專利名稱：主機裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以在用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法中使用的主機裝置、用于制造這種主機裝置的裝置、用于制造這種主機裝置的方法、光學(xué)記錄介質(zhì)以及用于制造光學(xué) 記錄介質(zhì)的方法。本發(fā)明涉及采用波長相當(dāng)于可見光的電磁輻射掃描光學(xué)記錄介質(zhì)。但需要指出的 是，為掃描記錄介質(zhì)也適用明顯更短或者更長波長的電磁輻射，所提出的尺寸對這些情況 可以改變。
背景技術(shù)：
光學(xué)記錄介質(zhì)在使用主機裝置的情況下通過多級處理制造。在主機裝置上，信息 以主磁道和副磁道結(jié)構(gòu)的方式儲存，該信息傳遞到一般稱為磁道的主和副磁道的記錄介質(zhì) 上。在光學(xué)記錄介質(zhì)上，預(yù)成型的磁道相對于周圍的面，所謂的“陸地”要么制造為凹 陷部，要么制造為凸起部。制造為凹陷部的磁道至少部分可以利用一種材料填充，其反射和 /或者傳輸特性可以通過預(yù)先確定優(yōu)選為激光的光輻射的強度和波長，可逆或者不可逆改變。首先，預(yù)成型的磁道用于在其數(shù)據(jù)中可以借助信息記錄裝置進行記錄。這一點通 過預(yù)先確定變化磁道的第一特征的變化，如優(yōu)選磁道確定區(qū)域的反射或者傳輸特性的變化 實現(xiàn)。這些變化由該裝置，而且優(yōu)選由市場上標準的任何光學(xué)信息記錄和/或者重現(xiàn)裝置 可以光學(xué)檢測并因此可讀。磁道進行預(yù)先確定光學(xué)變化的區(qū)域稱為主數(shù)據(jù)凹坑。獲得這種記錄介質(zhì)盡可能高的存儲容量要求盡可能小的主數(shù)據(jù)凹坑和處于其間 通常稱為“陸地”的面。為將對相應(yīng)的信息記錄和/或者重現(xiàn)裝置的機械部件的精度要求 保持在實用的程度上，通過檢測第二可光學(xué)檢測特征的磁道通常也用于跟蹤信息記錄和/ 或者重現(xiàn)裝置的掃描光束。按照這種方式，在所要寫入的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)高表面密度時也可以獲得寫入和讀出光束 所要求的定位精度。磁道通常具有第三可光學(xué)檢測的特征，其中信息可以通過優(yōu)選利用其寫入數(shù)據(jù)結(jié) 構(gòu)的線性記錄速度從磁道導(dǎo)出。這樣例如為正弦形的磁道可以環(huán)繞磁道中心以預(yù)先確定的 波長偏轉(zhuǎn)。通過這種波長，盤形記錄介質(zhì)可以例如控制使該記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的電機的轉(zhuǎn)速。在現(xiàn)有技術(shù)的某些記錄介質(zhì)中，磁道具有第四可光學(xué)檢測的特征。為使寫入和讀 出頭_特別是在未寫入的記錄介質(zhì)上_定位，在這些記錄介質(zhì)上磁道內(nèi)預(yù)先記錄含有連續(xù) 地址代碼的輔助信息。文獻EP0265695B1和EP0325330B1描述了記錄介質(zhì)，在該記錄介質(zhì)中，磁道擺動波 長根據(jù)輔助信息變化記錄介質(zhì)。優(yōu)選光學(xué)信息記錄和/或者重現(xiàn)裝置接受-持續(xù)增加-數(shù)量的不同記錄材料的不 同記錄介質(zhì)，這些記錄材料有時也需要不同的記錄方法和/或者記錄速度。因此為進行記錄，需要相應(yīng)不同的對各自記錄介質(zhì)專用的寫入?yún)?shù)。出于這一原因，在公知記錄介質(zhì)的確定形式中，磁道預(yù)先儲存的輔助信息用于控制代碼擴展，這些輔助信息此外也可以包括對 各自的記錄介質(zhì)專用的寫入?yún)?shù)。例如歐洲專利EP 0397238B1提出一種記錄介質(zhì)，其中由地址和控制代碼組成的輔助信息借助要么通過磁道擺動(英語trackWObble)，要么通過變化磁道寬度包含正弦 形徑向調(diào)制預(yù)形成的磁道調(diào)制記錄到預(yù)成型的磁道內(nèi)。EP 0397238B1的記錄載體方面的缺點是，通過這種調(diào)制可以寫入磁道內(nèi)的輔助信息的數(shù)據(jù)密度，明顯受到要求盡可能小地影響所要記錄的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的可無差錯檢測的限 制。申請人:的公開文獻DE 102005027222A1和DE 102005018089A1公開了一種方法，
其中輔助信息借助于與各自磁道方向垂直的偏轉(zhuǎn)投影。DE 102005027222A1和DE 102005018089A1記錄載體方面的缺點是，輔助信息寫
入磁道內(nèi)，由此會導(dǎo)致影響所要記錄的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的在于，提供一種可以產(chǎn)生記錄介質(zhì)的主機裝置，該記錄介質(zhì)避 免現(xiàn)有記錄介質(zhì)上盡可能大的兼容性方面的前述缺點。該目的通過權(quán)利要求1的主題得以 實現(xiàn)。本發(fā)明的另一個目的在于，提供一種用于制造依據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)的裝置。該 目的通過權(quán)利要求7的主題得以實現(xiàn)。本發(fā)明此外的目的在于，提供一種用于制造主機裝置的裝置。該目的通過權(quán)利要 求17的主題得以實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)以及用于制造記錄介質(zhì)和主機裝置的裝置為通過權(quán)利要 求16、27或28的主題。優(yōu)選的實施方式和進一步構(gòu)成以及方法補充為從屬權(quán)利要求的主題。依據(jù)本發(fā)明的主機裝置具有基本為螺旋形或者同心分布的主磁道結(jié)構(gòu)和至少一 個基本為螺旋形或者同心分布的副磁道結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的意義上，主磁道結(jié)構(gòu)是一種借助其在依據(jù)本發(fā)明制造的光學(xué)記錄介質(zhì) 上設(shè)置為主磁道的磁道結(jié)構(gòu)。主磁道用于引導(dǎo)信息記錄裝置和重現(xiàn)裝置的至少一個射線。 沿主磁道設(shè)置至少分段區(qū)域，在該至少分段區(qū)域內(nèi)可以設(shè)置大量主數(shù)據(jù)凹坑的。磁道進行 預(yù)先確定光學(xué)變化的區(qū)域在本發(fā)明的框架內(nèi)稱為主數(shù)據(jù)凹坑。本發(fā)明意義上的副磁道結(jié)構(gòu)是指借助其在依據(jù)本發(fā)明制造的光學(xué)記錄介質(zhì)上設(shè) 置為副磁道的磁道結(jié)構(gòu)。副磁道在此方面與主磁道的中心具有基本上保持不變的距離。特 別是副磁道幾何形狀的中心具有與主磁道幾何形狀的中心基本上保持不變的距離。在本發(fā)明一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)的幾何形狀中心線與主磁道結(jié)構(gòu)的 幾何形狀中心線具有TP/N的徑向距離，其中，TP表示相鄰的主磁道結(jié)構(gòu)之間的道間距和N 表示優(yōu)選處于8/3與12/3之間的數(shù)量。在一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)具有小于主磁道結(jié)構(gòu)的寬度。在一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)具有小于主磁道結(jié)構(gòu)的深度。
在一種優(yōu)選的實施方式中，第一輔助信息包括應(yīng)用和/或者控制和/或者可靠性數(shù)據(jù)。在一種優(yōu)選的實施方式中，第二輔助信息包括應(yīng)用和/或者控制和/或者可靠性數(shù)據(jù)。依據(jù)本發(fā)明，副磁道結(jié)構(gòu)至少設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)的一面上以及可以具有斷路，其這樣改變記錄介質(zhì)可光學(xué)檢測的表面結(jié)構(gòu)，使記錄介質(zhì)上投影至少一個第一輔助信息。通 過這種設(shè)置，一方面可以減少副磁道結(jié)構(gòu)對主磁道結(jié)構(gòu)的影響和另一方面降低磁道結(jié)構(gòu)的 占用位置，這樣也產(chǎn)生更高的記錄密度。本發(fā)明意義上可光學(xué)檢測的表面結(jié)構(gòu)是光學(xué)記錄介質(zhì)的反射和傳輸特性，其可以通過特別是激光的預(yù)先規(guī)定的光入射可逆或者不可逆改變。在本發(fā)明的意義上，光學(xué)記錄介質(zhì)是一種直徑110-130mm，最好115_125mm，進一步優(yōu)選為120mm的圓盤。但直徑也可以更小，例如80mm。光學(xué)記錄介質(zhì)此外一面上和/或 者兩面上具有預(yù)先規(guī)定的表面水平面，該表面水平面基本上等于一面上的總面積。副磁道結(jié)構(gòu)在記錄介質(zhì)上可以制作具有導(dǎo)向標記里面寄存輔助信息的導(dǎo)向標記 區(qū)。導(dǎo)向標記在本發(fā)明的意義上是副磁道內(nèi)進行預(yù)先確定的光學(xué)/可光學(xué)檢測的變 化的區(qū)域，該光學(xué)/可光學(xué)檢測的變化可以做為輔助信息使用。例如，具有內(nèi)含導(dǎo)向標記的副磁道結(jié)構(gòu)在讀取裝置上既可以設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)的 兩面上，也可以僅設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)的一面上。光電二極管的傳統(tǒng)設(shè)置這樣構(gòu)成，使光電二 極管的位置與中心線對稱處于磁道的分布方向上。4個中央二極管用于探測主磁道結(jié)構(gòu)。此 外在外部設(shè)置兩組各自兩個光電二極管，接著是用于探測副磁道結(jié)構(gòu)的副磁道二極管。這 些副磁道二極管的信號由探測器的控制裝置這樣連接，使其在僅存在一面副磁道結(jié)構(gòu)的情 況下也正確地探測導(dǎo)向標記。在主機裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)僅設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)的一面 上。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，記錄介質(zhì)上可光學(xué)檢測的特性是兩個斷路之 間的表面基本上設(shè)置在磁道方向上的凹陷部。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，兩個斷路之間的表面的凹陷部具有可變的深 度和/或者寬度，該凹陷部基本設(shè)置在磁道方向上，并且在記錄介質(zhì)中可以光學(xué)檢測，該深 度和/或者寬度因此不是通過凹陷部的整個長度保持不變。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，兩個斷路之間的表面凹陷部不是明確分界， 而是基本上流動過渡到至少一個(不加深的)斷路內(nèi)，該凹陷部基本設(shè)置在磁道方向上，并 且在記錄介質(zhì)上可以光學(xué)檢測。在此方面，本發(fā)明意義上的流動是指副磁道結(jié)構(gòu)的高度斷面基本上持續(xù)不斷。在 依據(jù)本發(fā)明的主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)的高度和/深度變化這樣構(gòu) 成，使光電二極管反射到輻射線內(nèi)的副射線的光強產(chǎn)生用于磁道引導(dǎo)優(yōu)選正弦形的電壓分布。在依據(jù)本發(fā)明的主機裝置另一種實施方式中，副磁道的磁道寬度變化(類似于副 磁道的高度和/或者深度變化)在光電二極管的輻射線內(nèi)產(chǎn)生優(yōu)選正弦形的電壓分布。
與矩形或者梯形的電壓分布相反，基本上正弦形的電壓分布提供的優(yōu)點是盡可能 無諧振的磁道引導(dǎo)信號。由此如傅里葉變換所證明的那樣，減少磁道引導(dǎo)信號所需的帶寬。主機裝置在本發(fā)明的意義上是指優(yōu)選玻璃制成的，上面設(shè)置主磁道結(jié)構(gòu)和副磁道 結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)的主機。在使用這種主機裝置的情況下，在后面的步驟中制造光學(xué)記錄介 質(zhì)。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，在記錄介質(zhì)上可光學(xué)檢測的特性是一種兩個 斷路之間基本上設(shè)置在磁道方向上基本上點狀的表面結(jié)構(gòu)。點狀在本發(fā)明的意義上是指在磁道方向上伸長1-20 μ m，優(yōu)選3-15 μ m，進一步優(yōu) 選 5-10 μ m0在此方面，磁道方向在本發(fā)明的意義上是指在方向上或者從光學(xué)記錄介質(zhì)寫入或 讀出的方向。在本發(fā)明的意義上，斷路是表面結(jié)構(gòu)在磁道方向上的變換。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，主磁道結(jié)構(gòu)至少分段，但特別是完全設(shè)置為 在磁道方向上均勻的表面結(jié)構(gòu)。均勻在本發(fā)明的意義上是指磁道方向上表面結(jié)構(gòu)基本上沒有變化的區(qū)域。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，主磁道結(jié)構(gòu)至少分段設(shè)置為在磁道方向上基 本為點狀的表面結(jié)構(gòu)。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)至少分段設(shè)置為在磁道方向上均 勻的表面結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)至少分段設(shè)置為在磁道方向上基 本為點狀的表面結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)具有一種表面結(jié)構(gòu)，該表面結(jié)構(gòu) 這樣改變記錄介質(zhì)副磁道結(jié)構(gòu)可光學(xué)檢測的表面結(jié)構(gòu)，使記錄介質(zhì)上投影第二輔助信息?？晒鈱W(xué)檢測的特性可以分配給例如Biphase-Mark-Code的線路碼的位。在這種情 況下，例如上述可檢測的特性代表邏輯“ 1 ”和斷路代表線路碼的邏輯“0”。在此方面，輔助 信息數(shù)字碼的邏輯“0”這樣分配給Biphase-Mark-Code的要么“00”要么“ 11 ”和輔助信息 數(shù)字碼的邏輯“1”這樣分配給Biphase-Mark-Code的要么“01 ”要么“ 10”，使其不再作為兩 個連續(xù)的零或者一在Biphase-Mark-Code中出現(xiàn)。在主機裝置一種優(yōu)選的實施方式中，主磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置為無磁道調(diào)制。磁道調(diào)制在本發(fā)明的意義上是指磁道寬度與磁道方向垂直改變和/或者磁道中 心以幾何平均值改變。在此方面，磁道寬度可以固定值和/或者可變值變化。在主機裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，主磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置為具有磁道調(diào)制。按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其中，磁道調(diào)制為基本為正弦形的徑 向磁道調(diào)制。在主機裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，磁道調(diào)制為單頻的磁道調(diào)制。在主機裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，磁道調(diào)制為磁道寬度調(diào)制。在主機裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，磁道調(diào)制顯示其他輔助信息。在主機裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道結(jié)構(gòu)基本上與主磁道結(jié)構(gòu)的幾何形 狀中心保持不變的距離設(shè)置。
依據(jù)本發(fā)明用于制造主機裝置的裝置具有至少一個第一光學(xué)裝置，用于主磁道結(jié) 構(gòu)借助第一光束在主載體上的記錄，由第一光束穿透的光電射線轉(zhuǎn)向器和/或者第二光學(xué) 裝置，用于副磁道結(jié)構(gòu)借助第二光束在主載體上的記錄。依據(jù)本發(fā)明，第二光束穿透第二光 電射線轉(zhuǎn)向器，后者借助所輸送的控制信號調(diào)整主磁道結(jié)構(gòu)和副磁道結(jié)構(gòu)的中心之間基本 上相同的徑向距離，以及副磁道結(jié)構(gòu)發(fā)生器至少根據(jù)第一和/或者第二福助信息控制第二 光束。為補償主機裝置可能的不平度，兩個光束穿透一個調(diào)節(jié)單元，該調(diào)節(jié)單元使這些光束 在主載體上聚焦，以獲得相同形狀的光點。在依據(jù)本發(fā)明用于制造主機裝置的另一種裝置中，用于主磁道結(jié)構(gòu)的記錄的第一 光束用于無射線轉(zhuǎn)向的裝置對準主載體。在擊中該主載體之前，該第一光束如前所述穿過 該聚焦的調(diào)節(jié)單元以補償該主機裝置可能的不平度。如前所述的第二光束穿過光電射線轉(zhuǎn) 向器并利用后面的射線轉(zhuǎn)向裝置與該第一光束在該聚焦的調(diào)節(jié)單元前面會聚。因此可以不 需要該第一光束的光電射線轉(zhuǎn)向器和射線導(dǎo)向裝置。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，借助光電射線轉(zhuǎn)向器實施第一光束的磁道寬 度調(diào)制。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，光束的能量為產(chǎn)生副磁道所需的結(jié)構(gòu)而變 化，由此達到改變結(jié)構(gòu)的高度和/或者深度和/或者寬度的目的。光束能量的變化例如通 過光束利用疊加恒定功率的交流信號工作實現(xiàn)。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，借助圖像處理單元計算激光焦點在主機上的 位置并將位置信息輸送到至少一個光學(xué)探測器。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，在主機上調(diào)整的兩個射線的激光焦點投影到 第一測量攝像機上。從中導(dǎo)出的圖像信息輸送到至少一個控制計算機和/或者至少一個圖 像處理單元。由此可以計算和/或者調(diào)整和/或者在校準激光焦點在主機上的位置。由此 基本測定副射線與用于控制光學(xué)轉(zhuǎn)向器和/或者控制計算機的主射線距離的尺寸。所測定 的距離的實際值與額定值進行比較和需要時精確地在線再調(diào)整。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，使用兩個測量攝像機，兩個射線在主機上調(diào) 整的激光焦點投影到這兩個測量攝像機上。由此彼此獨立測定控制計算機和圖像處理單元 所需的圖像信息并分開輸送到至少一個控制計算機以及至少一個圖像處理單元。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，第一光束借助主磁道發(fā)生器控制。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，主磁道發(fā)生器輸出直流信號和交流信號以控 制第一光束。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，主磁道發(fā)生器輸出模擬信號以控制光電射線 轉(zhuǎn)向器。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，第二光束借助副磁道發(fā)生器控制。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道發(fā)生器輸出直流信號和交流信號以控 制第二光束。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，副磁道發(fā)生器輸出直流電壓信號和交流電壓 信號以控制第二光電射線轉(zhuǎn)向器。在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，輸送到第二射線轉(zhuǎn)向器的控制信號為含有直 流部分的電壓信號。
在該裝置另一種優(yōu)選的實施方式中，由主磁道發(fā)生器為控制光電射線轉(zhuǎn)向器輸出的模擬信號輸送到光電射線轉(zhuǎn)向器。依據(jù)本發(fā)明的記錄載體在使用上述主機裝置之一的情況下，通過制造方法或通過用于制造記錄介質(zhì)的裝置獲得。依據(jù)本發(fā)明用于制造主機裝置的方法具有至少一個下列步驟具有主磁道結(jié)構(gòu)的主載體借助第一光束曝光，其中，主載體的表面具有光刻膠，具有副磁道結(jié)構(gòu)的主載體借助 第二光束曝光，沖洗曝光的光刻膠，從主載體去除未曝光的光刻膠，在主載體上涂覆第一金 屬層和/或者在主載體上涂覆第二金屬層。


本發(fā)明的其他優(yōu)點和實施方式來自附圖。其中圖1示出主磁道和副磁道結(jié)構(gòu)在主機裝置上設(shè)置的兩個實施例；圖2示出主磁道和副磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置的另兩個實施例；圖3-16示出主磁道和副磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置的其他實施例；圖17示出主磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置的四個實施例；圖18示出主磁道和副磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置以及磁道結(jié)構(gòu)斷面的示意圖；圖19示出副磁道結(jié)構(gòu)可能的結(jié)構(gòu)斷面實施例；圖20示出用于制造主機裝置的裝置示意圖；圖21示出如圖20所示的裝置成本更加低廉的方案用于制造主機裝置的另一裝置 及直線引導(dǎo)的第一光束的示意圖；圖22示出傳統(tǒng)激光器/探測器中心光電二極管A、B、C、D以及副射線E、F或G、H 的光電二極管設(shè)置的視圖。
具體實施例方式圖1示出主機裝置上主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2設(shè)置的兩個實施例。在圖1 (a) 中，主磁道結(jié)構(gòu)1設(shè)置為在磁道方向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)。副磁道結(jié)構(gòu)2同樣設(shè)置為在 磁道方向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)并設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)1的一面上，其中，副磁道結(jié)構(gòu)2具有 斷路。副磁道結(jié)構(gòu)2也可以設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)1的對面上。圖1(b)中所示的副磁道結(jié)構(gòu)2基本上對應(yīng)于圖1(a)中的副磁道結(jié)構(gòu)2，其中，副 磁道結(jié)構(gòu)2中的斷路在磁道方向上大于副磁道結(jié)構(gòu)2在磁道方向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)。主磁道結(jié)構(gòu)1與光學(xué)記錄介質(zhì)上的主磁道相對應(yīng)，而副磁道結(jié)構(gòu)2則與光學(xué)記錄 介質(zhì)上的副磁道或?qū)虼诺老鄬?yīng)。主磁道1之間的距離優(yōu)選基本上恒定選擇，以簡化寫 入和讀出頭在光學(xué)記錄介質(zhì)上的定位。副磁道結(jié)構(gòu)2此外基本上以與主磁道結(jié)構(gòu)1的中心相同的距離設(shè)置。特別優(yōu)選主 磁道結(jié)構(gòu)1之間以及主磁道結(jié)構(gòu)1與副磁道結(jié)構(gòu)2之間的距離最小選擇，以便使產(chǎn)生的記 錄介質(zhì)上的信息密度最大化。圖2 (a)和2 (b)基本上對應(yīng)于圖1 (a)和1 (b)，其中，副磁道結(jié)構(gòu)2對稱設(shè)置在主 磁道結(jié)構(gòu)1的兩面上。在圖2(a)中，副磁道結(jié)構(gòu)2此外分段交替設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)1的各 自相對面上。
副磁道結(jié)構(gòu)2在主磁道結(jié)構(gòu)1的交替相對面上的設(shè)置就此而言具有優(yōu)點的是，特 別是在副磁道結(jié)構(gòu)2以基本上相同的數(shù)量分布在主磁道結(jié)構(gòu)1兩面上的情況下，可以從記 錄介質(zhì)上副磁道的光學(xué)檢測中獲取無直流電的磁道跟蹤信號。在圖3中，副磁道結(jié)構(gòu)3基本設(shè)置在磁道方向上、設(shè)置為基本為點狀的表面結(jié)構(gòu)并 設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)1的一面上。圖4示出副磁道結(jié)構(gòu)3，其對稱設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)1的兩面上。在圖5-8中，主磁道結(jié)構(gòu)4設(shè)置為具有斷路，在磁道方向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)。 副磁道結(jié)構(gòu)2、3在此方面可以設(shè)置為在磁道方向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)(圖5和6)或者 設(shè)置為基本為點狀的表面結(jié)構(gòu)(圖7和8)。在圖5和7中，副磁道結(jié)構(gòu)2、3設(shè)置在主磁道 結(jié)構(gòu)4的一面上。在圖6和8中，副磁道結(jié)構(gòu)2、3對稱設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)4的兩面上。
主磁道結(jié)構(gòu)4中的斷路可以是規(guī)則的或者不規(guī)則的或具有循環(huán)的圖形。通過主磁 道結(jié)構(gòu)4中的斷路，可能的輔助信息可與主磁道結(jié)構(gòu)集成化并因此進一步提高記錄介質(zhì)上 的信息密度。圖9和10與圖1和2基本上對應(yīng)，其中，主磁道結(jié)構(gòu)5設(shè)置為單頻調(diào)制、在磁道方 向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)構(gòu)成。圖11和12與圖9和10基本上對應(yīng)，其中，主磁道結(jié)構(gòu)6設(shè)置為單頻調(diào)制、在磁道 方向上基本均勻的表面結(jié)構(gòu)，其中，主磁道結(jié)構(gòu)6具有斷路。圖13-16與圖9-12基本上對應(yīng)，具有斷路，副磁道結(jié)構(gòu)3設(shè)置為基本上在磁道方 向上，設(shè)置為基本為點狀的表面結(jié)構(gòu)。圖17再次示出主磁道結(jié)構(gòu)1、4、5和7造型的四個可能的不同實施例。圖18作為俯視圖(圖18(a))示出主磁道和副磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置的示意圖以及主機裝 置磁道結(jié)構(gòu)(18(b))的截面。主磁道結(jié)構(gòu)1的寬度W優(yōu)選為200-800nm，進一步優(yōu)選400-600nm，再進一步優(yōu)選 550nm。主磁道結(jié)構(gòu)的有效深度TH優(yōu)選在80-130nm之間，進一步優(yōu)選在90-120nm之間，再 進一步優(yōu)選為105nm。相鄰的主磁道結(jié)構(gòu)1之間的距離TP最好為1000-2000nm，進一步優(yōu) 選1600nm。此外，主磁道結(jié)構(gòu)1具有介于朝向主機裝置的基本為平面的表面的法線與主磁 道結(jié)構(gòu)1的斷面之間的坡口界面角度，優(yōu)選最好為30-50°，進一步優(yōu)選為40°。副磁道結(jié)構(gòu)2的寬度Wn優(yōu)選為100-400nm，進一步優(yōu)選200_300歷，再進一步優(yōu)選 250nm。副磁道結(jié)構(gòu)的有效深度TN優(yōu)選在25-75nm之間，進一步優(yōu)選在40-60nm之間，再進 一步優(yōu)選為50nm。主磁道結(jié)構(gòu)1與副磁道結(jié)構(gòu)2之間的距離S優(yōu)選為350-600nm，進一步 優(yōu)選450-550nm,再進一步優(yōu)選500nm。此外，副磁道結(jié)構(gòu)2在磁道方向上的長度L優(yōu)選在10-60 μ m之間。主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2的徑向距離S(優(yōu)選約400-600nm)優(yōu)選這樣選擇， 使其既不出現(xiàn)與磁道明顯的重疊，也不出現(xiàn)通過相鄰磁道的干擾串音。導(dǎo)向標記的長度，也 就是安裝在副磁道結(jié)構(gòu)內(nèi)部的凹陷部的長度可變并幾乎相當(dāng)于屬于高達22，05kHz的常見 磁道振蕩頻率波長的一半。在掃描裝置相對于記錄介質(zhì)高達約1，2m/s的線性速度時，產(chǎn)生 54，4/2 μ m = 27 μ m的導(dǎo)向標記優(yōu)選的平均長度L。已調(diào)制磁道振蕩頻率士 IkHz的常見頻 移通過適當(dāng)改變導(dǎo)向標記的長度(士 AL = 1，22μπι)實現(xiàn)。此外，副磁道結(jié)構(gòu)2具有介于朝向主機裝置的基本為平面的表面的法線與副磁道結(jié)構(gòu)的基本上與磁道方向平行分布的斷面之間的坡口界面角度，優(yōu)選為10-40°，進一步優(yōu) 選為25°。如圖18所示，副磁道結(jié)構(gòu)也可以僅在主磁道結(jié)構(gòu)的一面上構(gòu)成。圖19作為俯視圖(圖19(a))示出副磁道結(jié)構(gòu)2的示意圖以及主機裝置的磁道結(jié) 構(gòu)縱剖面的四個實施例(結(jié)構(gòu)斷面圖19 (b)、19 (c)、19 (d)、19 (e))。圖19(b)示出副磁道結(jié)構(gòu)2的一部分結(jié)構(gòu)斷面，其中具有三個導(dǎo)向標記，也就是凹 陷部?；旧显诖诺婪较蛏舷拗瓢枷莶康臄嗝?與主機裝置的基本為平面的表面垂直。由 這些導(dǎo)向標記在掃描副磁道時反射的光束在副磁道光電二極管E、F或G、H中產(chǎn)生基本為矩 形的輸出電壓，例如用于磁道導(dǎo)向進一步處理?；緸榫匦蔚男盘柕娜秉c是，與正弦形信號 相比增加了諧振的數(shù)量，由此提高信號(取決于頻率的)帶寬。圖19(c)示出副磁道結(jié)構(gòu)的一部分結(jié)構(gòu)斷面，其中具有三個導(dǎo)向標記，也就是凹 陷部。基本上在磁道方向上限制凹陷部并且直線分布的斷面8與主機裝置的基本為平面的 表面的法線閉合成坡口界面角度，優(yōu)選為包括最好10° -40°之間，進一步優(yōu)選20° -30° 之間。斜面的斷面在探測方面提供的優(yōu)點是，副磁道光電二極管E、F或G的輸出信號同樣 具有平面的信號斷面，由此(與陡峭信號斷面的矩形輸出信號相比)出現(xiàn)較少的諧振，從而 減少信號的帶寬。圖19(d)示出副磁道結(jié)構(gòu)的一部分結(jié)構(gòu)斷面，其中具有三個導(dǎo)向標記，也就是凹 陷部。基本上在磁道方向上限制凹陷部的斷面8不是直線，而是如圖所示凹面分布。但在 一種可選擇的構(gòu)成中，斷面也可以為凸面結(jié)構(gòu)。圖19(e)示出副磁道結(jié)構(gòu)的一部分結(jié)構(gòu)斷面，其中具有三個導(dǎo)向標記，也就是凹 陷部?；旧显诖诺婪较蛏舷拗瓢枷莶康臄嗝?在此方面持續(xù)不斷將主機裝置的第一表面 單元5與主機裝置的第二表面單元6連接。在適當(dāng)構(gòu)成斷面的情況下，副磁道光電二極管 E、F或G、H上產(chǎn)生基本為正弦形的輸出信號，將基本為正弦形的輸出信號轉(zhuǎn)換為盡可能無 諧振的磁道導(dǎo)向信號。由此進一步減少該信號所需的帶寬。圖20示出依據(jù)本發(fā)明用于在主機裝置16上產(chǎn)生主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2的 裝置的實施例。例如具有激光器的第一單色光源11產(chǎn)生第一波長大致相當(dāng)于主磁道結(jié)構(gòu)1 寬度的第一光束。利用主磁道發(fā)生器18可以這樣調(diào)整第一光束的強度，使主機裝置16的 表面上具有的光刻膠為產(chǎn)生主磁道結(jié)構(gòu)1預(yù)先確定的幾何形狀適當(dāng)曝光。主磁道發(fā)生器18也可以通過直接的數(shù)字激光控制裝置產(chǎn)生凹坑結(jié)構(gòu)，也就是基 本上點狀的表面變化便可以利用光電射線轉(zhuǎn)向器13為產(chǎn)生磁道擺動提供模擬信號。光刻膠的厚度最好相當(dāng)于所要產(chǎn)生的主磁道結(jié)構(gòu)1的深度。所需的射線幾何形狀 借助射線轉(zhuǎn)向器13和可移動的物鏡透鏡以這種方式產(chǎn)生，即主機裝置16表面上第一光束 的光點寬度大致與主磁道結(jié)構(gòu)1的寬度相配合。在曝光過程期間，主機裝置適當(dāng)?shù)嘏c第一光束的焦點平面平行移動，從而光刻膠 上的光點描繪出所要求的螺旋形或者同心圓形的主磁道結(jié)構(gòu)1。為考慮主機裝置16可能的 不平度，可移動的物鏡透鏡15借助焦點控制單元連續(xù)再調(diào)整以取得相同形狀的光點。同樣具有激光器的第二單色光源12產(chǎn)生第二波長大致相當(dāng)于副磁道結(jié)構(gòu)2寬度 的第二光束。第二光束12可以利用副磁道發(fā)生器19在強度上這樣改變，使主機裝置16表 面上的光刻膠為產(chǎn)生副磁道結(jié)構(gòu)2預(yù)先確定的幾何形狀適當(dāng)曝光。通過利用副磁道結(jié)構(gòu)格式器19的交流信號接通和斷開激光器，輔助信息存入副磁道結(jié)構(gòu)2內(nèi)。在此方面，副磁道結(jié)構(gòu)2的深度相對于主磁道結(jié)構(gòu)1的深度減少，其中第二光束12 的光強選擇小于第一光束11的光強。副磁道的深度和/或者寬度也可以連續(xù)改變，從而高度斷面例如像圖19(e)中所 示。為此激光器可以由副磁道結(jié)構(gòu)格式器19利用重疊恒定功率的適當(dāng)交流信號控制。借助射線轉(zhuǎn)向器14和投影鏡組15，在主機裝置16的表面上可以產(chǎn)生第二光束12 的光點，光點的直徑大致相當(dāng)于副磁道結(jié)構(gòu)2的寬度。如果射線轉(zhuǎn)向器14附加利用交流信 號控制，那么兩個副磁道結(jié)構(gòu)2可與主磁道結(jié)構(gòu)1對稱寫入。鏡面單元可以使光束11和12中心重疊。第二光束12的光點與第一光束11的光 點在主機裝置的背面上的徑向距離相當(dāng)于副磁道結(jié)構(gòu)2對稱線與主磁道結(jié)構(gòu)1對稱線的徑 向距離。這種距離可以通過設(shè)置直流電壓補償在光電射線轉(zhuǎn)向器14上調(diào)整。此外，用于在主機裝置16上產(chǎn)生主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2的裝置還具有控制 計算機20，該控制計算機20控制主磁道結(jié)構(gòu)格式器18、副磁道結(jié)構(gòu)格式器19和上面放置 主機裝置16的至少一個轉(zhuǎn)盤17。圖21示出依據(jù)本發(fā)明用于在主機裝置16上產(chǎn)生主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2的 另一裝置。兩個單色光源11和12產(chǎn)生各自一個光束，它們利用例如具有鏡面和射線集中 裝置的射線導(dǎo)向裝置，通過透鏡15導(dǎo)向主機裝置的表面方向。圖22示出中心光電二極管A、B、C、D以及副磁道的光電二極管E、F或G、H的一種 設(shè)置，正如在市場上常見的讀取裝置上可以看到的那樣。光電二極管與中心線M對稱設(shè)置。 所包含的箭頭示出磁道的分布方向。副磁道二極管通過探測器或者聚焦裝置的控制裝置的 數(shù)學(xué)連接，可以使副磁道結(jié)構(gòu)僅在主磁道結(jié)構(gòu)的一面上構(gòu)成。圖23示出依據(jù)本發(fā)明用于在主機裝置上產(chǎn)生主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2的另 一裝置。作為對圖20中其他方面相同的裝置的補充，兩個光束在主機上調(diào)整的激光焦點通 過從存在的光程中輸出耦合投影到第一測量攝像機和第二測量攝像機上。第二測量攝像機 從中導(dǎo)出的圖像信息輸送到控制計算機20和圖像處理單元30。在圖像處理單元30內(nèi)計算 激光焦點在主機上的位置。因此測定用于控制光電轉(zhuǎn)向器14的距離的尺寸。由此可以在 線控制副磁道與主磁道的距離和需要時連續(xù)再調(diào)整。圖24示出依據(jù)本發(fā)明用于在主機裝置上產(chǎn)生主磁道結(jié)構(gòu)1和副磁道結(jié)構(gòu)2的另 一裝置。與圖23的裝置相比，僅使用一個測量攝像機，其圖像信息既輸送到控制計算機20， 也輸送到圖像處理單元30以進一步處理。
權(quán)利要求
主機裝置，可以在用于制造記錄介質(zhì)的方法中使用，其中，主機裝置為構(gòu)成一個基本上螺旋形或者同心分布的主磁道結(jié)構(gòu)和至少一個基本上螺旋形或者同心分布的副磁道結(jié)構(gòu)，其中，副磁道結(jié)構(gòu)至少設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)的一面上，且副磁道結(jié)構(gòu)具有斷路，其這樣改變記錄介質(zhì)可光學(xué)檢測的表面結(jié)構(gòu)，使記錄介質(zhì)上投影至少一個第一輔助信息。
2.按權(quán)利要求1所述的主機裝置，其特征在于，記錄介質(zhì)具有預(yù)先規(guī)定的表面水平面， 并且可光學(xué)檢測的特性是一種表面水平面基本上設(shè)置在磁道方向上的兩個斷路之間的偏 差。
3.按權(quán)利要求1或2所述的主機裝置，其特征在于，在記錄介質(zhì)上可光學(xué)檢測的特性是 一種表面水平面基本上設(shè)置在磁道方向上的兩個斷路之間的基本為點狀的偏差。
4.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，表面水平面的偏差是一種 凹陷部。
5.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，表面水平面的偏差是一種 凸起部。
6.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，主磁道結(jié)構(gòu)至少分段，但特 別是貫通在磁道方向上設(shè)置為基本上均勻的表面結(jié)構(gòu)。
7.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，主磁道結(jié)構(gòu)具有斷路。
8.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，副磁道結(jié)構(gòu)具有一種表面 結(jié)構(gòu)，其這樣改變記錄介質(zhì)副磁道結(jié)構(gòu)可光學(xué)檢測的表面結(jié)構(gòu)，使記錄介質(zhì)上投影第二輔 助信息。
9.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，主磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置為無磁道 調(diào)制。
10.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，主磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置具有磁道 調(diào)制。
11.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，磁道調(diào)制為基本為正弦形 的徑向磁道調(diào)制。
12.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，磁道調(diào)制為單頻的磁道調(diào)制。
13.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，磁道調(diào)制為磁道寬度調(diào)制。
14.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，磁道調(diào)制顯示其他輔助信肩、ο
15.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，副磁道結(jié)構(gòu)設(shè)置為與主磁 道結(jié)構(gòu)的幾何形狀中心保持基本不變的距離。
16.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，副磁道結(jié)構(gòu)僅設(shè)置在主磁 道結(jié)構(gòu)的一面上。
17.按前述權(quán)利要求至少之一所述的主機裝置，其特征在于，副磁道結(jié)構(gòu)具有可變的高 度和/或者深度。
18.記錄介質(zhì)，通過在使用按權(quán)利要求1-16至少之一所述的主機裝置情況下獲得。
19.裝置，用于制造特別是按權(quán)利要求1-16至少之一所述的主機裝置，具有-第一光學(xué)裝置，用于主磁道結(jié)構(gòu)借助第一光束在主載體上的記錄主磁道結(jié)構(gòu)， -由第一光束⑴穿透的光電射線轉(zhuǎn)向器⑶，以及-第二光學(xué)裝置，用于副磁道結(jié)構(gòu)借助第二光束(2)在主載體上的記錄，其中， -第二光束(2)穿透第二光電射線轉(zhuǎn)向器(4)，后者借助所輸送的控制信號調(diào)整主磁道 結(jié)構(gòu)和副磁道結(jié)構(gòu)的中心之間基本相同的徑向距離，以及-副磁道結(jié)構(gòu)發(fā)生器(9)，至少根據(jù)第一和/或者第二輔助信息控制第二光束(2)， -至少一個測量攝像機，設(shè)置為主機上調(diào)整的兩個單色光束的激光焦點投影到所述至 少一個測量社降級上，-至少一個圖像處理單元，其基本上從至少一個測量攝像機的圖像信息中計算出主和 副磁道結(jié)構(gòu)的激光焦點在主機上的位置。
20.按權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，借助光電射線轉(zhuǎn)向器(3)實施第一光束 (1)的軌寬調(diào)制。
21.按權(quán)利要求18或19所述的裝置，其特征在于，第一光束(1)借助主磁道發(fā)生器(8) 控制。
22.按權(quán)利要求18-20至少之一所述的裝置，其特征在于，主磁道發(fā)生器(8)輸出直流 信號和交流信號以控制第一光束(1)。
23.按權(quán)利要求18-21至少之一所述的裝置，其特征在于，主磁道發(fā)生器(8)輸出模擬 信號以控制光電射線轉(zhuǎn)向器(3)。
24.按權(quán)利要求18-22至少之一所述的裝置，其特征在于，第二光束(2)借助副磁道發(fā) 生器(9)控制。
25.按權(quán)利要求18-23至少之一所述的裝置，其特征在于，副磁道發(fā)生器(9)輸出直流 信號和交流信號以控制第二光束(2)。
26.按權(quán)利要求18-24至少之一所述的裝置，其特征在于，副磁道發(fā)生器(9)輸出直流 電壓信號和交流電壓信號以控制第二光電射線轉(zhuǎn)向器(4)。
27.按權(quán)利要求18-25至少之一所述的裝置，其特征在于，輸送到第二射線轉(zhuǎn)向器(4) 的控制信號為含有直流部分的電壓信號。
28.按權(quán)利要求18-26至少之一所述的裝置，其特征在于，由主磁道發(fā)生器(8)用于控 制光電射線轉(zhuǎn)向器(3)輸出的模擬信號輸送到光電射線轉(zhuǎn)向器(4)。
29.裝置，用于在使用按權(quán)利要求1-16至少之一所述的主機裝置情況下制造記錄介質(zhì)。
30.方法，用于制造按權(quán)利要求1-16至少之一所述的主機裝置，具有以下步驟 具有主磁道結(jié)構(gòu)的主載體借助第一光束(1)曝光，其中，主載體的表面具有光刻膠， 具有副磁道結(jié)構(gòu)的主載體借助第二光束(2)曝光，沖洗曝光的光刻膠， 從主載體去除未曝光的光刻膠， 在主載體上涂覆第一金屬層，以及 在主載體上涂覆第二金屬層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種主機裝置，可以在用于制造記錄介質(zhì)的方法中使用，其中，主機裝置上設(shè)置一個基本為螺旋形或者同心分布的主磁道結(jié)構(gòu)和至少一個基本為螺旋形或者同心分布的副磁道結(jié)構(gòu)，其中，副磁道結(jié)構(gòu)至少設(shè)置在主磁道結(jié)構(gòu)的一面上，以及副磁道結(jié)構(gòu)具有斷路，該斷路這樣變化記錄介質(zhì)可光學(xué)檢測的表面結(jié)構(gòu)，從而記錄介質(zhì)上投影至少一個第一輔助信息。
文檔編號G11B7/24082GK101802914SQ200880019171
公開日2010年8月11日 申請日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月6日
發(fā)明者佩特拉·容克, 岡特·伯埃利赫, ?？斯亍たǖ吕? 沃爾夫哈特·博辛 申請人:麥沃姆&博辛地產(chǎn)有限公司