專利名稱：磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的。具體地說(shuō)，就是關(guān)于通過(guò)提高隔離層分離加速膜的特性，增大存儲(chǔ)密度，從而比較容易地制作磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法的。
背景技術(shù)：
隨著綜合運(yùn)用包括動(dòng)態(tài)圖像及靜止圖像在內(nèi)的視頻信號(hào)、音頻信號(hào)及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信息的多媒體時(shí)代的到來(lái)，綜合性媒體(例如以CD、DVD為主的各種磁盤(pán))正廣泛普及，而且這種趨勢(shì)將會(huì)越來(lái)越突出。
綜合性媒體，即使是壓縮磁盤(pán)(CD)和數(shù)字視頻(或者Versatile)磁盤(pán)(DVD)在很大程度上也都由板和存儲(chǔ)有信息的存儲(chǔ)膜及保護(hù)膜構(gòu)成。
在光盤(pán)中，讀取專用(Read Only MemoryROM)磁盤(pán)無(wú)論是伺服還是位置信息，或者是凹形(pit)的細(xì)小的槽都向圓周方向形成，并具有反射層。
另一方面，對(duì)于只能記錄一次信息的可記錄(Recordable)型磁盤(pán)和可反復(fù)讀寫(xiě)信息，并能刪除信息的可重寫(xiě)型磁盤(pán)，其構(gòu)成要素除了預(yù)凹(Pre-Pits)和反射層之外，還包括可重寫(xiě)涂料(Recordable Dye)，或者相變或光磁方式的記錄層和保護(hù)記錄層的保護(hù)層。
如上所述，最近可重寫(xiě)型磁盤(pán)正被廣泛運(yùn)用，而且除了用于讀取音頻信號(hào)、視頻信號(hào)及音樂(lè)文件之外，還將向著個(gè)人用計(jì)算機(jī)(Personal ComputerPC)存儲(chǔ)媒介的方向發(fā)展。
為了使用于PC的信息存儲(chǔ)媒介能充分進(jìn)行反復(fù)存儲(chǔ)，它就必須比用于音頻/視頻的存儲(chǔ)媒介能進(jìn)行更多次的反復(fù)存儲(chǔ)和讀取的功能。另外，隨著高畫(huà)質(zhì)的數(shù)字廣播的出現(xiàn)，以及為了能通過(guò)數(shù)字方式存儲(chǔ)廣播信號(hào)，它還必須比以前的磁盤(pán)能保存更大量的信息的功能。
如上所述，人們對(duì)于高密度信息存儲(chǔ)/讀取的需求越來(lái)越大，利用激光的熱能或者再將磁場(chǎng)附加于其上而制作的高密度存儲(chǔ)媒介正逐漸呈現(xiàn)出被廣泛運(yùn)用的趨勢(shì)。
前者的情況主要針對(duì)記錄層而言，它是利用材料的相變而形成的相變型光盤(pán)，與此相關(guān)的后者的情況是相當(dāng)于光磁型的磁盤(pán)。
相變型光盤(pán)將聚集的激光束照射在記錄層的局部區(qū)域，使之升溫/熔化，利用磁盤(pán)具有的使熱量快速擴(kuò)散的設(shè)計(jì)構(gòu)造使之急劇冷卻，然后通過(guò)在晶質(zhì)矩陣(matrix)上形成非晶質(zhì)標(biāo)記存儲(chǔ)信息。當(dāng)再次記錄信息時(shí)，就通過(guò)使用更低的功率將其加熱，使非晶質(zhì)標(biāo)記部分變成晶質(zhì)，從而將已存儲(chǔ)的信息刪除。
在利用晶質(zhì)與非晶質(zhì)之間的可逆反應(yīng)(reversible reaction)記錄信息的相變型光存儲(chǔ)媒介中，作為記錄層材料被廣泛使用的材料中有一種是以Ge-Sb-Te為代表的3元系合金的金屬化合物。
另外，最近在低線速中以提高刪除率特性和存儲(chǔ)信號(hào)的感應(yīng)度而設(shè)計(jì)的Ag-In-b-Te系列的合金系也正受到人們的青睞。
為了保持光學(xué)特性和熱敏性便在這種記錄層的上下設(shè)置了電介質(zhì)層，這種電介質(zhì)層多使用Zns-sio2系列的薄膜。
而且，為了得到合適的冷卻速度以提高光的反射量并形成非晶質(zhì)的bit，在其中設(shè)置了反射防熱層，其材料多使用Al合金、Ag、Au等的薄膜。
另外，對(duì)于光磁性磁盤(pán)的情況，在向垂直磁化的薄膜施加磁場(chǎng)的同時(shí)，利用激光的熱敏效果形成Bit，從而存儲(chǔ)信息。然后利用磁場(chǎng)的光學(xué)效果(KerrEffect，F(xiàn)araday Effect)讀取信息。
同時(shí)，與相變型光盤(pán)一樣，在記錄層周圍的上下部位設(shè)置了電介質(zhì)層，最后設(shè)置了反射防熱層，記錄層的材料多使用稀土類金屬合金系(RE-TM)，這種金屬含有強(qiáng)磁性的Fe、Co等元素，稀土類元素包括Tb、Dy、Gd、Sm、Ho等。
電介質(zhì)保護(hù)膜使用Si3N4、AlN、SiO2、Al2O3等，反射防熱層多使用Al合金、Ag、Au等的薄膜。
除上面所介紹的相變型光盤(pán)、光磁型磁盤(pán)之外，還有利用光盤(pán)系列的Dye材料制作的可1次性記錄型(Write-once type)的磁盤(pán)和利用金屬反射層的反射度制作的讀取信息專用磁盤(pán)。
這種利用原有技術(shù)存儲(chǔ)信息的磁盤(pán)為了達(dá)到能從記錄層(相變材料、光磁材料、Dye等)及記錄層周圍得到光學(xué)或者熱效方面的幫助，以及當(dāng)射入的光能被記錄層吸收之后，利用熱效應(yīng)獲得合適的速度使之冷卻，或者增加反射信號(hào)的目的，便設(shè)置了電介質(zhì)層和金屬反射膜。
這樣，在記錄層的周圍用電介質(zhì)層和反射層形成一個(gè)組合，把它稱作一個(gè)記錄膜的組合。它們大部分都擁有1、2個(gè)信息記錄膜組合。為了使其能記錄大量的信息，有必要提供能容易疊加形成第2層、第3層以上的記錄膜層的方法。

發(fā)明內(nèi)容但是，如上所述，利用原有技術(shù)制作磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介會(huì)產(chǎn)生如下的問(wèn)題通過(guò)在存儲(chǔ)媒介記錄膜的組合層之間設(shè)置合適的間隔(如20～70micron)使之相互分離，光拾取器不能使兩個(gè)記錄膜組合層之間產(chǎn)生干涉，就必須要求信息能被正確讀取。
對(duì)于利用原有技術(shù)的存儲(chǔ)媒介來(lái)說(shuō)，通常利用紫外線硬化樹(shù)脂等材料形成間隔層(Spacer)。同時(shí)，在間隔層形成引導(dǎo)軌道(Guidign Track)或者ROMPit，以便激光束能進(jìn)行跟蹤。
現(xiàn)在，正試圖通過(guò)在間隔層形成引導(dǎo)軌道(Guidign Track)或者ROM Pit，并保持一定的厚度的方法，使用透明的壓膜，如聚碳酸脂(Polyearbonate)、PMMA之類的工程用塑料(Engineering Plastic)或者玻璃(Glass)等材料。
但是，通過(guò)這種方法在紫外線硬化樹(shù)脂和透明的壓膜(stamper)之間的隔離性(Easy Separation Characteristics)并不理想，這樣會(huì)產(chǎn)生一部分紫外線硬化樹(shù)脂附著在透明的壓膜(stamper)上的問(wèn)題。
另外，在紫外線硬化樹(shù)脂間隔層的表面形成的引導(dǎo)軌道(Guidign Track)或者ROM Pit還會(huì)產(chǎn)生物理的變形。
因此，為解決這一問(wèn)題，透明的壓膜(stamper)和紫外線硬化樹(shù)脂應(yīng)當(dāng)容易分離。原有技術(shù)沒(méi)有提出這種方法。所以，為了滿足存儲(chǔ)媒介的大容量化，再疊加第2層、第3層以上的記錄膜層是非常困難的。
本發(fā)明就是為解決上述利用原有技術(shù)制作的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介產(chǎn)生的問(wèn)題的，其目的在于提供一種通過(guò)提高隔離層分離加速膜的特性，增大存儲(chǔ)密度的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的比較容易的制作方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的便創(chuàng)造了本發(fā)明，對(duì)于這種擁有由磁盤(pán)板之間的分離層疊加形成的存儲(chǔ)膜組合層的存儲(chǔ)媒介的制作來(lái)說(shuō)，它具有如下的特征它是在形成各自的存儲(chǔ)膜組合層之后，利用擁有分離加速層的壓膜進(jìn)行形成分離層的粘合過(guò)程。這樣，重復(fù)進(jìn)行存儲(chǔ)膜組合層和分離層的形成過(guò)程。
在這里，分離加速層具有如下特征即由類金剛碳(Diamond Like Carbon，簡(jiǎn)稱DLC)薄膜、Si-N、Al-N的氮化膜、si-o、Al-o的氧化膜、ZnS-Sio2之類的黃化物和氧化物的復(fù)合體，還有Co、Al-alloy、Ag-alloy之類的金屬膜等形成的單一薄膜，或者由這些薄膜中的2個(gè)以上的要素形成的復(fù)合薄膜構(gòu)成。
同時(shí)，還具有在壓膜表面上形成2～50nm厚度的特征。
另外，還具有在進(jìn)行形成分離層的物質(zhì)粘合過(guò)程之前，會(huì)在存儲(chǔ)膜組合層形成的磁盤(pán)板的任意一個(gè)表面形成由分離加速層形成的壓膜的特征。
在這里，還具有使用紫外線硬化樹(shù)脂形成分離層的物質(zhì)層，在粘合過(guò)程中，會(huì)從壓膜一邊向磁盤(pán)板的一邊照射紫外線的特征。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法具有以下效果本發(fā)明提出了一種新的制作存儲(chǔ)媒介的簡(jiǎn)便方法，即根據(jù)使用了與分離層所使用的紫外線硬化樹(shù)脂很容易實(shí)現(xiàn)分離的分離加速層的特點(diǎn)。因此，與磁盤(pán)的種類無(wú)關(guān)，可以將多個(gè)相同容量的層進(jìn)行重復(fù)疊加，這樣可以提高生產(chǎn)性。
也就是說(shuō)，在分離層上形成引導(dǎo)軌道或者凹形(Pit)之后，就很容易實(shí)現(xiàn)分離。因此，引導(dǎo)軌道或者Pit的形成能力突出，其形態(tài)的穩(wěn)定性良好，這樣就可以極大地提高包括生產(chǎn)數(shù)率在內(nèi)的生產(chǎn)性。
另外，這種方法可以整數(shù)倍地增加存儲(chǔ)密度。因此，它可以滿足用戶對(duì)于高密度信息存儲(chǔ)/讀取的要求。


圖1a和圖1b是分離加速層形成的壓膜及多層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)膜組合層形成的板的構(gòu)成圖；圖2a至圖2h是依據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)例的存儲(chǔ)媒介制作過(guò)程剖面圖；圖3a至圖3h是依據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)例的存儲(chǔ)媒介制作過(guò)程剖面圖。
具體實(shí)施方式本發(fā)明的其它目的、特性及優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)以下的實(shí)例說(shuō)明進(jìn)行了解。
以下就依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)例，參照附圖對(duì)依據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法予以詳細(xì)說(shuō)明。
圖1a和圖1b是分離加速層形成的壓膜及多層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)膜組合形成的板的構(gòu)成圖。
本發(fā)明的目的在于提供一種制作多層存儲(chǔ)膜組合的光盤(pán)制作技術(shù)，它是一種在給定的一定半徑范圍的面積內(nèi)，僅利用以前使用的存儲(chǔ)及讀取技術(shù)，獲得2倍、3倍等整數(shù)倍的存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)媒介的比較容易的制作方法。
為此，它具有如下特征即為使紫外線硬化樹(shù)脂和透明的壓膜容易分離，在制作存儲(chǔ)膜組合層間的紫外線硬化樹(shù)脂隔離層時(shí)使用的透明的壓膜的表面會(huì)形成分離加速層。利用它在第1存儲(chǔ)膜組合層上形成分離層，之后再在它上面疊加第2存儲(chǔ)膜組合層。然后，按照上面的程序反復(fù)進(jìn)行，從而可以整數(shù)倍地增加存儲(chǔ)密度。
首先，介紹制作圓形磁盤(pán)存儲(chǔ)媒介使用的具有壓膜和多層薄膜的板的形成過(guò)程。
光盤(pán)是從叫作壓膜(stamper)的金屬磁盤(pán)經(jīng)過(guò)噴涂、成形過(guò)程制作的。為制作壓膜首先應(yīng)在表面洗得非常干凈的玻璃圓盤(pán)上薄薄地涂上一種叫作PR(photoresist)的感光物質(zhì)。
同時(shí)，用激光照射玻璃圓盤(pán)上希望照射的部分，使部分PR感光。感光部分的PR通過(guò)蝕刻(etching)過(guò)程而被削弱，從而產(chǎn)生凹凸形狀。在這凹凸表面涂上厚厚的金屬，取下來(lái)之后，通過(guò)原有激光轉(zhuǎn)錄的信息就會(huì)根據(jù)螺旋形軌道在金屬表面形成凹形(Pit)，這樣的金屬磁盤(pán)就叫作壓膜(stamper)。
最初制作的純粹的壓膜包括規(guī)定的引導(dǎo)軌道(Guidign Track)或者Pit，，制作壓膜(stamper)11所使用的材料是聚碳酸脂(Polycarbonate)、PMMA、及玻璃(Glass)等。
為有效形成分離層，應(yīng)在這種透明的壓膜11的引導(dǎo)軌道或者Pit的表面通過(guò)噴涂DLC或者利用CVD(Chemical Vapour Deposition)等方法等形成2～50nm厚度的分離加速層12。
具體地說(shuō)，分離加速層12是由DLC(Diamond Like Carbon)薄膜、或者Si-N、Al-N等的氮化膜(nitride film)、si-o、Al-o等的氧化膜，以及ZnS-Sio2之類的黃化物和氧化物的復(fù)合體，還有Co、Al-alloy、Ag-alloy之類的金屬膜等形成的單一薄膜，或者由這些薄膜中的2個(gè)以上的要素形成的復(fù)合薄膜。
另外，如圖1b所示，準(zhǔn)備好在聚碳酸脂(Polycarbonate)的板13上有由1層以上的多層結(jié)構(gòu)形成的第1存儲(chǔ)膜組合層14的磁盤(pán)。
在這里，記錄層的組合層是由相變型光存儲(chǔ)膜和電介質(zhì)層，以及反射層等組合成的多層薄膜形成的。
這樣，如果準(zhǔn)備好了擁有分離加速層的壓膜和由多層薄膜(第1存儲(chǔ)膜組合層)形成的磁盤(pán)，就可以進(jìn)行如下的磁盤(pán)制作過(guò)程了。
以下是依據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法的具體實(shí)例圖2a至圖2h是依據(jù)本發(fā)明第1實(shí)例的存儲(chǔ)媒介制作過(guò)程的剖面圖。
首先，如圖2a所示，如果準(zhǔn)備好了DLC薄膜之類的分離加速層12、擁有噴涂了透明的壓膜11及多層存儲(chǔ)膜組合層的板，如圖示2b所示，將形成分離層所用的物質(zhì)15，如紫外線硬化樹(shù)脂，按照規(guī)定的厚度在形成第1存儲(chǔ)膜組合層14的板13上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴涂(Spin Coating)。
然后，如圖2C所示，將分離加速層12形成的壓膜11設(shè)置到噴涂了形成分離層所用物質(zhì)15的磁盤(pán)的板13上規(guī)定的位置。
另外，如圖2d所示，使用模具16將分離加速層12形成的壓膜11和噴涂了形成分離層所用物質(zhì)15的磁盤(pán)的板13進(jìn)行粘合，向透明的壓膜11一側(cè)照射紫外線。
這樣，透過(guò)壓膜11及分離層12的一部分紫外線被紫外線硬化樹(shù)脂，即形成分離層所用物質(zhì)15吸收引起硬化。和紫外線硬化樹(shù)脂接觸的分離層12的引導(dǎo)軌道或者Pit被紫外線硬化樹(shù)脂轉(zhuǎn)錄及硬化形成第1分離層17。
然后，如圖2e所示，如果將壓膜11與磁盤(pán)的板13分離，那么分離層12就很容易形成分離。
如圖2f所示，第1分離層17從分離加速層12轉(zhuǎn)錄接受幾何形狀，第1分離層17就會(huì)得到轉(zhuǎn)錄的引導(dǎo)軌道或者凹形(Pit)。
同時(shí)，如圖2g所示，在上述第1分離層17上再進(jìn)行形成第2個(gè)次多層薄膜的過(guò)程，從而形成第2存儲(chǔ)膜組合層18。
另外，在形成第2存儲(chǔ)膜組合層18的板的前面制作形成分離層的物質(zhì)層，然后再利用擁有分離加速層12的壓膜11進(jìn)行轉(zhuǎn)錄幾何形狀的粘合過(guò)程，從而形成第2分離層19。
如圖2h所示，通過(guò)這樣的過(guò)程，在板13上，由第1存儲(chǔ)膜組合層14、第1分離層27、第2存儲(chǔ)膜組合層18、第2分離層19疊加形成第3存儲(chǔ)膜。
在這里，第3存儲(chǔ)膜(圖上沒(méi)有顯示)是在第2分離層19上通過(guò)與第1、第2存儲(chǔ)膜14、18同樣的方法形成的。
根據(jù)上述方法，就可以制作由2層以上的多層存儲(chǔ)膜組合形成的光盤(pán)了。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)例的存儲(chǔ)媒介制作方法是在壓膜11上形成分離加速層12，再將形成分離層的物質(zhì)在存儲(chǔ)膜組合層形成的磁盤(pán)的板13上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴涂，然后通過(guò)粘合硬化就能很容易地進(jìn)行分離過(guò)程。
另外，依據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)例的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法如下圖3a至圖3h是依據(jù)本發(fā)明第2實(shí)例的存儲(chǔ)媒介制作過(guò)程的剖面圖。
如圖3a所示，首先，如果準(zhǔn)備好了使用DLC薄膜等的分離加速層12、擁有噴涂了透明壓膜11及多層存儲(chǔ)膜組合層的板，如圖3b所示，在分離加速層12形成的壓膜11上將形成分離層所用物質(zhì)15，如紫外線硬化樹(shù)脂等，按照規(guī)定的厚度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴涂(Spin Coating)。
然后，如圖3c所示，使用模具16將分離加速層12和形成分離層所用物質(zhì)15疊加形成的壓膜11設(shè)置到磁盤(pán)的板13上規(guī)定的位置。
另外，如圖3d所示，使用模具16將分離加速層12和形成分離層所用物質(zhì)15疊加形成的壓膜11和第1存儲(chǔ)膜組合層14形成的磁盤(pán)的板13進(jìn)行粘合，并向透明的壓膜11一側(cè)照射紫外線。
分離層形成的壓膜11的紫外線透射度在具有代表性的波長(zhǎng)帶350～400nm的1％以上。
這樣，透過(guò)壓膜11及分離加速層12的一部分紫外線被紫外線硬化樹(shù)脂，即形成分離層所用物質(zhì)15所吸收而引起硬化。和紫外線硬化樹(shù)脂接觸的分離加速層12的引導(dǎo)軌道或者Pit被紫外線硬化樹(shù)脂轉(zhuǎn)錄及硬化形成第1分離層17。
然后，如圖3e所示，如果使壓膜11與磁盤(pán)的板13分離，那么加速層12就很容易形成分離。如圖3f所示，第1分離層17從分離加速層12轉(zhuǎn)錄接受幾何形狀，第1分離層17就會(huì)得到轉(zhuǎn)錄的引導(dǎo)軌道或者凹形(Pit)。
而且，如圖3g所示，在上述第1分離層17上再進(jìn)行第2次形成多層薄膜的過(guò)程，從而形成第2存儲(chǔ)膜組合層18。
同時(shí)，在形成第2存儲(chǔ)膜組合層18的板的前面制作形成分離層的物質(zhì)層，然后再利用擁有分離加速層12的壓膜11進(jìn)行轉(zhuǎn)錄幾何形狀的粘合過(guò)程，從而形成第2分離層19。
如圖3h所示，通過(guò)這樣的過(guò)程，在板13上，由第1存儲(chǔ)膜組合層14、第1分離層27、第2存儲(chǔ)膜組合層18、第2分離層19疊加形成第3存儲(chǔ)膜。
在這里，第3存儲(chǔ)膜(圖上沒(méi)有顯示)是在第2分離層19上通過(guò)與第1、第2存儲(chǔ)膜14、18同樣的方法形成的。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)例的存儲(chǔ)媒介制作方法是在壓膜11上疊加形成分離加速層12和形成分離層所用物質(zhì)15，然后將其與存儲(chǔ)膜組合層形成的磁盤(pán)的板13進(jìn)行粘合硬化，這樣就能很容易地進(jìn)行分離過(guò)程。
在以上所述的實(shí)例中，雖然只對(duì)使用的分離加速層12和DLC(DiamondLike Carbon)薄膜進(jìn)行了說(shuō)明。但是，如上所述，應(yīng)當(dāng)還有Si-N、Al-N等的氮化膜、si-o、Al-o等的氧化膜，ZnS-Sio2之類的黃化物和氧化物的復(fù)合體，以及Co、Al-alloy、Ag-alloy之類的金屬膜等形成的單一薄膜，或者由這些薄膜中的2個(gè)以上的要素形成的復(fù)合薄膜。
另外，還能形成通過(guò)分離加速層能夠發(fā)生作用的厚度在2～50nm范圍內(nèi)的薄膜。
通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。
因此，本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1.磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法，包括對(duì)于擁有由磁盤(pán)板之間的分離層疊加形成的存儲(chǔ)膜組合層的存儲(chǔ)媒介的制作來(lái)說(shuō)，它是在形成各自的存儲(chǔ)膜組合層之后，利用擁有分離加速層的壓膜進(jìn)行形成分離層的粘合過(guò)程。這樣，重復(fù)進(jìn)行存儲(chǔ)膜組合層和分離層的形成過(guò)程。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法，其特征在于，分離加速層12是由類金剛碳(Diamond Like Carbon)薄膜、Si-N、Al-N的氮化膜、si-o、Al-o的氧化膜，以及ZnS-Sio2之類的黃化物和氧化物的復(fù)合體，還有Co、Al-alloy、Ag-alloy之類的金屬膜等形成的單一薄膜，或者由這些薄膜中的2個(gè)以上的要素形成的復(fù)合薄膜形成的。
3.如權(quán)利要求2所述的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法，其特征在于，所述方法是在壓膜上形成2～50nm厚度的分離加速層。
4.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法，其特征在于，在進(jìn)行粘合過(guò)程之前，會(huì)在分離加速層形成的壓膜和存儲(chǔ)膜組合層形成的磁盤(pán)板的任意一個(gè)表面形成分離層的物質(zhì)。
5.如權(quán)利要求4所述的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法，其特征在于，作為形成分離層的物質(zhì)層使用了紫外線硬化樹(shù)脂。
6.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法，其特征在于，在粘合過(guò)程中，會(huì)從壓膜一邊向磁盤(pán)的板的一邊照射紫外線。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于磁盤(pán)型存儲(chǔ)媒介的制作方法的，它是一種通過(guò)提高隔離層分離加速膜的特性而增大存儲(chǔ)密度的比較容易的制作方法。對(duì)于擁有由磁盤(pán)板之間的分離層疊加形成的存儲(chǔ)膜組合層的存儲(chǔ)媒介的制作來(lái)說(shuō)，它具有如下的特征它是在形成各自的存儲(chǔ)膜組合層之后，利用擁有分離加速層的壓膜進(jìn)行形成分離層的粘合過(guò)程。這樣，重復(fù)進(jìn)行存儲(chǔ)膜組合層和分離層的形成過(guò)程。
文檔編號(hào)G11B11/00GK1773619SQ20041006799
公開(kāi)日2006年5月17日 申請(qǐng)日期2004年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月10日
發(fā)明者李光烈, 徐勛, 金鐘煥 申請(qǐng)人:上海樂(lè)金廣電電子有限公司