專利名稱：：非易失性存儲(chǔ)器的編程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器(non-volatilememory)的操作方法，特別地，涉及一種與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法。
背景技術(shù)：
：'在各種存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，具有可進(jìn)行多次數(shù)據(jù)的存入、讀取或抹除等動(dòng)作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)的非易失性存儲(chǔ)器，已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲(chǔ)器元件。普通的非易失性存儲(chǔ)器元件，一般設(shè)計(jì)成具有堆迭式柵極(Stacked-Gate)結(jié)構(gòu)，其中包括以摻雜多晶硅制作的浮置柵極(FioatingGate)和控制柵極(ControlGate)。浮置柵極位于控制柵極和基底之間，且處于浮置狀態(tài)，沒有和任何電路相連接，而控制柵極則與字元線(WordLine)相接，此外還包括穿隧氧化層(TunnelingOxide)和柵間介電層(Inter-GateDielectricLayer)分別位于基底和浮置柵極之間以及浮置柵極和控制柵極之間。對(duì)此非易失性存儲(chǔ)器元件進(jìn)行編程或抹除操作時(shí)，分別于源極區(qū)、漏極區(qū)和控制柵極上施加適當(dāng)電壓，以使載流子注入浮置柵極中，或?qū)⑤d流子從浮置柵極中拉出。非易失性存儲(chǔ)器元件常用的載流子注入模式可分為溝道熱載流子注入效應(yīng)(ChannelHot-CarrierInjection)以及F-N穿隧(Fowler-NordheimTunneling)效應(yīng)等等，而且元件的編程與抹除操作模式隨著載流子注入與4立出的方式而改變。另一方面，目前業(yè)界較常使用的快閃存儲(chǔ)器陣列包括或非門(NOR)型陣列結(jié)構(gòu)和與非門(NAND)型陣列結(jié)構(gòu)。由于與非門(NAND)型陣列的非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)是使各存儲(chǔ)單元串接在一起，其集成度和面積利用率較或非門(NOR)型陣列的非易失性存儲(chǔ)器佳，已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在多種電子產(chǎn)品中。然而，與非門(NAND)型陣列結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)單元編程、讀取和抹除的程序較為復(fù)雜。一般而言，在與非門型(NAND)陣列結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)單元的編程操作和抹除操作都是采用溝道F-N(Fowler-Nordheim)穿隧效應(yīng)。在控制柵極與基底之間施加高電壓以利用溝道F-N(Fowler-Nordheim)穿隧效應(yīng)，使栽流子從基底穿過穿隧氧化層注入浮置柵極或從浮置柵極經(jīng)由穿隧氧化層拉出至基底中。然而，隨著元件集成度(Integrity)增加，為了提高載流子的穿隧效率并縮小元件尺寸，穿隧氧化層厚度會(huì)變得很薄，導(dǎo)致穿隧氧化層的接面擊穿電壓(BreakdownVoltage)也隨之下降。因此，使用F-N穿隧效應(yīng)編程或抹除存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)時(shí)，此穿隧氧化層將無法承受F-N穿隧所需求的高電壓，就會(huì)受到損害而產(chǎn)生漏電流的問題，降低存儲(chǔ)器的可靠度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，利用基底熱載流子效應(yīng)使載流子注入電荷儲(chǔ)存層，因所施加的操作電壓低，所以可以節(jié)省功耗，并且增進(jìn)元件可靠性。本發(fā)明提出一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，適用于與非門型存儲(chǔ)器，此存儲(chǔ)器包括第一導(dǎo)電型基底、設(shè)置于第一導(dǎo)電型基底中的第二導(dǎo)電型阱區(qū)、設(shè)置于第二導(dǎo)電型阱區(qū)上的第一導(dǎo)電型阱區(qū)、設(shè)置于第一導(dǎo)電型阱區(qū)的第二導(dǎo)電型源極區(qū)和第二導(dǎo)電型漏極區(qū)、串聯(lián)設(shè)置于第二導(dǎo)電型源極區(qū)和第二導(dǎo)電型漏極區(qū)之間的第一選擇晶體管、多個(gè)存儲(chǔ)單元和第二選擇晶體管，其中第一選擇晶體管具有第一選擇4冊(cè)極，各存儲(chǔ)單元具有電荷儲(chǔ)存層和控制柵極，第二選擇晶體管具有第二選擇柵極。此編程方法包括下列步驟在第二導(dǎo)電型阱區(qū)施加第一電壓，且于第一導(dǎo)電型阱區(qū)施加第二電壓，使得載流子由第二導(dǎo)電型阱區(qū)注入該第一導(dǎo)電型阱區(qū)；在非選擇的該些存儲(chǔ)單元的控制柵極施加第三電壓，于第一選擇柵極和第二選擇柵極施加第四電壓，其中第三電壓足以打開非選擇的存儲(chǔ)單元的溝道區(qū)，第四電壓足以打開第一選擇晶體管和第二選擇晶體管的溝道區(qū)；以及于選擇的存儲(chǔ)單元的控制柵極施加第五電壓，于第二導(dǎo)電型源極區(qū)和第二導(dǎo)電型漏極區(qū)施加第六電壓，其中第六電壓用來產(chǎn)生耗盡區(qū)(depletionregion),第五電壓足以在控制柵極與第一導(dǎo)電型阱區(qū)之間建立垂直電場(chǎng)，以利用基底熱載流子效應(yīng)使載流子加速而注入選擇的存儲(chǔ)單元的電荷儲(chǔ)存層。在本發(fā)明一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電型為P型；第二導(dǎo)電型為N型。第一電壓為0伏特，第二電壓為0.53伏特。第三電壓為3-10伏特，第四電壓為3~10伏特。第五電壓為13~19伏特，第六電壓為310伏特。而且，載流子包括電子。在本發(fā)明一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電型為N型；第二導(dǎo)電型為P型。第一電壓為O伏特，第二電壓為-0.8~-3伏特。第三電壓為-3~-10伏特，第四電壓為-3~-10伏特。第五電壓為-13~-19伏特，第六電壓為-3~-10伏特。而且，載流子包括空穴。在本發(fā)明一實(shí)施例中，電荷儲(chǔ)存層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，由于采用基底熱載流子注入效應(yīng)，將載流子注入電荷儲(chǔ)存層中，以進(jìn)行編程的操作，因此所需的操作電壓低，在控制柵極與基底之間的電場(chǎng)可以降低，可以節(jié)省功耗，提高編程的效率，提高存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度，并且能夠增進(jìn)元件的可靠性。而且，藉由在第一導(dǎo)電型阱區(qū)與第二導(dǎo)電型阱區(qū)加適當(dāng)?shù)捻樝蚱珘?，可以易于進(jìn)行存儲(chǔ)單元的編程操作。另外，由于采用基底熱載流子注入效應(yīng)，使載流子注入電荷儲(chǔ)存層的機(jī)制，編程操作受到溝道長(zhǎng)度尺寸的影響較小，因此元件尺寸縮小，還能夠增進(jìn)其電性表現(xiàn)，而有助于提高元件的集成度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。圖1示出與非門型非易失性存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖2示出N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程操作示意圖；圖3示出依照本發(fā)明的N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法所得到的閾值電壓與編程時(shí)間的關(guān)系圖；圖4示出依照本發(fā)明的N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法所得到的閾值電壓與順向偏壓的關(guān)系圖；圖5示出依照本發(fā)明的N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法所得到的閾值電壓與施加于選擇的存儲(chǔ)單元的控制柵極的電壓的關(guān)系圖。主要附圖標(biāo)記說明100:第一導(dǎo)電型基底102:第二導(dǎo)電型阱區(qū)104:第一導(dǎo)電型阱區(qū)106:第二導(dǎo)電型源極區(qū)108:第二導(dǎo)電型漏極區(qū)110:摻雜區(qū)112穿隧介電層114電荷儲(chǔ)存層116柵間介電層118控制柵極120柵介電層122、SG1、SG2:選擇柵極200基底202N型阱區(qū)204P型阱區(qū)206源極區(qū)208漏極區(qū)MlM8:存儲(chǔ)單元ST1:第一選擇晶體管ST2:第二選擇晶體管WL1WL8:字元線BL:位元線SL:源極線具體實(shí)施方式圖1示出與非門型非易失性存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1,與非門型非易失性存儲(chǔ)器例如是由第一導(dǎo)電型基底100、第二導(dǎo)電型阱區(qū)102、第一導(dǎo)電型阱區(qū)104、第二導(dǎo)電型源極區(qū)106和第二導(dǎo)電型漏極區(qū)108、第一選擇晶體管ST1、多個(gè)存儲(chǔ)單元M1-M8、第二選擇晶體管ST2所構(gòu)成。其中，若第一導(dǎo)電型為P型，則第二導(dǎo)電型為N型；若第一導(dǎo)電型為N型，則第二導(dǎo)電型為P型。第一導(dǎo)電型基底100例如是硅基底。第二導(dǎo)電型阱區(qū)102例如設(shè)置于第一導(dǎo)電型基底100中。第一導(dǎo)電型阱區(qū)104例如設(shè)置于第二導(dǎo)電型阱區(qū)102上。第二導(dǎo)電型源極區(qū)106和第二導(dǎo)電型漏極區(qū)108設(shè)置于第一導(dǎo)電型阱區(qū)104中。第一選擇晶體管ST1、多個(gè)存儲(chǔ)單元Ml~M8與第二選擇晶體管ST2例如設(shè)置在第一導(dǎo)電型基底IOO上。而且，第一選擇晶體管ST1、存儲(chǔ)單元MlM8與第二選擇晶體管ST2串聯(lián)設(shè)置于第二導(dǎo)電型源極區(qū)106與第二導(dǎo)電型漏才及區(qū)108之間。而且，在存儲(chǔ)單元Ml-M8之間的第一導(dǎo)電型基底100中、存儲(chǔ)單元Ml與第一選擇晶體管ST1之間的第一導(dǎo)電型基底100中以及存儲(chǔ)單元M8與第二選擇晶體管ST2之間的第一導(dǎo)電型基底100中分別形成有第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)IIO。第一選擇晶體管ST1、多個(gè)存儲(chǔ)單元M1~M8與第二選擇晶體管ST2例如經(jīng)由這些摻雜區(qū)110串接在一起而構(gòu)成存儲(chǔ)單元行。第二導(dǎo)電型源極區(qū)106連接至源極線SL，第二導(dǎo)電型漏極區(qū)108連接至位元線BL。各個(gè)存儲(chǔ)單元M1~M8包括穿隧介電層112、電荷^賭存層114、柵間介電層116、控制柵極118。穿隧介電層112、電荷儲(chǔ)存層114、柵間介電層116、控制柵極118例如依序堆迭于第一導(dǎo)電型基底100上。控制柵極118例如設(shè)置于第一導(dǎo)電型基底100上?？刂茤艠O118的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅、金屬或金屬硅化物等導(dǎo)體材料。各個(gè)存儲(chǔ)單元M1M8的控制柵極118分別連接相對(duì)應(yīng)的字元線WL1~WL8。電荷儲(chǔ)存層114例如設(shè)置于控制柵極118與第一導(dǎo)電型基底100之間，電荷儲(chǔ)存層114的材質(zhì)包括導(dǎo)體材料(如摻雜多晶硅等)或電荷陷入材料(如氮化硅等)。穿隧介電層112例如設(shè)置于第一導(dǎo)電型基底IOO與電荷儲(chǔ)存層U4之間。穿隧介電層112的材質(zhì)例如是氧化硅。柵間介電層116例如是設(shè)置于控制柵極118與電荷儲(chǔ)存層114之間。柵間介電層116的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或復(fù)合介電材料如氧化硅/氮化硅、氧化硅/氮化硅/氧化硅等。第一選擇晶體管ST1與第二選擇晶體管ST2包括柵介電層120及選擇柵極122。柵介電層120設(shè)置于選擇柵極122與第一導(dǎo)電型基底100之間。柵介電層120的材質(zhì)例如是氧化硅。選擇柵極122的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅、金屬或金屬硅化物等導(dǎo)體材料。上述與非門型非易失性存儲(chǔ)器可以利用基底熱載流子效應(yīng)進(jìn)行編程操作。在本實(shí)施例中，以N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器為例做說明。亦即，圖1中的第一導(dǎo)電型基底100例如是P型基底，第二導(dǎo)電型阱區(qū)102是N型阱區(qū)。第一導(dǎo)電型阱區(qū)104是P型阱區(qū)。源極區(qū)106與漏極區(qū)108以及摻雜區(qū)IIO是N型摻雜區(qū)。圖2示出N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程操作示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，當(dāng)對(duì)選定的存儲(chǔ)單元M4進(jìn)行編程操作時(shí)，在N型阱區(qū)202施加電壓Vdnw，且在P型阱區(qū)204施加電壓Vcpw。在非選擇的存4渚單元Ml~M3、M5~M8的控制柵極(字元線WL1~WL3、WL5~WL8)施加電壓Vwo,在第一選擇柵極SG1與第二選擇柵極SG2施加電壓Vsg。在選擇的存儲(chǔ)單元M4的控制柵極(字元線WL4)施加電壓Vpgm,在源極區(qū)206(源極線SL)與漏極區(qū)208(位元線BL)施加電壓Vsd。在上述電壓下，可以利用基底熱電子效應(yīng)，使得N型阱區(qū)202的電子注入P型阱區(qū)204之后經(jīng)由耗盡區(qū)與垂直電場(chǎng)加速而注入選擇的存儲(chǔ)單元M的電荷儲(chǔ)存層。電壓Vdnw與電壓Vcpw在N型阱區(qū)202與P型阱區(qū)204之間形成一順向偏壓(Forward-based),使N型阱區(qū)202的電子注入P型阱區(qū)204中。電壓Vwo需足以打開非選擇的存儲(chǔ)單元Ml-M3、M5-M8的溝道區(qū)。電壓Vsg足以打開第一選擇柵極SG1與第二選擇柵極SG2的溝道區(qū)。在編程存儲(chǔ)單元M4時(shí)，非選擇的存儲(chǔ)單元M1~M3、M5-M8以及第一選擇柵極SG1與第二選擇柵極SG2都是作為傳輸晶體管，而使存儲(chǔ)單元M4兩側(cè)的摻雜區(qū)與源極區(qū)206(源極線SL)、漏極區(qū)208(位元線BL)等電位。在源極區(qū)206以及漏極區(qū)208施加電壓Vsd可形成耗盡區(qū)，可以進(jìn)一步地使P型阱區(qū)204中的電子加速。電壓Vpgm則足以在存儲(chǔ)單元M4的控制柵極與P型阱區(qū)204之間建立垂直電場(chǎng)。于是，電子由N型阱區(qū)202注入P型阱區(qū)204后，經(jīng)由區(qū)加速，再利用在控制柵極與P型阱區(qū)204之間建立的垂直電場(chǎng)而注入選擇的存儲(chǔ)單元M的電荷儲(chǔ)存層。如此，即可以利用基底熱電子效應(yīng)編程選定存儲(chǔ)單元M4。電壓Vdnw例如是0伏特，電壓Vcpw例如是0.5-3伏特。電壓Vwo例如是310伏特，電壓Vsg例如是310伏特。電壓Vpgm例如是13~19伏特。電壓Vsd例如是3IO伏特。圖3示出依照本發(fā)明的N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法所得到的閾值電壓與編程時(shí)間的關(guān)系圖。在圖3中，實(shí)驗(yàn)例l(以符號(hào)B表示)為在N型阱區(qū)202施加電壓O伏特，且在P型阱區(qū)204施加1伏特的電壓。在非選擇的存儲(chǔ)單元Ml~M3、M5~M8的控制柵極(字元線WL1~WL3、WL5~WL8)施加5伏特的電壓，在第一選擇柵極SG1與第二選擇柵極SG2施加5伏特的電壓。在源極區(qū)206(源極線SL)與漏極區(qū)208(位元線BL)施加5伏特的電壓，在選擇的存儲(chǔ)單元M4的控制柵極(字元線WL4)施加15伏特的電壓。實(shí)驗(yàn)例2(以符號(hào)口表示)除了在選擇的存儲(chǔ)單元M4的控制柵極(字元線WL4)施加17伏特的電壓之外，其他條件與實(shí)驗(yàn)例l相同。如圖3所示，對(duì)于實(shí)驗(yàn)例1與實(shí)驗(yàn)例2而言，隨著編程時(shí)間增加，選擇的存儲(chǔ)單元M4的閾值電壓亦上升，表示電子進(jìn)入存儲(chǔ)單元M4的電荷儲(chǔ)存層。而且，施加于選擇的存儲(chǔ)單元M4的控制柵極(字元線WL4)施加的電壓愈大，選擇的存儲(chǔ)單元M4的閾值電壓增加地越快。圖4示出依照本發(fā)明的N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法所得到的閾值電壓與順向偏壓的關(guān)系圖。順向偏壓是指P型阱區(qū)204與N型阱區(qū)202的電壓差。在圖4中，實(shí)驗(yàn)例3(以符號(hào)固表示)除了P型阱區(qū)204施加的電壓分別為0~1.6伏特的電壓之外，其他條件與實(shí)驗(yàn)例1相同，且編程時(shí)間為1.2毫秒。實(shí)驗(yàn)例4(以符號(hào)A表示)除了編程時(shí)間為2.4毫秒之外，其他條件與實(shí)驗(yàn)例3相同。如圖4所示，對(duì)于實(shí)驗(yàn)例3與實(shí)-驗(yàn)例4而言，隨著順向偏壓增加，選擇的存儲(chǔ)單元M4的閾值電壓先上升后下降。當(dāng)順向偏壓不夠高(00.6伏特)時(shí)，N型阱區(qū)202的電子無法注入P型阱區(qū)204中，因此無法編程存儲(chǔ)單元M4，使得閾值電壓幾乎沒改變。順向偏壓足夠高(1.01.6伏特)時(shí)，N型阱區(qū)202的電子可注入P型阱區(qū)204中，進(jìn)而加速注入存儲(chǔ)單元M4的電荷儲(chǔ)存層，而編程存儲(chǔ)單元M4，因此存儲(chǔ)單元M4的閾值電壓提高。當(dāng)順向偏壓過高(1.2~1.6伏特)時(shí)，P型阱區(qū)204與存儲(chǔ)單元M4的控制柵極之間的跨壓變小，使得耗盡區(qū)變小、電場(chǎng)變小，能夠獲得的高能量電子變少，因此闊值電壓下降。因此，在本實(shí)驗(yàn)例中，P型阱區(qū)204與N型阱區(qū)202的電壓差例如是0.81.6伏特，較佳為L(zhǎng)01.4伏特。圖5示出依照本發(fā)明的N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的編程方法所得到的閾值電壓與施加于選擇的存儲(chǔ)單元的控制柵極的電壓的關(guān)系圖。在圖5中，實(shí)驗(yàn)例5(以符號(hào)B表示)除了選擇的存儲(chǔ)單元的控制柵極分別施加電壓11~19伏特的電壓之外，其他條件與實(shí)驗(yàn)例1相同，且編程時(shí)間為1.2　毫秒。實(shí)驗(yàn)例6(以符號(hào)A表示)除了編程時(shí)間為2.4毫秒之外，其他條件與實(shí)驗(yàn)例5相同。如圖5所示，對(duì)于實(shí)驗(yàn)例5與實(shí)驗(yàn)例6而言，隨著施加于選擇的存儲(chǔ)單元的控制柵極的電壓增加，選擇的存儲(chǔ)單元M4的閾值電壓也隨之上升。施加于選擇的存儲(chǔ)單元的控制柵極的電壓越大，編程的速度也越快。根據(jù)圖3~圖5的內(nèi)容可證明本發(fā)明的方法可有效地編程N(yùn)型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器。而且，本發(fā)明的編程方法與已知的F-N穿隧效應(yīng)相比，所需的操作電壓低，可以節(jié)省功耗。以上所述的較佳實(shí)施例是以N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器為例說明，并非用以限定本發(fā)明的范圍，例如，本發(fā)明當(dāng)然也適用于P型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器為例。請(qǐng)參見圖1所示的示意圖。亦即，圖1中的第一導(dǎo)電型基底100例如是N型基底，第二導(dǎo)電型阱區(qū)102是P型阱區(qū)。第一導(dǎo)電型阱區(qū)104是N型阱區(qū)。源極區(qū)106與漏極區(qū)108以及摻雜區(qū)IIO是P型摻雜區(qū)。此外，P型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的操作電壓和N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器的操作電壓將相反。在N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器中，注入電荷儲(chǔ)存層的是電子，在P型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器中，注入電荷儲(chǔ)存層的是空穴。表一為表示N型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器與P型溝道的與非門型非易失性存儲(chǔ)器在編程操:作時(shí)，所施加的偏壓狀態(tài)。表一:<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>綜上所述，本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，由于采用基底熱載流子注入效應(yīng)，將載流子注入電荷儲(chǔ)存層中，以進(jìn)行編程的操作，因此所需的　操作電壓低，在控制柵極與基底之間的電場(chǎng)可以降低，可以節(jié)省功耗，提高編程的效率，提高存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度，并且能夠增進(jìn)元件的可靠性。而且，藉由在第一導(dǎo)電型阱區(qū)和第二導(dǎo)電型阱區(qū)加適當(dāng)?shù)捻樝蚱珘?，可以易于進(jìn)行存儲(chǔ)單元的編程操作。另外，由于采用基底熱載流子注入效應(yīng)，使載流子注入電荷儲(chǔ)存層的機(jī)制，編程操作受到溝道長(zhǎng)度尺寸的影響較小，因此元件尺寸縮小，還能夠增進(jìn)其電性表現(xiàn)，而有助于提高元件的集成度。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，適用于包括第一導(dǎo)電型基底、設(shè)置于該第一導(dǎo)電型基底中的第二導(dǎo)電型阱區(qū)、設(shè)置于該第二導(dǎo)電型阱區(qū)上的第一導(dǎo)電型阱區(qū)、設(shè)置于該第一導(dǎo)電型阱區(qū)的第二導(dǎo)電型源極區(qū)和第二導(dǎo)電型漏極區(qū)、串聯(lián)設(shè)置于該第二導(dǎo)電型源極區(qū)與該第二導(dǎo)電型漏極區(qū)之間的第一選擇晶體管、多個(gè)存儲(chǔ)單元和第二選擇晶體管的存儲(chǔ)器，其中該第一選擇晶體管具有第一選擇柵極，各該存儲(chǔ)單元具有電荷儲(chǔ)存層和控制柵極，該第二選擇晶體管具有第二選擇柵極，該方法包括在該第二導(dǎo)電型阱區(qū)施加第一電壓，且在該第一導(dǎo)電型阱區(qū)施加第二電壓，使得載流子由該第二導(dǎo)電型阱區(qū)注入該第一導(dǎo)電型阱區(qū)；在非選擇的所述存儲(chǔ)單元的該控制柵極施加第三電壓，在該第一選擇柵極與該第二選擇柵極施加第四電壓，其中該第三電壓足以打開非選擇的所述存儲(chǔ)單元的溝道區(qū)，該第四電壓足以打開該第一選擇晶體管與該第二選擇晶體管的溝道區(qū)；以及在選擇的該存儲(chǔ)單元的該控制柵極施加第五電壓，在該第二導(dǎo)電型源極區(qū)與該第二導(dǎo)電型漏極區(qū)施加第六電壓，其中該第六電壓用來產(chǎn)生耗盡區(qū)，該第五電壓足以在該控制柵極與該第一導(dǎo)電型阱區(qū)之間建立垂直電場(chǎng)，以利用基底熱載流子效應(yīng)使該載流子加速而注入選擇的該存儲(chǔ)單元的該電荷儲(chǔ)存層。2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第一導(dǎo)電型為P型；該第二導(dǎo)電型為N型。3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第一電壓為0伏特，該第二電壓為0.5~3伏特。4.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第三電壓為3-10伏特，該第四電壓為3~IO伏特。5.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第五電壓為i319伏特，該第六電壓為310伏特。6.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該載流子包括電子。7.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第一導(dǎo)電型為N型；該第二導(dǎo)電型為P型。8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第一電壓為0伏特，該第二電壓為-0.5~-3伏特。9.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第三電壓為-3~-10伏特，該第四電壓為-3~-10伏特。10.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該第五電壓為-13~-19伏特，該第六電壓為-3~-10伏特。11.如權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該載流子包括空穴。12.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，其中該電荷儲(chǔ)存層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。全文摘要本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，利用基底熱載流子效應(yīng)進(jìn)行編程操作。在N型阱區(qū)與P型阱區(qū)之間施加順向偏壓，使N型阱區(qū)內(nèi)的電子注入P型阱區(qū)，之后經(jīng)由施加于源極區(qū)與漏極區(qū)的電壓所形成的耗盡區(qū)加速，再利用在控制柵極與P型阱區(qū)之間建立的垂直電場(chǎng)而注入電荷儲(chǔ)存層。采用基底熱載流子注入效應(yīng)，使載流子注入電荷儲(chǔ)存層，因此所施加的操作電壓低，可以節(jié)省功耗，并且增進(jìn)元件可靠性。文檔編號(hào)G11C16/06GK101399082SQ20071016197公開日2009年4月1日申請(qǐng)日期2007年9月27日優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日發(fā)明者洪至偉,陳志遠(yuǎn),黃振浩申請(qǐng)人:力晶半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