專利名稱：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，特別涉及利用化學(xué)氣相沉積 方法沉積保護(hù)層的缺陷^修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存耳又存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,后面稱作"DRAM") 是一種在計(jì)算機(jī)中用來暫時(shí)保存數(shù)據(jù)的組件，在計(jì)算機(jī)中非常重要，尤其在提 高計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)能力和讀寫方面。它在任何時(shí)候都可以讀寫，而且速度很快，通 常作為操作系統(tǒng)或其它正在運(yùn)行中的程序之臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。通常，DRAM存儲(chǔ)器由成千上萬個(gè)DRAM單元組成，每個(gè)DRAM單元有一個(gè)晶 體管和一個(gè)由晶體管所操控的電容器。而且到目前為止，DRAM制造工藝技術(shù)已 達(dá)到60納米左右水平，所以對(duì)制造DRAM的精度等要求非常高。如果在制造DRAM 過程中，外界環(huán)境或者其它因素造成DRAM單元產(chǎn)生損壞或缺陷，將會(huì)影響整個(gè) DRAM存儲(chǔ)器的性能。圖1A-ID示出了形成帶有電容器的堆棧式(stack) DRAM的現(xiàn)有技術(shù)方法。元10包括襯底12如單晶硅及字線(wordline) 14、 16,氮化物隔離物18形成 于字線14、 16的側(cè)邊。襯底12內(nèi)的擴(kuò)散區(qū)20位于字線14、 16之間并被字線 14、 16組成的晶體管柵極電連接。絕緣層22如硼磷硅玻璃(BPSG)已^皮形成在 襯底12和字線14、 16上。摻雜的多晶插塞(plug) 24穿過絕緣層22以在電容 器及字線14和16之間的擴(kuò)散區(qū)20之間供電接觸。接觸開口 26穿過絕緣層22 到達(dá)插塞24。大量摻雜且實(shí)質(zhì)上無定形的或贗晶硅層28沉積在絕緣層22和插 塞24上。參考圖1B,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法，未摻雜的且無定形的或贗晶硅層30被沉積 在摻雜的且無定形或贗晶硅層28上，DRAM單元IO接著被如紫外線等光線32曝 光以形成硅晶體的晶粒層，如圖1C所示。DRAM單元IO接著被熱退火以將未摻雜的且無定形的或贗晶硅層30轉(zhuǎn)換為晶體結(jié)構(gòu)，熱處理使得多晶硅凝聚在晶粒 晶體的周圍并形成半球型晶粒(HSG)多晶硅34,如圖1D所示。然后，如圖1E所示，以低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在溫度約500^700 。C下，在半球型晶粒多晶硅34上沉積一多晶硅層36，然后利用高密度等離子化 學(xué)氣相沉積法(HDPCVD)將部分內(nèi)層介電層(ILD) 38沉積于接觸開口 26中和 兩電容器之間的區(qū)域，再利用一般的化學(xué)氣相沉積法(CVD)將部分內(nèi)層介電層 38沉積于DRAM單元的表面上，但上述沉積過程中有時(shí)4美會(huì)出現(xiàn)如圖1F的缺陷 40,經(jīng)分析，該缺陷40為一微塵粒子缺陷(particje defect )。利用正?；瘜W(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)對(duì)DRAM單元1Q的表面進(jìn)行平整化。平整化后，該微塵粒 子缺陷40還有部分殘留，經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光后變?yōu)楸砻婧圹E41，如圖1G所示。 DRAM單元繼續(xù)進(jìn)行-微影，如圖1H所示，首先在DRAM單元表面涂覆一層光阻42， 其中該表面痕跡41會(huì)導(dǎo)致微影(Photo)制程過程中的光阻42覆蓋不充分(poor coating),如表面痕跡41正上方會(huì)有一無光阻區(qū)43， /人而在后續(xù)蝕刻(Etch) 制程中產(chǎn)生凹洞44。最后根據(jù)互連電路的要求，再設(shè)置一些互連平面。但由于 該凹洞44的存在，使上下互連電路產(chǎn)生干擾或短路，影響了互連電路的性能， 整個(gè)DRAM存儲(chǔ)器不能正常工作。所以有必要有 一種技術(shù)或方法能消除該缺陷或^洞對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的互 連電路的影響。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，通過該方法 能消除缺陷或凹洞對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的互連電路的影響。為了達(dá)到所述的目的，本發(fā)明提供了一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方 法，包括以下步驟形成內(nèi)層介電層沉積于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元上，對(duì)上述內(nèi) 層介電層進(jìn)行深度化學(xué)機(jī)械拋光，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元表面沉積保護(hù)層。 在上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法中，所迷的保護(hù)層為內(nèi)層介電層。 在上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法中，所述的內(nèi)層介電層為二氧化硅、 氮化硅、N0 (氮化硅/二氧化硅)、0N0 (二氧化硅/氮化硅/二氧化硅)的一種。 在上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法中，所述的保護(hù)層通過化學(xué)氣相沉積、方法沉^積。在上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法中，所述的缺陷為微塵粒子缺陷，經(jīng) 過化學(xué)機(jī)械拋光后變?yōu)楹圹E。在上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法中，所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器為堆棧式 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，可將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷與 外部隔離，使缺陷不與外部制程接觸，從而提高了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的良率。


本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖1A至II為現(xiàn)有技術(shù)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器制造流程圖； 圖2為本發(fā)明修補(bǔ)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法流程圖；具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷〃修補(bǔ)方法作進(jìn)一 步的詳 細(xì)描述。本發(fā)明的堆棧式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的前段制造流程如圖1A至1F所述，這里 ,就不i羊細(xì)4苗述。如圖2和圖3所示，為本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)的結(jié)構(gòu)示意圖 和方法流程圖。在堆棧式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中，首先如圖1F形成內(nèi)層介電層38 沉積于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元上，然后不對(duì)如圖1G利用正常化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì) 堆棧式DRAM單元的表面進(jìn)行平整化，而是先進(jìn)行深度化學(xué)機(jī)械拋光(步驟S20 )， 也就是說對(duì)DMM單元上的內(nèi)層介電層38多拋光一點(diǎn)，比如正常拋光掉3納米 厚內(nèi)層介電層，那么現(xiàn)在拋光掉3.1納米厚，這里內(nèi)層介電層為二氧化硅、氮 化硅、NO (氮化硅/二氧化硅)、0N0 (二氧化硅/氮化硅/二氧化硅)的一種，然 后通過利用化學(xué)氣相沉積法沉積一層厚度為0. 1納米的保護(hù)層46 (步驟S30 ), 該保護(hù)層為內(nèi)層介電層，最后進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻等后續(xù)制程。通過該內(nèi)層 介電層46把微塵粒子缺陷40與外部進(jìn)行隔離，經(jīng)檢 則與分析，該微塵粒子缺陷經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光后變成表面痕跡41，使表面痕跡"不被進(jìn)行微影、蝕刻等制程, 從而不會(huì)產(chǎn)生凹洞44，達(dá)到保護(hù)互連電路的目的，提高了產(chǎn)品的良率。以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不能以此來限定本發(fā)明的 范圍。任何對(duì)本發(fā)明的方法作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分立， 以及對(duì)本發(fā)明實(shí)施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明 的揭露以及保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，至少包括以下步驟形成內(nèi)層介電層沉積于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元上；對(duì)內(nèi)層介電層進(jìn)行深度化學(xué)機(jī)械拋光；在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元表面沉積保護(hù)層。
2、 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于所 述保護(hù)層為內(nèi)層介電層。
3、 如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷，補(bǔ)方法，其特征在于所 述內(nèi)層介電層為二氧化硅、氮化硅、N0 (氮化硅/二氧化硅)、0N0 (二氧化硅/ 氮化硅/二氧化硅)的一種。
4、 如權(quán)利要求1或5所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于 所迷保護(hù)層通過化學(xué)氣相沉積方法沉積。
5、 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于所 述的缺陷為微塵粒子缺陷，經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光后變?yōu)楹圹E。
6、 如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于所 述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器為堆棧式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的缺陷修補(bǔ)方法。現(xiàn)有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中存在缺陷影響動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器性能的問題。本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法包括形成內(nèi)層介電層沉積于DRAM單元上，然后對(duì)內(nèi)層介電層進(jìn)行深度化學(xué)機(jī)械拋光，拋光后在DRAM單元表面上沉積保護(hù)層。采用本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的缺陷修補(bǔ)方法能實(shí)現(xiàn)缺陷與外部隔離，使缺陷不被進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻等制程，從而提高了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的良率。
文檔編號(hào)G11C29/04GK101329917SQ20071004241
公開日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2007年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日
發(fā)明者仇圣棻, 強(qiáng) 孫, 友 李, 閻海濱, 陳宏璘 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司