一種陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器制造，特別是陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器具有輕薄、省電、大尺寸等特點，已經(jīng)被大眾接受，液晶顯示器替代CRT顯示器，液晶顯示器稱為主流顯示技術(shù)。隨著液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，窄邊框稱為液晶屏幕作為液晶顯示器的趨勢。
[0003]如圖1所示為液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，液晶顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板1和彩膜基板2，陣列基板1和彩膜基板2通過在周邊區(qū)域通過框膠3進(jìn)行粘接，在陣列基板1和彩膜基板2相對均設(shè)有配向膜(PI)4，其中，液晶顯示面板的顯示區(qū)域稱為AA區(qū)，周邊區(qū)域稱為非顯示區(qū)BB(邊框區(qū))，液晶顯示面板的邊框尺寸指的是顯示區(qū)距離液晶顯示面板邊緣5的距離。
[0004]參閱圖2，非顯示區(qū)BB(邊框區(qū))尺寸主要包括顯示區(qū)與配線膜(PI)邊界的距離a，配向膜(PI)靠近框架2的邊界與框膠2靠近配向膜(PI)邊界之間的距離b，框膠3的寬度c、以及框膠3靠近液晶顯示面板邊緣5的邊界至液晶顯示面板邊緣5的距離d。
[0005]為了減小邊框尺寸，目前一種做法是減小配向膜和框膠的距離b。在減小配向膜與框膠的距離的前提是配向膜與框膠不能接觸，原因是配向膜是絕緣性的材質(zhì)會導(dǎo)致框膠中的金球無法與陣列基板中的ΙΤ0電性接觸，另外也會降低框膠與陣列基板的粘著性。
[0006]目前應(yīng)用較成熟較廣泛的涂布取向膜溶液的方式主要有兩種，一種是使用取向膜印刷版進(jìn)行轉(zhuǎn)印的方式；另一種是噴墨式印刷方式，噴墨式印刷方式不需要制作印刷版，設(shè)備構(gòu)造簡單化，大大節(jié)約了成本，但是噴墨式印刷方式需要的安全距離較大。目前一般通過在彩膜基板上制作擋水墻，在陣列基板上制作擋水槽，控制PI精度。
[0007]如圖3所示，陣列基板1上制作擋水槽11或擋水墻、在彩膜基板2相對應(yīng)的位置制作擋水墻21或擋水槽，擋水槽或擋水墻可以防止配向液4的溢出，但制作的擋水墻或者擋水槽卻進(jìn)一步的增加了邊框區(qū)的尺寸，不利于進(jìn)一步的窄邊框化。
[0008]在背溝道刻蝕(BCE)的5道光刻工藝中，要在陣列基板1上制作擋水槽11，一般使用第四道光刻工藝，也就是接觸孔工藝。接觸孔工藝一般是使用干刻，一直干刻至陣列第一層金屬14停止。由于擋水槽11段差較大，在陣列第五道光刻工藝中，會導(dǎo)致?lián)跛?1內(nèi)部的光刻膠相對于外側(cè)的光刻膠更厚，因此在光刻膠曝光過程中會出現(xiàn)擋水槽內(nèi)部的光刻膠曝光不充分，導(dǎo)致?lián)跛蹆?nèi)部的ΙΤ0發(fā)生ΙΤ0殘留12，如圖4所示，圖4中13為金球，14為第一金屬層，15為端子ΙΤ0。
[0009]如圖5所示，由于擋水槽11的位于顯示區(qū)和封框膠之間，這些區(qū)域一般為金屬走線16的位置，當(dāng)ΙΤ0 12發(fā)生殘留時，會導(dǎo)致相鄰的金屬線16發(fā)生短路18，造成無法與端子17連接。而當(dāng)使用有機(jī)絕緣層的面板，在制作擋水槽時更容易發(fā)生ΙΤ0殘留導(dǎo)致金屬走線短路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于通過設(shè)置擋水槽的蝕刻阻擋層，防止ΙΤ0殘留在金屬走線上導(dǎo)致金屬走線短路的陣列基板及其制造方法。
[0011]本發(fā)明提供一種陣列基板，陣列基板設(shè)有顯示區(qū)和位于周邊的框膠區(qū)，在陣列基板的顯示區(qū)和框膠區(qū)之間設(shè)有擋水槽，所述擋水槽的下方具有蝕刻阻擋層。
[0012]其中，所述蝕刻阻擋層由半導(dǎo)體層材料制成的。
[0013]其中，所述蝕刻阻擋層由金屬材料制成的。
[0014]其中，所述蝕刻阻擋層由形成數(shù)據(jù)線的金屬材料制成的。
[0015]其中，擋水槽上覆蓋ΙΤ0薄膜。
[0016]其中，所述陣列基板為窄邊框的陣列基板。
[0017]本發(fā)明又提供一種陣列基板的制造方法，包括如下步驟:
[0018]第一步:在玻璃基板上形成第一層金屬圖形，通過第一層金屬圖形包括掃描線、第一金屬走線、周邊端子；
[0019]第二步:在形成上述圖案的陣列基板上沉積柵絕緣層；
[0020]第三步:在形成上述圖案的陣列基板上沉積半導(dǎo)體層，通過光刻工藝形成溝道層、以及位于周邊的刻蝕阻擋層；
[0021]第四步:在形成上述圖形的陣列基板上，沉積第二層金屬薄膜，通過光刻工藝形成第二層金屬圖形，第二金屬圖形包括數(shù)據(jù)線、以及源漏電極；
[0022]第五步，在形成上述圖形的陣列基板上，沉積鈍化層；
[0023]第六步，在形成上述圖形的陣列基板上，涂布光刻膠，通過光刻工藝，形成接觸孔、以及位于蝕刻阻擋層上的凹部，該凹部為擋水墻；
[0024]第七步，在形成上述圖形的陣列基板上，沉積ΙΤ0薄膜，通過光刻工藝，形成像素電極，端子電極。
[0025]本發(fā)明又提供一種陣列基板的制造方法，包括如下步驟:
[0026]第一步:在玻璃基板上形成第一層金屬圖形，通過第一層金屬圖形包括掃描線、第一金屬走線、周邊端子；
[0027]第二步:在形成上述圖案的陣列基板上沉積柵絕緣層；
[0028]第三步:在形成上述圖案的陣列基板上沉積半導(dǎo)體層，通過光刻工藝形成溝道層；
[0029]第四步:在形成上述圖形的陣列基板上，沉積第二層金屬薄膜，通過光刻工藝形成第二層金屬圖形，第二金屬圖形包括數(shù)據(jù)線、源漏電極、和蝕刻阻擋層；
[0030]第五步，在形成上述圖形的陣列基板上，沉積鈍化層；
[0031]第六步，在形成上述圖形的陣列基板上，涂布光刻膠，通過光刻工藝，形成接觸孔、以及位于蝕刻阻擋層上的凹部，該凹部為擋水墻；
[0032]第七步，在形成上述圖形的陣列基板上，沉積ΙΤ0薄膜，通過光刻工藝，形成像素電極，端子電極。
[0033]其中，所述第七步，在所述擋水槽上也覆蓋有ΙΤ0薄膜。
[0034]其中，所述擋水槽位于第一金屬走線區(qū)域內(nèi)。
[0035]本發(fā)明通過設(shè)置擋水槽的刻蝕阻擋層，來防止ΙΤ0殘留在金屬走線上導(dǎo)致金屬走線短路。
【附圖說明】
[0036]圖1為現(xiàn)有液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0037]圖2為圖1的液晶顯示面板的邊框區(qū)組成部分示意圖；
[0038]圖3為圖1的使用擋水墻和擋水槽的面板示意圖；
[0039]圖4為現(xiàn)有背溝道刻蝕背板工藝中制作擋水墻導(dǎo)致ΙΤ0殘留示意圖；
[0040]圖5為圖4所示擋水槽ΙΤ0殘留導(dǎo)致金屬走線短路的示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明陣列基板擋水槽位置的示意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明陣列基板擋水槽位置第一實施例的示意圖；
[0043]圖8為圖7在C-C’方向的截面圖；
[0044]圖9為本發(fā)明陣列基板擋水槽位置第二實施例的示意圖；
[0045]圖10為圖9在C-C’方向的截面圖；
【具體實施方式】
[0046]下面結(jié)合附圖和具體實施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0047]圖6所示為窄邊框陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板設(shè)有顯示區(qū)AA和位于周邊的框膠區(qū)BB，在陣列基板的顯示區(qū)AA和框膠區(qū)BB之間設(shè)有擋水槽50，擋水槽50的下方具有蝕刻阻擋層。
[0048]擋水槽50下方的蝕刻阻擋層由半導(dǎo)體材料制成的或由金屬材料材料制成的，且擋水槽50覆蓋ΙΤ0薄膜。
[0049]如圖7和圖8所示為本發(fā)明一種窄邊框在陣列基板的第一實施例的示意圖，在該第一實施例中，擋水槽50下方的蝕刻阻擋層是半導(dǎo)體材料。
[0050]陣列基板設(shè)有位于玻璃基板100上的縱橫交錯的掃描線10