專利名稱：電源開通階段讀取非易失性存儲(chǔ)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種讀取非易失性存儲(chǔ)器的方法，特別是關(guān)于一種 在電源開通階段讀取非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器為 一種將電源關(guān)掉也能繼續(xù)保存所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半
導(dǎo)體元件。非易失性存儲(chǔ)器包括掩膜只讀存儲(chǔ)器(MaskROM)、可編程 只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)或電性可擦除 可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)。閃存(Flash memory)可視為電性可擦除 可編程只讀存儲(chǔ)器的一種。
非易失性存儲(chǔ)器的控制器可參考一參考電壓，例如， 一帶隙參考 電壓，以在一字線中產(chǎn)生一控制信號(hào)的電平，來對(duì)非易失性存儲(chǔ)器實(shí) 施編程、擦除、驗(yàn)證或讀取的操作。帶隙參考電壓為一與溫度無關(guān)的 參考電壓，例如，其電壓大小在1.25伏特附近。
由于工藝與不同的芯片皆會(huì)使帶隙參考電壓產(chǎn)生變異，故在晶圓 分類的階段需要修正帶隙參考電壓。 一種修正方法為利用一參考緩存 器以選擇適合的修正碼，使得帶隙參考電壓為正確。
由于非易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是根據(jù)帶隙參考電壓而加以編程、 擦除、驗(yàn)證或讀?。灰虼?，在讀取操作時(shí)，設(shè)置所要感測(cè)存儲(chǔ)單元所 對(duì)應(yīng)字線的操作電壓，使所要感測(cè)存儲(chǔ)單元是在編程與擦除狀態(tài)的中 間，如此，即可達(dá)成可靠的讀取操作。
在電源開通階段讀取一非易失性存儲(chǔ)器的一先前技術(shù)揭露于美國(guó) 專利公開案US20070081377A1中，本技術(shù)將保險(xiǎn)絲存儲(chǔ)器分割為三個(gè)
區(qū)域存儲(chǔ)器，而其中第二區(qū)域存儲(chǔ)器儲(chǔ)存有組態(tài)信息；依序讀取三個(gè) 區(qū)域存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)，并個(gè)別與預(yù)先加載的三個(gè)對(duì)應(yīng)的備份數(shù)據(jù)作比 對(duì)以實(shí)施驗(yàn)證。然而，利用保險(xiǎn)絲存儲(chǔ)器儲(chǔ)存組態(tài)信息，并在電源幵通階段驗(yàn)證 所讀取數(shù)據(jù)的正確性，需要額外增加保險(xiǎn)絲存儲(chǔ)器與控制電路，造成 體積與復(fù)雜性增大。
請(qǐng)參閱圖l，其為習(xí)用非易失性存儲(chǔ)器在電源開通階段的電源電壓 隨著時(shí)間的變化圖。如圖1所示，從電源電壓剛施加至非易失性存儲(chǔ) 器至電源電壓到達(dá)電源開通復(fù)位完成電壓的電壓范圍，對(duì)應(yīng)于電源開 通復(fù)位階段；在經(jīng)過電源開通復(fù)位階段后，電源電壓依然在上升中， 且電壓在上升過程中也許有不穩(wěn)定的變動(dòng)現(xiàn)象。
為了加速加載非易失性存儲(chǔ)器中已預(yù)先編程好的組態(tài)信息到信息 緩存器中，于是在電源電壓開始超過電源開通復(fù)位完成電壓后，就開 始讀取非易失性存儲(chǔ)器中的組態(tài)信息并加以驗(yàn)證，以便存入信息緩存 器中。由于電源電壓的上升與擾動(dòng)現(xiàn)象，所讀取的組態(tài)信息會(huì)有錯(cuò)誤 的潛在風(fēng)險(xiǎn)。
請(qǐng)參閱圖2，其為習(xí)用非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的讀取操作示意方塊 圖。在圖2中，非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)30包括一非易失性存儲(chǔ)器31、 一 參考電壓產(chǎn)生器32及一存儲(chǔ)器控制器33。非易失性存儲(chǔ)器31中儲(chǔ)存 數(shù)據(jù)311，例如，其為組態(tài)信息。
參考電壓產(chǎn)生器32包括儲(chǔ)存一修正碼3211的一參考緩存器321 ， 其中修正碼3211預(yù)設(shè)為一內(nèi)定值；參考電壓產(chǎn)生器32依據(jù)內(nèi)定值產(chǎn) 生一參考電壓VREF，并將其提供給存儲(chǔ)器控制器33。常用的參考電壓 產(chǎn)生器32為一帶隙參考電壓產(chǎn)生器，其所產(chǎn)生的參考電壓為一帶隙參 考電壓。
存儲(chǔ)器控制器33接收參考電壓Vref，并通過參考電壓Vref壞取 非易失性存儲(chǔ)器31中的數(shù)據(jù)311，以獲得讀取結(jié)果331。
請(qǐng)參閱圖3，其為習(xí)用電源開通階段讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù) 的示意流程圖。所要讀取的該數(shù)據(jù)為儲(chǔ)存于，例如， 一閃存陣列中的 組態(tài)信息；而一參考電壓產(chǎn)生器中的一參考緩存器已預(yù)先存有一 內(nèi)定 值。在步驟402中，當(dāng)一電源開始接通時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器所施加一 電源電壓從零開始上升，同時(shí)進(jìn)入電源開通復(fù)位階段；當(dāng)電源電壓開 始超過一電源開通復(fù)位完成電壓時(shí)，電源開通復(fù)位階段結(jié)束，且電源
5開通階段的存儲(chǔ)器讀取開始。
在步驟404中，參考電壓產(chǎn)生器根據(jù)內(nèi)定值產(chǎn)生一參考電壓，并 將其提供給一存儲(chǔ)器控制器。在讀取過程中，以地址為順序讀取非易
失性存儲(chǔ)器中的該數(shù)據(jù)，此處設(shè)定一目前地址編號(hào)ADDR,其為可變 的；而共有Q個(gè)地址中的該數(shù)據(jù)需要讀取，且從地址O(ADDR-O)開始 依序讀取。所讀取的該數(shù)據(jù)需要驗(yàn)證其正確性，而其中一種驗(yàn)證的方 法是先將該Q個(gè)地址中的該數(shù)據(jù)另存于非易失性存儲(chǔ)器中的Q個(gè)對(duì)應(yīng) 地址而成為備份數(shù)據(jù)，且設(shè)定該數(shù)據(jù)與所對(duì)應(yīng)的該備份數(shù)據(jù)之間對(duì)應(yīng) 有相反的位電平。另外，設(shè)定一成功次數(shù)PCNT，其為可變的且表示目 前成功讀取的次數(shù)，并預(yù)設(shè)為O。
在步驟406中，存儲(chǔ)器控制器通過參考電壓讀取該Q個(gè)地址中對(duì) 應(yīng)于目前地址的一第一子數(shù)據(jù)，且獲得一第一讀取結(jié)果，其中第一子 數(shù)據(jù)為非易失性存儲(chǔ)器中該數(shù)據(jù)的一個(gè)。同理接著，存儲(chǔ)器控制器在 非易失性存儲(chǔ)器中的一對(duì)應(yīng)地址通過參考電壓讀取該備份數(shù)據(jù)中的一 第一子備份數(shù)據(jù)，且獲得一第二讀取結(jié)果，其中第一子備份數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng) 于第一子數(shù)據(jù)。
在步驟408中，比較第一讀取結(jié)果與第二讀取結(jié)果；當(dāng)?shù)谝蛔x取
結(jié)果與第二讀取結(jié)果為互補(bǔ)時(shí)，所得的驗(yàn)證結(jié)果為真；當(dāng)?shù)谝蛔x取結(jié) 果與第二讀取結(jié)果不是互補(bǔ)時(shí)，結(jié)果為假。當(dāng)驗(yàn)證結(jié)果為真時(shí)，進(jìn)入 步驟410;當(dāng)驗(yàn)證結(jié)果為假時(shí)，回到步驟406。
在步驟410中，將成功次數(shù)PCNT加1，以成為一新成功次數(shù)，且
將新成功次數(shù)再存為成功次數(shù)PCNT。
在步驟412中，檢査成功次數(shù)PCNT是否達(dá)到一預(yù)定次數(shù)P，其
中預(yù)定次數(shù)P表示該資料中的每一子數(shù)據(jù)所欲的成功讀取次數(shù)；當(dāng)成 功次數(shù)PCNT等于P時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)P為真，于是進(jìn)入步驟414; 當(dāng)成功次數(shù)PCNT小于P時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)P為假，于是回到步驟406。
在步驟414中，將該數(shù)據(jù)中驗(yàn)證結(jié)果為真實(shí)的正確讀取結(jié)果寫入 一信息緩存器；其中一種信息緩存器為一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
在步驟416中，檢查下一地址是否超過所要讀取的地址；當(dāng)目前 地址編號(hào)ADDR等于P時(shí)，超過所要讀取的地址為真，于是進(jìn)入步驟420;當(dāng)目前地址編號(hào)ADDR小于P時(shí)，超過所要讀取的地址為假， 于是進(jìn)入步驟418。
在步驟418中，將目前地址編號(hào)ADDR加1，以成為一新目前地 址編號(hào)，且將新目前地址編號(hào)再存為目前地址編號(hào)ADDR;再者，將 成功次數(shù)PCNT重設(shè)為0且回到步驟406。
在步驟420中，將信息緩存器中已暫存的數(shù)據(jù)傳送至需要數(shù)據(jù)的 一周邊裝置。
在上述的讀取流程中，為了保證所讀出的數(shù)據(jù)為正確，而設(shè)有步 驟406、步驟408、步驟410與步驟412的一錯(cuò)誤位檢査階段，以確保
所讀取的組態(tài)信息為可靠。
無論如何，由于參考緩存器中的內(nèi)定值并非最終的修正碼，此未 修正的帶隙參考電壓可能偏離目標(biāo)值(例如1.25汰多，導(dǎo)致在電源電壓 到達(dá)最終的穩(wěn)定電平時(shí)，錯(cuò)誤位檢查階段可能還沒有結(jié)束。
因此，需要提供一個(gè)電源開通階段能準(zhǔn)確地讀取非易失性存儲(chǔ)器 中組態(tài)信息的方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的為提出一種讀取一非易失性存儲(chǔ)器 中數(shù)據(jù)的方法，用以達(dá)成電源開通階段有效與準(zhǔn)確地讀取非易失性存 儲(chǔ)器中組態(tài)信息的功效。
本發(fā)明的一構(gòu)想為提出一種讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的方
法，包括下列步驟通過一參考電壓讀取該數(shù)據(jù)；當(dāng)該讀取步驟具有 一失敗結(jié)果時(shí)，計(jì)算一失敗次數(shù)；及，當(dāng)失敗次數(shù)達(dá)到一第一預(yù)定次 數(shù)時(shí)，調(diào)整參考電壓。
本發(fā)明的另一構(gòu)想為提出一種讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的方 法，包括下列步驟通過一參考電壓讀取該數(shù)據(jù)；及，當(dāng)該讀取步驟 具有一失敗結(jié)果時(shí)，調(diào)整參考電壓。


圖1為習(xí)用非易失性存儲(chǔ)器在電源開通階段的電源電壓隨著時(shí)間的變化圖2為習(xí)用非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的讀取操作示意方塊圖3為習(xí)用電源開通階段讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的示意流
程圖4為本發(fā)明提供的讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的第一示意流 程圖5為本發(fā)明提供的讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的第二示意流 程圖；及
圖6為本發(fā)明提供的讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的第三示意流 程圖。
主要元件符號(hào)說明
30:非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)
311:數(shù)據(jù)
321:參考緩存器
33:存儲(chǔ)器控制器
VREF:參考電壓 ADDR:目前地址編號(hào)
PCNT:成功次數(shù) P、 E:預(yù)定次數(shù)
D1A、 D1B、 D2A、 D2B:
31:非易失性存儲(chǔ)器 32:參考電壓產(chǎn)生器 3211:修正碼 331:讀取結(jié)果
Q:地址總數(shù)
ECNT:失敗次數(shù) BCODE:數(shù)碼
結(jié)果
具體實(shí)施例方式
為了敘述清楚本發(fā)明提供的的方法，下面列舉數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例加 以說明。
請(qǐng)參閱圖4，其為本發(fā)明提供的讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的第 一示意流程圖。在步驟502中，適用于開始讀取的情況有兩種；第一 種情況是在一電源開通階段，也就是說，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器所施加的 一電源電壓超過一電源開通復(fù)位完成電壓時(shí)，讀取該數(shù)據(jù)的流程開始; 第二種情況是在一穩(wěn)定狀態(tài)，也就是說，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器所施加的電源電壓是正常且穩(wěn)定時(shí)，讀取該數(shù)據(jù)的流程開始。
在步驟504中，設(shè)定一失敗次數(shù)ECNT，其為可變的且表示目前 失敗讀取的次數(shù)，并預(yù)設(shè)為O。
在步驟506中，通過一第一參考電壓讀取非易失性存儲(chǔ)器中的該 數(shù)據(jù)，所讀取的該數(shù)據(jù)，例如，為組態(tài)信息；而該第一參考電壓，例 如，為與溫度無關(guān)的一帶隙參考電壓。將所讀取的該數(shù)據(jù)加以驗(yàn)證且 獲得一驗(yàn)證結(jié)果。
在步驟508中，檢查驗(yàn)證結(jié)果；當(dāng)驗(yàn)證結(jié)果為假時(shí)，步驟506具 有一失敗結(jié)果，于是進(jìn)入步驟510。
在步驟510中，計(jì)算失敗次數(shù)ECNT，也就是說，將失敗次數(shù)ECNT 加1，以成為一新失敗次數(shù)，且將新失敗次數(shù)再存為失敗次數(shù)ECNT。
在步驟512中，檢查失敗次數(shù)ECNT是否達(dá)到一預(yù)定次數(shù)E;當(dāng) 失敗次數(shù)ECNT等于E時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)E為真，于是進(jìn)入步驟514; 當(dāng)失敗次數(shù)ECNT小于E時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)E為假，于是回到步驟506。
在步驟514中，調(diào)整第一參考電壓為一第二參考電壓。
在步驟516中，將失敗次數(shù)ECNT重設(shè)為0且回到步驟506。
請(qǐng)參閱圖5，其為本發(fā)明提供的讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的第 二示意流程圖。在步驟602中，適用于開始讀取的情況有兩種；第一 種情況是在一電源開通階段，也就是說，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器所施加的 一電源電壓超過一電源開通復(fù)位完成電壓時(shí)，讀取該數(shù)據(jù)的流程開始； 第二種情況是在一穩(wěn)定狀態(tài)，也就是說，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器所施加的 電源電壓是正常且穩(wěn)定時(shí)，讀取該數(shù)據(jù)的流程開始。
在步驟604中，通過一第一參考電壓讀取非易失性存儲(chǔ)器中的該
數(shù)據(jù)；將所讀取的該數(shù)據(jù)加以驗(yàn)證且獲得一驗(yàn)證結(jié)果。
在步驟606中，檢查驗(yàn)證結(jié)果；當(dāng)驗(yàn)證結(jié)果為假時(shí)，步驟604具
有一失敗結(jié)果，于是進(jìn)入步驟608。
在步驟608中，調(diào)整第一參考電壓為一第二參考電壓；接著，回
到步驟604。
請(qǐng)參閱圖6，其為本發(fā)明提供的讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的第 三示意流程圖。在步驟702中，適用于開始讀取的情況有兩種；第一
9種情況是在一電源開通階段，也就是說，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器所施加的 一電源電壓超過一 電源開通復(fù)位完成電壓時(shí)，讀取該數(shù)據(jù)的流程開始； 第二種情況是在一穩(wěn)定狀態(tài)，也就是說，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器所施加的 電源電壓是正常且穩(wěn)定時(shí)，讀取該數(shù)據(jù)的流程開始。
在步驟704中，在一參考電壓產(chǎn)生器中的一參考緩存器中的一數(shù)
碼BCODE是可調(diào)整的且具有一內(nèi)定值0;參考電壓產(chǎn)生器根據(jù)數(shù)碼 BCODE產(chǎn)生一參考電壓，并將其提供給一存儲(chǔ)器控制器。在讀取過程 中，以地址為順序讀取非易失性存儲(chǔ)器中的該數(shù)據(jù)，此處設(shè)定一目前 地址編號(hào)ADDR，其為可變的；而共有Q個(gè)地址中的該數(shù)據(jù)需要讀取， 且從地址0(ADDI^O)開始依序讀取。所讀取的該數(shù)據(jù)需要驗(yàn)證其正確 性，而其中一種驗(yàn)證的方法是先將該Q個(gè)地址中的該數(shù)據(jù)另存于非易 失性存儲(chǔ)器中的Q個(gè)對(duì)應(yīng)地址而成為備份數(shù)據(jù)，且設(shè)定該數(shù)據(jù)與所對(duì) 應(yīng)的該備份數(shù)據(jù)之間對(duì)應(yīng)有相及的位電平。另外，設(shè)定一成功次數(shù) PCNT，其為可變的且表示目前成功讀取的次數(shù)，并預(yù)設(shè)為O;設(shè)定一 失敗次數(shù)ECNT，其為可變的且表示目前失敗讀取的次數(shù)，并預(yù)設(shè)為0。 在步驟706中，存儲(chǔ)器控制器通過參考電壓讀取該Q個(gè)地址中對(duì) 應(yīng)于目前地址的一第一子數(shù)據(jù)，且獲得一第一讀取結(jié)果D1A，其中第 一子數(shù)據(jù)為非易失性存儲(chǔ)器中該數(shù)據(jù)的一個(gè)。同理接著，存儲(chǔ)器控制 器在非易失性存儲(chǔ)器中的一對(duì)應(yīng)地址通過參考電壓讀取該備份數(shù)據(jù)中 的一第一子備份數(shù)據(jù)，且獲得一第二讀取結(jié)果D1B,其中第一子備份
資料對(duì)應(yīng)于第一子數(shù)據(jù)。
在步驟708中，比較第一讀取結(jié)果D1A與第二讀取結(jié)果D1B;當(dāng)
第一讀取結(jié)果D1A與第二讀取結(jié)果D1B為互補(bǔ)時(shí)，所得的驗(yàn)證結(jié)果 為真；當(dāng)?shù)谝蛔x取結(jié)果D1A與第二讀取結(jié)果D1B不是互補(bǔ)時(shí)，結(jié)果 為假。當(dāng)驗(yàn)證結(jié)果為真時(shí)，進(jìn)入步驟718;當(dāng)驗(yàn)證結(jié)果為假時(shí)，進(jìn)入步 驟710。
在步驟710中，將失敗次數(shù)ECNT加1，以成為一新失敗次數(shù)， 且將新失敗次數(shù)再存為失敗次數(shù)ECNT。
在步驟712中，檢查失敗次數(shù)ECNT是否達(dá)到一預(yù)定次數(shù)E，其 中預(yù)定次數(shù)E表示該數(shù)據(jù)中的每一子數(shù)據(jù)失敗讀取的臨界次數(shù)；當(dāng)失
10敗次數(shù)ECNT等于E時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)E為真，于是進(jìn)入步驟714; 當(dāng)失敗次數(shù)ECNT小于E時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)E為假，于是回到步驟706。 在步驟714中，將數(shù)碼BCODE加l，以成為一調(diào)整值，且將調(diào)整 值再存為數(shù)碼BCODE。參考電壓產(chǎn)生器根據(jù)數(shù)碼BCODE產(chǎn)生一新參 考電壓，并將其提供給存儲(chǔ)器控制器，且將新參考電壓改名為參考電 壓。
在步驟716中，將成功次數(shù)PCNT重設(shè)為0且將失敗次數(shù)ECNT 重設(shè)為0;接著，回到步驟706。
在步驟718中，將成功次數(shù)PCNT加1，以成為一新成功次數(shù)，且 將新成功次數(shù)再存為成功次數(shù)PCNT。
在步驟720中，檢查成功次數(shù)PCNT是否達(dá)到一預(yù)定次數(shù)P，其
中預(yù)定次數(shù)P表示該資料中的每一子數(shù)據(jù)所欲的成功讀取次數(shù)；當(dāng)成 功次數(shù)PCNT等于P時(shí)，達(dá)到預(yù)定次數(shù)P為真，于是進(jìn)入步驟722， 其中預(yù)定次數(shù)P不小于預(yù)定次數(shù)E;當(dāng)成功次數(shù)PCNT小于P時(shí)，達(dá) 到預(yù)定次數(shù)P為假，于是回到步驟706。
當(dāng)成功次數(shù)PCNT小于P且再次于步驟706中，存儲(chǔ)器控制器通 過參考電壓讀取該Q個(gè)地址中對(duì)應(yīng)于目前地址的第一子數(shù)據(jù)，且獲得 一第三讀取結(jié)果D2A;同理接著，存儲(chǔ)器控制器在非易失性存儲(chǔ)器中 的對(duì)應(yīng)地址通過參考電壓讀取該備份數(shù)據(jù)中的第一子備份數(shù)據(jù)，且獲 得一第四讀取結(jié)果D2B。
在步驟722中，將該數(shù)據(jù)中驗(yàn)證結(jié)果為真實(shí)的正確讀取結(jié)果寫入 一信息緩存器。
在步驟724中，檢査下一地址是否超過所要讀取的地址；當(dāng)目前 地址編號(hào)ADDR等于P時(shí)，超過所要讀取的地址為真，于是進(jìn)入步驟 728;當(dāng)目前地址編號(hào)ADDR小于P時(shí)，超過所要讀取的地址為假， 于是進(jìn)入步驟726。
在步驟726中，將目前地址編號(hào)ADDR加1，以成為一新目前地 址編號(hào)，且將新目前地址編號(hào)再存為目前地址編號(hào)ADDR;再者，將 成功次數(shù)PCNT重設(shè)為0且將失敗次數(shù)ECNT重設(shè)為0;接著，回到 步驟706。在步驟728中，將信息緩存器中已暫存的數(shù)據(jù)傳送至需要數(shù)據(jù)的 一周邊裝置。
需要注意的是，以上所述者僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，舉凡熟悉 本發(fā)明技藝的人士，在爰依本發(fā)明精神所作的等效修飾或變化，皆應(yīng) 涵蓋于本發(fā)明權(quán)利要求書所限定的范圍之內(nèi)。
本發(fā)明可通過下列圖式的詳細(xì)說明，俾得更深入的了解。
權(quán)利要求
1、一種讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，包括下列步驟(a)通過一參考電壓讀取該數(shù)據(jù)；(b)當(dāng)該讀取步驟具有一失敗結(jié)果時(shí)，計(jì)算一失敗次數(shù)；及(c)當(dāng)該失敗次數(shù)達(dá)到一第一預(yù)定次數(shù)時(shí)，調(diào)整該參考電壓。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取該非易失性存儲(chǔ)器中該數(shù)據(jù)的方法， 其特征在于，其中該數(shù)據(jù)為組態(tài)信息且該讀取步驟發(fā)生于一電源開通 階段。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下列步驟(e)通過讀取該數(shù)據(jù)中的一第一子數(shù)據(jù)，獲得一第一讀取結(jié)果；①通過讀取對(duì)應(yīng)于該數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)中的一第二子數(shù)據(jù)，獲得一 第二讀取結(jié)果，其中該第二子數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于該第一子數(shù)據(jù)；(g) 通過比較該第一讀取結(jié)果與該第二讀取結(jié)果，獲得一驗(yàn)證結(jié)果， 其中當(dāng)該驗(yàn)證結(jié)果為假時(shí)，該讀取步驟具有該失敗結(jié)果；(h) 當(dāng)該驗(yàn)證結(jié)果為真時(shí)，計(jì)算一成功次數(shù)；及(i) 當(dāng)該成功次數(shù)未達(dá)到一第二預(yù)定次數(shù)時(shí)，重復(fù)讀取該第一數(shù)據(jù) 的步驟(c)、讀取該第二數(shù)據(jù)的步驟(f)、步驟(g)、步驟(h)和步驟(b)，其中該第二預(yù)定次數(shù)不小于該第一預(yù)定次數(shù)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括一步驟.-預(yù)設(shè)該數(shù)據(jù)與該備份數(shù)據(jù)之間對(duì)應(yīng)有相反的位電平，其中當(dāng)該第 一讀取結(jié)果與該第二讀取結(jié)果不是互補(bǔ)時(shí)，該第一驗(yàn)證結(jié)果為假。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中該調(diào)整步驟進(jìn) 一歩包括下列步驟根據(jù)一參考緩存器中的一內(nèi)定值，獲得該參考電壓； 當(dāng)該失敗次數(shù)達(dá)到該第一預(yù)定次數(shù)時(shí)，將該內(nèi)定值取代為一調(diào)整 值；及根據(jù)該調(diào)整值，調(diào)整該參考電壓為一新參考電壓。
6、 一種讀取一非易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，包括 下列步驟通過一參考電壓讀取該數(shù)據(jù)；及當(dāng)該讀取步驟具有一失敗結(jié)果時(shí)，調(diào)整該參考電壓。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的讀取該非易失性存儲(chǔ)器中該數(shù)據(jù)的方法， 其特征在于，其中該數(shù)據(jù)為組態(tài)信息且該讀取步驟發(fā)生于一電源開通 階段。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下列步驟(a) 通過讀取該數(shù)據(jù)中的一第一子數(shù)據(jù)，獲得一第一讀取結(jié)果；(b) 通過讀取對(duì)應(yīng)于該數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)中的一第二子數(shù)據(jù)，獲得一 第二讀取結(jié)果，其中該第二子數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于該第一子數(shù)據(jù)；(C)通過比較該第一讀取結(jié)果與該第二讀取結(jié)果，獲得一驗(yàn)證結(jié)果；(d) 當(dāng)該驗(yàn)證結(jié)果為真時(shí)，計(jì)算一成功次數(shù)；(e) 當(dāng)該驗(yàn)證結(jié)果為假時(shí)，計(jì)算一失敗次數(shù)，其中當(dāng)該失敗次數(shù)達(dá) 到一第一預(yù)定次數(shù)時(shí)，該讀取步驟具有該失敗結(jié)果；及(f) 當(dāng)該成功次數(shù)未達(dá)到一第二預(yù)定次數(shù)時(shí)，重復(fù)讀取該第一數(shù)據(jù) 的步驟(a)、讀取該第二數(shù)據(jù)的步驟(b)、步驟(c)、步驟(d)和步驟(e)，其中該第二預(yù)定次數(shù)不小于該第一預(yù)定次數(shù)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括一步驟預(yù)設(shè)該數(shù)據(jù)與該備份數(shù)據(jù)之間對(duì)應(yīng)有相反的位電平，其中當(dāng)該第 一讀取結(jié)果與該第二讀取結(jié)果不是互補(bǔ)時(shí)，該第一驗(yàn)證結(jié)果為假。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中該調(diào)整步驟進(jìn)一步包括下列步驟-根據(jù)一參考緩存器中的一內(nèi)定值，獲得該參考電壓； 當(dāng)該讀取步驟具有該失敗結(jié)果時(shí)，將該內(nèi)定值取代為一調(diào)整值；及根據(jù)該調(diào)整值，調(diào)整該參考電壓為一新參考電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電源開通階段讀取非易失性存儲(chǔ)器的方法，包括下列步驟首先，通過一參考電壓讀取該數(shù)據(jù)；接著，當(dāng)該讀取步驟具有一失敗結(jié)果時(shí)，計(jì)算一失敗次數(shù)；接著，當(dāng)失敗次數(shù)達(dá)到一預(yù)定次數(shù)時(shí)，調(diào)整參考電壓。利用本發(fā)明，能夠達(dá)成電源開通階段有效與準(zhǔn)確地讀取非易失性存儲(chǔ)器中組態(tài)信息的功效。
文檔編號(hào)G11C16/26GK101458965SQ20081013436
公開日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2008年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者林永豐 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司