專利名稱：磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑的制造方法及磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，磁盤(pán)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑的制造方法，一種磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，一種磁盤(pán)，以及一種該磁盤(pán)的制造方法。更具體而言，本發(fā)明涉及制造一種潤(rùn)滑劑的方法，該潤(rùn)滑劑提供適合于加載卸載系統(tǒng)并且含有潤(rùn)滑層的磁盤(pán)，所述潤(rùn)滑層即使在磁頭只有12nm或以下的非常窄的飛行高度的情況下，也能夠抑制飛行靜摩擦缺陷(fly stiction defect)或者磁頭表面上的污染物，提供一種用這種方法獲得的潤(rùn)滑劑，一種使用該潤(rùn)滑劑獲得的并且具有上述特征的磁盤(pán)，以及一種這種磁盤(pán)的制造方法。
背景技術(shù)：
在例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)的磁盤(pán)設(shè)備中，已經(jīng)使用CSS(接觸起停)系統(tǒng)。在CSS系統(tǒng)中，當(dāng)磁盤(pán)設(shè)備停止時(shí)，磁頭仍保持與形成在磁盤(pán)表面內(nèi)周區(qū)域中的接觸起停區(qū)(CSS區(qū))接觸。在開(kāi)始操作中，磁頭在與其接觸的CSS區(qū)上滑動(dòng)至略微浮起。此后，在形成于CSS區(qū)外的記錄/復(fù)制區(qū)進(jìn)行記錄或復(fù)制操作。在停止操作中，磁頭從記錄/復(fù)制區(qū)退回到CSS區(qū)，在著陸于接觸的CSS區(qū)并在其上滑動(dòng)之后停止運(yùn)動(dòng)。發(fā)生接觸滑動(dòng)移動(dòng)的開(kāi)始操作和停止操作統(tǒng)稱為CSS操作。
在用于上述CSS系統(tǒng)的磁盤(pán)中，必須在磁盤(pán)表面上形成CSS區(qū)和記錄/復(fù)制區(qū)。而且，為了防止磁頭和磁盤(pán)接觸時(shí)在磁頭和磁盤(pán)之間的靜摩擦，必須給磁盤(pán)表面提供具有預(yù)定表面粗糙度的結(jié)構(gòu)。為了抑制由CSS操作過(guò)程中磁頭和磁盤(pán)之間接觸滑動(dòng)移動(dòng)造成的損傷，有人建議將磁盤(pán)介質(zhì)涂覆上具有HOCH2-CF2O-(C2F4O)p-(CF2O)q-CH2OH結(jié)構(gòu)的全氟烷基聚醚潤(rùn)滑劑(例如，參見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)(JP-A)S62-66417)。還有人建議制造一種硬磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，該潤(rùn)滑劑包含特定的磷腈化合物作為主要組分(例如，參見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)(JP-A)H11-224419)。
最近引入了加載卸載系統(tǒng)的磁盤(pán)設(shè)備代替上述的CSS系統(tǒng)。以下，加載卸載系統(tǒng)可以適當(dāng)?shù)胤Q作LUL系統(tǒng)。在LUL系統(tǒng)中，當(dāng)磁盤(pán)設(shè)備停止時(shí)，磁頭退回到位于磁盤(pán)外的稱作滑行臺(tái)的傾斜臺(tái)上。在開(kāi)始操作中，在磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)開(kāi)始后，磁頭從滑行臺(tái)滑動(dòng)到磁盤(pán)上。其后進(jìn)行記錄或復(fù)制操作。一系列上述操作統(tǒng)稱為L(zhǎng)UL操作。與CSS系統(tǒng)相比，LUL系統(tǒng)保證了在磁盤(pán)表面有一個(gè)寬的記錄/復(fù)制區(qū)，因此從增加信息容量考慮是優(yōu)選的。而且，在LUL系統(tǒng)中，在磁盤(pán)表面上不需要形成CSS系統(tǒng)所需的結(jié)構(gòu)，從而磁盤(pán)表面可以非常平整和光滑。因此，可以顯著降低磁頭的飛行高度，從而增加記錄信號(hào)的S/N比。因此，LUL系統(tǒng)是有利的。
在引入LUL系統(tǒng)后，如上所述，磁頭的飛行高度被顯著降低。在這種情況下，要求磁盤(pán)即使在磁頭具有12nm或以下的非常低的飛行高度時(shí)也能夠穩(wěn)定操作。但是，當(dāng)磁頭以這種非常低的飛行高度在磁盤(pán)表面上飛行并運(yùn)行時(shí)，經(jīng)常產(chǎn)生飛行靜摩擦缺陷和磁頭腐蝕缺陷。
飛行靜摩擦缺陷是磁頭在飛行和運(yùn)行過(guò)程中飛行位置或飛行高度有波動(dòng)的缺陷。飛行靜摩擦缺陷在復(fù)制輸出中伴隨有不規(guī)律波動(dòng)。在最壞的情況下，磁盤(pán)在飛行和運(yùn)行過(guò)程中與磁頭接觸造成磁頭碰撞缺陷，導(dǎo)致磁盤(pán)破裂。
另一方面，腐蝕缺陷是磁頭的器件部分被腐蝕，造成記錄或復(fù)制操作問(wèn)題的缺陷。有時(shí)，記錄或復(fù)制操作變得不可能，或者在飛行和運(yùn)行過(guò)程中腐蝕的器件擴(kuò)大而損傷磁盤(pán)表面。
近年來(lái)，為了提高磁盤(pán)設(shè)備的響應(yīng)速度，提高了磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)速度。在2.5英寸磁盤(pán)設(shè)備中，如適合用于移動(dòng)用途的小型磁盤(pán)設(shè)備中，過(guò)去的旋轉(zhuǎn)速度約為4200rpm。最近，在5400rpm或更高的旋轉(zhuǎn)速度下旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)，以提高響應(yīng)特性。磁盤(pán)的這種高速旋轉(zhuǎn)暴露出這樣一個(gè)現(xiàn)象，即旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力造成潤(rùn)滑層的移動(dòng)，因而磁盤(pán)平面中的潤(rùn)滑層的厚度變得不均勻。如果磁盤(pán)外周處的潤(rùn)滑層厚度增加，則在LUL操作過(guò)程中容易產(chǎn)生飛行靜摩擦缺陷或磁頭碰撞缺陷。如果磁盤(pán)內(nèi)周處的潤(rùn)滑層厚度減小，則潤(rùn)滑性能降低，從而容易產(chǎn)生磁頭碰撞缺陷。
在使用上述公開(kāi)中所述的常規(guī)潤(rùn)滑劑時(shí)，導(dǎo)致這些缺陷經(jīng)常出現(xiàn)。因而難以滿足近來(lái)對(duì)磁盤(pán)可靠性的要求。因此，制約了磁盤(pán)容量的增加、S/N比的改善和響應(yīng)速度的提高。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述情況，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種制造潤(rùn)滑劑的方法，該潤(rùn)滑劑提供適合于LUL系統(tǒng)并且含有潤(rùn)滑層的磁盤(pán)，所述潤(rùn)滑層即使在磁頭只有12nm或以下的非常低的飛行高度的情況下，也能夠抑制飛行靜摩擦缺陷或者磁頭表面有污染物，提供一種用這種方法獲得的潤(rùn)滑劑，一種使用該潤(rùn)滑劑獲得的并且具有上述特征的磁盤(pán)，以及一種制造這種磁盤(pán)的方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行了調(diào)查研究。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)依靠制造許多氟代聚醚化合物，這種化合物是潤(rùn)滑劑的一種組分并且含有作為端基的官能團(tuán)，在使用這種潤(rùn)滑劑獲得的磁盤(pán)的LUL耐久度試驗(yàn)或飛行靜摩擦試驗(yàn)中，出現(xiàn)了飛行靜摩擦缺陷或磁頭的污染。本發(fā)明的發(fā)明人對(duì)這種不利情況的起因進(jìn)行了進(jìn)一步的調(diào)查研究。
結(jié)果，顯示上述不利情況是由氟代聚醚化合物中以雜質(zhì)形式所含的含磷化合物造成的。上述公開(kāi)都沒(méi)有描述以雜質(zhì)形式包含在潤(rùn)滑劑中的含磷化合物對(duì)磁盤(pán)性能有嚴(yán)重影響，也沒(méi)有建議除去這樣的雜質(zhì)。
作為更進(jìn)一步調(diào)查研究的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)使用一種潤(rùn)滑劑可以抑制飛行靜摩擦缺陷和磁頭污染，這種潤(rùn)滑劑是從包含含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑，通過(guò)使用例如分子篩，從原料潤(rùn)滑劑中除去含磷化合物而制造的，并且這種潤(rùn)滑劑含有含量不大于特定值的含磷化合物?；谏鲜霭l(fā)現(xiàn)，完成了本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明的方法和根據(jù)本發(fā)明的潤(rùn)滑劑如下(1)一種制造用于包含潤(rùn)滑層的磁盤(pán)的潤(rùn)滑劑的方法，所述潤(rùn)滑劑用于從所述潤(rùn)滑劑制造所述潤(rùn)滑層，所述方法包括從包含含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物以制造所述潤(rùn)滑劑的去除步驟。
(2)根據(jù)上述項(xiàng)(1)的方法，其中所述去除步驟制造出包含含量以磷酸根離子(PO43-)計(jì)為0.01μg/g或更小的含磷化合物的所述潤(rùn)滑劑。
(3)根據(jù)上述項(xiàng)(1)的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
(4)根據(jù)上述項(xiàng)(2)的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
(5)根據(jù)上述項(xiàng)(3)的方法，其中所述分子篩是有效孔徑大小為0.3到1.0nm的結(jié)晶沸石。
(6)根據(jù)上述項(xiàng)(4)的方法，其中所述分子篩是有效孔徑大小為0.3到1.0nm的結(jié)晶沸石。
(7)根據(jù)上述項(xiàng)(3)的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，并且隨后對(duì)所述原料潤(rùn)滑劑進(jìn)行分子蒸餾，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
(8)根據(jù)上述項(xiàng)(4)的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，并且隨后對(duì)所述原料潤(rùn)滑劑進(jìn)行分子蒸餾，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
(9)根據(jù)上述項(xiàng)(5)的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，并且隨后對(duì)所述原料潤(rùn)滑劑進(jìn)行分子蒸餾，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
(10)根據(jù)上述項(xiàng)(6)的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，并且隨后對(duì)所述原料潤(rùn)滑劑進(jìn)行分子蒸餾，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
(11)根據(jù)上述項(xiàng)(1)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(12)根據(jù)上述項(xiàng)(2)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(13)根據(jù)上述項(xiàng)(3)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(14)根據(jù)上述項(xiàng)(4)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(15)根據(jù)上述項(xiàng)(5)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(16)根據(jù)上述項(xiàng)(6)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(17)根據(jù)上述項(xiàng)(7)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(18)根據(jù)上述項(xiàng)(8)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(19)根據(jù)上述項(xiàng)(9)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(20)根據(jù)上述項(xiàng)(10)的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
(21)一種磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，該潤(rùn)滑劑是用根據(jù)上述項(xiàng)(1)的方法獲得的。
(22)一種磁盤(pán)，該磁盤(pán)包含襯底，在其襯底上相繼形成至少一層磁層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層，其中所述潤(rùn)滑層是用根據(jù)上述項(xiàng)(21)的潤(rùn)滑劑制成的。
(23)根據(jù)上述項(xiàng)(22)的磁盤(pán)，該磁盤(pán)被安裝到通過(guò)加載卸載系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)始/停止操作的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上。
(24)一種制造磁盤(pán)的方法，所述磁盤(pán)包含襯底，在其襯底上相繼形成至少一層磁層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層，所述方法包括形成碳-基保護(hù)層作為所述保護(hù)層，并且隨后用根據(jù)上述項(xiàng)(21)的潤(rùn)滑劑制造潤(rùn)滑層的步驟。
(25)根據(jù)上述項(xiàng)(24)的方法，其中所述磁盤(pán)適合安裝到通過(guò)加載卸載系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)始/停止操作的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種制造潤(rùn)滑劑的方法，該潤(rùn)滑劑提供適合于LUL系統(tǒng)并且含有潤(rùn)滑層的磁盤(pán)，所述潤(rùn)滑層即使在磁頭只有12nm或以下的非常低的飛行高度的情況下，也能夠抑制飛行靜摩擦缺陷或者磁頭表面上的污染物，并且提供一種用這種方法獲得的潤(rùn)滑劑。
而且，還可以提供一種使用上述潤(rùn)滑劑獲得的并且具有上述特征的磁盤(pán)，以及一種制造這種磁盤(pán)的方法。


圖1顯示了本發(fā)明中使用的分子蒸餾設(shè)備的一個(gè)實(shí)例；和圖2是用于描述本發(fā)明的磁盤(pán)的示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式
首先描述制造磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑的方法。
可應(yīng)用于本發(fā)明的制造潤(rùn)滑劑的方法用于制造形成在磁盤(pán)表面上的潤(rùn)滑層的潤(rùn)滑劑。根據(jù)本發(fā)明，潤(rùn)滑劑是從含有含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑，通過(guò)從原料潤(rùn)滑劑中除去含磷化合物而制造的。
可應(yīng)用于本發(fā)明的含有含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑沒(méi)有特別限制，只要原料潤(rùn)滑劑中含有含磷化合物，并且可以用這種原料潤(rùn)滑劑形成磁盤(pán)潤(rùn)滑層即可。優(yōu)選將含有作為端基的羥基的氟代聚醚化合物用作原料潤(rùn)滑劑。至于含有作為端基的羥基的氟代聚醚化合物，優(yōu)選使用含有兩個(gè)或更多羥基作為端基的氟代聚醚化合物，例如，具有分別由通式(I)和(II)表示的結(jié)構(gòu)的化合物 通式中，m、n、a、b、c和d各自表示不小于1的整數(shù)。特別地，考慮到含磷化合物的包容能力(containability)，優(yōu)選將本發(fā)明的方法應(yīng)用于如通式(II)表示的一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚化合物。
含有作為端基的羥基的氟代聚醚化合物的重均分子量?jī)?yōu)選為2000-8000，更優(yōu)選為3000-8000，還更優(yōu)選為4000-8000，并且分子量分散度優(yōu)選為1.25或更小，更優(yōu)選為1.2或更小，還更優(yōu)選為1.1或更小。不優(yōu)選重均分子量小于2000是因?yàn)榭赡芎写罅侩s質(zhì)。另一方面，不優(yōu)選重均分子量大于8000，因?yàn)檎扯仍黾佣赡茉斐娠w行靜摩擦。不優(yōu)選分子量分散度超過(guò)1.25，因?yàn)榉肿恿糠植甲兊眠^(guò)寬，并且含有低分子量和高分子量組分。通過(guò)如上所述地調(diào)節(jié)分子量分布，可以獲得包含這樣一種化合物的潤(rùn)滑劑，所述化合物具有提供適合于磁盤(pán)的潤(rùn)滑性能的氟代聚醚主鏈長(zhǎng)度(主鏈的長(zhǎng)度)。特別地，含有通式(II)表示的化合物的潤(rùn)滑劑趨向于含有低分子量化合物并且趨向于含有雜質(zhì)，所述的低分子量化合物的末端羥基數(shù)量小于通式(II)化合物的末端羥基數(shù)量。但是，采用本發(fā)明的分子量分布，可以消除低分子量化合物和雜質(zhì)，并且適當(dāng)?shù)乇憩F(xiàn)出本發(fā)明的效果。
在由通式(I)和(II)表示的化合物中，m、n、a、b、c和d每個(gè)都是不小于1的整數(shù)，并且經(jīng)過(guò)適當(dāng)選擇，使得化合物的重均分子量?jī)?yōu)選在2000到8000之間。
本發(fā)明中，對(duì)調(diào)節(jié)由通式(I)和(II)表示的化合物的分子量分布(重均分子量或分子量分散度)的方法沒(méi)有特別限制，只要使用的是能夠進(jìn)行分子量分級(jí)的分子量純化方法即可。但是，優(yōu)選潤(rùn)滑劑包含通過(guò)使用超臨界萃取和/或分子蒸餾的純化方法獲得的化合物。如果通過(guò)超臨界萃取和/或分子蒸餾進(jìn)行分子量分級(jí)，可以合適地獲得包含具有上述分子量分布的化合物的潤(rùn)滑劑。
上述氟代聚醚化合物中含有的含磷化合物主要包括產(chǎn)生磷酸根離子(PO43-)的化合物。
本發(fā)明中，為了從含有含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑中除去含磷化合物，優(yōu)選使用使原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸的方法。
所述分子篩是包含硅鋁酸鹽的結(jié)晶沸石，在晶體中含有縫狀微孔，并且具有晶體結(jié)構(gòu)和吸附特性可根據(jù)化學(xué)組成而變化的功能。
在原料潤(rùn)滑劑中含磷化合物被吸附并除去的情況下，含磷化合物中尺寸不大于分子篩有效孔徑的分子或離子被分子篩吸附。另一方面，尺寸大于有效孔徑的分子或離子不被分子篩吸附。本發(fā)明中使用的分子篩的有效孔徑是根據(jù)所要吸附的含磷化合物中的分子或離子而適當(dāng)選擇的。通常，有效孔徑優(yōu)選在0.3到1.0nm范圍之內(nèi)。此處需要指出的是磷酸根離子(PO43-)的大小約0.48nm。
至于有效孔徑在0.3到1.0nm范圍之內(nèi)的分子篩，可以使用例如3A型(有效孔徑為0.3nm)，4A型(有效孔徑為0.4nm)，5A型(有效孔徑為0.5nm)和13X型(有效孔徑為1.0nm)。符號(hào)A表示沸石A，而符號(hào)X表示沸石X。
對(duì)原料潤(rùn)滑劑和分子篩的接觸方法沒(méi)有特別限制。例如，可以使用如下方法。
首先，用合適的溶劑例如氟-基溶劑，將原料潤(rùn)滑劑稀釋，制備出將要處理的含有潤(rùn)滑劑的溶液，該溶液的潤(rùn)滑劑濃度約為30-300g/L。優(yōu)選要處理的溶液中所含的含磷化合物濃度落入10-300μg/g的范圍內(nèi)，特別是在15-150μg/g的范圍內(nèi)。如果要處理的溶液中所含的含磷化合物濃度高于300μg/g，優(yōu)選對(duì)該溶液進(jìn)行蒸餾或吸附，以將即將處理的溶液中所含的含磷化合物濃度調(diào)節(jié)到上述范圍之內(nèi)的水平。
接著，將分子篩加入到要處理的含有潤(rùn)滑劑的溶液中，使分子篩的含量為約10-300g/L，優(yōu)選50-150g/L。在10-60℃范圍內(nèi)的溫度下，將溶液攪拌0.1到5小時(shí)，進(jìn)行使分子篩吸附包含在含磷化合物中的要被吸附的分子或離子的吸附處理，所述的分子或離子如磷酸根離子(PO43-)。此后，將吸附處理后的溶液使用膜過(guò)濾器等進(jìn)行微量過(guò)濾，然后進(jìn)行蒸餾。
如果上述純化得到的含磷化合物的含量以磷酸根離子(PO43-)計(jì)為0.1μg/g或以下，則該溶液可以直接用作磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑。但是，如果希望進(jìn)一步降低含磷化合物的含量，或者如果上述純化得到的含磷化合物的含量以磷酸根離子(PO43-)計(jì)大于0.1μg/g，則進(jìn)一步進(jìn)行分子蒸餾以將其含量減小到0.1μg/g或以下。因此，可以將以磷酸根離子(PO43-)計(jì)的含磷化合物的含量降低到所需的水平。
分子蒸餾是這樣一種方法，其中將如上所述的經(jīng)過(guò)分子篩純化的潤(rùn)滑劑氣化并蒸餾，使氣化的潤(rùn)滑劑分子在其平均自由行程以內(nèi)的距離處液化，即，使氣化表面(蒸發(fā)表面)和液化表面(冷凝表面)之間的距離保持在潤(rùn)滑劑分子(氣體)的平均自由行程以內(nèi)。
上述分子蒸餾具有高蒸餾效率，因?yàn)闅饣臐?rùn)滑劑分子由于分子碰撞而很少回到氣化表面。因而，通過(guò)分子蒸餾，氣化的潤(rùn)滑劑分子在平均自由行程之內(nèi)的距離處液化而不與其他分子碰撞。因此，蒸餾可以在非平衡條件下朝液化表面方向進(jìn)行(氣化的潤(rùn)滑劑粒子超出平衡地向液化方向的條件)。
下面將要描述進(jìn)行上述分子蒸餾的設(shè)備。
圖1顯示了分子蒸餾設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖中20表示的分子蒸餾設(shè)備包含進(jìn)料瓶21，進(jìn)料瓶外套式加熱器22，磁耦合攪拌器23，攪拌器控制箱24，蒸餾主管25，蒸餾主管外套式加熱器26，殘液接收瓶27，蒸餾物接收瓶28，低沸點(diǎn)物質(zhì)冷凝阱29，真空計(jì)30和抽氣單元32。管道31連接到抽氣單元32。所述設(shè)備作為一個(gè)整體受控制面板33控制。
將要進(jìn)行分子蒸餾的潤(rùn)滑劑被供應(yīng)到進(jìn)料瓶21中。分子蒸餾不是必須在減壓環(huán)境中進(jìn)行的。但是，在磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑含有高分子量組分的情況下，優(yōu)選在預(yù)定的減壓環(huán)境中進(jìn)行分子蒸餾。如果不在減壓環(huán)境中進(jìn)行分子蒸餾，氣化的潤(rùn)滑劑分子和其他分子碰撞的頻率增加，從而阻止了在平均自由行程之內(nèi)的距離處液化。
因此，在將潤(rùn)滑劑供應(yīng)到進(jìn)料瓶21之后，用抽氣單元32將設(shè)備內(nèi)部抽氣到預(yù)定的減壓程度。例如，減壓程度優(yōu)選為約1×10-2Pa到1×10-3Pa或者低于此范圍的更高的真空度。減壓程度是用真空計(jì)30監(jiān)測(cè)的。潤(rùn)滑劑中所含的雜質(zhì)氣體等通過(guò)管道34流向抽氣單元32，并且被部分收集在低沸點(diǎn)物質(zhì)冷凝阱29中。如果需要，用進(jìn)料瓶外套式加熱器22加熱進(jìn)料瓶21中的潤(rùn)滑劑。
在將設(shè)備內(nèi)部抽至預(yù)定的減壓程度(真空度)后，將潤(rùn)滑劑從進(jìn)料瓶21輸送到蒸餾主管25。可以通過(guò)接在進(jìn)料瓶21下端的旋塞35的打開(kāi)程度控制從進(jìn)料瓶21供應(yīng)到蒸餾主管25中的潤(rùn)滑劑數(shù)量(進(jìn)料量)。通常，1-30g/min的進(jìn)料量是合適的。如果進(jìn)料量太小，則蒸餾所需時(shí)間長(zhǎng)。另一方面，如果進(jìn)料量太大，蒸餾效率可能降低。
通過(guò)安置在圓柱形的蒸餾主管25周圍的蒸餾主管外套式加熱器26將流入蒸餾主管25的潤(rùn)滑劑加熱到預(yù)定溫度。此處，加熱溫度至少是使?jié)櫥瑒饣臏囟龋⑶腋鶕?jù)潤(rùn)滑劑種類而不同。在含有氟代聚醚化合物作為主要組分的潤(rùn)滑劑的情況下，優(yōu)選加熱溫度在100至200℃之間的范圍內(nèi)，特別是在160到200℃之間的范圍內(nèi)?？梢酝ㄟ^(guò)控制外套式加熱器26的溫度來(lái)控制潤(rùn)滑劑的加熱溫度。如果將溫度計(jì)安置在蒸餾主管25中，則可以測(cè)量蒸餾主管25中的潤(rùn)滑劑的實(shí)際加熱溫度。
磁耦合攪拌器23有一個(gè)刮片(wiper)，該刮片由例如氟樹(shù)脂制成并且安置在蒸餾主管25的縱向方向上。在攪拌控制箱24的控制下，刮片在預(yù)定的方向上以20到100rpm的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。通過(guò)刮片的旋轉(zhuǎn)，潤(rùn)滑劑以薄膜形式沿著蒸餾主管25的壁表面展開(kāi)，從而容易氣化。氣化的潤(rùn)滑劑和安置在蒸餾主管25中的冷卻桿36接觸而液化，并且收集在蒸餾物接收瓶28中。將冷卻水從位于其下端的入口36a引入并從出水口36b排出。可以將收集在殘液接收瓶27中的沒(méi)有被氣化的殘液再供應(yīng)到進(jìn)料瓶21中，在通過(guò)蒸餾主管外套式加熱器26改變加熱溫度后進(jìn)行重復(fù)蒸餾。
圖1所示的分子蒸餾設(shè)備只是一個(gè)純粹的實(shí)例，用于分子蒸餾的設(shè)備不限于此。
本發(fā)明還提供一種用上述方法獲得的磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，以及一種具有通過(guò)使用上述磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑沉積的潤(rùn)滑層的磁盤(pán)。
在根據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑中，含磷化合物的含量以磷酸根離子(PO43-)計(jì)通常為0.1μg/g或以下，優(yōu)選為0.05μg/g或以下。根據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)含有這樣的潤(rùn)滑層，該潤(rùn)滑層即使在磁頭只有12nm或以下的非常低的飛行高度的情況下，也能夠抑制飛行靜摩擦缺陷和磁頭表面上的污染物，并且適合安裝在通過(guò)LUL系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)始和停止操作的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上。
而且，本發(fā)明還提供一種制造磁盤(pán)的方法，該方法用于制造包含襯底的磁盤(pán)，在其襯底上相繼形成至少一層磁層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層，并且該方法包括沉積碳-基保護(hù)層作為所述保護(hù)層，然后沉積上述磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑作為潤(rùn)滑層的步驟。
本發(fā)明中，潤(rùn)滑層是使用磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑作為潤(rùn)滑劑沉積的，所述磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑是從含有含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑，通過(guò)從原料潤(rùn)滑劑中除去含磷化合物而制造的。優(yōu)選使用這樣的潤(rùn)滑劑，其中含磷化合物的含量以磷酸根離子(PO43-)計(jì)通常為0.1μg/g或以下，優(yōu)選為0.05μg/g或以下，并且該潤(rùn)滑劑包含含有兩個(gè)或更多羥基作為端基的氟代聚醚化合物，特別是一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚化合物。
本發(fā)明中，對(duì)沉積潤(rùn)滑劑層的方法沒(méi)有特別限制。例如，可以使用浸涂，旋涂，噴淋和蒸汽涂布法。本發(fā)明中，在使用通過(guò)將潤(rùn)滑劑分散或溶解在溶劑中獲得的溶液來(lái)沉積潤(rùn)滑層的情況下，適當(dāng)選擇溶劑以適當(dāng)溶解潤(rùn)滑劑。如果潤(rùn)滑劑是上述的氟代聚醚化合物，則氟-基溶劑是優(yōu)選的，因?yàn)樗鰸?rùn)滑劑被適當(dāng)?shù)胤稚⒑腿芙?。至于?基溶劑，適合使用由Dupont-Mitsui Fluorochemical制造的VertrelTMXF或者3M制造的HFE7100。
本發(fā)明中，優(yōu)選潤(rùn)滑層的厚度在0.5至1.8nm之間的范圍內(nèi)，特別是在0.7至1.5nm之間的范圍內(nèi)。不優(yōu)選厚度小于0.5nm，因?yàn)闈?rùn)滑層的潤(rùn)滑性能下降。也不優(yōu)選超過(guò)1.8nm的厚度，因?yàn)闈?rùn)滑層上部區(qū)域和保護(hù)層的粘合強(qiáng)度可能部分變?nèi)酢?br> 如果需要，潤(rùn)滑層可以適當(dāng)?shù)睾羞x自作為用于磁盤(pán)潤(rùn)滑層的添加劑而公知的各種添加劑的一種或多種添加劑，例如用于氟代聚醚-基潤(rùn)滑劑的變質(zhì)抑制劑，只要所用添加劑不削弱本發(fā)明的目的即可。
本發(fā)明中，優(yōu)選在沉積潤(rùn)滑層后對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行加熱處理。這是因?yàn)榧訜崽幚砀纳屏藵?rùn)滑層和保護(hù)層之間的接觸并提高了粘合強(qiáng)度。加熱處理的溫度優(yōu)選在100至180℃之間的范圍內(nèi)。不優(yōu)選加熱處理溫度低于100℃，因?yàn)榇藭r(shí)層之間的接觸不足。另一方面，也不優(yōu)選加熱溫度高于180℃，因?yàn)闈?rùn)滑劑可能被熱分解。加熱處理時(shí)間優(yōu)選在30到120分鐘之間。
本發(fā)明中，優(yōu)選保護(hù)層是碳-基保護(hù)層。碳-基保護(hù)層是合適的，因?yàn)檫@種層和含有羥基的末端官能團(tuán)親和力高，因而提高了潤(rùn)滑層和保護(hù)層的粘合力。至于碳-基保護(hù)層，優(yōu)選氫化的碳保護(hù)層、氮化碳保護(hù)層、氫化的氮化碳保護(hù)層等。優(yōu)選保護(hù)層的厚度在3到8nm之間。如果厚度小于3nm，作為保護(hù)層的功能不足，所以可能產(chǎn)生磁頭碰撞缺陷。考慮到S/N的提高，也不優(yōu)選大于8nm的厚度，因?yàn)榇艑雍痛蓬^之間的距離過(guò)長(zhǎng)。優(yōu)選用等離子體CVD法沉積保護(hù)層。
本發(fā)明中，優(yōu)選使用玻璃襯底作為襯底。玻璃襯底具有優(yōu)異的平整度和光滑度，因此對(duì)于記錄密度的提高而言是適合的。至于玻璃襯底，優(yōu)選硅鋁酸鹽玻璃襯底。
本發(fā)明中，優(yōu)選襯底的主表面具有如下表面粗糙度Rmax為6nm或以下，且Ra為0.6nm或以下。有了這樣的平坦而光滑的襯底，可以將磁頭的飛行高度降低到12nm或以下，但是存在由于表面非常平坦和光滑而潤(rùn)滑層容易移動(dòng)的問(wèn)題。然而，本發(fā)明能夠抑制潤(rùn)滑層的移動(dòng)，因此非常有利。此處提及的Rmax和Ra基于JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B0601的定義，并且也公開(kāi)于美國(guó)專利US 6544893中。
本發(fā)明中，對(duì)磁層沒(méi)有特別限制。磁層可以是用于平面內(nèi)記錄系統(tǒng)的記錄層，也可以是用于垂直記錄系統(tǒng)的記錄層。CoPt-基磁層是合適的，因?yàn)槭褂眠@種層獲得高抗磁力和高復(fù)制輸出。
本發(fā)明的磁盤(pán)中，如果需要，可以在襯底和磁層之間形成底層。而且，可以在底層和襯底之間形成籽晶層(seed layer)。至于底層，可以使用Cr層，Cr-基合金層，例如CrMo、CrW、CrV和CrTi，等。至于籽晶層，可以使用NiAl合金層，AlRu合金層等。
實(shí)施例下面將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作更詳細(xì)的描述。應(yīng)當(dāng)指出的是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
磁盤(pán)的性能是用如下方法評(píng)估的(1)LUL耐久性試驗(yàn)使用以5400rpm旋轉(zhuǎn)的2.5英寸(65mm)磁盤(pán)設(shè)備和飛行高度為12nm的磁頭進(jìn)行LUL試驗(yàn)。磁頭以NPAB浮動(dòng)塊(slider)(負(fù)壓空氣軸承浮動(dòng)塊)作為浮動(dòng)塊，并且以GMR(巨磁阻)裝置作為復(fù)制裝置。屏蔽部分由NiFe合金制成。將磁盤(pán)安裝到磁盤(pán)設(shè)備上，并用磁頭進(jìn)行LUL操作。以這種方式測(cè)量沒(méi)有問(wèn)題地進(jìn)行LUL操作的次數(shù)。
在LUL耐久性試驗(yàn)后，用肉眼和光學(xué)顯微鏡觀察磁盤(pán)表面和磁頭表面，以證實(shí)是否存在異常情況，例如損傷或污染。在LUL試驗(yàn)中，要求忍耐或承受400,000次或以上的LUL操作而沒(méi)有任何問(wèn)題，更優(yōu)選LUL操作次數(shù)為600,000或以上。在HDD(硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)的標(biāo)準(zhǔn)工作環(huán)境中，600,000次LUL操作通常需要使用約10年。
(2)飛行靜摩擦試驗(yàn)對(duì)于100個(gè)磁盤(pán)，使用飛行高度為6nm的滑翔頭(glide head)進(jìn)行滑翔試驗(yàn)，以檢查是否產(chǎn)生飛行靜摩擦。在出現(xiàn)飛行靜摩擦?xí)r，滑翔頭的飛行位置突然變得異常。因此，通過(guò)監(jiān)測(cè)接在滑翔頭上的壓電裝置的信號(hào)，可以監(jiān)測(cè)飛行靜摩擦的出現(xiàn)。
為了分析潤(rùn)滑劑中的磷酸根離子，使用抑制性離子色譜法(suppressedion chromatography)。將1g潤(rùn)滑劑萃取到水中并進(jìn)行濃度測(cè)量。至于洗脫液，使用Na2CO3和NaHCO3的混合溶液。至于分離柱，使用Dionex制造的“AS12A”。為了檢測(cè)離子，使用具有高靈敏度和高速響應(yīng)的電導(dǎo)率檢測(cè)器。
實(shí)施例1(1)制造磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑(a)第一純化步驟使用由Solvay Solexis制造的潤(rùn)滑劑“Fomblin Z-tetraolTM”(商品名)作為原料潤(rùn)滑劑。經(jīng)過(guò)離子色譜證實(shí)原料潤(rùn)滑劑含有含磷物質(zhì)，含磷物質(zhì)濃度以磷酸根離子(PO43-)計(jì)為0.47μg/g。
將原料潤(rùn)滑劑分散和溶解在Dupont-Mitsui Fluorochemical制造的溶劑“VertrelTMXP”(商品名)中，使其濃度等于100g/L。如此制備原料溶液。
接著，向1L原料溶液中加入100g“Molecular Sieve 5A 1/16”(商品名)(由Kanto Chemical制造，并且具有0.5nm的有效孔徑)。其后，在不減壓條件下，用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀將溶液在25℃下攪拌1小時(shí)。如此進(jìn)行純化以除去原料潤(rùn)滑劑中含有的雜質(zhì)(含磷物質(zhì))。
然后，將如上所述純化的溶液用孔徑為0.45μm的膜過(guò)濾器過(guò)濾以除去分子篩。其后，用孔徑為0.1μm的另一膜過(guò)濾器過(guò)濾該溶液，進(jìn)行微量過(guò)濾。如此將分子篩和粒子從溶液中徹底除去。
其后，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀進(jìn)行減壓蒸餾，從溶液中分離出溶劑。從而制造出純化的潤(rùn)滑劑。
(b)第二純化步驟將通過(guò)第一純化步驟(a)獲得的純化潤(rùn)滑劑供應(yīng)到分子蒸餾設(shè)備的進(jìn)料瓶中。通過(guò)抽氣單元，將分子蒸餾設(shè)備內(nèi)部減壓到1×10-3Pa。將蒸餾主管外套式加熱器設(shè)置在200℃。通過(guò)利用分子蒸餾設(shè)備中的減壓環(huán)境，將進(jìn)料瓶中的潤(rùn)滑劑中所含的雜質(zhì)氣體等排出。
然后，將潤(rùn)滑劑以恒定速度從進(jìn)料瓶供應(yīng)到蒸餾主管。在此場(chǎng)合下，在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)速度下驅(qū)動(dòng)刮片。通過(guò)進(jìn)行如上所述的分子蒸餾，以200℃下蒸餾物餾分形式制造出磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑。
根據(jù)離子色譜結(jié)果，磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑含有以磷酸根離子(PO43-)計(jì)濃度為0.01μg/g的含磷物質(zhì)。
(2)磁盤(pán)的制造參考圖2，通過(guò)在Ar氣氣氛中進(jìn)行DC磁控管濺射在玻璃襯底1上相繼沉積籽晶層2a、底層2b和磁層3。籽晶層2a和底層2b構(gòu)成金屬層2。籽晶層2a起到促進(jìn)晶粒最小化的作用。在本實(shí)施例中，使用AlRu合金作為籽晶層2a。底層2b起到促進(jìn)磁層3磁定向的作用。在本實(shí)施例中，使用CrW合金作為底層2b。磁層3是包含鐵磁性材料的磁記錄層。本實(shí)施例中，使用CoCrPtB合金作為磁層3。隨后，使用乙炔氣作為材料氣體，通過(guò)等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積法)在磁層3上沉積碳-基保護(hù)層作為保護(hù)層4。如此沉積的碳-基保護(hù)層是無(wú)定形的氫化的碳保護(hù)層。保護(hù)層4的厚度為5nm。
接著，制備溶液，其中將上述步驟(1)中制造的磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑分散和溶解在DuPont-Mitsui Fluorochemical制造的氟-基溶劑VertrelTMXP中，使其濃度為0.02質(zhì)量％。
使用上述溶液作為涂布溶液，將頂部沉積有保護(hù)層4的磁盤(pán)浸漬其中。如此，通過(guò)浸漬將潤(rùn)滑層5涂覆和沉積。潤(rùn)滑層5的厚度為1nm。然后，在真空爐中將磁盤(pán)在130℃下加熱處理90分鐘。從而制造出2.5英寸(65mm)的磁盤(pán)。
(3)磁盤(pán)測(cè)試對(duì)如上步驟(2)中制造的磁盤(pán)進(jìn)行LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)。
作為L(zhǎng)UL耐久性試驗(yàn)結(jié)果，磁盤(pán)耐受了900,000次LUL操作而沒(méi)有問(wèn)題。在LUL耐久性試驗(yàn)后，用肉眼觀察磁盤(pán)表面。結(jié)果，沒(méi)有觀察到異常情況，例如損傷或污染。而且，也沒(méi)有觀察到潤(rùn)滑劑的粘附或腐蝕。因此，磁盤(pán)具有優(yōu)異的表面狀態(tài)。
作為飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果，沒(méi)有產(chǎn)生飛行靜摩擦。試驗(yàn)的通過(guò)率是100％。
在LUL耐久性試驗(yàn)后，用如下方式測(cè)量粘附在磁頭上的污染物數(shù)量。其數(shù)量為0.66點(diǎn)。
粘附在磁頭上的污染物數(shù)量的測(cè)量粘附在磁頭上的污染物是在耐久性試驗(yàn)后，通過(guò)用光學(xué)顯微鏡和電子顯微鏡觀察磁頭的NPAB滑翔頭部分和復(fù)制裝置部分而測(cè)量的。例如，如果潤(rùn)滑劑等從磁盤(pán)移動(dòng)到磁頭，則將觀察到的潤(rùn)滑劑等作為污染物。觀察到的磁頭腐蝕也作為污染物。
污染物的數(shù)量是用如下方式估計(jì)的。預(yù)先確定一個(gè)參考污染物數(shù)量作為參考點(diǎn)(點(diǎn)值為1.00)。相對(duì)于該參考點(diǎn)估計(jì)污染物的數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明發(fā)明人的經(jīng)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)污染物數(shù)量超過(guò)1.00容易產(chǎn)生硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)故障。
表1顯示了LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果。
實(shí)施例2采用類似于實(shí)施例1的方式制造2.5英寸(65mm)磁盤(pán)，不同之處在于“Molecular Sieve 5A 1/16”被“Molecular Sieve 4A 1/16”(商品名)所代替，Molecular Sieve 4A 1/16是由Kanto Chemical制造的，有效孔徑為0.4nm。
對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)。
作為L(zhǎng)UL耐久性試驗(yàn)結(jié)果，磁盤(pán)耐受了900,000次LUL操作而沒(méi)有問(wèn)題。在LUL耐久性試驗(yàn)后，用肉眼觀察磁盤(pán)表面。結(jié)果，沒(méi)有觀察到異常情況，例如損傷或污染。而且，也沒(méi)有觀察到潤(rùn)滑劑的粘附或腐蝕。因此，磁盤(pán)具有優(yōu)異的表面狀態(tài)。
作為飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果，沒(méi)有產(chǎn)生飛行靜摩擦。試驗(yàn)的通過(guò)率是100％。
LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果顯示于表1中。
實(shí)施例3采用類似于實(shí)施例1的方式制造磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，不同之處在于通過(guò)使用“Molecular Sieve 5A 1/16”進(jìn)行純化，而沒(méi)有進(jìn)行分子蒸餾。而且制造2.5英寸(65mm)磁盤(pán)。
根據(jù)離子色譜結(jié)果，磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑含有以磷酸根離子(PO43-)計(jì)濃度為0.04μg/g的含磷物質(zhì)。
對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)。
作為L(zhǎng)UL耐久性試驗(yàn)結(jié)果，磁盤(pán)耐受了700,000次LUL操作而沒(méi)有問(wèn)題。在LUL耐久性試驗(yàn)后，用肉眼觀察磁盤(pán)表面。結(jié)果，沒(méi)有觀察到異常情況，例如損傷或污染。而且，也沒(méi)有觀察到潤(rùn)滑劑的粘附或腐蝕。因此，磁盤(pán)具有優(yōu)異的表面狀態(tài)。
作為飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果，沒(méi)有產(chǎn)生飛行靜摩擦。試驗(yàn)的通過(guò)率是100％。
在LUL耐久性試驗(yàn)后，采用類似于實(shí)施例1的方式，測(cè)量粘附到磁頭上的污染物數(shù)量。結(jié)果污染物數(shù)量為0.60點(diǎn)。
LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果顯示于表1中。
比較例1采用類似于實(shí)施例1的方式制造2.5英寸(65mm)磁盤(pán)，不同之處在于直接使用“Fomblin Z-tctraolTM”(如上所述)作為磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑。
對(duì)磁盤(pán)進(jìn)行LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)。
作為L(zhǎng)UL耐久性試驗(yàn)結(jié)果，在LUL操作300,000次后出現(xiàn)問(wèn)題。在磁盤(pán)表面和磁頭表面上，觀察到磁頭碰撞損傷。作為飛行靜摩擦的結(jié)果，發(fā)生碰撞，試驗(yàn)的通過(guò)率為50％。
在LUL耐久性試驗(yàn)后，采用類似于實(shí)施例1的方式，測(cè)量粘附到磁頭上的污染物數(shù)量。結(jié)果污染物數(shù)量為4.00點(diǎn)。用XPS(X射線光電子能譜)分析粘附到磁頭上的污染物。結(jié)果，檢測(cè)到磷元素的存在。
LUL耐久性試驗(yàn)和飛行靜摩擦試驗(yàn)的結(jié)果顯示于表1中。
表1

參考實(shí)施例1采用類似于實(shí)施例1的方式制造2.5英寸(65mm)磁盤(pán)，不同之處在于對(duì)作為原料潤(rùn)滑劑的“Fomblin Z-tetraolTM”只進(jìn)行分子蒸餾。
根據(jù)離子色譜結(jié)果，磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑含有以磷酸根離子(PO43-)計(jì)濃度為0.20μg/g的含磷物質(zhì)。
用本發(fā)明方法獲得的磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑可以提供適合于LUL系統(tǒng)并且含有潤(rùn)滑層的磁盤(pán)，所述潤(rùn)滑層即使在磁頭只有12nm或以下的非常低的飛行高度的情況下，也能夠抑制飛行靜摩擦缺陷或者磁頭表面上的污染物。
至此，盡管本發(fā)明結(jié)合其優(yōu)選實(shí)施方案和具體實(shí)施例進(jìn)行了公開(kāi)，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可以容易以各種其他方式將本發(fā)明投入實(shí)踐。
權(quán)利要求
1.一種制造用于包含潤(rùn)滑層的磁盤(pán)的潤(rùn)滑劑的方法，所述潤(rùn)滑劑用于從所述潤(rùn)滑劑制造所述潤(rùn)滑層，所述方法包括從包含含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物以制造所述潤(rùn)滑劑的去除步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述去除步驟制造出包含含量以磷酸根離子(PO43-)計(jì)為0.01μg/g或更小的含磷化合物的所述潤(rùn)滑劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述分子篩是有效孔徑為0.3到1.0nm的結(jié)晶沸石。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，并且隨后對(duì)所述原料潤(rùn)滑劑進(jìn)行分子蒸餾，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述去除步驟用于通過(guò)使所述原料潤(rùn)滑劑和分子篩接觸，并且隨后對(duì)所述原料潤(rùn)滑劑進(jìn)行分子蒸餾，從所述原料潤(rùn)滑劑中除去所述含磷化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
10.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述原料潤(rùn)滑劑還包含一個(gè)分子中含有4個(gè)羥基的氟代聚醚。
13.一種磁盤(pán)用潤(rùn)滑劑，該潤(rùn)滑劑是用根據(jù)權(quán)利要求1的方法獲得的。
14.一種磁盤(pán)，該磁盤(pán)包含襯底，在其襯底上相繼形成至少一層磁層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層，其中所述潤(rùn)滑層是用根據(jù)權(quán)利要求13的潤(rùn)滑劑制成的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的磁盤(pán)，該磁盤(pán)被安裝到通過(guò)加載卸載系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)始/停止操作的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上。
16.一種制造磁盤(pán)的方法，所述磁盤(pán)包含襯底，在其襯底上相繼形成至少一層磁層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層，所述方法包括形成碳-基保護(hù)層作為所述保護(hù)層，并且隨后用根據(jù)權(quán)利要求13的潤(rùn)滑劑制造潤(rùn)滑層的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述磁盤(pán)適合安裝到通過(guò)加載卸載系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)始/停止操作的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造一種潤(rùn)滑劑，該潤(rùn)滑劑用于從潤(rùn)滑劑制造包含于磁盤(pán)中的潤(rùn)滑層，從包含含磷化合物的原料潤(rùn)滑劑中除去含磷化合物以制造所述潤(rùn)滑劑。所述磁盤(pán)包含襯底，在襯底上相繼形成至少一層磁層、保護(hù)層和使用所述潤(rùn)滑劑形成的潤(rùn)滑層。
文檔編號(hào)G11B5/725GK1754952SQ20051010754
公開(kāi)日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2005年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者原好太, 下川貢一, 鈴木宏太 申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社