專利名稱：Lcos中的單邊結(jié)構(gòu)靜態(tài)存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靜態(tài)存儲器，尤其涉及一種應(yīng)用于LCOS中用于象素陣列的靜態(tài)存儲器。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲器是各種電子計算機(jī)的主要存儲部件，并廣泛用于其它電子設(shè)備中。對半導(dǎo)體存儲器的基本要求是高精度，大容量，低功耗。半導(dǎo)體存儲器可以分為靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器。靜態(tài)存儲器依靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器保存信息，每個雙穩(wěn)態(tài)電路可存儲一位二進(jìn)制代碼0或1，一塊存儲芯片上包含了許多個這樣的雙穩(wěn)態(tài)電路。雙穩(wěn)態(tài)電路是有源器件，需要電源才能工作。只要電源正常，就能長期保存信息，所以稱為靜態(tài)存儲器。動態(tài)存儲器依靠電容上的存儲電荷暫存信息。存儲單元的基本工作方式是通過MOS管向電容充電或放電，充有電荷的狀態(tài)為1，放電后的狀態(tài)為0，雖然力求電容上電荷的泄漏很小，但工藝上仍然無法完全避免泄漏，時間一長電荷會漏掉，因而需要定時刷新內(nèi)容，即對存1的電容補(bǔ)充電荷，由于需要動態(tài)刷新，因此稱為動態(tài)存儲器。
LCOS數(shù)字電視顯示芯片是目前國際上最新的大屏幕高清晰度數(shù)字顯示技術(shù)—LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大規(guī)模集成電路上的反射液晶投影技術(shù))的核心技術(shù)，LCOS是國際上一致看好的，最有可能以其高質(zhì)量的技術(shù)指標(biāo)和低價位的制造成本能進(jìn)入普通百姓家庭的HDTV的產(chǎn)品技術(shù)，具有十分廣闊的市場前景。LCOS數(shù)字電視專用芯片采用國際先進(jìn)的0.35μm和0.25μm的CMOS工藝技術(shù)，是一個高性能，低價位的芯片組，芯片組用于三色光學(xué)驅(qū)動引擎，可產(chǎn)生XGA到UXGA/HDTV解像度的高對比，高亮度，24位彩色影像。
LCOS技術(shù)采用在大規(guī)模集成電路芯片上制造SRAM靜態(tài)存儲器陣列，每個SRAM存儲器組成一個象素。并將液晶盒封裝在大規(guī)模集成電路芯片上組成反射式液晶光閥。對于HDTV解象度的LCOS顯示芯片需要制造1920*1080個SRAM靜態(tài)存儲器組成的陣列。LCOS技術(shù)對液晶盒及SRAM組成的像素陣列的面積有一定的限制，面積過大將增大產(chǎn)品成本及大大降低產(chǎn)品合格率，當(dāng)圖像分辨率高時，減少SRAM存儲器面積就成為重要因素。
由圖1可見這是一個目前采用的靜態(tài)存儲器(SRAM)結(jié)構(gòu)圖，它是一個CMOS型6管存儲單元，T1、T3和T2、T4作為兩個反向器存儲數(shù)據(jù)，T5和T6作為控制門，在字線W電壓的控制下，把1和0信號送往存儲器；保存信息時，字線W上的電壓為低，T5和T6均關(guān)閉，設(shè)A點為高電平，B點為低電平，(存1狀態(tài))，則A點高電平能夠可靠的打開T2，關(guān)閉T4，使B點與地連通，而此狀態(tài)下B點能夠可靠的打開T3，關(guān)閉T1，D線與A和DB線與B之間分別被T5、T6所隔離，D和DB均為低電平。
讀出時，字線W的電壓上升為高電平，T5和T6的源和漏接通，所以A點電平可以準(zhǔn)確地反映到D線上，B點電平反映到DB線上，如觸發(fā)器存1，D線上有讀出信號；如存0，則DB線上有讀出信號，這樣存儲在SRAM內(nèi)的信息就讀了出來。
寫入時，字線W的電壓同樣的上升為高電平，如寫1，則D線電壓上跳到VCC(電源電壓，即高電平)，DB為低電平；如寫0，則DB線電壓上跳到VCC，D為低電平。用寫1為例，說明寫的過程。字線W的電壓上跳變使T5、T6接通，D線上VCC電壓通過T5接到A點，DB線的低電平通過T6接到B點，如果A點原來就是高電平(存1)，則A點電壓不變，T3仍維持其導(dǎo)通，T1關(guān)閉，B點電平也不變。如果A點原來是低電平(存0)，則A點電壓受外部驅(qū)動上升到VCC，打開T2，關(guān)閉T4。而B點與外部低電平連通，因而迫使B點下降為低電平，使T3導(dǎo)通，T1關(guān)閉，這樣A點的電平就穩(wěn)定在高電平，保存了1的信息。
從上述說明可以看出，數(shù)據(jù)的寫入由D和DB一同控制，這樣就多出了一個管子和一條控制線。
如何將數(shù)據(jù)的寫入由一根數(shù)據(jù)線控制是擺在科技技術(shù)人員面前的一個問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供了一種LCOS中用于象素陣列的單邊結(jié)構(gòu)靜態(tài)存儲器，旨在解決上述的缺陷。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的本發(fā)明包括第一CMOS管，第二CMOS管，第三CMOS管，第四CMOS管，第五CMOS管；所述第五CMOS管的漏極與D線相連，柵極與字線W相連，源極與第三CMOS管的源極和第一CMOS管的漏極相連并與第四CMOS管的柵極和第二CMOS管的柵極連接；所述第三CMOS管的柵極和第一CMOS管的柵極相連并與第四CMOS管的源極和第二CMOS管的漏極連接，作為輸出與象素電極連接，用于顯示；所述第一CMOS管的源極和第二CMOS管的源極連接并與地連接；所述的第三CMOS管的漏極與VCC連接；所述第四CMOS管的漏極與VCC連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是數(shù)據(jù)的寫入由一根數(shù)據(jù)線決定，這樣就節(jié)省了面積，也簡化了控制線路；單個SRAM存像素器的面積可減小15％以上，有利于提高產(chǎn)品合格率，并大大的降低了單個芯片的成本；對于HDTV解象度的顯示芯片，整個芯片由1920*1080個這樣的單元構(gòu)成，采用本發(fā)明后，明顯減小了SRAM存像素器的面積，相應(yīng)減少了SRAM組成的像素陣列及液晶盒面積。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的靜態(tài)存儲器(SRAM)結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖；具體實施方式
下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述由圖2可見本發(fā)明包括第一CMOS管T1，第二CMOS管T2，第三CMOS管T3，第四CMOS管T4，第五CMOS管T5；所述第五CMOS管T5的漏極與D線相連，柵極與字線W相連，源極與第三CMOS管T3的源極和第一CMOS管T1漏極相連并與第四CMOS管T4的柵極和第二CMOS管T2的柵極連接；所述第三CMOS管T3的柵極和第一CMOS管T1的柵極相連并與第四CMOS管T4的源極和第二CMOS管T2的漏極連接，作為輸出與象素電極連接，用于顯示；所述第一CMOS管T1的源極和第二CMOS管T2的源極連接并與地連接；所述的第三CMOS管T3漏極與VCC連接；所述第四CMOS管T4的漏極與VCC連接；本發(fā)明是一個CMOS型5管存儲單元，T1、T3和T2、T4作為兩個反向器存儲數(shù)據(jù)，T5單獨做控制門，在字線W電壓的控制下，把1或0信號送往存儲器。存儲器的輸出OUT連到象素電極用于顯示。保存信息時，字線W上的電壓為低，T5關(guān)閉，設(shè)A點為高電平，B點為低電平，(存1狀態(tài))，則A點電平能夠可靠的打開T2，關(guān)閉T4，使B點與地連通，而B點能夠可靠的打開T3，關(guān)閉T1，D線與A之間被T5所隔離，此時D為低電位。
讀出時，字線W的電壓上升為高電平，T5的源和漏接通，所以A點電壓可以反映到D線上，采用單邊讀出方式后，D上有信號為讀1，無信號為讀0。
寫入時，字線W的電壓同樣的上升為高電平，如寫1，則D線電壓上跳到VCC；如寫0，則D線電壓為低電平；在寫1的時候，字線W的電壓上跳變使T5接通，D線上VCC電壓通過T5接到A點，如果A點原來就是高電平(存1)，則A點電壓不變，T3仍維持其導(dǎo)通，T1關(guān)閉，B點電壓不變。如果A點是低電平(存0)，則A點電壓受外部驅(qū)動上升到VCC，使T2導(dǎo)通，T4關(guān)閉，迫使B點為低電平，由于反饋作用使T3導(dǎo)通，T1關(guān)閉，這樣A點的電平就穩(wěn)定在高電平，保存了1的信息。
而在寫0時，字線W的電壓同樣上跳變使T5接通，D線上低電平通過T5接到A點，如果A點原來就是低電平(存0)，則A點電壓不變，T1仍維持其導(dǎo)通，T3關(guān)閉。如果A點原來是高電平(存1)，則A點電壓受外部驅(qū)動降為低電平，使T4導(dǎo)通，T2關(guān)閉，VCC立即對B點充電，使B升為高電平。由于反饋作用使T1導(dǎo)通，T3關(guān)閉，這樣A點的電平就穩(wěn)定為低電平，保存了0的信息。
權(quán)利要求
1.一種LCOS中的單邊結(jié)構(gòu)靜態(tài)存儲器，其特征在于包括第一CMOS管(T1)，第二CMOS管(T2)，第三CMOS管(T3)，第四CMOS管(T4)，第五CMOS管(T5)；所述第五CMOS管(T5)的漏極與D線相連，柵極與字線W相連，源極與第三CMOS管(T3)的源極和第一CMOS管(T1)漏極相連并與第四CMOS管(T4)的柵極和第二CMOS管(T2)的柵極連接；所述第三CMOS管(T3)的柵極和第一CMOS管(T1)的柵極相連并與第四CMOS管(T4)的源極和第二CMOS管(T2)的漏極連接，作為輸出與象素電極連接，用于顯示；所述第一CMOS管(T1)的源極和第二CMOS管(T2)的源極連接并與地連接；所述的第三CMOS管(T3)漏極與VCC連接；所述第四CMOS管(T4)的漏極與VCC連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCOS中的單邊結(jié)構(gòu)靜態(tài)存儲器，其特征在于可以用于LCOS中象素陣列。
全文摘要
本發(fā)明涉及LCOS中的單邊結(jié)構(gòu)靜態(tài)存儲器，第五CMOS管(T5)的漏極與D線相連，柵極與字線W相連，源極與第三CMOS管(T3)的源極和第一CMOS管(T1)的源極相連并與第四CMOS管(T4)的柵極和第二CMOS管(T2)的柵極連接；第三CMOS管(T3)的柵極和第一CMOS管(T1)的柵極相連并與第四CMOS管(T4)的源極和第二CMOS管(T2)的漏極連接，作為輸出與象素電極連接，用于顯示；第一CMOS管(T1)的源極和第二CMOS管(T2)的源極連接并與地連接；第三CMOS管(T3)的漏極與VCC連接；第四CMOS管(T4)的漏極與VCC連接；數(shù)據(jù)的寫入由一根數(shù)據(jù)線決定，單個SRAM存像素器的面積可減小15％以上，對于HDTV解象度的顯示芯片，相應(yīng)減少了SRAM組成的像素陣列及液晶盒面積。
文檔編號G11C11/419GK1773628SQ20041006814
公開日2006年5月17日 申請日期2004年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月12日
發(fā)明者陳欣, 尚為兵, 印義中, 印義言 申請人:上海華園微電子技術(shù)有限公司