專利名稱：磁頭組件的撓性布線板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用于硬盤裝置等的磁頭組件的撓性布線板。
背景技術(shù)：
在磁頭組件中具備對(duì)固定在該磁頭組件的自由端部的磁頭主體(磁頭滑塊)和該磁頭組件外的電路系統(tǒng)進(jìn)行導(dǎo)通連接用的撓性布線板。該撓性布線板一般具有一端部與磁頭主體連接、另一端部與外部電路系統(tǒng)連接的布線圖案；保護(hù)該布線圖案的絕緣保護(hù)膜；及沿著該絕緣保護(hù)膜和布線圖案的金屬制的基底部件；在將其長(zhǎng)度方向的一部分向直角方向彎曲的狀態(tài)下固定在磁頭組件上。這種撓性布線板記載在專利文獻(xiàn)1～4中。
專利文獻(xiàn)1日本特開2000-48339號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2000-331323號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2001-111178號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開2004-335042號(hào)公報(bào)(US Pub.No.2004/0228038A1)但是，在以往的構(gòu)造中，如果將撓性布線板向直角方向彎曲，則彎曲應(yīng)力集中在其彎曲部的一部分，有時(shí)會(huì)在絕緣保護(hù)膜上產(chǎn)生裂縫。絕緣保護(hù)膜使用聚酰亞胺那樣的絕緣樹脂材料，但是，如果為了強(qiáng)化布線圖案的保護(hù)而提高絕緣保護(hù)膜的機(jī)械強(qiáng)度，則產(chǎn)生裂縫的危險(xiǎn)性升高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述以往課題而做出的，目的是得到一種防止在彎曲部產(chǎn)生裂縫而實(shí)現(xiàn)提高可靠性的磁頭組件的撓性布線板。
本發(fā)明是著眼于如果緩和向撓性布線板的彎曲應(yīng)力的集中就能夠避免彎曲部產(chǎn)生裂縫而做出的。
即，本發(fā)明是一種磁頭組件的撓性布線板，具有布線圖案，一端部與固定在磁頭組件的自由端部的磁頭主體連接，另一端部與該磁頭組件以外的電路系統(tǒng)連接；絕緣保護(hù)膜，保護(hù)該布線圖案；金屬制的基底部件，沿著該絕緣保護(hù)膜和布線圖案；在該基底部件上形成有成為彎曲該基底部件時(shí)的導(dǎo)引部的彎曲導(dǎo)引貫通孔，其特征在于，在彎曲導(dǎo)引貫通孔中，在該基底部件的長(zhǎng)度方向上錯(cuò)開位置設(shè)置局部地縮短基底部件的彎曲寬度方向的剩余寬度的多個(gè)凹口。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，如果在撓性布線板上施加彎曲應(yīng)力，則該撓性布線板利用多個(gè)凹口階段性地彎曲，所以，彎曲應(yīng)力不會(huì)局部地集中，能夠避免在絕緣保護(hù)膜中產(chǎn)生裂縫。
基底部件實(shí)際上是通過多個(gè)凹口以布線圖案和絕緣保護(hù)膜為內(nèi)側(cè)彎曲。
多個(gè)凹口可以由從彎曲導(dǎo)引貫通孔的內(nèi)側(cè)朝向基底部件的外緣寬度變窄的切槽形成。此外，可以由從基底部件的外緣朝向彎曲導(dǎo)引貫通孔寬度變窄的切槽形成?；蛘?，也可以由從彎曲導(dǎo)引貫通孔的內(nèi)側(cè)朝向基底部件的外緣寬度變窄的切槽、和從基底部件的外緣朝向彎曲導(dǎo)引貫通孔寬度變窄的切槽的組合來形成。
多個(gè)凹口優(yōu)選為關(guān)于基底部件的長(zhǎng)度方向的中心線以線對(duì)稱形狀形成。通過做成線對(duì)稱形狀，各凹口的中央位置成為彎曲基準(zhǔn)，能夠在凹口位置更穩(wěn)定地彎曲撓性布線板。
多個(gè)凹口優(yōu)選為由在上述基底部件的彎曲寬度方向上分別設(shè)置一對(duì)的切槽構(gòu)成。通過一對(duì)凹口在彎曲寬度方向上對(duì)置配置，能夠在該凹口位置更簡(jiǎn)單地彎曲撓性布線板。
彎曲導(dǎo)引貫通孔優(yōu)選為在上述基底部件的長(zhǎng)度方向上延伸形成為比最外側(cè)的凹口長(zhǎng)。根據(jù)這種方式，絕緣保護(hù)膜利用彎曲導(dǎo)引貫通孔從與基底部件粘接中被解脫出容易彎曲，能夠進(jìn)一步防止產(chǎn)生裂縫。
實(shí)際上，基底部件采用不銹鋼制，絕緣保護(hù)膜由聚酰亞胺構(gòu)成。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，得到防止在彎曲部產(chǎn)生裂縫而實(shí)現(xiàn)提高可靠性的磁頭組件的撓性布線板。


圖1是表示具備本發(fā)明的磁頭組件的撓性布線板的硬盤裝置的整體構(gòu)造的俯視圖。
圖2是圖1的磁頭組件的自由端部的立體圖。
圖3是表示圖2的撓性布線板的彎曲部的放大俯視圖。
圖4(A)、圖4(B)是說明彎曲撓性布線板的順序的剖視圖。
圖5是表示凹口的第1變形例的俯視圖。
圖6是表示凹口的第2變形例的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
首先，參照?qǐng)D1及圖2，說明具備本發(fā)明的磁頭組件的撓性布線板的硬盤裝置的整體構(gòu)造。
在以旋轉(zhuǎn)軸11為中心被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的硬盤(磁盤)12的外部，搖臂20的基部以旋轉(zhuǎn)軸13為中心往復(fù)擺動(dòng)自如被支承。搖臂20由撓性件22和承載梁23(圖2)構(gòu)成。撓性件22是板彈狀的具有撓性的薄金屬板，具有粘接固定了磁頭主體(磁頭滑塊)21的自由端部22a，相對(duì)于該承載梁23在彈性地浮游支承磁頭主體21的狀態(tài)下安裝在承載梁23的前端部。如果搖臂20通過驅(qū)動(dòng)器14以旋轉(zhuǎn)軸13為中心往復(fù)擺動(dòng)，則磁頭主體21在硬盤12的大致半徑方向上往復(fù)移動(dòng)。
在撓性件22的表面由樹脂粘接劑等安裝有撓性布線板40。撓性布線板40由不銹鋼制的基底部件41、形成在基底部件41上的多個(gè)布線圖案42、覆蓋多個(gè)布線圖案42進(jìn)行保護(hù)的絕緣保護(hù)膜43、及覆蓋絕緣保護(hù)膜43的表面的覆蓋膜44構(gòu)成。多個(gè)布線圖案42由Cu或W等的導(dǎo)電材料形成薄膜，一端部與磁頭主體21連接，另一端部與外部電路系統(tǒng)(記錄再現(xiàn)電路15及控制電路16)連接。各布線圖案42的一端部和磁頭主體21用金球(金ボ一ル)結(jié)合。絕緣保護(hù)膜43例如由聚酰亞胺等的絕緣樹脂材料形成，覆蓋膜44例如由聚酰亞胺形成。這里，基底部件41的厚度為15～25μm程度，布線圖案42的厚度大約為18μm以下，絕緣保護(hù)膜43及覆蓋膜44各自的厚度為1O～40μm程度。
如圖2中放大所示，該撓性布線板40從撓性件22的自由端部22a沿著兩側(cè)緣部延伸，從撓性件22的后端緣部再引出而合成一股后，沿著搖臂20的側(cè)面在向直角方向彎曲的狀態(tài)下被固定。在撓性布線板40的彎曲部40A，將基底部件41切口而形成有在該基底部件41的長(zhǎng)度方向上延伸的長(zhǎng)方形狀的彎曲導(dǎo)引貫通孔50(參照?qǐng)D3)。彎曲導(dǎo)引貫通孔50是將撓性布線板40進(jìn)行彎曲時(shí)的彎曲導(dǎo)引部，通過局部地減弱基底部件41的機(jī)械強(qiáng)度使撓性布線板40容易彎曲。在該彎曲導(dǎo)引貫通孔50露出了一部分絕緣保護(hù)膜43的背面。
控制電路16具有硬盤裝置整體的控制單元的功能，具體而言，在磁頭主體21和記錄再現(xiàn)電路15之間收發(fā)記錄再現(xiàn)信息信號(hào)，并且，根據(jù)磁頭主體21從硬盤12收到的跟蹤信號(hào)來驅(qū)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)器14，從而將搖臂20及磁頭主體21控制在正確的磁道位置上。
接著，參照?qǐng)D2及圖3詳細(xì)地說明作為本實(shí)施方式的特征部分的撓性布線板的彎曲部。圖2是放大表示撓性布線板40的立體圖，圖3是表示設(shè)置在撓性布線板40的彎曲部40A的彎曲導(dǎo)引貫通孔50及凹口51(均為彎曲之前的狀態(tài))的俯視圖。
在撓性布線板40的彎曲部40A，如上所述地彎曲撓性布線板40時(shí)成為導(dǎo)引部的彎曲導(dǎo)引貫通孔50設(shè)置在基底部件41，在該彎曲導(dǎo)引貫通孔50中形成有使基底部件41的彎曲寬度方向(圖3的上下方向)的剩余寬度W局部地縮短而賦予彎曲基準(zhǔn)的多個(gè)凹口51。
多個(gè)凹口51在彎曲寬度方向上成對(duì)設(shè)置以便夾著彎曲導(dǎo)引貫通孔50相對(duì)置，在基底部件41的長(zhǎng)度方向(圖3的左右方向)上分別錯(cuò)開位置配置。各凹口51從彎曲導(dǎo)引貫通孔50的內(nèi)側(cè)朝向基底部件41的外緣而變窄的V字狀的切槽，關(guān)于在圖3中用虛線表示的假想的彎曲基準(zhǔn)線C呈對(duì)稱形狀。換言之，各凹口51在基底部件41的長(zhǎng)度方向(圖3的左右方向)的中央位置槽寬度最窄，分別將連接在彎曲寬度方向上相對(duì)置的各對(duì)凹口51的中央位置的直線作為彎曲基準(zhǔn)線C。
在撓性布線板40的彎曲部40A，基底部件41的彎曲寬度方向的剩余寬度在各凹口51的中央位置為最小寬度Wmin、在彎曲導(dǎo)引貫通孔50及凹口51兩者都未形成的區(qū)域?yàn)樽畲笾礧max。該最大值Wmax與基底部件41自身的寬度尺寸相等。在形成有彎曲導(dǎo)引貫通孔50、未形成凹口51的區(qū)域的基底部件41的剩余寬度W1滿足Wmin＜W1＜Wmax?；撞考?1其彎曲寬度方向的剩余寬度越短、機(jī)械強(qiáng)度越弱而容易彎曲。因此，如果對(duì)撓性布線板40的彎曲部40A施加彎曲應(yīng)力，則在連結(jié)彎曲寬度方向上相對(duì)置的凹口51的中心位置的直線(彎曲基準(zhǔn)線C)上，該彎曲部40A容易被彎曲。彎曲部40A的曲率由各凹口51的外緣形狀的曲率規(guī)定。
絕緣保護(hù)膜43由于在基底部件41上形成有彎曲導(dǎo)引貫通孔50及多個(gè)凹口51，所以，在彎曲部40A中，一部分從與基底部件41的粘接中被解脫出來而變得容易彎曲。此外，彎曲導(dǎo)引貫通孔50比多個(gè)凹口51中位于最外側(cè)的凹口更向基底部件41的長(zhǎng)度方向延伸而形成。如果這樣彎曲導(dǎo)引貫通孔50向基底部件41的長(zhǎng)度方向延伸，則從與基底部件41的粘接中被解脫出的絕緣保護(hù)膜43的區(qū)域增大，能夠進(jìn)一步提高絕緣保護(hù)膜43的彎曲自由度。
上述結(jié)構(gòu)的撓性布線板40通過圖4(A)、圖4(B)所示的步驟，將覆蓋膜44側(cè)作為內(nèi)側(cè)向直角方向(從絕緣保護(hù)膜43側(cè)觀察為內(nèi)折)彎曲。
具體而言，首先，如圖4(A)所示，將基底部件41作為背面設(shè)置撓性布線板40，從表面的覆蓋膜44側(cè)裝載推壓部件60，將彎曲導(dǎo)引貫通孔50的一端側(cè)的撓性布線板40進(jìn)行固定。接著，如該圖4(A)所示，使彎曲導(dǎo)引貫通孔50的另一端側(cè)(沒有用推壓部件60固定的一側(cè))的撓性布線板40朝向上方(圖示箭頭側(cè))立起，在彎曲導(dǎo)引貫通孔50的一端側(cè)和另一端側(cè)之間對(duì)撓性布線板40施加彎曲應(yīng)力。于是，如圖4(B)所示，撓性布線板40的基底部件41在各凹口51的中央位置(由圖3的彎曲基準(zhǔn)線C表示的位置)階段性地被彎曲，得到彎曲導(dǎo)引貫通孔50的一端側(cè)和另一端側(cè)朝向直角方向的彎曲部40A。該彎曲部40A由撓性布線板40的上述1次的起立動(dòng)作得到。在本實(shí)施方式中，由于在彎曲導(dǎo)引貫通孔50的2個(gè)部位形成有一對(duì)凹口51，所以撓性布線板40的彎曲部40A由2階段的彎曲構(gòu)成，在各一對(duì)凹口51各彎曲45度。
如上所述，在本實(shí)施方式中，由于設(shè)有局部地縮短基底部件41的彎曲寬度方向的剩余寬度而對(duì)撓性布線板40提供彎曲基準(zhǔn)的多個(gè)凹口51，所以利用多個(gè)凹口51能夠?qū)闲圆季€板40階段性地彎曲。這樣，如果階段性地彎曲撓性布線板40，則該撓性布線板40(基底部件41、布線圖案42、絕緣保護(hù)膜43及覆蓋膜44)受到的彎曲應(yīng)力被分散，所以絕緣保護(hù)膜43的延伸被緩和，能夠防止產(chǎn)生裂縫。此外，在本實(shí)施方式中，彎曲導(dǎo)引貫通孔50在基底部件41的長(zhǎng)度方向上延伸形成為比最外側(cè)的凹口長(zhǎng)，所以提高了絕緣保護(hù)膜43的彎曲自由度，由此也能夠防止產(chǎn)生裂縫。由此，能夠得到?jīng)]有裂縫的高可靠性的撓性布線板40，還能夠與絕緣保護(hù)膜43的機(jī)械強(qiáng)度的提高對(duì)應(yīng)。
在以上的本實(shí)施方式中，將多個(gè)凹口51與彎曲導(dǎo)引貫通孔50一體形成，但是，也可以是多個(gè)凹口51與彎曲導(dǎo)引貫通孔50分體地形成，能夠進(jìn)行各種變形。
圖5及圖6表示賦予彎曲導(dǎo)引貫通孔50的凹口的變形例。圖5所示的第1變形例是設(shè)置與彎曲導(dǎo)引貫通孔50分體地形成的、從該彎曲導(dǎo)引貫通孔50的外側(cè)局部地縮短基底部件的彎曲寬度方向的剩余寬度的多個(gè)凹口151的方式。多個(gè)凹口151是從基底部件41的外緣朝向彎曲導(dǎo)引貫通孔50寬度變窄的V字狀的切槽，在基底部件41的長(zhǎng)度方向(圖5的左右方向)的中央位置槽寬度最狹窄，關(guān)于該中央位置(在圖5上以虛線表示的假想的彎曲基準(zhǔn)線C)呈對(duì)稱形狀。圖6所示的第2變形例是設(shè)置與彎曲導(dǎo)引貫通孔50一體地形成的多個(gè)凹口51(圖3)、和與彎曲導(dǎo)引貫通孔50分體地形成的多個(gè)凹口151(圖5)兩者的方式。在這些圖5及圖6所示的變形例以外，多個(gè)凹口也可以形成在基底部件41的外緣和彎曲導(dǎo)引貫通孔50之間，也可以由設(shè)在彎曲基準(zhǔn)線C上的狹縫構(gòu)成。即，只要是用于局部地縮短基底部件41的彎曲寬度方向的剩余寬度的切口即可。
以上，根據(jù)圖示實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是，本發(fā)明只要不脫離該范圍就能夠進(jìn)行變更，并不限于圖示實(shí)施方式。
權(quán)利要求
1.一種磁頭組件的撓性布線板，具有布線圖案，一端部與固定在磁頭組件的自由端部的磁頭主體連接，另一端部與該磁頭組件以外的電路系統(tǒng)連接；絕緣保護(hù)膜，保護(hù)該布線圖案；及基底部件，是金屬制的，沿著該絕緣保護(hù)膜和布線圖案；在該基底部件中形成有成為彎曲該基底部件時(shí)的導(dǎo)引部的彎曲導(dǎo)引貫通孔，其特征在于，在上述彎曲導(dǎo)引貫通孔中，在該基底部件的長(zhǎng)度方向上錯(cuò)開位置而設(shè)置了局部地縮短上述基底部件的彎曲寬度方向的剩余寬度的多個(gè)凹口。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，上述基底部件利用多個(gè)上述凹口，以上述布線圖案和絕緣保護(hù)膜為內(nèi)側(cè)彎曲。
3.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，多個(gè)上述凹口由從上述彎曲導(dǎo)引貫通孔的內(nèi)側(cè)朝向上述基底部件的外緣寬度變窄的切槽構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，多個(gè)上述凹口由從上述基底部件的外緣朝向上述彎曲導(dǎo)引貫通孔寬度變窄的切槽構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，多個(gè)上述凹口由從上述彎曲導(dǎo)引貫通孔的內(nèi)側(cè)朝向上述基底部件的外緣寬度變窄的切槽、和從上述基底部件的外緣朝向上述彎曲導(dǎo)引貫通孔寬度變窄的切槽的組合構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求3所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，多個(gè)上述凹口關(guān)于上述基底部件的長(zhǎng)度方向的中心線以線對(duì)稱形狀形成。
7.如權(quán)利要求3所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，多個(gè)上述凹口由在上述基底部件的彎曲寬度方向上分別設(shè)置一對(duì)的切槽構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，上述彎曲導(dǎo)引貫通孔在上述基底部件的長(zhǎng)度方向上延伸形成為比最外側(cè)的凹口長(zhǎng)。
9.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，上述基底部件是不銹鋼制。
10.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件的撓性布線板，其特征在于，上述絕緣保護(hù)膜由聚酰亞胺構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明得到防止在彎曲部產(chǎn)生裂縫而實(shí)現(xiàn)提高可靠性的磁頭組件的撓性布線板。本發(fā)明提供一種磁頭組件的撓性布線板，具有布線圖案，一端部與磁頭主體連接，另一端部與外部電路系統(tǒng)連接；絕緣保護(hù)膜，保護(hù)該布線圖案；及基底部件，是金屬制的，沿著該絕緣保護(hù)膜和布線圖案；在該基底部件上形成有成為彎曲該基底部件時(shí)的導(dǎo)引部的彎曲導(dǎo)引貫通孔；其特征在于，在彎曲導(dǎo)引貫通孔中，在該基底部件的長(zhǎng)度方向上錯(cuò)開位置而設(shè)置局部地縮短基底部件的彎曲寬度方向的剩余寬度的多個(gè)凹口。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1925004SQ20061012665
公開日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日
發(fā)明者本西道治 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社