專利名稱：超分辨率信息記錄介質(zhì)、記錄/再現(xiàn)設(shè)備以及記錄/再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面涉及一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備以及一種由所述記錄/再現(xiàn)設(shè)備 執(zhí)行的記錄/再現(xiàn)方法，所述記錄/再現(xiàn)設(shè)備用于將數(shù)據(jù)記錄到超分辨率(super-resolution)信息記錄介質(zhì)或從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
背景技術(shù)：
作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)的光盤被廣泛地使用于諸如音頻數(shù)據(jù)或視頻數(shù)據(jù) 的各種類型的信息的記錄和再現(xiàn)。光盤的示例包括壓縮盤、數(shù)字視頻盤、藍 光盤、高密度DVD等。數(shù)字視頻盤、藍光盤和高密度DVD被巻入到關(guān)于下 一代光盤的標(biāo)準(zhǔn)的爭論中。在從第一代CD標(biāo)準(zhǔn)至第三代HD-DVD標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展過程中，通過軌道間 距從1.60pm到0.74pm再到0.32|im的逐漸減小，以及最小疇(mark)的長度從 0.83(im到0.40jim再到0.149pm的逐漸減小，光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲容量被提 高。也可以通過減小激光束的波長或增大物鏡的數(shù)值孔徑(NA)來提高光學(xué)記 錄介質(zhì)的存儲容量。然而，當(dāng)前的技術(shù)在產(chǎn)生具有短波長的激光束方面有所 限制，并且具有大NA的物鏡是昂貴的。當(dāng)使用在再現(xiàn)設(shè)備中的光源的波長為X，并且其中使用的物鏡的數(shù)值孔 徑為NA時，A74NA為再現(xiàn)分辨率極限。因此，雖然可以形成非常小的記錄 疇，但是在傳統(tǒng)的光學(xué)記錄盤中基于所述小的記錄疇的再現(xiàn)是不可能的。即， 在傳統(tǒng)技術(shù)中，從光源照射的光不能識別大小小于X/4NA的記錄疇，因此， 雖然能夠形成小的記錄疇，但是信息再現(xiàn)是不可能的。為了克服傳統(tǒng)的光學(xué)記錄盤中對再現(xiàn)分辨率的限制，近來已經(jīng)研究出一 種從中獲得超分辨率效應(yīng)的包括金屬氧化物膜和相變膜的超分辨率盤。對于 這種超分辨率盤來說，當(dāng)光源的再現(xiàn)功率變?yōu)樘囟ǖ墓β仕交蚋髸r，相 變膜的激光光斑誘導(dǎo)局部高溫區(qū)熔化。超分辨率效應(yīng)被認(rèn)為是由于在相變膜 的熔化部分和未熔化部分的光學(xué)特性之間的差異而獲得的。通過使用超分辨 率效應(yīng)，可以從其大小小于通過物鏡聚焦到信息記錄介質(zhì)上的激光束的分辨率極限的記錄疇再現(xiàn)信息。圖1示出了在投射到傳統(tǒng)超分辨率信息記錄介質(zhì)上的再現(xiàn)光束的光斑中 超分辨率現(xiàn)象發(fā)生的區(qū)域。參照圖1，沿著傳統(tǒng)超分辨信息記錄介質(zhì)的軌100來記錄其大小大于分 辨率極限的疇110。因為由在形成在所述介質(zhì)的超分辨率層上的光斑120的 一部分中的光強的差異導(dǎo)致發(fā)生溫度分布的改變或光學(xué)性質(zhì)的改變，所以甚 至可以從小于分辨率極限的疇110再現(xiàn)數(shù)據(jù)。換句話說，溫度分布的改變或 光學(xué)特性的改變被認(rèn)為是發(fā)生在光斑120的特定區(qū)域中的，同時這種改變不 發(fā)生在環(huán)繞所述特定區(qū)域的周邊區(qū)域140中。如圖1中所示，發(fā)生這種改變 的特定區(qū)域是光斑120的中心區(qū)域，或者可以為光斑120的背面區(qū)域。發(fā)生 這種改變的特定區(qū)域構(gòu)成了超分辨率區(qū)域130。在光斑之內(nèi)的發(fā)生的光學(xué)特 性改變的這種特殊區(qū)域與其它區(qū)域間的劃分可以為同心圓的或非同心圓。圖2是示出了與傳統(tǒng)技術(shù)一致的超分辨率光盤中的光束的載波噪聲比 (C/N)與再現(xiàn)功率的關(guān)系的曲線圖。例如，當(dāng)使用人為405nm并且NA為0.85 的光學(xué)系統(tǒng)時，再現(xiàn)分辨率極限(X/4NA)為大約119nm。圖2示出了在包括金 屬氧化物膜和相變膜的傳統(tǒng)超分辨率光盤上，當(dāng)從小于再現(xiàn)分辨率極限的 75nm的疇再現(xiàn)信息時的C/N與再現(xiàn)功率的關(guān)系。參照圖2,在大約1.2mW 或更大的再現(xiàn)功率條件下，C/N為大約40dB。因此，信號在大約1.2mW或 更大的再現(xiàn)功率條件下被檢測到。在這種具有金屬氧化物膜和相變膜并具有超分辨率效應(yīng)的超分辨率盤 中，當(dāng)再現(xiàn)功率變?yōu)轭A(yù)定的功率水平或更高時，相變膜的激光光斑誘導(dǎo)局部 高溫區(qū)熔化。這時，由于相變膜的熔化部分和未熔化部分的光學(xué)特性之間的 差異從而獲得超分辨率效應(yīng)。相變膜的固態(tài)的部分的微觀結(jié)構(gòu)變得與相變膜 的熔化并凝固的部分的微觀結(jié)構(gòu)不同?？梢酝ㄟ^滿足作為信息記錄介質(zhì)的基本要求的記錄特性和再現(xiàn)特性來廣 泛地使用具有這種超分辨率結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)?；镜挠涗浱匦院驮佻F(xiàn)特 性中的一個最重要特性是C/N。具體地講，因為具有超分辨率近場(near-field) 結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)使用具有比在普通的信息記錄介質(zhì)中使用的功率高的功 率的記錄光束和再現(xiàn)光束，所以在具有超分辨率近場結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)中 的C/N的改進是重要的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的各方面包括一種超分辨率信息記錄介質(zhì)， 一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備和 /或一種記錄/再現(xiàn)方法，其中，提高了超分辨率信息記錄介質(zhì)的光學(xué)特性，從 而提供更優(yōu)良的記錄/再現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了 一種具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)， 所述介質(zhì)包括由為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)而照射的光束形成在所述介 質(zhì)的至少一部分中的液體泡。所述介質(zhì)的部分可以包括由光束熔化的部分。所述信息記錄介質(zhì)可以包括由具有低熔點或低蒸發(fā)點的材料形成的至少 一層。具有低熔點或低蒸發(fā)點的材料可以包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。 具有低熔點或低蒸發(fā)點的材料可以為AglnSbTe。 所述信息記錄介質(zhì)還可以包括由金屬氧化物形成的層。 金屬氧化物可以為PtOx。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備，該設(shè)備用于將數(shù)據(jù) 記錄到具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)或從具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄 介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述i殳備包括拾取單元，將具有預(yù)定功率的光束照射到信控制單元，控制拾取單元將具有預(yù)定功率的光束照射到信息記錄介質(zhì)上，并 處理由拾取單元檢測到的光學(xué)信號?？刂茊卧€控制拾取器將具有足夠高的功率的光束照到信息記錄介質(zhì)上 以在信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生液體泡。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種將數(shù)據(jù)記錄到具有超分辨率效應(yīng)的 信息記錄介質(zhì)或從具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn) 方法，所述方法的步驟包括將具有預(yù)定功率的光束照射到信息記錄介質(zhì)上； 檢測從信息記錄介質(zhì)的通過所述光束產(chǎn)生液體泡的部分反射的光束；處理對 應(yīng)于檢測到的光束的光學(xué)信號。根據(jù)本發(fā)明的各個方面，可以通過增強超分辨率信息記錄介質(zhì)的光學(xué)特 性來改進記錄/再現(xiàn)，其中，通過蒸汽、氣體、液體或它們的任意組合的一個 或多個的液體泡(fluid bubble)來增強超分辨率信息記錄介質(zhì)光學(xué)特性。


圖1示出了在投射到超分辨率信息記錄介質(zhì)上的再現(xiàn)光束的光斑中超分辨率現(xiàn)象發(fā)生的區(qū)域；圖2是示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的超分辨率光盤中的載波噪聲比(C/N)與再 現(xiàn)功率的關(guān)系的曲線圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)；圖4示出了可以用于在與本發(fā)明的一方面一致的超分辨率信息記錄介質(zhì) 中形成液體泡的閾值功率的曲線圖；圖5示出了與本發(fā)明的一方面一致的在層的部分中形成液體泡的信息記 錄介質(zhì)的剖視圖；圖6A示出了當(dāng)才艮據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)剛剛被制 造出來時，所述信息記錄介質(zhì)的層的狀態(tài)；圖6B示出了在被加熱之后圖6A的信息記錄介質(zhì)的層的狀態(tài)；圖7A至圖7C是用于說明圖6A和圖6B的超分辨率信息記錄介質(zhì)中形 成液體泡的原理的示圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的液體泡層的光學(xué)特性和超分辨率層 的熔化部分之間的差異的表；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的記錄/再現(xiàn)設(shè)備。
具體實施方式
現(xiàn)在，將對本發(fā)明的各方面做出詳細(xì)的參考，在附圖中示出了本發(fā)明的 示例，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。為了說明本發(fā)明，下面通過 參照附圖來描述本發(fā)明的各方面。圖3示出了才艮據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)300。當(dāng)光束L 照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300上以從介質(zhì)300再現(xiàn)信號時，在介質(zhì)300 的至少一部分中產(chǎn)生液體泡(如圖6A至圖7C中所示)。因此，改進了超分辨 率信息記錄介質(zhì)300的光學(xué)特性。在介質(zhì)300的形成液體泡的那部分中，可 以同時存在熔化的部分。因此，液體泡可以包含蒸汽、氣體、液體或它們的 任意組合。參照圖3中的本發(fā)明的所述方面，超分辨率信息記錄介質(zhì)300包括基 底310，由聚碳酸酯形成；ZnS-Si02介電層320,形成在聚石炭酸酯基底310上；記錄層330，由金屬氧化物PtOx形成；ZnS-Si02介電層340;再現(xiàn)輔助層350， 由Ag-In-Sb-Te形成；ZnS-Si02介電層360;覆蓋層，在ZnS-Si02介電層360 上由樹脂通過旋涂形成。在本發(fā)明的非限制性的方面中，光束L為通過覆蓋 層照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300中的激光束L,從而執(zhí)行信息再現(xiàn)。在 本發(fā)明的非限制性的方面中，AglnSbTe的比例為大約6:4.4:61:28.6。在本發(fā)明的其它方面中，再現(xiàn)輔助層350不是必需由Ag-In-Sb-Te形成。 然而，優(yōu)選地，但非必需的，再現(xiàn)輔助層350由具有低熔點溫度或低蒸發(fā)點 溫度的材料形成。在本發(fā)明的非限制性的方面中，當(dāng)材料的熔點溫度低于記 錄溫度，或者當(dāng)材料的蒸發(fā)點溫度低于材料的熔點溫度的三倍時，可以在不 影響記錄的信息的情況下從介質(zhì)300正確地再現(xiàn)記錄的信息。在本發(fā)明的各 種方面中，具有低熔點溫度或低蒸發(fā)點溫度的材料可以包括Zn、 Te、 Bi、 Sb 或可以是它們的任意組合。在本發(fā)明的各方面中，再現(xiàn)輔助層350可以僅包括Ge或Ge和其它材料 的組合。另外，在本發(fā)明的各方面中，基底310可以為適合于用作超分辨率 信息記錄介質(zhì)的基底的任意材料?；?10也可以為聚曱基丙烯酸甲酯 (PMMA)、非晶聚烯烴(APO)、玻璃或它們的任意組合。另外，在本發(fā)明的各 方面中，介電層320、 340、 360中的任一層也可以為氧化物、氮化物、碳化 物、氟化物、硫化物或它們的任意組合。例如，它們可以為氧化硅(SiCg、氧 化鎂(MgOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化釩(VOx)、氧化鉻(CrOx)、氧 化鎳(NiOx)、氧化鋯(ZrOJ、氧化鍺(GeO》、氧化鋅(ZnOx)、氮化硅(SiNJ、氮 化鋁(A1NJ、氮化鈦(TiNx)、氮化鋯(ZrNx)、氮化鍺(GeNx)、碳化硅(SiC)、硫 化鋅(ZnS)、硫化鋅-二氧化硅化合物(ZnS-Si02)和氟化鎂(MgF2),或者它們的 任意組合。在本發(fā)明的各個方面中，記錄層330可以為任意適合的金屬氧化物或聚 合物復(fù)合(polymer compound)。例如，記錄層330也可以為氧化金(AuOx)、氧 化鈀(PdOx)、氧化銀(AgOx)或它們的任意組合。C32H18N8、 H2PC(酞菁)也可以 被用作記錄層330的聚合物復(fù)合。圖4示出可以用于在與本發(fā)明的一方面一致的超分辨率信息記錄介質(zhì) 300中形成液體泡的閾值功率的曲線圖。參照圖4,可以用于形成圖5中所示 的超分辨率信息記錄介質(zhì)中的液體泡的閾值功率為1.5mW。因為實際的再現(xiàn) 功率要比闊值功率高至少20%,所以在再現(xiàn)過程中形成液體泡是顯而易見的。圖5示出了與本發(fā)明的一致的在層的部分中形成液體泡的信息記錄介質(zhì) 的剖視圖。參照圖5，示出的AglnSbTe層的一部分被液體泡占據(jù)。因為液體 泡處于氣態(tài)，所以與利用熔化現(xiàn)象(即，液態(tài))從超分辨率記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的 傳統(tǒng)的技術(shù)相比，圖5的信息記錄介質(zhì)具有優(yōu)良的光學(xué)特性。圖6A示出了當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)剛剛被制 造出來時，所述信息記錄介質(zhì)的層的狀態(tài)。參照圖6A，氬(Ar)氣被混入(entrap) 在兩層ZnS-Si02介電層(對應(yīng)于圖3的層340和3 60)之間的處于固態(tài)的再現(xiàn)輔 助層(對應(yīng)于圖3的層350)中。這是因為再現(xiàn)輔助層是在Ar氣的環(huán)境氣體中 形成的。圖6B示出了在被光源加熱之后圖6A的信息記錄介質(zhì)的狀態(tài)。參照圖 6B,當(dāng)用于信號再現(xiàn)的熱被施加到圖6A的信息記錄介質(zhì)時，固態(tài)的再現(xiàn)輔 助層熔化并變?yōu)橐后w。這時， 一些Ar氣分子逸出并部分地聚集以形成Ar氣 泡的核(necleus)。圖7A至圖7C是用于說明圖6A和圖6B的超分辨率信息記錄介質(zhì)中形 成的一個或多個液體泡的原理的示圖。參照圖7A，當(dāng)光束開始加熱超分辨率 信息記錄介質(zhì)并達到足以導(dǎo)致超分辨率效應(yīng)的閾值功率時，介電層之間的固 態(tài)的再現(xiàn)輔助層熔化變成液體。在液體中產(chǎn)生蒸汽從而形成蒸汽泡。在本發(fā) 明的其它方面中，蒸汽也可以通過升華從固態(tài)的再現(xiàn)輔助層直接產(chǎn)生。在本 發(fā)明的非限制性的方面中，蒸汽泡可以主要為由液態(tài)物質(zhì)薄膜包圍的氣態(tài)物 質(zhì)。在本發(fā)明的各個方面，固態(tài)的再現(xiàn)輔助層為固相(第一相)的相變材料。當(dāng) 照射光束以從信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)信號時，固相的部分變?yōu)橐后w(第二相)和/或 氣體(第三相)。因此，形成至少兩個不同的相的穴(pocket)。參照圖7B的本發(fā)明的所述方面，Te易于蒸發(fā)，因為它的蒸發(fā)溫度為大 約980。C。 一旦由蒸發(fā)形成精細(xì)(fme)的Te蒸汽，則Te蒸汽趨向于生成蒸汽 泡。當(dāng)精細(xì)的Te蒸汽突然地生成蒸汽泡時，生成液體和蒸汽之間的界面。因 為蒸汽的導(dǎo)熱率非常低，所以出現(xiàn)液體和蒸汽之間的界面的溫度增加到非常 高的水平的過熱現(xiàn)象，從而由于液體的蒸發(fā)導(dǎo)致更多蒸汽的產(chǎn)生。 一旦產(chǎn)生 更多的蒸汽，則生成多個蒸汽泡。參照圖7C，混入再現(xiàn)輔助層中的氣體可以為用于該層的形成的Ar氣。 Ar氣泡的生長過程與圖7B中示出的相同。在本發(fā)明的各個方面中，蒸汽泡 的形成和生長以及氣體泡的生成會同時發(fā)生，并且蒸汽泡和氣體泡會聚合(coalesce)成包括混合的蒸汽和氣體的液體泡。因此，在本發(fā)明的非限制性的 方面中，液體泡為Te蒸汽、Ar氣體或Te蒸汽和Ar氣體的混合物。在本發(fā) 明的其它方面中，泡的蒸汽組分將對應(yīng)于再現(xiàn)輔助層的基本成分，泡的氣體 組分將對應(yīng)于在再現(xiàn)輔助層的形成中使用的氣體。在本發(fā)明的非限制性的方 面中，液體泡可以主要為由液態(tài)物質(zhì)的薄膜包圍的氣態(tài)物質(zhì)。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率層的液體泡部分的光學(xué)特之間的差異的表。參照圖8，與傳統(tǒng)超分辨率層的情況相同，基于由熔化形 成用于再現(xiàn)的有效光束光斑的方法，超分辨率層表現(xiàn)出從超分辨率層的固態(tài) 部分和液態(tài)部分的光學(xué)特性中的差異產(chǎn)生的超分辨率效應(yīng)。然而，圖8的表中還示出，在本發(fā)明的一方面中，由液體泡(蒸汽、氣體 和/或液體)或液體泡和熔化部分(液態(tài))的混合物形成用于再現(xiàn)的有效光束光 斑。因此，從固體和液體泡、或固體和泡與液體的混合物的光學(xué)特性的差異 產(chǎn)生的超分辨率效應(yīng)大于從固體和液體的光學(xué)效應(yīng)中的差異產(chǎn)生的超分辨率 效應(yīng)。因此，獲得更好的光學(xué)信號。參照圖8，極大地改變了根據(jù)本發(fā)明的 超分辨率層的液體泡部分的光學(xué)性質(zhì)，即，實現(xiàn)了為1的折射率(n)和為0的 消光(extinction)系凄史(k)。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的記錄/再現(xiàn)設(shè)備900。參照圖9，記錄/ 再現(xiàn)設(shè)備900包括拾取單元910，將激光束照射到超分辨率信息記錄介質(zhì) 300上，并檢測從超分辨率信息記錄介質(zhì)300反射的激光束；控制單元920， 控制拾取單元910。具體地講，控制單元920控制拾取單元910將具有足夠 高的功率的光束照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300上，以在超分辨率信息記 錄介質(zhì)300中形成液體泡。拾取單元910包括光源911;光束分束器912，改變傳播激光束的路徑； 物鏡913，將對朝向超分辨率信息記錄介質(zhì)300傳播的激光束進行聚焦；光 電檢測器914。光源911發(fā)射具有預(yù)定功率的激光束。光電檢測器914接收 從超分辨率信息記錄介質(zhì)300反射的激光束，并將所述激光束傳輸?shù)娇刂茊?元920?？刂茊卧?20基于由光電檢測器914檢測到的光學(xué)信號來執(zhí)行聚焦控制 和尋軌(tracking)控制?？刂茊卧?20包括前置放大器921 、伺服控制器922、 信號處理器923和系統(tǒng)控制器924。前置放大器921根據(jù)由光電檢測器914檢測到的光學(xué)信號來產(chǎn)生聚焦信 號和尋軌信號，并將聚焦信號和尋軌信號提供到伺服控制器922。前置放大 器921將用戶數(shù)據(jù)提供到信號處理器923。伺服控制器922使用來自前置放大器921的聚焦信號和尋軌信號來執(zhí)行 拾取單元910的伺服控制。具體地講，伺服控制器922包括用于控制根據(jù)本 發(fā)明的光源911的功率的功率控制器925。優(yōu)選地，功率控制器925控制光 源911以將具有足夠高的功率的激光束照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300上， 從而在其中形成液體泡。信號處理器923接收來自前置放大器921的數(shù)據(jù)，處理所述數(shù)據(jù)，并將 處理的結(jié)果提供到記錄/再現(xiàn)設(shè)備900的外部或?qū)⑻幚淼慕Y(jié)果提供到系統(tǒng)控制 器924。系統(tǒng)控制器924控制記錄/再現(xiàn)設(shè)備900的各個組件。雖然以記錄/再現(xiàn)設(shè)備的形式進行了描述，但是理解到的是，本發(fā)明的各 方面包括記錄、再現(xiàn)或它們的任意組合的設(shè)備，換句話i兌，本發(fā)明的方面包 括記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備。雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的 一些方面，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理 解的是，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在本發(fā)明的方面中做 出改變，其中，本發(fā)明的范圍被限定在權(quán)利要求及其等同物中。
權(quán)利要求
1、一種具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)，所述信息記錄介質(zhì)包括通過為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)信號而照射的光束在所述信息記錄介質(zhì)的至少一部分中形成的液體泡。
2、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)的所述 部分包括;陂所述光束熔化的部分。
3、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，包括由具有低熔點或低蒸發(fā)點的 材料形成的至少一層。
4、 如權(quán)利要求3所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述具有低熔點或低蒸發(fā) 點的材^F包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。
5、 如權(quán)利要求3所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述具有低熔點或低蒸發(fā) 點的材料為AglnSbTe。
6、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，還包括由金屬氧化物形成的層。
7、 如權(quán)利要求6所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述金屬氧化物為PtOx。
8、 一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備，用于將數(shù)據(jù)記錄到具有超分辨率效應(yīng)的信息記 錄介質(zhì)或從具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述設(shè)備包括拾取單元，將具有預(yù)定功率的光束照射到所述信息記錄介質(zhì)上，并檢測 從通過所述光束產(chǎn)生液體泡的信息記錄介質(zhì)的預(yù)定部分反射的光束；控制單元，控制所述拾取單元將所述具有預(yù)定功率的光束照射到所述信 息記錄介質(zhì)上，并處理由所述拾取單元檢測到的光學(xué)信號。
9、 如權(quán)利要求8所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述控制單元還控制所 述拾取器將具有足夠高的功率的光束照到所述信息記錄介質(zhì)上以在信息記錄 介質(zhì)中產(chǎn)生液體泡。
10、 如權(quán)利要求8所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述拾取單元應(yīng)用所述 信息記錄介質(zhì)的所述預(yù)定部分來檢測光束，在所述預(yù)定部分中，由發(fā)射的光 束產(chǎn)生的熔化的部分和液體泡共存。
11、 如權(quán)利要求8所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述拾取單元檢測應(yīng)用 由具有低熔點或低蒸發(fā)點的材料形成并包括在所述信息記錄介質(zhì)中的層來檢 測光束。
12、 如權(quán)利要求11所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述具有低熔點或低蒸發(fā)點的材料包4舌Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。
13、 如權(quán)利要求11所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述拾取單元還通過 應(yīng)用由具有金屬氧化物的材料形成并被包括在所述信息記錄介質(zhì)中的層來檢 測光束。
14、 一種將lt據(jù)記錄到具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)或從具有超分 辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)方法，所述方法的步驟包括將具有預(yù)定功率的光束照射到所述信息記錄介質(zhì)上； 檢測從通過所述光束產(chǎn)生液體泡的所述信息記錄介質(zhì)的 一部分反射的光束；處理對應(yīng)于檢測到的光束的光學(xué)信號。
15、 如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的照射的 步驟中，具有足夠高功率的光束被照射到所述信息記錄介質(zhì)上以在所述信息 記錄介質(zhì)中產(chǎn)生液體泡。
16、 如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的檢測步 驟中，應(yīng)用所述信息記錄介質(zhì)的一部分來檢測光束，在所述信息記錄介質(zhì)的 這部分中，由發(fā)射的光束產(chǎn)生的熔化的部分和液體泡共存。
17、 如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的檢測步 驟中，應(yīng)用由具有低熔點或低蒸發(fā)點的材料形成并被包括在所述信息記錄介 質(zhì)中的層來檢測光束。
18、 如權(quán)利要求17所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，所述具有低熔點或低 蒸發(fā)點的材料包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。
19、 如權(quán)利要求17所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的檢測步 驟中，還通過應(yīng)用由具有金屬氧化物的材料形成并被包括在所述信息記錄介 質(zhì)中的層來^f企測光束。
20、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述液體泡包含蒸汽、 氣體和液體中的至少 一種。
21、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述AglnSbTe的比例 為大約6:4.4:61:28.6。
22、 如權(quán)利要求20所述信息記錄介質(zhì)，其中，所述蒸汽為Te蒸汽，所 述氣體為Ar氣體。
23、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述液體泡為包括蒸汽和氣體中的至少一種的液體薄層。
24、 一種具有超分辨率的信息記錄介質(zhì)，所述信息記錄介質(zhì)包括 一對介電層；第一相的相變材料，置于所述一對介電層之間，其中，第二相和第三相 的至少一個的穴通過為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)而照射的光束形成在所 述相變材料的至少一部分中。
25、 如權(quán)利要求24所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述第一相為固相，所 述第二相為液相，所述第三相為氣相。
26、 如權(quán)利要求24所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述相變材料包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一個。
27、 如權(quán)利要求24所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述相變材料為 AglnSbTe。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種超分辨率信息記錄介質(zhì)，一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備和一種使用提供了由液體泡引起的超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)方法。液體泡通過為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)而照射的光束形成在所述介質(zhì)的至少一部分中。因此，所述超分辨率信息記錄介質(zhì)具有改善了的光學(xué)特性，使得記錄/再現(xiàn)可以更加優(yōu)良。
文檔編號G11B7/24GK101238514SQ200680028911
公開日2008年8月6日 申請日期2006年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月8日
發(fā)明者中野隆志, 富永淳二, 小林龍弘, 島隆之, 福澤成敏, 菊川隆, 金朱鎬, 黃仁吾 申請人:三星電子株式會社;獨立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所