC被五重寫入，并且其只要存在于至少一個記錄層中就夠了。
例如，作為圖12中所示的雙層盤中的PIC，為了信息的安全和確保讀出，相同的信息被重復記錄五次。在三層盤中也遵循此方案。因此，PIC的半徑范圍取決于與五次記錄相對應的數據量。
另外，還遵循以下特性TDMA的大小是每一層2048個簇，并且每個層中的OPC區(qū)域的大小也是2048個簇。這是為了避免TDMA和OPC的使用性的變化。
從而，在三層盤中，總共為TDMA確保2048X3 = 6144個簇。對于OPC區(qū)域，在每個層中確保2048個簇。
TDMA的更新伴隨著記錄操作。因此，例如，在其中在即將進行記錄操作之前在OPC 區(qū)域中調整記錄激光功率的裝置的情況下，通過伴隨盤彈出操作等等的頻繁TDMA更新類似地消耗OPC區(qū)域。從而，在能夠部署TDMA的各個層中，盡可能均等地部署TDMA的容量。
(P4)管理信息記錄/再現區(qū)域不被部署成在比OPC區(qū)域更靠近盤基板201的位置處與此OPC區(qū)域重疊。
“管理信息記錄/再現區(qū)域”是在內區(qū)塊中執(zhí)行管理/控制信息的記錄/再現的區(qū)域的總稱。即，INFO、TDMA和保留區(qū)域RSV相當于管理信息記錄/再現區(qū)域。因為保留區(qū)域RSV將來有可能用于管理信息的記錄/再現，所以其被包括在管理信息記錄/再現區(qū)域中。
因為PIC是再現區(qū)域，所以它不被包括在管理信息記錄/再現區(qū)域中。另外，緩沖區(qū)域BUF和保護區(qū)塊PZ2不被包括在管理信息記錄/再現區(qū)域中，因為其中不執(zhí)行記錄和再現。
防止管理信息記錄/再現區(qū)域在比OPC區(qū)域更靠近盤基板201的位置處與此OPC區(qū)域重疊是為了在管理信息記錄/再現區(qū)域中適當地進行記錄和再現。
如上所述，在OPC區(qū)域中不定地發(fā)生透過率變動。因為其影響，如果在比OPC區(qū)域更靠近盤基板201的位置處存在與此OPC區(qū)域重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域，則不可能對此管理信息記錄/再現區(qū)域以適當光量進行激光照射，并且其中的記錄/再現操作不穩(wěn)定。為了避免此問題，諸如TDMA之類的管理信息記錄/再現區(qū)域不被部署在OPC區(qū)域的盤基板201側。
(P5)在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處只允許存在一個管理信息記錄/ 再現區(qū)域。
如上所述，由于向/從記錄層的記錄/再現，發(fā)生透過率變動。因此，為了準確的 OPC操作，最好在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處不存在執(zhí)行記錄的區(qū)域。然而， 在現有的雙層盤中允許這種區(qū)域的存在。例如，在圖12中，TDMA#2被部署在比OPC(LO)更靠近激光入射表面的位置處。
其原因如下。在管理信息記錄/再現區(qū)域中，記錄/再現是以適當的激光功率執(zhí)行的，因此伴隨的透過率變動在預測范圍內。從而，此透過率變動對于管理信息記錄/再現區(qū)域的里側的OPC區(qū)域中的測試寫入沒有很大影響。
然而，諸如三層盤和四層盤之類的多層盤涉及如下可能性，即兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域被部署在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處。如果多個管理信息記錄/再現區(qū)域與OPC區(qū)域重疊并且這些區(qū)域中的每一個處于記錄狀態(tài)或未記錄狀態(tài)中，則從這些區(qū)域的里側的OPC區(qū)域的角度來看這些區(qū)域的透過率是不可預測的。
為了避免此問題，兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域不被部署成在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與此OPC區(qū)域重疊。
(P6) 一個層中的兩個INFO相離至少150 μ m。
因為規(guī)定一個層中的兩個INFO相離至少150μπι，其中150 μ m是允許的缺陷大小，
所以三層盤也遵守此規(guī)定。
在注意了上述的點Pl至P6的情況下為三層盤(BD-R)開發(fā)的內區(qū)塊布局如圖13 所示。圖14示出了每個區(qū)域的起始半徑位置和簇數目。
在層LO中，在BCA和保護區(qū)塊PZl之后，在外周側部署了 PIC。PIC根據上述點P3 具有與用于五重寫入的數據容量相對應的大小。BCA、保護區(qū)塊PZ和PIC充當再現專用區(qū)域。
在PIC之后，沿著朝向外周的方向部署了保護區(qū)塊PZ2、緩沖區(qū)域BUF、INF0#2、 OPC (LO)、TDMA#1 和 INF0#1。
在層Ll中，只有BCA和保護區(qū)塊PZl充當再現專用區(qū)域。在保護區(qū)塊PZl之后， 沿著朝向外周的方向部署了緩沖區(qū)域BUF、0PC(L1)、保留區(qū)域RSV、INF0#4、TDMA#2、保留區(qū)域 RSV 和 INF0#3。
在層L2中，也只有BCA和保護區(qū)塊PZl充當再現專用區(qū)域。在保護區(qū)塊PZl之后， 沿著朝向外周的方向部署了緩沖區(qū)域BUF、0PC(L2)、保留區(qū)域RSV、INF0#6、TDMA#3、緩沖區(qū)域 BUF 和 INF0#5。
參考圖14將清楚看出每個區(qū)域的半徑位置和簇數目。
對于圖13的這個內區(qū)塊布局，考慮了上述的點Pl至P6。
作為點P1，固定了 BCA、保護區(qū)塊PZl和內區(qū)塊末端。基于此特征，在22. 5mm到 24. Omm的半徑位置范圍中布置了 PIC、OPC、TDMA, INFO等等。
作為點P3，遵循了 PIC容量、TDMA容量和OPC大小。
作為點P6，在層LO中的INF0#1與INF0#2之間、層Ll中的INF0#3與INF0#4之間以及層L2中的INF0#5與INF0#6之間確保了至少150 μ m的分離。
作為點P2，避免了層方向上OPC區(qū)域的重疊。
如圖13中所示，0PC(L2)和OPC(Ll)之間沿著半徑方向有間隔距離G1，從而防止了相互重疊。
另外，在OPC(Ll)與層LO中的INF0#2之間設定了間隔距離G2。從而，由于在 OPC(Ll)和OPC(LO)之間沿著半徑方向有G2以上的間隔距離，所以防止了它們相互重疊。
在圖14的半徑位置設定的示例中，間隔距離Gl和G2為222 μ m。
下面將描述為何具有間隔距離Gl和G2的布置設定可避免層方向上OPC區(qū)域的重疊。
如上所述，用于形成層L0、L1和L2中的軌道的溝槽圖案中的每一個是在制作盤基板201時和形成中間層204時用相應的壓模來成形的。從而，很難使充當軌道的溝槽圖案的中心點完全相互匹配，并且允許預定的公差。
如圖15(a)中所示，作為每個記錄層的偏心量，允許最大75 μ m。另外，作為半徑位置精度，作為每個記錄層的半徑24mm的位置的誤差允許絕對值最大100 μ m。例如，基于層 LO中的半徑24mm的位置，只要其他層中的半徑24mm的位置的誤差小于100 μ m就夠了。
在此情況下，各個記錄層之間的相互位置偏差在最壞情況下是175 μ m。
然而，還需要考慮離焦。如圖15(b)中所示，作為三層盤中最靠近激光入射表面的記錄層的層L2與層LO相離略短于50 μ m距離。假定此距離例如是46. 5 μ m。在此情況下， 當在聚焦于層LO上的情況下向層LO執(zhí)行記錄時，層L2的激光照射范圍是半徑^ym的范圍。
考慮到上述特性，除非確保大約200 μ m以上的間隔距離，否則OPC區(qū)域就有可能重疊。
在本示例中，通過如圖13和圖14所示布置各個區(qū)域，對于間隔距離Gl和G2中的每一個，確保222 μ m。
從而，即使層Ll和L2被形成為有允許范圍內的最大偏差時，OPC(L2)和OPC(Ll) 也不在層方向上相互重疊。類似地，OPC(Ll)和OPC(LO)即使在最壞情況下也不相互重疊。
因此，能夠完全滿足點P2的條件，這可以確保每個OPC區(qū)域中的適當OPC操作。
也滿足了點P4的條件，即管理信息記錄/再現區(qū)域不被部署成在比OPC區(qū)域更靠近基板201的位置處與此OPC區(qū)域重疊這個條件。
如圖13中所示，在0PC(L2)的盤基板201側，部署了層Ll中的緩沖區(qū)域BUF和層 LO中的PIC，從而不存在管理信息記錄/再現區(qū)域。
另外，在OPC(Ll)的盤基板201側，部署了層LO中的PIC、保護區(qū)塊PZ2和緩沖區(qū)域BUF，從而不存在管理信息記錄/再現區(qū)域。即使在層Ll與LO之間發(fā)生上述公差內的最大偏差，INF0#2也決不會位于OPC(Ll)的盤基板201側，因為間隔距離G2是222 μ m。
因此，在OPC區(qū)域的里側(盤基板201側)不部署管理信息記錄/再現區(qū)域。這
21避免了管理信息記錄/再現區(qū)域中的記錄/再現操作取決于OPC區(qū)域的記錄狀態(tài)而不穩(wěn)定的問題。
也滿足了點P5的條件，即在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處只允許存在一個管理信息記錄/再現區(qū)域這個條件。
當考慮從層LO中的OPC(LO)的角度來看層Ll和L2中的布置時，這一點成為了要關注的問題。這是因為不可能兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域被部署在比OPC(Ll) 和OPC(U)更靠近激光入射表面的位置處。
在比OPC(LO)更靠近激光入射表面的位置處，部署了層Ll中的TDMA#2和層L2中的緩沖區(qū)域BUF。從而，比OPC(LO)更靠近激光入射表面的管理信息記錄/再現區(qū)域只有 TDMA#20 如果存在允許公差內的最大偏差，則層Ll中的INF0#4和保留區(qū)域RSV在層方向上可能與OPC(LO)重疊。然而，因為間隔距離G2是222μπι，所以層L2中的TDMA#3決不會在層方向上與OPC(LO)重疊。另外，圖13中的間隔距離G3在圖14的設計中是235 μ m。從而，層L2中的INF0#5也決不會在層方向上與OPC(LO)重疊。
因此，即使在允許公差內的最壞情況下，在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處也決不會存在兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域。
如上所述，本實施例的三層盤例如通過采用像圖13和圖14那樣的內區(qū)塊布局，可以具有滿足點Pl至P6的條件的適當布局。
本示例的三層盤的要點如下。
此三層盤是作為通過在盤基板201上設置三個記錄層(層LO至L2)并且在激光入射表面?zhèn)刃纬赏腹鈱?03而獲得的多層盤的可記錄盤。
在每個記錄層(層LO至L2)中，在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內區(qū)塊中設有用于激光功率控制的測試區(qū)域(OPC(LO)、OPC(Ll)、0PC(L2))。
·各個記錄層(層LO至L2)中的測試區(qū)域(OPC (LO)、OPC (Li)、OPC (L2))部署成不在層方向上相互重疊。
·在各個記錄層(層LO至L2)的內區(qū)塊中，設有執(zhí)行管理信息的記錄和再現的管理信息記錄/再現區(qū)域。
·管理信息記錄/再現區(qū)域被部署成使得，對于各個記錄層中的每個測試區(qū)域 (OPC(LO)、OPC(Ll)、0PC(L2))，在比測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與此測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目等于或小于一個。
·管理信息記錄/再現區(qū)域被部署成不在測試區(qū)域的盤基板201側在層方向上與各個記錄層中的測試區(qū)域(OPC (LO)、OPC (Li)、OPC (L2))重疊。
圖13的示例是針對BD-R示出的，BD-R是一次寫入盤。在作為可重寫盤的BD-RE 的情況下，內區(qū)塊布局的設計可如圖16所示。
圖16的布局是通過用保留區(qū)域RSV取代圖13中的TDMA來獲得的。每個區(qū)域的大小與圖14所示的相同。圖14中的TDMA的位置可被視為保留區(qū)域RSV的位置。
如上所述，TDMA被用于直到最終封閉處理為止的數據重寫和替換處理的TDFL和空間位圖的順次更新等等。在允許數據重寫的可重寫盤中，TDMA不是必需的，因為可以直接重寫INFO中的DMA。
因此，可以采用通過用保留區(qū)域RSV取代圖13中的TDMA而獲得的圖16所示的布局。當然，此布局滿足點Pl至P6的條件。
通過這種內區(qū)塊布局，在BD-RE中也可以適當地執(zhí)行內區(qū)塊中的測試寫入和管理信息的記錄/再現。
[6.實施例的四層盤的內區(qū)塊] 下面將描述實施例的四層盤的內區(qū)塊。
由于記錄密度的增大，此四層盤實現大約每一層32GB的容量。必需有適合于此情況的內區(qū)塊布局。
在開發(fā)實施例的四層盤時要注意的點與上述點Pl至P6相同。然而，在四層盤中， 因為以下原因，無法簡單地實現對點Pl至P6的條件的滿足。
首先，在四層盤中，為了遵守點Pl，PIC、OPC、TDMA等等也被部署在22. 5mm至 24. Omm的半徑位置范圍中。另外，根據點P3，類似地確保OPC區(qū)域、TDMA等等的容量。
具體而言，OPC區(qū)域的大小被設定為每個層中2048個簇。
TDMA的大小是每一層2048個簇。因此，雖然其布置位置可在任何記錄層中，但總體上確保2048X4 = 8192個簇。另外，TDMA被部署成使得其容量在可以部署的TDMA的記錄層中盡可能均等。
然而，如果布局就這樣基于此前提，則無法保持OPC區(qū)域之間的間隔距離Gl和G2 被設定到至少200 μ m的狀態(tài)。
這可能導致如下情形即使當各個層之間的偏差在公差內時，也無法保持OPC區(qū)域在層方向上不相互重疊的點P2的條件。即，有可能不滿足點P2的條件。
因此，在四層盤的情況下，采用了 OPC配對的概念和公差縮小的概念來解決此問題。
首先，將參考圖17來描述為本示例的四層盤(BD-R)開發(fā)的內區(qū)塊布局。圖18中示出了每個區(qū)域的起始半徑位置和簇數目。
在層LO中，在BCA和保護區(qū)塊PZl之后，在外周側部署了 PIC。PIC根據上述點P3 具有與用于五重寫入的數據容量相對應的大小。BCA、保護區(qū)塊PZ和PIC充當再現專用區(qū)域。
在PIC之后，沿著朝向外周的方向部署了保護區(qū)塊PZ2、緩沖區(qū)域BUF、INF0#2、 OPC(LO)、緩沖區(qū)域 BUF 和 INF0#1。
在層Ll中，只有BCA和保護區(qū)塊PZl充當再現專用區(qū)域。在保護區(qū)塊PZl之后，沿著朝向外周的方向部署了緩沖區(qū)域8皿、0 0仏1)、1順0#4、10嫩#1、緩沖區(qū)域8皿和INF0#3。
在層L2中，也只有BCA和保護區(qū)塊PZl充當再現專用區(qū)域。在保護區(qū)塊PZl之后， 沿著朝向外周的方向部署了緩沖區(qū)域BUF、INF0#6、TDMA#2、緩沖區(qū)域BUF、OPC (L2)、TDMA#3 和 INF0#5。
在層L3中，也只有BCA和保護區(qū)塊PZl充當再現專用區(qū)域。在保護區(qū)塊PZl之后， 沿著朝向外周的方向部署了 0PC(L3)、緩沖區(qū)域BUF、INF0#8、TDMA#4和INF0#7。
參考圖18將清楚看出每個區(qū)域的半徑位置和簇數目。
在此情況下，內區(qū)塊布局遵守點PI、P3和P6。
作為點P1，固定了 BCA、保護區(qū)塊PZl和內區(qū)塊末端?；诖颂卣鳎?2. 5mm到24. Omm的半徑位置范圍中布置了 PIC、OPC、TDMA, INFO等等。
作為點P3，遵循了 PIC容量、TDMA容量和OPC大小。
TDMA被部署成使得在可以部署TDMA的層Li、L2和L3之間容量是均等的。下文中將作為額外的點P7和P8來描述這一點。
作為點P6，在層LO中的INF0#1與INF0#2之間、層Ll中的INF0#3與INF0#4之間、 層L2中的INF0#5與INF0#6之間以及層L3中的INF0#7與INF0#8之間確保了至少150 μ m 的分離。
下面將描述如何滿足點P2 (0PC區(qū)域不相互重疊)、P4 (管理信息記錄/再現區(qū)域不被部署在比OPC區(qū)域更靠近盤基板201的位置處)和P5 (在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處不部署兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域)的條件。
首先，下面將描述OPC配對的概念，即圖17所示的第一 OPC配對和第二 OPC配對。
圖19示出了各個層中的OPC區(qū)域。
本示例的四層盤基于這樣一個假設，即采用了所謂的反向軌道路徑。這是這樣一種軌道路徑記錄/再現的行進方向(地址的行進方向)在層與層之間交互逆轉。具體而言，行進方向是在層LO中從內周朝著外周，在層Ll中從外周朝著內周，在層L2中從內周朝著外周，并且在層L3中從外周朝著內周。在圖19中，軌道路徑方向由箭頭OTP示出。
記錄/再現方向在所有層中都是從內周朝著外周的軌道路徑被稱為并行軌道路徑。下文中將描述的本實施例的概念也可用于并行軌道路徑。
如圖19中所示，作為在內區(qū)塊中部署得更靠近外周的兩個OPC區(qū)域的OPC(LO)和 OPC (L2)被定義為第一 OPC配對。
另外，作為部署得更靠近內周的兩個OPC區(qū)域的OPC(Ll)和0PC(L3)被定義為第二 OPC配對。
規(guī)定在記錄/再現方向(軌道路徑)的相反方向上消耗OPC區(qū)域。這是因為以下原因。在OPC區(qū)域中，以非常高的激光功率執(zhí)行測試寫入，從而OPC區(qū)域經常被部分損傷。 因此，如果從較小地址一側起使用地址，則可能在OPC操作時無法訪問OPC執(zhí)行位置。
從而，在每次測試寫入中，按照測試寫入中使用的預定扇區(qū)數，從較大地址一側起使用OPC區(qū)域。圖中的箭頭OU指示OPC區(qū)域的消耗方向。
因此，在反向軌道路徑的情況下，在每次測試寫入中從外周側起按照預定扇區(qū)數順次消耗OPC(LO)和0PC(L2)，而在每次測試寫入中從內周側起按照預定扇區(qū)數順次消耗 OPC(Ll)和 OPC (L3)。
消耗方向OU在配對中的兩個OPC區(qū)域之間是相同的。
對于每個配對中的兩個OPC區(qū)域，考慮表觀的間隔距離。具體而言，考慮與 OPC(LO)和OPC(L2)有關的間隔距離ABl和與OPC(Ll)和OPC(L3)有關的間隔距離AB2。
表觀間隔距離ABl和AB2是OPC區(qū)域中接下來要使用的部分(下個OPC操作中要消耗的位置)的開頭之間的間隔距離。一般地，表觀間隔距離ABl和AB2是OPC區(qū)域中尚未消耗的未使用部分的開頭之間的間隔距離。“接下來要使用的部分”的開頭相當于上述 TDDS中指示為OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)的地址。
如果假定在每個OPC區(qū)域中OPC操作已經消耗了由箭頭OU的長度指示的部分，則表觀間隔距離ABl和AB2如圖中所示。
如果確保了表觀間隔距離ABl和AB2，則取決于使用OPC區(qū)域的方式，可以實現達到上述點P2的目的(0PC區(qū)域不相互重疊)的虛擬間隔距離。
例如，如果在圖19中的第一 OPC配對中，如箭頭OU所示消耗了 OPC(LO)和 0PC(L2)，則接下來要使用的OPC位置不相互重疊。然而，如果考慮最大公差并且例如 OPC(L2)的消耗量遠大于OPC(LO)的消耗量，則有可能OPC區(qū)域會部分相互重疊。
下面將以第一 OPC配對為例利用圖20來描述這一點。
圖20(a)示出了在OPC(LO)與OPC(L2)之間沿著半徑方向不設間隔距離的布局的假設。
由2048個簇構成的OPC區(qū)域的半徑大小大約是250 μ m。
即使如圖20(a)中所示不設間隔距離，在理想狀態(tài)下，OPC(LO)和OPC(U)在層方向上也不相互重疊。
然而，如果如上所述允許大約200 μ m的公差并且層LO與L2之間的偏差是最大值，則如圖20(b)中所示在約200 μ m的范圍中發(fā)生重疊。
然而，如果考慮上述表觀間隔距離AB1，則即使當如圖20(b)中所示發(fā)生層方向上的重疊時，也可實現要用于OPC記錄的位置不相互重疊的狀態(tài)。例如，如果如圖中的虛線箭頭所示始終幾乎均等地消耗OPC(LO)和0PC(L2)，則始終確保表觀間隔距離ABl (表觀間隔距離ABl相當于各虛線箭頭尖端之間的間隔距離)。
然而，各OPC區(qū)域的消耗量不一定是均等的。雖然OPC(LO)的消耗在許多情況下都進行得更迅速，但取決于情況，OPC(L2)的消耗也經常進行得更迅速。在圖20(b)的情況下，如果0PC(L2)的消耗量變成OPC(LO)的消耗量的兩倍，則表觀間隔距離ABl變?yōu)榱恪?br>
這是當層LO與L2之間的偏差是公差內的最大值并且OPC(LO)與0PC(L2)之間的消耗平衡變得相當低時發(fā)生的罕見情況。然而，發(fā)生這種情形的可能性應盡可能低。
下面再考查公差。
圖21 (a)示出了在上述三層盤中最大公差被設定到大約200 μ m的條件。
將再考查此條件。首先，偏心量是盤制造的問題，很難將其設定到小于75 μ m。另外，也不能改變作為離焦的四μ m。
因此，如圖21 (b)中所示，半徑位置精度被定義成使得在24mm半徑的位置處最大誤差的相對值為50 μ m。在三層盤的情況下，采用從基準層起的絕對值誤差。然而，實際上， 層的偏差在各層之間具有相對影響。從而，改變允許的公差。具體而言，只要四個層之中具有最大偏差的兩個層之間在24mm半徑位置處的偏差在50 μ m的范圍內，層之間的偏差就是允許的。
在此情況下，可估計最大公差為約150 μ m。因此，四層盤是基于各層之間的偏差即使在最壞情況下也等于或小于150 μ m這一前提的。
在此情況下，當層LO與L2之間的偏差最大時，如圖20(c)中所示，在大約150μπι 的范圍中發(fā)生重疊。此狀態(tài)比圖20(b)的狀態(tài)好。即，可以降低在0PC(L2)的消耗量變得大于OPC(LO)的消耗量時表觀間隔距離ABl變成零的可能性。
下面將考慮如何進一步降低表觀間隔距離ABl變成零的可能性。
首先，將考慮第一 OPC配對與第二 OPC配對之間的配對間間隔距離。
因為最大公差被設定到150μπι，所以只要配對之間的間隔距離，亦即圖17中的
25OPC(LO)的最內周側與OPC(Ll)的最外周側之間的間隔距離Gp，至少為150μπι就夠了。
這是因為，當間隔距離Gp至少為150 μ m時，即使層LO與Ll之間的偏差最大， OPC(LO)和OPC(Ll)在層方向上也不相互重疊。
在圖17和圖18中所示的布置的情況下，此間隔距離Gp是153 μ m。
接來下將就點P4 (在比OPC區(qū)域更靠近盤基板201的位置處不部署管理信息記錄 /再現區(qū)域)而言考慮OPC (L3)。
在圖17中，在比OPC(U)更靠近盤基板201的位置處，部署了層L2中的緩沖區(qū)域 BUF、層Ll中的緩沖區(qū)域BUF和層LO中的PIC，從而不存在管理信息記錄/再現區(qū)域。
然而，考慮層的偏差，層L2中的INF0#6需要在半徑方向上充分分離。這是圖17 中的間隔距離Gf2。
在此情況下，如果最大公差被設定到200 μ m,則間隔距離Gf2需要至少為200 μ m。 與之不同，如果最大公差如上所述被設定到150 μ m，則間隔距離Gf 2至少為150 μ m就夠了。 在圖17和圖18中所示的布置的情況下，此間隔距離Gf2是153 μ m。
另外，將就點P5(在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處不部署兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域)而言關注OPC(LO)。
只有層Ll中的TDMA#1被部署為比OPC (LO)更靠近激光入射表面的管理信息記錄 /再現區(qū)域。然而，如果考慮層的偏差，則層Ll中的TDMA#1與層L3中的INF0#8之間的位置關系成為了要關注的問題。這是圖17中的間隔距離Gtf。
在此情況下，如果除由離焦引起的誤差外的最大公差被設定到175 μ m，則間隔距離Gtf也需要至少為175μπι。然而，如果除由離焦引起的誤差外的最大公差被設定到 125 μ m，則間隔距離Gtf大約為125 μ m就夠了。在圖17和圖18中所示的布置的情況下， 此間隔距離Gtf是145 μ m。
對于間隔距離Gtf可從最大公差中排除由離焦引起的誤差的原因如下。參考圖 15(b)，即使從左側和右側向著圖中的點劃線記錄層Ll和層L2，對層LO的影響總體上也是由一層導致的，即層Ll和層L2中的每個導致了一半的影響。
如上所述，間隔距離Gf2和Gtf不需要分別是至少200 μ m和175 μ m,而只要間隔距離Gf2和Gtf分別是至少150 μ m和125 μ m就夠了。這意味著通過將公差設定到150 μ m, 可將間隔距離Gf2和Gtf中的每一個減小50 μ m。
在此情況下，在各個OPC配對中，可向間隔距離Gi 1和Gi2應用每個50 μ m的裕量。
因為上述特性，如圖20(d)中所示，在配對中的OPC(LO)和OPC (U)的布置中可設定50 μ m的間隔距離(此間隔距離相當于圖17中的間隔距離Gil)。
在此情況下，當層LO與L2之間的偏差最大時，如圖20(e)中所示，在大約ΙΟΟμπι 的范圍中發(fā)生重疊。此狀態(tài)進一步好于圖20(c)的狀態(tài)。
S卩，即使當OPC(LO)的消耗量變得遠大于OPC(LO)的消耗量時，表觀間隔距離ABl 變成零的可能性也很低。
實際上，即使在最壞情況下，通常也能避免表觀間隔距離ABl的消失。
此外，可以在記錄裝置側通過OPC (U)和OPC (LO)的處理來調整OPC區(qū)域的使用， 從而可以防止表觀間隔距離ABl的消失。下文中將利用圖25和圖沈來描述此特性。
基于上述特性，在第一 OPC配對的0PC(L2)與OPC(LO)之間設定間隔距離Gil，并且在第二 OPC配對的0PC(L3)與OPC(Ll)之間設定間隔距離Gi2。在圖17和圖18中所示的布置的情況下，間隔距離Gil = Gi2 = 57 μ m。
由于此設定，確保了圖19中所示的表觀間隔距離ABl和AB2，并且實質上避免了 OPC (L2)與OPC (LO)之間以及OPC (L3)與OPC(Ll)之間在層方向上的重疊。
另外，如上所述在OPC(LO)的最內周側與OPC(Ll)的最外周側之間設定153 μ m的間隔距離Gp。從而，即使當層的偏差是公差內的最大時，也決不會發(fā)生OPC(LO)與OPC(Ll) 之間在層方向上的重疊。
因此，圖17和圖18的布局實質上滿足點P2的條件(0PC區(qū)域不相互重疊)。
關于點P4 (在比OPC區(qū)域更靠近盤基板201的位置處不部署管理信息記錄/再現區(qū)域)的驗證如下。
對于OPC (L3)，如上所述在其盤基板201側不部署管理信息記錄/再現區(qū)域。
至于0PC(L2)，層Ll中的緩沖區(qū)域BUF和層LO中的緩沖區(qū)域BUF位于其盤基板 201側，從而不存在管理信息記錄/再現區(qū)域。就層的偏差而言應當考慮的區(qū)域是層LO中的INF0#1和層Ll中的INF0#3。然而，從以上所做的描述清楚可見，只要圖17中所示的間隔距離Gi3至少為150 μ m就夠了。在圖17和圖18中所示的布置的情況下，間隔距離Gi3 是153 μ m。從而，管理信息記錄/再現區(qū)域決不位于OPC (L2)的盤基板201側。
至于OPC (Li)，層LO中的PIC位于其盤基板201側，從而不存在管理信息記錄/再現區(qū)域。就層的偏差而言應當考慮的區(qū)域是層LO中的INF0#2。然而，與以上描述類似，只要間隔距離Gfl至少為150 μ m就夠了。在圖17和圖18中所示的布置的情況下，間隔距離 Gi2是153 μ m。從而，管理信息記錄/再現區(qū)域決不位于OPC(Ll)的盤基板201側。
根據上述事實，也滿足了點P4的條件。
關于點P5 (在比OPC區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處不部署兩個或更多個管理信息記錄/再現區(qū)域)的驗證如下。
驗證的對象是OPC(LO)和OPC(Ll)在層方向上的位置。對于OPC(LO)，不存在上述問題。
至于OPC(Ll)，在其激光入射表面?zhèn)?，存在層L2中的INF0#6和TDMA#2以及層L3 中的緩沖區(qū)域BUF。從而，不存在問題。
SP，滿足了點P5的條件。
從圖17和圖18清楚可見，在層LO中未部署TDMA。這是滿足點P4和點P5的條件并且確保盡可能長的間隔距離Gil和Gi2的技術。如上所述，各個記錄層的TDMA被集體用作一個大的TDMA，因此TDMA不必被部署在所有記錄層中。
考慮四層盤的布局，重點在于OPC區(qū)域在層方向上的重疊，并且從最靠近盤基板的記錄層中去除了 TDMA。
這被定義為針對四層盤的額外點P7，并且以下將參考它。
另外，關于TDMA，從圖17和圖18清楚可見，層Ll至L3中的TDMA的大小幾乎是相等的。如果TDMA以集中方式被部署在一個記錄層例如層L3中，則為了 TDMA的更新，對層 L3的記錄調整消耗OPC (L3)。
因此，最好盡可能均等地向各個記錄層分配TDMA，以便可以防止OPC區(qū)域消耗的不平衡。
在本實施例中，如果具有最大分配大小的記錄層中的TDMA分配大小等于或小于具有最小分配大小的記錄層中的兩倍，則可以認為TDMA是幾乎均等分配的。
這被定義為針對四層盤的額外點P8，并且以下將參考它。
如上所述，通過例如采用像圖17和圖18中所示那樣的內區(qū)塊布局，本示例的四層盤可以具有滿足點Pl至P8的條件的適當布局。
本示例的四層盤的要點如下。
此四層盤是通過在盤基板201上設置四個記錄層(層LO至U)并且在激光入射表面?zhèn)刃纬赏腹鈱?03而獲得的可記錄光盤。
在記錄層(層LO至L3)中，在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內周側區(qū)域(內區(qū)塊)中設有OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2)和OPC(L3)，作為用于激光功率控制的測試區(qū)域。從而，四層盤具有四個測試區(qū)域。
在四個測試區(qū)域之中，更靠近盤外周的兩個測試區(qū)域(OPC(LO)和0PC(L2))被定義為第一 OPC配對，并且更靠近盤內周的兩個測試區(qū)域(OPC(Ll)和0PC(L3))被定義為第二 OPC配對。形成第一 OPC配對的測試區(qū)域和形成第二 OPC配對的測試區(qū)域被部署成在層方向上不相互重疊。
·第一 OPC配對的兩個測試區(qū)域(OPC(LO)和OPC (L2))具有相同的測試區(qū)域消耗方向。另外，各個測試區(qū)域被部署成通過其間的表觀間隔距離ABl來防止測試區(qū)域中接下來要使用的部分在層方向上相互重疊。
·第二 OPC配對的兩個測試區(qū)域(OPC(Ll)和OPC (L3))具有相同的測試區(qū)域消耗方向，與第一 OPC配對中的測試區(qū)域消耗方向相反(然而，如果采用上述的并行軌道路徑， 則它們具有與第一OPC配對中的測試區(qū)域相同的消耗方向)。另外，各個測試區(qū)域(OPC(Ll) 和0PC(L3))被部署成通過其間的表觀間隔距離AB2來防止測試區(qū)域中接下來要使用的部分在層方向上相互重疊。
·在每個記錄層中的上述內周側區(qū)域中，設有用于管理信息的記錄和再現的管理信息記錄/再現區(qū)域。作為其總大小，確保了通過將現有單層盤的管理信息大小乘以層數而獲得的大小。
·管理信息記錄/再現區(qū)域被部署成使得，對于各個記錄層(層LO至L3)中的每個測試區(qū)域(OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC (L2)、OPC (L3))，在比此測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與該測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目等于或小于一個。
·管理信息記錄/再現區(qū)域被部署成不與各個記錄層中的測試區(qū)域(OPC(LO)、 0PC(L1)、0PC(L2)、0PC(L3))在測試區(qū)域的盤基板201側在層方向上重疊。
重點在于OPC區(qū)域在層方向上的重疊，并且從最靠近盤基板的記錄層(層L0)中去除了 TDMA。
·以盡可能均等的大小向部署TDMA的記錄層分配TDMA。
更具體而言，對于實際布置，可以列舉以下要點。
·本示例的四層盤是直徑為12cm的光盤。各個測試區(qū)域(OPC(LO)、OPC(Li)、 OPC (L2)、0PC(L3))是在該光盤的22. 5mm至24. Omm的半徑位置范圍中以大約250 μ m的半徑寬度形成的。
·各記錄層(層LO至U)被形成為層的半徑位置的相對誤差在大約150 μ m的公差內。
·如果認為上述半徑位置的相對誤差為零，則形成第一 OPC配對的測試區(qū)域的最內周半徑位置(OPC(LO)的最內周側)和形成第二 OPC配對的測試區(qū)域的最外周半徑位置 (OPC(Ll)的最外周側)被部署于在層方向上不相互重疊、而是沿著半徑方向具有至少約 150 μ m的間隔距離Gp的位置處。
·如果認為上述半徑位置的相對誤差為零，則第一 OPC配對的兩個測試區(qū)域 (OPC(LO)和0PC(L2))被形成于在層方向上不相互重疊、而是沿著半徑方向具有至少約 50 μ m的間隔距離Gil的位置處。
·如果認為上述半徑位置的相對誤差為零，則第二 OPC配對的兩個測試區(qū)域 (OPC(Ll)和0PC(L3))被形成于在層方向上不相互重疊、而是沿著半徑方向具有至少約 50 μ m的間隔距離Gi2的位置處。
· TDMA不被部署在層LO中，而是以均等的大小部署在層Ll至L3中。
針對作為一次寫入盤的BD-R，示出了圖17的示例。在作為可重寫盤的BD-RE的情況下，內區(qū)塊布局的設計可如圖22所示。
圖22的布局是通過用保留區(qū)域RSV取代圖17中的TDMA來獲得的。每個區(qū)域的大小與圖18中所示的相同。圖18中的TDMA的位置可被視為保留區(qū)域RSV的位置。
如上所述，TDMA被用于直到最終封閉處理為止的數據重寫和替換處理的TDFL和空間位圖的順次更新等等。在允許數據重寫的可重寫盤中，TDMA不是必需的，因為可以直接重寫INFO中的DMA。
因此，可以采用通過用保留區(qū)域RSV取代圖13中的TDMA而獲得的圖22所示的布局。當然，此布局滿足點Pl至P8的條件。
通過這種內區(qū)塊布局，在BD-RE中也可以適當地執(zhí)行內區(qū)塊中的測試寫入和管理信息的記錄/再現。
[7.盤驅動裝置] 接下來，下面將描述能夠應對例如作為BD-R和BD-RE的本示例的三層盤和四層盤的盤驅動裝置(記錄/再現裝置)。
本示例的盤驅動裝置對如下的盤執(zhí)行格式處理在該盤中，例如僅形成了上述的 BCA和PIC，而在可記錄區(qū)域中沒有記錄數據。從而，可形成利用圖13或圖17描述的狀態(tài)中的盤布局。另外，對于具有這種格式的盤，盤驅動裝置向/從用戶數據區(qū)域執(zhí)行數據的記錄/再現。盤驅動裝置還根據需要執(zhí)行TDMA、ISA和OSA的記錄/更新。
圖23示出了盤驅動裝置的配置。
盤1是上述實施例的三層盤或四層盤。盤1被放置在轉盤中(未示出)并且在記錄/再現時被主軸電機52以恒定的線速度(CLV)旋轉驅動。
光學讀取頭(光學頭)51讀出作為以盤1上的溝槽軌道的擺動的形式嵌入的ADIP 地址和預記錄信息的管理/控制信息。
在初始化格式時和用戶數據記錄時，管理/控制信息和用戶數據被光學讀取頭51 記錄在可記錄區(qū)域中的軌道中。在再現時，記錄的數據被光學讀取頭51讀出。
在光學讀取頭51中，形成了以下組件(未示出)充當激光源的激光二極管；用于檢測反射光的光電檢測器；充當激光的輸出端的物鏡；以及經由物鏡向數據記錄表面發(fā)射激光并且將激光的反射光引導至光電檢測器的光學系統(tǒng)。
在光學讀取頭51中，雙軸機構在循軌方向和聚焦方向上可移動地支撐物鏡。
滑車機構使得整個光學讀取頭51可以在盤半徑方向上移動。
來自激光驅動器63的驅動信號(驅動電流)驅動光學讀取頭51中的激光二極管發(fā)射激光。
來自盤1的反射光信息被光學讀取頭51中的光電檢測器檢測到，并且被轉換成依接收光量而定的電信號，然后被提供到矩陣電路M。
矩陣電路M包括用于來自作為光電檢測器的多個光接收元件的輸出電流的電流-電壓轉換電路、矩陣計算/放大電路等等，并且通過矩陣計算處理生成必要的信號。
例如，矩陣電路M生成與再現數據相當的高頻信號(再現數據信號)、用于伺服控制的聚焦誤差信號和循軌誤差信號等等。
另外，矩陣電路討生成推-拉信號，作為與溝槽的擺動有關的信號，即用于檢測擺動的信號。
矩陣電路M在一些情況下是一體地形成在光學讀取頭51中的。
從矩陣電路M輸出的再現數據信號被提供到讀取器/寫入器電路55。聚焦誤差信號和循軌誤差信號被提供到伺服電路61。推-拉信號被提供到擺動電路58。
讀取器/寫入器電路55對于再現數據信號執(zhí)行二值化處理、通過PLL進行的再現時鐘生成處理等等，以再現光學讀取頭51讀出的數據并將該數據提供給調制/解調電路 56。
調制/解調電路56包括在再現時充當解碼器的功能部件和在記錄時充當編碼器的功能部件。
在再現時，作為解碼處理，調制/解調電路56基于再現時鐘執(zhí)行游程長度有限代碼的解調處理。
ECC編碼器/解碼器57在記錄時進行添加糾錯碼的ECC編碼處理，并且在再現時進行執(zhí)行糾錯的ECC解碼處理。
在再現時，ECC編碼器/解碼器57把由調制/解調電路56進行的解調產生的數據捕捉到內部存儲器中并且執(zhí)行檢錯/糾錯處理、去交織處理等等以獲得再現數據。
通過ECC編碼器/解碼器57解碼成再現數據而獲得的數據基于系統(tǒng)控制器60的命令被讀出并傳送到諸如AV(視聽)系統(tǒng)120之類的連接的裝置。
作為與溝槽的擺動有關的信號從矩陣電路M輸出的推-拉信號在擺動電路58中被處理。作為ADIP信息的推-拉信號在擺動電路58中被解調成形成ADIP地址的數據流并被提供到地址解碼器59。
地址解碼器59對提供來的數據解碼以獲得地址值并將其提供給系統(tǒng)控制器60。
另外，地址解碼器59利用從擺動電路58提供來的擺動信號通過PLL處理生成時鐘，并將該時鐘作為例如記錄時的編碼時鐘提供給各個單元。
另外，作為從矩陣電路M輸出的作為與溝槽的擺動有關的推-拉信號，作為預記錄信息(PIC)的推-拉信號在擺動電路58中經歷帶通濾波處理，然后被提供到讀取器/寫入器電路55。隨后，該信號被二值化以變成數據比特流，然后在ECC編碼器/解碼器57中經歷ECC解碼和去交織，從而提取出作為預記錄信息的數據。所提取的預記錄信息被提供到系統(tǒng)控制器60。
系統(tǒng)控制器60可基于讀取的預記錄信息來執(zhí)行各種操作設定處理、拷貝保護處理等等。
在記錄時，記錄數據從AV系統(tǒng)120傳送來。此記錄數據被發(fā)送到ECC編碼器/解碼器57中的存儲器并被緩沖于其中。
在此情況下，作為對于緩沖的記錄數據的編碼處理，ECC編碼器/解碼器57執(zhí)行糾錯代碼添加、交織以及子碼等等的添加。
由ECC編碼產生的數據在調制/解調電路56中經歷例如RLL (1_7) PP系統(tǒng)的調制， 然后被提供到讀取器/寫入器電路陽 作為充當用于記錄時的編碼處理的基準時鐘的編碼時鐘，使用從上述擺動信號生成的時鐘。
通過編碼處理生成的記錄數據被讀取器/寫入器電路55進行記錄補償處理。作為記錄補償處理，讀取器/寫入器電路55例如執(zhí)行取決于記錄層的特性、激光的光斑形狀、 記錄線速度等等的最優(yōu)記錄功率精細調整以及激光驅動脈沖波形調整。然后，記錄數據作為激光驅動脈沖被發(fā)送到激光驅動器63。
激光驅動器63將所提供的激光驅動脈沖給予光學讀取頭51中的激光二極管以執(zhí)行激光發(fā)射驅動。從而，在盤1上形成與記錄數據相對應的凹坑。
激光驅動器63包括所謂的APC電路(自動功率控制)，并且在基于光學讀取頭51 中設置的用于激光功率監(jiān)視的檢測器的輸出監(jiān)視激光輸出功率的同時控制激光輸出，以使得無論溫度等等如何激光輸出都可保持恒定。記錄和再現中激光輸出的目標值是從系統(tǒng)控制器60給出的，并且激光輸出水平被控制成在記錄和再現中均處于目標值。
伺服電路61根據來自矩陣電路M的聚焦誤差信號和循軌誤差信號生成用于聚焦、循軌和滑車的各種伺服驅動信號，以使得有關組件執(zhí)行伺服操作。
具體而言，伺服電路61依據聚焦誤差信號和循軌誤差信號生成聚焦驅動信號和循軌驅動信號以驅動光學讀取頭51中的雙軸機構的聚焦線圈和循軌線圈。從而，形成了由光學讀取頭51、矩陣電路M、伺服電路61和雙軸機構構成的循軌伺服環(huán)和聚焦伺服環(huán)。
另外，響應于來自系統(tǒng)控制器60的跳軌命令，伺服電路61關斷循軌伺服環(huán)并輸出跳動驅動信號，從而使得有關組件執(zhí)行跳軌操作。
此外，伺服電路61基于作為循軌誤差信號的低頻成分獲得的滑車誤差信號、來自系統(tǒng)控制器60的訪問執(zhí)行控制等等生成滑車驅動信號以驅動滑車機構53?；嚈C構53具有由用于支撐光學讀取頭51的總軸、滑車電機、傳動齒輪等等形成的機構，但這些在圖中沒有示出?；嚈C構53根據滑車驅動信號來驅動滑車電機，從而執(zhí)行光學讀取頭51的必要滑動。
主軸伺服電路62執(zhí)行控制以引起主軸電機62的CLV旋轉。
主軸伺服電路62獲得通過對擺動信號的PLL處理生成的時鐘作為關于主軸電機 52的當前旋轉速度的信息，并且將該信息與預定的CLV基準速度信息相比較，從而生成主軸誤差信號。
在數據再現時，由讀取器/寫入器電路55中的PLL生成的再現時鐘(充當解碼處理的基礎的時鐘)充當關于主軸電機52的當前旋轉速度的信息。從而，主軸伺服電路62 也可以通過將此信息與預定的CLV基準速度信息相比較來生成主軸誤差信號。
主軸伺服電路62輸出依據主軸誤差信號生成的主軸驅動信號以引起主軸電機62 的CLV旋轉。
此外，主軸伺服電路62響應于來自系統(tǒng)控制器60的主軸反沖/制動(kick/ brake)控制信號生成主軸驅動信號，從而使得主軸電機2也執(zhí)行起動、停止、加速、減速等等的操作。
上述伺服系統(tǒng)和記錄/再現系統(tǒng)的各種操作受由微計算機形成的系統(tǒng)控制器60 的控制。
系統(tǒng)控制器60響應于來自AV系統(tǒng)120的命令執(zhí)行各種處理。
例如，當從AV系統(tǒng)120發(fā)出寫入指令(寫入命令)時，首先系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51移動到應當寫入數據的地址。然后，系統(tǒng)控制器60使ECC編碼器/解碼器57和調制/解調電路56以上述方式對從AV系統(tǒng)120傳送來的數據(例如諸如MPEG2之類的各種系統(tǒng)的任何一種的視頻數據和音頻數據)執(zhí)行編碼處理。然后，來自讀取器/寫入器電路陽的激光驅動脈沖被提供到激光驅動器63，從而執(zhí)行記錄。
例如，當要求傳送盤1中記錄的特定數據(例如MPEG2視頻數據)的讀取命令被從AV系統(tǒng)120提供來時，首先系統(tǒng)控制器60借助于所指示的地址執(zhí)行搜尋操作控制。具體而言，系統(tǒng)控制器60向伺服電路61發(fā)出命令以使得光學讀取頭51以搜尋命令指定的地址為目標執(zhí)行訪問操作。
然后，系統(tǒng)控制器60執(zhí)行必要的操作控制以將所指示的數據區(qū)間的數據傳送到 AV系統(tǒng)120。即，系統(tǒng)控制器60從盤1執(zhí)行數據讀出，并且使得讀取器/寫入器電路55、調制/解調電路56和ECC編碼器/解碼器57執(zhí)行解碼/緩沖等等以傳送所請求的數據。
在這些數據的記錄/再現時，系統(tǒng)控制器60可通過利用由擺動電路58和地址解碼器59檢測到的ADIP地址來控制訪問和記錄/再現操作。
另外，在諸如裝載盤1時的預定時刻，系統(tǒng)控制器60使得有關單元執(zhí)行對記錄在盤1的BCA中的唯一 ID和以擺動溝槽的形式記錄在再現專用區(qū)域中的預記錄信息(PIC) 的讀出。
在此情況下，首先系統(tǒng)控制器60借助于BCA和PIC執(zhí)行搜尋操作控制。具體而言， 系統(tǒng)控制器60向伺服電路61發(fā)出命令以使得光學讀取頭51對盤的最內周側執(zhí)行訪問操作。
然后，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51執(zhí)行再現追蹤，以獲得作為反射光信息的推-拉信號，并且使擺動電路58、讀取器/寫入器電路55和ECC編碼器/解碼器57執(zhí)行解碼處理。從而，系統(tǒng)控制器60獲得作為BCA信息和預記錄信息的再現數據。
系統(tǒng)控制器60基于以這種方式讀出的BCA信息和預記錄信息來執(zhí)行激光功率設定、拷貝保護處理等等。
在圖23中，在系統(tǒng)控制器60中示出了緩存存儲器60a。此緩存存儲器60a例如用于對從盤1中的TDMA讀出的TDFL/空間位圖的保存和更新。
例如當盤1被裝載時，系統(tǒng)控制器60控制各個單元以使它們執(zhí)行對TDMA中記錄的TDFL/空間位圖的讀出，并且將讀取的信息保存在緩存存儲器60a中。
然后，當執(zhí)行由于數據重寫或缺陷而引起的替換處理時，緩存存儲器60a中的 TDFL/空間位圖被更新。
例如，每次由于數據寫入、數據重寫之類而執(zhí)行替換處理并且更新空間位圖或 TDFL時，TDFL或空間位圖可被追加記錄在盤1中的TDMA中。然而，此方案迅速地消耗盤1 中的TDMA。
為了避免此缺點，例如，在直到盤1從盤驅動裝置中彈出為止的時段期間，在緩存存儲器60a中更新TDFL/空間位圖。在彈出之類時，緩存存儲器60a中的最終(最新)TDFL/ 空間位圖被寫入到盤1中的TDMA。從而，對盤1的更新是以對TDFL/空間位圖的很多次更新被放到一起的方式執(zhí)行的。這可以減少對盤1中的TDMA的消耗。
在圖23的盤驅動裝置的配置示例中，盤驅動裝置連接到AV系統(tǒng)120。然而，根據本發(fā)明實施例的盤驅動裝置可連接到例如個人計算機。
或者，也可以采用盤驅動裝置未連接到另一裝置的形式。在此情況下，盤驅動裝置設有操作單元和顯示單元，并且用于數據輸入/輸出的接口部件的配置與圖23中的不同。 即，根據用戶的操作執(zhí)行記錄和再現，并且形成用于各種數據的輸入/輸出的端子部。
當然，多種其他配置示例也是可能的。例如，作為記錄專用裝置或再現專用裝置的示例也是可用的。
圖M示出了用于盤驅動裝置的操作的系統(tǒng)控制器60的控制處理示例。
圖24 (a)示出了格式處理。
當裝載未格式化的盤1并執(zhí)行格式處理時，首先系統(tǒng)控制器60執(zhí)行盤辨別以確認內區(qū)塊布局并掌握OPC區(qū)域的位置。
至于盤辨別的技術，有多種方法可用。雖然這里不詳細描述，但例如當裝載作為 Blu-ray Disc的盤1時，判定記錄層的數目。以下描述將涉及在裝載三層盤或四層盤時的處理。
對于三層盤，系統(tǒng)控制器60在其內部存儲器中保存關于利用圖13和圖14描述的內區(qū)塊的區(qū)域配置的信息，對于四層盤，系統(tǒng)控制器60在其內部存儲器中保存關于利用圖 17和圖18描述的內區(qū)塊的區(qū)域配置的信息。
在步驟FlOl中，系統(tǒng)控制器60根據此區(qū)域配置信息來確認裝載的盤1 (三層盤或四層盤)中的OPC區(qū)域的位置。
在步驟F102中，系統(tǒng)控制器60執(zhí)行OPC控制處理。具體而言，系統(tǒng)控制器60指示伺服電路61和主軸電路62使光學讀取頭M訪問OPC區(qū)域。另外，系統(tǒng)控制器60使讀取器/寫入器電路陽向激光驅動器63提供作為OPC測試圖案的信號，并且使激光驅動器 63對OPC區(qū)域執(zhí)行測試記錄。另外，系統(tǒng)控制器60從已執(zhí)行了記錄的OPC區(qū)域中執(zhí)行再現，并且獲得關于再現信息信號的評估值，例如抖動、不對稱性、差錯率等等，以判定最優(yōu)記錄激光功率。然后系統(tǒng)控制器60將激光功率設定成最優(yōu)功率。
然后，在步驟F103中，系統(tǒng)控制器60控制作為格式處理的記錄操作。
例如，系統(tǒng)控制器60控制例如在TDDS中記錄以盡可能均等的容量部署在能夠部署TDMA的記錄層中的TDMA的空間位圖、TDFL等等的地址的記錄操作的執(zhí)行，以便從此以后可根據TDDS的信息來掌握TDMA的結構。
通過這種格式處理，從此以后就可以使用具有圖13或圖17的格式的盤1。
圖M(b)示出了記錄時的處理。
在對用戶數據或管理信息的記錄操作中，首先在步驟F201中，系統(tǒng)控制器60確認關于TDMA的信息以掌握諸如TDDS、缺陷列表、空間位圖以及接下來可使用的OPC區(qū)域之類的必要事項。
接下來，在步驟F202中，系統(tǒng)控制器60使有關單元利用OPC區(qū)域執(zhí)行OPC操作， 并且根據OPC操作的結果設定最優(yōu)記錄激光功率。
在步驟F203中，系統(tǒng)控制器60使有關單元執(zhí)行對用戶數據等的記錄操作。
在記錄之后，在步驟F204中，系統(tǒng)控制器60更新TDMA。具體而言同，系統(tǒng)控制器 60新記錄由對諸如TDDS、缺陷列表、空間位圖和接下來可使用的OPC區(qū)域之類的信息之中的必要信息的更新而得到的TDMA。
圖M(C)示出了再現時的處理。
在步驟F301中，系統(tǒng)控制器60根據諸如TDMA和文件系統(tǒng)之類的讀取數據來掌握各種管理信息。
在步驟F302中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問根據來自AV系統(tǒng)120的讀取命令的期望地址，并且在步驟F303中使有關單元執(zhí)行再現操作。具體而言，系統(tǒng)控制器 60從盤1執(zhí)行數據讀出并且使得讀取器/寫入器電路55、調制/解調電路56和ECC編碼器/解碼器57執(zhí)行解碼/緩沖等等以將請求的數據傳送到AV系統(tǒng)120。
以上描述涉及盤驅動裝置對三層盤和四層盤執(zhí)行的格式處理、記錄處理和再現處理。
下面將描述當盤1是四層盤時與OPC操作有關的處理。
如上所述，在四層盤中，對于四個OPC區(qū)域，引入了第一 OPC配對和第二 OPC配對的概念。另外，在每個配對中的兩個OPC區(qū)域之間確保表觀間隔距離(接下來要使用的部分的開頭之間的間隔距離)，從而防止了在OPC操作中使用的部分在層方向上相互重疊。
例如，在上述的圖17和圖18的布局中，即使當層的偏差是允許公差內的最差情況時，通常也確保表觀間隔距離(圖19中的ABl和AB2)。然而，例如，對于第一 OPC配對，如果0PC(L2)的消耗量比OPC(LO)的消耗量大得太多，則表觀間隔距離(ABl)消失的可能性不是零。從而，最好盤驅動裝置側也具有與用于保持表觀間隔距離的OPC操作處理有關的獨創(chuàng)設計。
接下來要描述的圖25和圖沈均示出了對于第一 OPC配對和第二 OPC配對中的每一配對，防止該配對中的OPC區(qū)域之間的表觀間隔距離消失的情形發(fā)生的盤驅動裝置側的處理示例。
首先，下面將描述圖25的處理示例。
在圖25中，最初在盤裝載時的處理被示為步驟F401至F408。在裝載的盤1是三層盤時也類似地執(zhí)行步驟F401至F408的處理。此處理例如是在圖M (a)、(b)和(c)的處理之前執(zhí)行的。
在步驟F401中，執(zhí)行盤裝載。系統(tǒng)控制器60檢測盤插入以控制盤裝載機構(圖 23中未示出)并使得盤1進入可以被光學讀取頭51和主軸電機52記錄/再現驅動的狀態(tài) (夾住狀態(tài))。
在步驟F402中，執(zhí)行伺服調整。具體而言，系統(tǒng)控制器60控制主軸電機52的起動和光學讀取頭51的伺服啟動。系統(tǒng)控制器60控制主軸電路62以穩(wěn)定到預定的旋轉速度，并且控制伺服電路61以使其執(zhí)行聚焦搜索、聚焦伺服啟動、循軌伺服啟動等等，從而實現可再現狀態(tài)。
在完成上述啟動操作后，在步驟F403中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問盤 1中的PIC區(qū)域。在步驟F403中，系統(tǒng)控制器60使有關單元再現PIC區(qū)域中的數據，從而執(zhí)行對諸如各記錄層的記錄條件之類的PIC信息的讀取。
接下來，在步驟F405中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問開頭TDMA。如上所述，在開頭TDMA (例如圖17中的TDMA#1)中設有TDMA訪問指示符。在步驟F406中，通過使有關單元再現TDMA訪問指示符，系統(tǒng)控制器60可判別其中記錄有最新TDDS等等的使用中的TDMA (以下稱為TDMA_N)。
然后，在步驟F407中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問TDMA_N。在步驟F408 中，系統(tǒng)控制器60使有關單元再現此TDMA_N以讀取最新TDMA數據(最新TDDS等等)。
步驟F408的結束相當于完成了盤裝載時的管理信息讀取。從此刻起，系統(tǒng)控制器 60等待來自主機設備(AV系統(tǒng)120)的命令。
作為響應于寫入命令的發(fā)出而執(zhí)行OPC處理的示例，下面將描述步驟F501至F511 的處理。
如下示例也是可能的即使沒有發(fā)出寫入命令，也可以在盤裝載時的管理信息讀取后，執(zhí)行關于各個記錄層的OPC操作。
圖25中的步驟F501至F511的OPC處理示例是響應于寫入命令對各層LO至L3 中的每一個執(zhí)行OPC操作的示例。
在發(fā)出寫入命令后，系統(tǒng)控制器60使處理從步驟F501前進到步驟F502，其中系統(tǒng)控制器60對于各層中的OPC區(qū)域，掌握可執(zhí)行下個OPC操作的地址ADD [η]。此地址ADD [η] 是作為OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)在上述TDDS中指示的。
對于各OPC 區(qū)域(OPC (LO)、OPC (Li)、OPC (L2)、OPC (L3))中的每一個，系統(tǒng)控制器 60從已從中讀取可執(zhí)行下個OPC操作的地址ADD [η]的最新TDDS中掌握地址ADD [η]。
在步驟F503中，系統(tǒng)控制器60將指示層的變量X設定到0。然后，在步驟F504 至F509中，系統(tǒng)控制器60使有關單元在各層中的OPC區(qū)域(OPC (LO)、OPC (Li)、OPC (L2)、 OPC(U))中執(zhí)行OPC操作。
在步驟F504中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問層L (X)中的OPC區(qū)域 (OPC (L (X)))中接下來要使用的部分的地址ADD [η]。
在步驟F505中，系統(tǒng)控制器60確認此地址ADD [η]是否確實未被記錄(即地址 ADD [η]是否可用于OPC操作)。例如，系統(tǒng)控制器60使有關單元從地址ADD [η]執(zhí)行再現以確認在此地址ADD[n]處是否存在記錄。如果從此地址ADD[n]起的部分已被使用，則系統(tǒng)控制器60搜尋未使用部分并且使得移動到此未使用部分。
在步驟F506中，系統(tǒng)控制器60指示記錄系統(tǒng)的各個必要單元(ECC編碼器/解碼器57、調制/解調電路56、讀取器/寫入器電路55、激光驅動器63等等)在從地址ADD[n] 起的部分中執(zhí)行測試寫入。例如，系統(tǒng)控制器60使這些單元在記錄激光功率逐步變化的情況下用預定的測試圖案、隨機數據等等執(zhí)行數據記錄操作。
在測試寫入結束之后，在步驟F507中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51再現其中
35執(zhí)行了測試寫入的部分。此時，系統(tǒng)控制器60測量與記錄激光功率的各個值相對應的指標值(例如抖動、不對稱性、差錯率和SAM值)，并且決定最優(yōu)記錄激光功率。
系統(tǒng)控制器60在步驟F508中遞增變量X。如果在步驟F509中變量X等于或小于 3，則處理返回到步驟F504。
因此，在遞增變量X的同時執(zhí)行步驟F504至F507。S卩，在OPC(LO)、OPC(Li)、 OPC (L2)和0PC(L3)中順次執(zhí)行OPC操作。
在四個OPC區(qū)域中的上述OPC操作完成的時刻，對于各個層LO至L3中的每一個決定了最優(yōu)記錄激光功率。此時，處理從步驟F509進到步驟F510。
在步驟F510，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問TDMA_N。在步驟F511中，系統(tǒng)控制器60對于各個層LO至L3中的每一個更新OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)。具體而言，因為此時的OPC操作使得每一層中接下來要使用的部分的地址變化，所以其中為每一層記載了新的“下個可用Ln OPC地址”的最新TDDS被記錄在TDMA_N中。
如上，完成了 OPC操作。然后，以最優(yōu)記錄激光功率執(zhí)行寫入命令所指令的記錄操作。
在圖25的處理中，作為描述的一個示例，實際數據記錄是在步驟F510和F5111中的TDDS記錄處理之后執(zhí)行的。然而，盤1上TDDS的實際更新可在數據記錄結束的時刻或在盤彈出、斷電之類的時刻執(zhí)行。這是為了抑制對TDMA區(qū)域的不必要消耗。
S卩，盤1上TDDS更新的時刻不需要是如步驟F510和F511所示的時刻。從而，步驟 F510和F511的這個處理可被認為是系統(tǒng)控制器60將新的TDDS信息(在此情況下是“下個可用Ln OPC地址”)存儲在內部存儲器中，以至少用于以后某個時刻的TDDS記錄的處理。
上述OPC操作是一個示例。在此示例中，因為響應于寫入命令對所有層執(zhí)行OPC 操作，所以OPC (LO)、OPC (Li)、OPC (L2)和OPC (L3)的消耗量始終相等。即使因為發(fā)生了由任何差錯導致的OPC重試等等而使得消耗量不是精確意義上的相等，也可以認為消耗量幾乎相等。
從而，決不會發(fā)生消耗量的“追上”，而這種追上會導致配對中的兩個OPC區(qū)域之間的表觀間隔距離消失。
例如，下面將考慮利用圖20描述的配對中的兩個OPC區(qū)域(OPC(LO)和0PC(L2))。 在消耗方向上作為追趕方的0PC(L2)中接下來要使用的部分的地址(下個可用Ln OPC地址)和作為被追趕方的OPC(LO)中接下來要使用的部分的地址(下個可用Ln OPC地址) 以幾乎相等的消耗量朝著盤內周前進。因此，可以說“追上”的可能性，即表觀間隔距離ABl 變得短于作為記錄層偏差的允許公差的150 μ m并且消失的可能性，基本上為零。
響應于每個寫入命令對所有記錄層執(zhí)行OPC操作也可被視為是對OPC區(qū)域的不必要消耗。從而，例如以下處理方式也是可用的。具體而言，只在盤裝載后的第一次OPC操作時執(zhí)行像圖25那樣的OPC處理，而在以后的寫入命令時刻則不執(zhí)行OPC操作。
在此情況下，為了解決隨著時間的變化、溫度變化等等，也可以不是響應于每個寫入命令執(zhí)行對所有層的OPC處理，而是根據需要例如在經過預定時間以后執(zhí)行對所有層的 OPC處理。
接下來，利用圖26，下面將描述響應于寫入命令僅對將執(zhí)行記錄的層執(zhí)行OPC操作的處理示例。
圖沈中的步驟F401至F408是與圖25中的相同的盤裝載時的處理步驟，因此省略對其的重復描述。
以下描述將涉及作為響應于寫入命令的發(fā)出而執(zhí)行OPC處理的示例的步驟F601 至F612處理。
在發(fā)出寫入命令時，系統(tǒng)控制器60使處理從步驟F601前進到步驟F602，其中系統(tǒng)控制器60對于各層中的OPC區(qū)域，掌握可執(zhí)行下個OPC操作的地址ADD [η]。此地址ADD [η] 是作為OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)在上述TDDS中指示的。
對于各OPC 區(qū)域(OPC (LO)、OPC (Li)、OPC (L2)、OPC (L3))中的每一個，系統(tǒng)控制器 60從已從中讀取可執(zhí)行下個OPC操作的地址ADD [η]的最新TDDS中掌握地址ADD [η]。
在步驟F603中，系統(tǒng)控制器60判別作為此時的寫入命令指令的數據記錄對象的層。
取決于對象層是層LO或Ll還是層L2或L3，處理分支到不同的方向。
層LO或Ll是OPC區(qū)域(OPC (LO)、OPC (Li))在消耗方向上是配對中的被追趕方的層。
層L2或L3是OPC區(qū)域(OPC(L2)、OPC(L3))在消耗方向上是配對中的追趕方的層。
首先，下面將描述記錄的對象層是層LO或Ll的情況。
在此情況下，系統(tǒng)控制器60使處理前進到步驟F607，其中系統(tǒng)控制器60使得光學讀取頭51訪問對象層中的OPC區(qū)域中接下來要使用的部分的地址ADD[n]。例如，如果層 Ll是記錄對象層，則系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問OPC(Ll)中的地址ADD [η]。
在步驟F608中，系統(tǒng)控制器60確認此地址ADD[n]是否確實未被記錄(即地址 ADD [η]是否可用于OPC操作)。例如，系統(tǒng)控制器60使有關單元從地址ADD [η]執(zhí)行再現以確認在此地址ADD[n]處是否存在記錄。如果從此地址ADD[n]起的部分已被使用，則系統(tǒng)控制器60搜尋未使用部分并且使得移動到此未使用部分。
在步驟F609中，系統(tǒng)控制器60指示記錄系統(tǒng)的各個必要單元在從地址ADD [η]起的部分中執(zhí)行測試寫入。例如，系統(tǒng)控制器60使這些單元在記錄激光功率逐步變化的情況下用預定的測試圖案、隨機數據等等執(zhí)行數據記錄操作。
在測試寫入結束之后，在步驟F610中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51再現其中執(zhí)行了測試寫入的部分。此時，系統(tǒng)控制器60測量與記錄激光功率的各個值相對應的指標值(例如抖動、不對稱性、差錯率和SAM值)，并且決定最優(yōu)記錄激光功率。
在步驟F611中，系統(tǒng)控制器60使光學讀取頭51訪問TDMA_N。在步驟F612中，系統(tǒng)控制器60對于已執(zhí)行OPC操作的層更新OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)。 具體而言，因為此時的OPC操作使得這一層中的OPC區(qū)域中接下來要使用的部分的地址變化，所以其中為每一層記載了新的“下個可用Ln OPC地址”的最新TDDS被記錄在TDMA_N 中。
步驟F612的結束相當于OPC操作的完成。然后，以最優(yōu)記錄激光功率執(zhí)行寫入命令所指令的記錄操作。
與圖25的處理類似，盤1上的實際TDDS更新不需要在步驟F611和F612的時刻執(zhí)行。從而，步驟F611和F612的這個處理可被認為是系統(tǒng)控制器60將新的TDDS信息(在此情況下是對象層中的“下個可用Ln OPC地址”)存儲在內部存儲器中，以至少用于以后某個時刻的TDDS記錄的處理。
如上所述，如果記錄對象層是層LO或Ll并且在此層中的OPC操作中使用配對中作為被追趕方的OPC區(qū)域(OPC(LO)或OPC(Li))，則根據“下個可用Ln OPC地址”以通常方式執(zhí)行OPC處理。
另一方面，如果記錄對象層是層L2或L3并且在此層中的OPC操作中使用配對中作為追趕方的OPC區(qū)域(0PC(L2)或0PC(L3))，則添加防止發(fā)生OPC區(qū)域消耗的“追上”的處理。
這是步驟F604至F606的處理。
如果記錄對象層是層L2或L3，則系統(tǒng)控制器60使處理從步驟F603前進到步驟 F604。
在此步驟中，系統(tǒng)控制器60確認配對中的表觀間隔距離。
以下描述將涉及記錄對象層是層L2的情況。
在此步驟F604的時刻，系統(tǒng)控制器60獲得圖19中所示的配對中的表觀間隔距離 ABl0具體而言，系統(tǒng)控制器60獲得在步驟F602中確認的同一配對中的0PC(L2)的地址 ADD [η]與OPC (LO)的地址ADD [η]之間的地址差，并且將地址差轉換成沿著半徑方向的間隔距離。
就獲得此次OPC之后的間隔距離ABl而言，不直接原樣使用0PC(L2)中的地址 ADD [η]，而是使用通過使地址從地址ADD [η]起前進此次OPC操作中使用的預定扇區(qū)數來獲得的地址，是適當的。
系統(tǒng)控制器60判定作為此配對中的表觀間隔距離ABl是否可保持預定的間隔距離。具體而言，系統(tǒng)控制器60判定是否確保至少150 μ m的間隔距離，其中150 μ m相當于上述層重疊誤差的允許公差。
如果確保了等于或長于允許公差的間隔距離AB1，則系統(tǒng)控制器60使處理從步驟 F605前進到步驟F607，并且在層2中的OPC (L2)中從地址ADD [η]起執(zhí)行此次的OPC操作 (F607至F610)。然后，在TDMA_N中，系統(tǒng)控制器60執(zhí)行用于更新關于在其中執(zhí)行此次的 OPC操作的層L2的OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)的TDDS寫入(或者存儲以便以后進行TDDS寫入)(F611、F612)。
然后，以最優(yōu)記錄激光功率執(zhí)行針對層L2的預定寫入命令所指令的記錄操作。
另一方面，如果在步驟F605中判定作為配對中的表觀間隔距離ABl無法確保預定的間隔距離，則系統(tǒng)控制器60使處理前進到步驟F606，其中系統(tǒng)控制器60執(zhí)行改變關于作為該配對中的對方的層LO中的OPC(LO)的OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址) 的處理。
此處理是使作為被追趕方的OPC(LO)中接下來要使用的部分在消耗方向上前進的處理，因為當在此次的OPC操作中使用作為追趕方的OPC區(qū)域(0PC(L2))時，失去了充分的間隔距離AB1。在OPC(LO)的情況下，在此處理中使OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)朝著內周前進預定量。
系統(tǒng)控制器60新設定關于OPC (LO)的OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)并將其存儲在內部存儲器中，然后處理前進到步驟F607。
在步驟F607至F610中，執(zhí)行對作為對象的層L2的OPC操作。
在隨后的步驟F611和F612中，系統(tǒng)控制器60執(zhí)行用于關于此次在其中執(zhí)行OPC 操作的層L2的OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)和關于層LO的經改變的OPC 操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)的更新的處理。即，系統(tǒng)控制器60執(zhí)行TDDS寫入或存儲以便以后進行TDDS寫入。
然后，以最優(yōu)記錄激光功率執(zhí)行針對層L2的預定寫入命令所指令的記錄操作。
在上述示例中，層L2是記錄對象層。當層L3是記錄對象時，也聯(lián)系層Ll執(zhí)行相同的處理。
如上所述，在圖沈的示例中，響應于寫入命令執(zhí)行對對象層的OPC操作，并且此時執(zhí)行用于保持相當于允許公差的至少150 μ m的間隔距離作為配對中的表觀間隔距離的處理。
具體而言，當使用配對中作為追趕方的OPC區(qū)域時，系統(tǒng)控制器60判定是否確保了取決于與各記錄層的重疊有關的允許公差的必要間隔距離(至少150μπι)作為表觀間隔距離。如果不能確保必要間隔距離，則系統(tǒng)控制器60執(zhí)行改變作為追趕方的OPC區(qū)域中接下來要使用的部分的起始位置的處理。
即使記錄層的偏差是允許公差內的最大值，此處理也防止了第一 OPC配對和第二 OPC配對中的OPC區(qū)域中接下來要使用的部分在層方向上的重疊。
在圖沈的示例中，當使用作為追趕方的OPC區(qū)域時確認表觀間隔距離?；蛘撸?OPC操作中，可以無論使用哪個OPC區(qū)域都執(zhí)行確認表觀間隔距離的處理。當然，在此情況下，也可以根據需要改變一個OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)。
在圖沈的示例中，當使用作為追趕方的OPC區(qū)域時執(zhí)行改變OPC操作可執(zhí)行地址 (下個可用Ln OPC地址)的處理。類似地，當使用作為被追趕方的OPC區(qū)域時可執(zhí)行改變 OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)的處理。
在圖沈的示例中，OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC地址)是在步驟F602 中從TDDS獲取的。或者，也可以通過搜索OPC區(qū)域中的未記錄部分來搜尋OPC操作可執(zhí)行地址。因此，在步驟F606中，可以添加將由于改變OPC操作可執(zhí)行地址(下個可用Ln OPC 地址)的處理而生成的未記錄部分視為已經記錄的區(qū)域的處理或者將未記錄區(qū)域的長度設定得短于預定長度的處理。
以上已經描述了本發(fā)明的實施例的盤和能夠應對該盤的盤驅動裝置。然而，本發(fā)明并不限于這些示例，而是可以在不脫離本發(fā)明范圍的情況下做出各種修改例。
標號描述 1 盤，51 讀取頭，52 主軸電機，53 滑車機構，54 矩陣電路，55 讀取器/寫入器電路，56 調制/解調電路，57 =ECC編碼器/解碼器，58 擺動電路，59 地址解碼器，60 系統(tǒng)控制器，60a 緩存存儲器，61 伺服電路，62 主軸伺服電路，63 激光驅動器，120 :AV系統(tǒng)，201 盤基板，203 透光層，204 中間層
權利要求
1.一種作為多層盤的可記錄光盤，包括被配置為設在盤基板上的至少三個記錄層；以及被配置為形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱?，其中在每個所述記錄層中，在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內區(qū)塊側區(qū)域中設有用于激光功率控制的測試區(qū)域，并且所述記錄層中的測試區(qū)域被部署成避免在層方向上相互重疊。
2.根據權利要求1所述的可記錄光盤，其中在每個所述記錄層中的所述內周側區(qū)域中設有用于管理信息的記錄和再現的管理信息記錄/再現區(qū)域，并且所述管理信息記錄/再現區(qū)域被部署成使得，對于所述記錄層中的每個測試區(qū)域，在比該測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與該測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目等于或小于一個。
3.根據權利要求2所述的可記錄光盤，其中所述管理信息記錄/再現區(qū)域的每一個被部署成避免與所述記錄層中的測試區(qū)域在該測試區(qū)域的盤基板側在層方向上重疊。
4.一種用于作為多層盤的可記錄光盤的記錄裝置，該可記錄光盤包括設在盤基板上的至少三個記錄層和形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱樱鲇涗浹b置包括控制器，該控制器被配置為在所述可記錄光盤的各個記錄層中在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內周側區(qū)域中以防止用于與各個記錄層有關的激光功率控制的測試區(qū)域在層方向上相互重疊的方式部署這些測試區(qū)域，所述控制器進行控制以在利用部署的測試區(qū)域進行激光功率調整后執(zhí)行信息記錄。
5.一種用于作為多層盤的可記錄光盤的記錄方法，該可記錄光盤包括設在盤基板上的至少三個記錄層和形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱?，所述記錄方法包括以下步驟在所述可記錄光盤的各個記錄層中在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內周側區(qū)域中以防止用于與各個記錄層有關的激光功率控制的測試區(qū)域在層方向上相互重疊的方式部署這些測試區(qū)域，并且在利用部署的測試區(qū)域進行激光功率調整后執(zhí)行信息記錄。
6.一種用于作為多層盤的可記錄光盤的再現裝置，該可記錄光盤包括設在盤基板上的至少三個記錄層和形成在激光入射表面?zhèn)鹊耐腹鈱?，在每個所述記錄層中在比記錄用戶數據的數據區(qū)塊更靠近內周的內區(qū)塊側區(qū)域中設有用于激光功率控制的測試區(qū)域，所述記錄層中的測試區(qū)域被部署成避免在層方向上相互重疊，所述再現裝置包括控制器，該控制器被配置為識別管理信息記錄/再現區(qū)域，所述管理信息記錄/再現區(qū)域被部署在每個所述記錄層中的所述內周側區(qū)域中，使得對于所述記錄層中的每個測試區(qū)域，在比該測試區(qū)域更靠近激光入射表面的位置處與該測試區(qū)域在層方向上重疊的管理信息記錄/再現區(qū)域的數目等于或小于一個，并且所述管理信息記錄/再現區(qū)域被防止與所述記錄層中的測試區(qū)域在該測試區(qū)域的盤基板側在層方向上重疊，所述控制器從所述管理信息記錄/再現區(qū)域中再現管理信息并且基于管理信息來控制用戶數據的再現。
全文摘要
在由三層或更多層構成的光盤中設有適當的內區(qū)塊布局。在每個記錄層上的每個內區(qū)塊(內周側區(qū)域)中設有測試區(qū)域。記錄層的測試區(qū)域被部署成使得測試區(qū)域在層方向上不相互重疊。沒有多于一個管理信息記錄/再現區(qū)域在比記錄層的測試區(qū)域更朝著激光入射表面的一側與測試區(qū)域在層方向上重疊。另外，管理信息記錄/再現區(qū)域被部署管理信息記錄/再現區(qū)域不在盤基板側在層方向上與記錄層的測試區(qū)域重疊。
文檔編號G11B7/125GK102197427SQ20108000308
公開日2011年9月21日 申請日期2010年7月1日 優(yōu)先權日2009年7月3日
發(fā)明者秋元義浩, 小林昭榮, 伊藤基志, 日野泰守, 井上弘康, 宮本治一, 西村孝一郎, 黃盛熙, 黃仁吾 申請人:索尼公司, 松下電器產業(yè)株式會社, Tdk株式會社, 日立民用電子股份有限公司, 三星電子股份有限公司