專利名稱：光記錄介質(zhì)以及光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將再現(xiàn)光照射至形成于記錄層上的記錄標記而能夠再現(xiàn) 信息的光記錄介質(zhì)，尤其是涉及一種能夠?qū)鈱W系統(tǒng)的分辨極限以下的小記 錄標記進行再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)以及光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法。
背景技術(shù)：
近年來，例如在JP特開2003—6872號公報所記載，提出了一種能夠?qū)?比再現(xiàn)光學系統(tǒng)中的衍射極限更小的記錄標記列進行再現(xiàn)的超分辨率光記錄 介質(zhì)。在該超分辨率光記錄介質(zhì)中，雖然能夠再現(xiàn)超過再現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極 限的微小記錄標記(超分辨率記錄標記)，但是其原理尚未明確。CD (compact disc:光盤)以及DVD (Digital Versatile Disc:數(shù)字通用光 盤)等光記錄介質(zhì)在基板上包括記錄層、電介質(zhì)層、反射層，其中，該電介 質(zhì)層用于控制反射率以及保護記錄層，該控制反射率用于通過再現(xiàn)激光讀出 所記錄的信息。上述記錄由記錄層中的反射率不同的2個部分組成，其一方稱為記錄標 記，另一方稱為空白(blank)部，而且，若假定再現(xiàn)激光的波長為X、物鏡 的數(shù)值孔徑為NA，則在激光的掃描方向上的大小比分辨極限的A/4NA更大 的情況下能夠再現(xiàn)上述記錄標記。通常，在利用光的再現(xiàn)方法中，無法讀取周期為某記錄標記列周期以下 的記錄標記列。該記錄標記列周期的長度被稱為衍射極限。在波長為 u數(shù)值 孔徑為NA的再現(xiàn)光學系統(tǒng)中，其衍射極限為^/NA/2，因此，若在一個周期 中，記錄標記部與空白部的長度相同，則記錄標記的長度為X/NA/4。該記錄 標記長度被稱為分辨極限。在如上述的光記錄介質(zhì)中，為了實現(xiàn)記錄的高密度化，需要縮短波長X 或者提高NA，但都存在極限。與此相對，提出了一種如上述的超分辨率光記錄介質(zhì)，其中之一的提案是一種在光記錄介質(zhì)上附加用于縮小再現(xiàn)激光的光點的結(jié)構(gòu)的方法。例如， 探討使用隨著激光的照射而溫度上升從而液化的材料，或著，使用禁帶寬度 變化的半導(dǎo)體材料。然而，不管在哪種情況下，都存在如下問題由于光點的大小根據(jù)照射 在光記錄介質(zhì)上的再現(xiàn)激光的功率而變化，因此，必須決定用于對每個記錄 標記大小進行超分辨率再現(xiàn)的最佳激光功率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題在于，使對光記錄介質(zhì)進行超分辨率再現(xiàn)的激光的 照射功率不依賴于記錄標記的大小。本發(fā)明人專心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過接近記錄層而設(shè)置超分辨率層，能 夠使再現(xiàn)激光的照射功率不依賴于記錄標記的大小，其中，該超分辨率層由用規(guī)定照射功率的DC光照射1 300秒鐘時產(chǎn)生空隙的材料構(gòu)成。 艮口，通過以下實施例，能夠解決上述問題。(1) 一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板，而且至少具有形成在該 基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由在以規(guī)定照射功率的DC 光照射1 300秒鐘時產(chǎn)生空隙的材料構(gòu)成。在這里，所謂DC光是用一定光強度照射的光，而并不進行比至少在該 記錄介質(zhì)上記錄的信號列中最高頻率的列低的頻率的光強度的調(diào)制。(2) —種光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板，而且至少具有形成在該 基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由具有通過1 300秒鐘的 DC光照射能夠產(chǎn)生空隙的規(guī)定照射功率的材料構(gòu)成。(3) 根據(jù)(1)或(2)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述超分辨 率層由以下材料構(gòu)成，該材料是指，在利用DC光照射形成有用于再現(xiàn)的再 現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限以下大小的單一頻率的記錄標記的記錄層、且使其照 射功率從比產(chǎn)生上述空隙的規(guī)定照射功率更小的功率變化到大的功率時，再 現(xiàn)信號的載波噪聲比以分貝為單位而至少變?yōu)?倍的材料。(4) 根據(jù)(1)或(2)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述超分辨 率層由以下材料構(gòu)成，該材料是指，在利用DC光照射形成有用于再現(xiàn)的再 現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限以下大小的單一頻率的記錄標記的記錄層、且使其照射功率改變時，在再現(xiàn)信號的載波噪聲比以分貝為單位而至少呈現(xiàn)3倍差別 的照射功率之間，具有產(chǎn)生上述空隙的規(guī)定照射功率的材料。(5) 根據(jù)(1)至(4)任何一項所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上 述超分辨率層由Sb、 Bi、 Te、 Zn、 Sn、 Ge、 Si中的任一種的化合物構(gòu)成。(6) 根據(jù)(5)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述材料中至少 包含有Ag或In。(7) —種光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，其特征在于，對于以下光記錄介 質(zhì)。即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨 率層，上述超分辨率層由在以規(guī)定照射功率的再現(xiàn)光照射1 300秒鐘時產(chǎn)生 空隙的材料構(gòu)成，上述記錄層上形成有用于再現(xiàn)的再現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限 以下大小的記錄標記的光記錄介質(zhì)，利用照射功率比產(chǎn)生上述空隙的照射功 率更大的再現(xiàn)光進行照射，從而再現(xiàn)上述記錄標記的信息。(8) —種光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，其特征在于，對于以下光記錄介 質(zhì)，S卩，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨 率層，上述超分辨率層由具有通過1 300秒鐘的DC光照射能夠產(chǎn)生空隙的 規(guī)定照射功率的材料構(gòu)成，在上述記錄層上形成有用于再現(xiàn)的再現(xiàn)光學系統(tǒng) 的分辨極限以下大小的記錄標記的光記錄介質(zhì)，利用照射功率比產(chǎn)生上述空 隙的照射功率更大的再現(xiàn)光進行照射，從而再現(xiàn)上述記錄標記的信息。(9) 一種光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，其特征在于，對于以下光記錄介 質(zhì)，S卩，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨 率層，上述超分辨率層由具有通過1 300秒鐘的DC光照射能夠產(chǎn)生空隙的 規(guī)定照射功率的材料構(gòu)成，在上述記錄層上形成有用于再現(xiàn)的再現(xiàn)光學系統(tǒng) 的分辨極限以下大小的記錄標記的光記錄標記，將產(chǎn)生上述空隙的照射功率 的DC光的照射功率作為再現(xiàn)功率。


圖1是示意性地放大表示本發(fā)明的第一實施例的光記錄介質(zhì)的主要部分 的剖面圖。圖2是表示通過穿透式電子顯微鏡所觀察到的截面圖像，該圖像是在該 第一實施例的光記錄介質(zhì)中生成了空隙(void)的狀態(tài)。圖3是通過光學顯微鏡看到的該光記錄介質(zhì)的透射像。圖4是表示通過光盤評價裝置觀察生成有該空隙的光記錄介質(zhì)時的反射光強度變化的曲線圖。圖5是表示該第一實施例的光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)激光的照射功率與利用該 再現(xiàn)激光的再現(xiàn)信號的載波噪聲比(Carrier-to-Noise)之間的關(guān)系的曲線圖。圖6是通過穿透式電子顯微鏡觀察到的截面圖像，該圖像是用再現(xiàn)激光 照射了形成有超分辨率記錄標記的第一實施例的光記錄介質(zhì)之后的情形。圖7是表示該第二實施例的光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)激光的照射功率與載波噪 聲比之間的關(guān)系的與圖5同樣的曲線圖。圖8是示意性地放大表示本發(fā)明的第三實施例的光記錄介質(zhì)的主要部分 的剖面圖。圖9是表示該第三實施例的光記錄介質(zhì)的再現(xiàn)激光的照射功率與利用該 再現(xiàn)激光的再現(xiàn)信號的載波噪聲比之間的關(guān)系的曲線圖。圖10是表示在改變了再現(xiàn)光的照射功率的情況下通過該光盤評價裝置觀 察到的反射光強度變化的曲線圖。圖11是表示比較例的再現(xiàn)激光的照射功率與載波噪聲比之間的關(guān)系的與 圖9同樣的曲線圖。
具體實施方式
最佳方式的光記錄介質(zhì)具有如下結(jié)構(gòu)在基板上依次形成有第一電介質(zhì) 層、記錄層、第二電介質(zhì)層、超分辨率層，超分辨率層由包含Ag、 In、 Sb、 Te的材料構(gòu)成，而且，該材料以利用再現(xiàn)波長的DC光以規(guī)定照射功率照射 1 300秒鐘而產(chǎn)生空隙的方式構(gòu)成，或者以具有利用再現(xiàn)波長的DC光照射 1 300秒鐘而可產(chǎn)生空隙的規(guī)定照射功率的方式構(gòu)成。這里所謂的"1 300秒鐘"，當然不是具有臨界性的概念，而表示認為 能夠產(chǎn)生空隙的充分的照射時間，該照射時間是，考慮到適合于介質(zhì)的結(jié)構(gòu) 及組分的照射時間不同，因此從針對短時間照射后立即產(chǎn)生空隙而長時間照 射時通過張時間照射來產(chǎn)生空隙的這一狀況進行各種確認的結(jié)果中推導(dǎo)出來 的。另外，所謂"規(guī)定照射功率"是指，在上述照射時間內(nèi)，并不是利用所 有照射功率都能夠產(chǎn)生空隙，因而對各種照射功率進行確認，并將確認到能夠產(chǎn)生空隙的照射功率作為"規(guī)定照射功率"。在這里，所謂"空隙"是指，若用規(guī)定照射功率的再現(xiàn)光照射一定時間， 則在超分辨率層內(nèi)產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)。具體地講，例如用穿透式電子顯微鏡來測定 包括空隙的超分辨率層的截面時，呈現(xiàn)為白的對比度的結(jié)構(gòu)，而且，在利用作為穿透式電子顯微鏡的附屬裝置的X射線能量分散分光(Energy Dispersive X—ray Spectrosc叩y: EDS)裝置等的分析中，實際上不具有元素的強度的結(jié) 構(gòu)。另外，例如在通過光學顯微鏡的透射像觀察時，空隙也呈現(xiàn)為白的對比 度。進而，空隙具有如下特性，S卩，在光盤評價裝置中，不管是記錄部還是 未記錄部，在用規(guī)定照射功率的再現(xiàn)光照射時，能夠通過在示波管上可觀察 到的尖峰狀(spike)噪音來確認到空隙，而且， 一旦產(chǎn)生空隙則無法通過照 射功率小于規(guī)定照射功率的再現(xiàn)光的照射來消除，而能夠通過照射照射功率 比規(guī)定照射功率更高的再現(xiàn)光的來消除。在本申請中，若滿足以上3種狀態(tài) 中的任一狀態(tài)，則認為產(chǎn)生了空隙。[第一實施例]如圖1所示，本發(fā)明第一實施例的光記錄介質(zhì)10具有在基板12上依次 層疊第一電介質(zhì)層14、記錄層16、第二電介質(zhì)層18、超分辨率層20、第三 電介質(zhì)層22的結(jié)構(gòu)。上述基板12例如由聚碳酸酯形成。另外，上述第一電介質(zhì)層14、第二電 介質(zhì)層18以及第三電介質(zhì)層22由ZnS —Si02、 ZnS、 ZnO等半導(dǎo)體或金屬的 氧化物、硫化物等構(gòu)成。另外，上述記錄層16由PtOx等材料構(gòu)成，該PtOx是熱分解為鉑和氧的 結(jié)果其部分的光學常數(shù)變化的材料，但并不限定為PtOx，而只要是以下材料 即可，該材料既是在照射記錄激光時光學常數(shù)變化的材料，又是在用照射功 率比在上述超分辨率層20上可生成空隙(后面詳細描述)的照射功率更高的 再現(xiàn)激光進行照射時不會使在記錄層16上形成的記錄標記消失的材料。上述超分辨率層20由用規(guī)定照射功率的再現(xiàn)光照射1 300秒鐘時生成 空隙的材料構(gòu)成，其由Sb、 Bi、 Te中的任一種的單質(zhì)、或者Sb、 Bi、 Te、 Zn、 Sn、 Ge、 Si中的任一種的化合物中的一種材料構(gòu)成，例如，由包含上述 任一種單質(zhì)的Sb—Zn或者Te—Ge、 Sb—Te、 Sb—Bi、 Bi—Te、 Sb—Bi—Te中的任一種化合物構(gòu)成。上述規(guī)定照射功率及再現(xiàn)光的照射時間是，在實際對每個材料進行照射 并確認產(chǎn)生空隙的情況下決定的。雖然可以通過后述的利用穿透式電子顯微鏡的觀察、利用光學顯微鏡的觀察、EDS分析或者光盤評價裝置以及示波管來確認空隙的產(chǎn)生，但在利用穿透式電子顯微鏡的情況下，分辨率比其它情 況更高，因此，即使通過更短時間的再現(xiàn)光照射，也能夠確認空隙。此外，即便是其它材料，只要是相對再現(xiàn)激光的波長不透明、且熱傳導(dǎo) 率低的材料即可。進而，也可以采用在上述材料中包含Ag、 In中的至少一種的材料而作為 超分辨率層20的材料。實際上，光記錄介質(zhì)10的結(jié)構(gòu)為在上述基板12上所形成的第一、第 二、第三電介質(zhì)層14、 18、 22，分別采用(ZnS) 85 (Si02) 15的材料，而且 將其厚度分別設(shè)定為M0nm、 40mn以及100nm，進而，記錄層16采用厚度 為4nm的PtOx，超分辨率層20采用厚度為60nm的Ag6In4.4Sb61Te28.6。對于該光記錄介質(zhì)10，使用由激光波長為635nm、數(shù)值孔徑NA為0.60 的再現(xiàn)光學系統(tǒng)構(gòu)成的光盤評價裝置(PULSTEC電器工業(yè)株式制造，DDU 一IOOO)，在6m/s的線速下，將照射功率為4.0mW的再現(xiàn)激光照射60秒鐘， 然后用穿透式電子顯微鏡觀察其截面。所觀察到的穿透式電子顯微鏡的圖像如圖2所示，從而確認到，在上述 超分辨率層20上形成有呈現(xiàn)為白的對比度的空隙24、即EDS分析中實質(zhì)上 不具有元素強度的部分。進而，如圖3所示，在通過光學顯微鏡的光記錄介 質(zhì)的透射像中，也能夠觀察到呈現(xiàn)為白的對比度的空隙24。在圖3中，列狀橢圓形(亮點)部分是標記25?？障?4是在2條標記 25之間的無規(guī)則且小的白色部分(亮點)。另外，如圖4所示，在示出了通過使用于上述光盤評價裝置的示波管中 所觀察到的反射光強度的曲線圖中，以符號A示出的帶狀部分的寬度表示反 射光強度，而且，在以符號B示出的范圍內(nèi)觀察到產(chǎn)生了空隙24所導(dǎo)致的尖 峰狀噪聲而反射光強度降低的部分。在用規(guī)定照射功率的再現(xiàn)激光照射規(guī)定時間后的磁道內(nèi)，觀察到隨機產(chǎn) 生的上述空隙24。另外，在將照射功率從大的狀態(tài)降低到規(guī)定照射功率并維持了一定時間的情況下，也產(chǎn)生了空隙。此外，在剛開始就用照射功率比規(guī) 定照射功率更高的再現(xiàn)激光照射的情況下，沒有確認到產(chǎn)生了空隙。另外， 一旦產(chǎn)生的空隙，也會在用照射功率比規(guī)定照射功率更大的再現(xiàn)激光照射一 定時間的情況下消失。接著，在上述光記錄介質(zhì)10上形成了 200nm的記錄標記，并如圖5所示， 通過再現(xiàn)激光的照射功率對其進行了再現(xiàn)，其中，200nm的大小在再現(xiàn)光學 系統(tǒng)的分辨極限以下。其結(jié)果，在照射功率為3.7mW時，載波噪聲比是8dB，與此相對，在照 射功率為4.6mW時，載波噪聲比是45dB。在第一實施例的光記錄介質(zhì)10中，在某范圍的照射功率附近，能夠觀察 到再現(xiàn)信號的載波噪聲比的至少3倍的變化，因此能夠?qū)⒃撜丈涔β首鳛槟?夠產(chǎn)生空隙的照射功率。具體地講，照射功率為4.0mW，而且，在以4.0mWrVi ttp A4"r上念Cta A4"" " ,n *,、&山iVi ,卩生、/□ "TT 始^■iVi jJa2] 3人p￡ 1 r>血生~ "臺 口、J"P、3、J "VJ平"U3、J J OU《7卞T口'J l冃WLi r， 先 大"t!i'P^口、J乂L！ HJW乂I7JM丄U 7 'J1 J '工隙。另外，通過4.6mW的照射功率的再現(xiàn)光照射，實現(xiàn)了對第一實施例的光 記錄介質(zhì)10的超分辨率再現(xiàn)。在本申請中，從實際應(yīng)用中的信號強度的觀點 考慮，當載波噪聲比在30dB以上時，認為能夠進行超分辨率再現(xiàn)。圖6示出了對形成有上述200nm的記錄標記的光記錄介質(zhì)10，在6m/s 的線速下照射了照射功率為4.0mW的再現(xiàn)激光1秒鐘，然后通過穿透式電子 顯微鏡觀察其截面的結(jié)果。從該圖中也可以得知，在超分辨率層內(nèi)產(chǎn)生了空 隙。即，空隙的形成與在介質(zhì)內(nèi)有沒有形成記錄標記無關(guān)。[第二實施例]下面，說明本發(fā)明的第二實施例。第二實施例是一種與上述第一實施例的情形同樣結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)，第 一 第三電介質(zhì)層以及記錄層的材料也相同，而與第一實施例的不同點在于， 在第一實施例中，超分辨率層的厚度是60nm，但在第二實施例中為15nm， 而且，組分采用了Sb2Te。在該第二實施例的光記錄介質(zhì)中形成了比再現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限小的 200nm以及100nm的記錄標記，然后，在再現(xiàn)時，改變再現(xiàn)激光的照射功率，并將各階段的照射功率下的照射時間設(shè)定為通過示波管能夠充分觀察到空隙的產(chǎn)生的60秒鐘，此時，在采用3.4mW的照射功率時產(chǎn)生了空隙。另外， 無論記錄標記是200nm還是100nm，在2.8 3.4mW處觀察到載波噪聲比的 上升，而且，在照射功率比3.4mW更高時，沒有產(chǎn)生空隙，從而能夠穩(wěn)定地 進行超分辨率再現(xiàn)。圖7中示出了記錄標記為200nm時的觀察結(jié)果。另外，對于第二實施例的光記錄介質(zhì)，使用與第一實施例的情形相同的 光盤評價裝置，在4m/s的線速下，觀察與圖4所示同樣的反射光強度變化時， 在照射功率為3.4mW的范圍確認到示波管上的尖峰狀噪聲。此外，在上述實施例中，超分辨率層20相對記錄層16配置在光入射側(cè)， 但是本發(fā)明并不限定于此，也可以在第一、第二實施例中更換記錄層16和超 分辨率層20的位置。[第三實施例]如圖8所示，本發(fā)明第三實施例的光記錄介質(zhì)30的結(jié)構(gòu)為在l.lmm的 基板32上依次層疊反射層34、第三電介質(zhì)層36、超分辨率層38、第二電介 質(zhì)層40、記錄層42、第一電介質(zhì)層44，然后，通過旋涂法涂敷紫外線固化型 樹脂，并通過紫外線進行固化，從而形成了0.1mm厚的透光層46。在第三實施例中，采用厚度為40nm的Ag—1.0mol%Pd-1.0mol%Cu合金 作為反射層34，超分辨率層38采用厚度為15nm的Sb—Te合金Sb75Te25，其 它材料與第一實施例相同。另外，各電介質(zhì)層的厚度如下第三電介質(zhì)層36 為20nm;第二電介質(zhì)層40為20nm;第一電介質(zhì)層44為100nm。使用由激光波長為405nm、數(shù)值孔徑NA為0.85的再現(xiàn)光學系統(tǒng)構(gòu)成的 光盤評價裝置(PULSTEC工業(yè)株式會社制造，DDU—IOOO)，以改變照射功 率的方式對該光記錄介質(zhì)30照射了 60秒鐘，此時，在照射功率為2.0mW時 產(chǎn)生了空隙，其中，該60秒鐘為在示波管上能夠充分觀察到空隙的產(chǎn)生的時 間。在圖9中示出了如下結(jié)果，S卩，在上述光記錄介質(zhì)30上形成比分辨極限 (在本再現(xiàn)光學系統(tǒng)中為119nm)更小的75nm的記錄標記，并在4.9m/s的 線速下進行再現(xiàn)時，以上述照射功率2.0mW為中心階段性地改變再現(xiàn)激光的 照射功率而測定了載波噪聲比的結(jié)果。由圖9可以清楚地得知，2.0mW是規(guī) 定照射功率，而且，在用照射功率比該規(guī)定照射功率更高的2.4mW的再現(xiàn)激光照射時，可以得到45dB以上的載波噪聲比。另外，在剛開始就用照射功率比2.0mW更高的2.4mW的再現(xiàn)激光照射 的情況下，沒有確認到空隙的產(chǎn)生。另外，如圖10 (A)、圖10 (B)所示， 在照射功率為2.0mW時一旦產(chǎn)生的空隙(能夠通過尖峰狀噪聲的產(chǎn)生來確認 到)，在用比其更大的再現(xiàn)強度(2.4mW)照射時尖峰狀噪聲消失。[第一比較例]下面，說明不產(chǎn)生空隙的光記錄介質(zhì)(比較例)。該比較例是一種與上述第三實施例的情形相同結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)，第 一 第三電介質(zhì)層、記錄層以及反射層的材料以及膜厚都相同，而與第三實 施例的不同點在于，在第三實施例中，超分辨率層的材料是厚度為10nm的 Sb75Te25，但在第一比較例中是厚度為10nm的Sn。在圖11中示出了如下結(jié)果，即，使用由激光波長為405nm、數(shù)值孔徑 NA為0.85的再現(xiàn)光學系統(tǒng)構(gòu)成的光盤評價裝置(PULSTEC工業(yè)株式會社制 造，DDU—IOOO)，在該光記錄介質(zhì)上記錄有比超分辨率極限(在本再現(xiàn)光 學系統(tǒng)中是119nm)更小的75nm的記錄標記的情況下以4.9m/s的線速對該 光記錄介質(zhì)進行再現(xiàn)時，在改變再現(xiàn)激光的照射功率的同時測定了載波噪聲 比的結(jié)果。由圖ll可以清楚地得知，雖然在照射功率為0.9 1.0mW的范圍 內(nèi)可觀察到載波噪聲比的上升，但在用照射功率比該范圍更高的1.4mW的再 現(xiàn)光照射時，只能得到27dB的載波噪聲比。g卩，無法實現(xiàn)超分辨率再現(xiàn)。另外，在該比較例的光記錄介質(zhì)上，即使以上述0.9mW的照射功率照射 一定時間并通過示波管測定，也沒有觀察到空隙24所導(dǎo)致的尖峰狀噪聲的產(chǎn) 生。即，沒有產(chǎn)生空隙。產(chǎn)業(yè)上的可利用性在本發(fā)明中，當對形成有超分辨率記錄標記的光記錄介質(zhì)進行再現(xiàn)時， 能夠使再現(xiàn)光的照射功率不依賴于記錄標記的大小而進行超分辨率再現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由在以規(guī)定照射功率的DC光照射1～300秒鐘時產(chǎn)生空隙的材料構(gòu)成。
2. —種光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板，而且至少具有形成在該基 板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由具有通過1 300秒鐘的 DC光照射能夠產(chǎn)生空隙的規(guī)定照射功率的材料構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述超分辨 率層由以下材料構(gòu)成，該材料是指，在利用DC光照射形成有用于再現(xiàn)的再 現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限以下大小的單一頻率的記錄標記的記錄層、且使其照 射功率從比產(chǎn)生上述空隙的規(guī)定照射功率更小的功率變化到大的功率時，再 現(xiàn)信號的載波噪聲比以分貝為單位而至少變?yōu)?倍的材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述超分辨 率層由以下材料構(gòu)成，該材料是指，在利用DC光照射形成有用于再現(xiàn)的再 現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限以下大小的單一頻率的記錄標記的記錄層、且使其照 射功率改變時，在再現(xiàn)信號的載波噪聲比以分貝為單位而至少呈現(xiàn)3倍差別 的照射功率之間，具有產(chǎn)生上述空隙的規(guī)定照射功率的材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上 述超分辨率層由Sb、 Bi、 Te、 Zn、 Sn、 Ge、 Si中的任一種的化合物構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述材料中至 少包含有Ag或In。
7. —種光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，其特征在于，對于以下光記錄介質(zhì)。 即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層， 上述超分辨率層由在以規(guī)定照射功率的再現(xiàn)光照射1 300秒鐘時產(chǎn)生空隙的 材料構(gòu)成，上述記錄層上形成有用于再現(xiàn)的再現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨極限以下大 小的記錄標記的光記錄介質(zhì)，利用照射功率比產(chǎn)生上述空隙的照射功率更大 的再現(xiàn)光進行照射，從而再現(xiàn)上述記錄標記的信息。
8. —種光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，其特征在于，對于以下光記錄介質(zhì)， 即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層， 上述超分辨率層由具有通過1 300秒鐘的DC光照射能夠產(chǎn)生空隙的規(guī)定照射功率的材料構(gòu)成，在上述記錄層上形成有用于再現(xiàn)的再現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨 極限以下大小的記錄標記的光記錄介質(zhì)，利用照射功率比產(chǎn)生上述空隙的照 射功率更大的再現(xiàn)光進行照射，從而再現(xiàn)上述記錄標記的信息。
9. 一種光記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，其特征在于，對于以下光記錄介質(zhì)，即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由具有通過1 300秒鐘的DC光照射能夠產(chǎn)生空隙的規(guī)定照 射功率的材料構(gòu)成，在上述記錄層上形成有用于再現(xiàn)的再現(xiàn)光學系統(tǒng)的分辨 極限以下大小的記錄標記的光記錄標記，將產(chǎn)生上述空隙的照射功率的DC 光的照射功率作為再現(xiàn)功率。
全文摘要
一種光記錄介質(zhì)(10)，被設(shè)計為依次具有基板(12)、第一電介質(zhì)層(14)、記錄層(16)、第二電介質(zhì)層(18)、超分辨率層(20)以及第三電介質(zhì)層(22)，該超分辨率層(20)由在以規(guī)定照射功率的DC光照射1～300秒鐘時產(chǎn)生空隙的材料構(gòu)成，從而，能夠在使再現(xiàn)激光的照射功率不依賴記錄標記大小的情況下進行超分辨率再現(xiàn)。
文檔編號G11B7/005GK101243505SQ200680029340
公開日2008年8月13日 申請日期2006年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月8日
發(fā)明者中野隆志, 富永淳二, 小林龍弘, 島隆之, 福澤成敏, 菊川隆, 金朱鎬, 黃仁吾 申請人:Tdk股份有限公司;三星電子株式會社