專利名稱：光學記錄介質的預熱整體擦除裝置、預熱整體擦除方法和光學記錄介質的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于進行光學記錄介質的記錄薄膜的磁化、初始化或退火的整體擦除裝置，其中利用激光照射在徑向方向將帶有地址信息的多個壓花凹坑排分區(qū)；另外還涉及光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，光學記錄介質的預熱整體擦除方法和光學記錄介質；其中當介質轉動時，通過用激光部分地照射記錄薄膜，使介質的溫度升高。
背景技術：
通常，對于光學記錄介質，使用一種稱為分區(qū)的方法，通過有效地利用記錄區(qū)域來增加記錄容量。這是一種當介質以固定的角速度轉動時，通過切換每一個半徑的記錄/再現(xiàn)用的記錄參考頻率，在介質的整個表面上獲得相同程度的記錄密度的方法。
作為一個例子，對于成為ISO標準的光學磁性介質的ISO/IEC14517(130mm4x)，ISO/IEC 15286(130mm8x)，ISO/IEC 15041(90mm5x)等，使用這種方法可以增加介質的記錄容量。
具體地說，如圖1所示，由于數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)區(qū)域在徑向劃分為多個區(qū)，并且每一個區(qū)的記錄/再現(xiàn)頻率不同，因此在一個環(huán)內的扇形區(qū)數(shù)目是變化的。這樣，如圖1a所示的地址區(qū)域在每一個半徑上是部分地排列在徑向方向的形狀。
另外，在提供給使用者之前，作為磁性光學記錄介質的介質要經(jīng)過加工，使記錄薄膜的磁化方向均勻分布。具體地說是，在介質上形成一個比記錄薄膜的矯磁力大的靜磁磁場，以進行加工，迫使記錄薄膜的磁化方向轉向擦除方向，即進行所謂的磁化。
一般，當要磁化的記錄薄膜的矯磁力較弱，約為0.8×106A/m(A/m為在SI單位制中的磁場強度)時，可以利用一個弱磁場(例如電磁鐵)進行磁化。然而，當磁化矯磁力大于1.19×106～1.59×106A/m的記錄薄膜時，為了減小矯磁力，記錄薄膜的溫度要升高；因此要加一個小于0.8×106A/m的弱的靜磁磁場來進行磁化。
對于相位改變式的介質，在提供給使用者以前，要對該介質進行加工，使記錄薄膜的整個表面結晶。具體地說是，使記錄薄膜加熱/退火的量比給定的量大，以便在薄膜形成后，從所謂的結晶體/非晶體混合存在的Ad-depo狀態(tài)初始化至完全結晶的狀態(tài)。
在這個初始化過程中，將具有幾百條軌跡的大區(qū)域的記錄薄膜加熱一段時間，以進行磁化和結晶。這種方法稱為整體擦除。整體擦除是這樣一種方法它通過在介質的徑向方向減小長軸大于10μm的橢圓形光束的1～2W的半導體激光的直徑，讓它只聚焦在記錄薄膜上，以照射轉動的介質來加熱記錄薄膜。
整體擦除的目的不但是使記錄層初始化，而且具有事先保留記錄靈敏度或再現(xiàn)靈敏度的作用(靈敏度偏移)，該記錄靈敏度或再現(xiàn)靈敏度是在介質重復記錄時產(chǎn)生，用以控制在使用者的介質工作壽命過程中的靈敏度改變。一般認為，給記錄薄膜事先提供熱能，可以使非晶體的記錄層中的原子松動，從而可使記錄薄膜穩(wěn)定。
整體擦除的參數(shù)為介質的轉數(shù)或線性速度、激光照射點的徑向進給間距、激光功率、激光束寬度等。由于這些參數(shù)容易控制，使磁化、初始化和靈敏度偏移穩(wěn)定，因此是一種非常有效的方法。
通過進行磁性光學記錄介質的整體擦除試驗，以便進行靈敏度偏移和磁化，本發(fā)明的發(fā)明者發(fā)現(xiàn)了下列問題。即如圖1所示，在進行了足夠的整體擦除，以在光學記錄介質上產(chǎn)生預定的靈敏度偏移后，在區(qū)域的邊界上出現(xiàn)跟蹤誤差，其中介質在徑向被分區(qū)，并且每一個區(qū)域中的地址是用在徑向對準的壓花坑形成的。另外，如圖3的信號波形圖所示，還發(fā)現(xiàn)了跟蹤誤差增大的區(qū)域。
圖3表示地址信號和離全部整體擦除的介質的邊界區(qū)域的第十個軌跡位置上的跟蹤誤差信號之間的關系，其中分別為(a)表示地址信號，(b)表示跟蹤誤差信號，(c)表示地址信號(a)的F區(qū)域的放大，和(d)表示跟蹤誤差信號(b)的F區(qū)域的放大。在該圖中，E表示軌跡跳躍信號，G表示F區(qū)域中的放大的地址，H表示跟蹤誤差增大的部分。
圖3中的測量條件為線性速度為7.5m/s，CLV，激光功率為1.5mW，盤直徑為φ86mm，測量部位半徑為R＝40mm，并在Land部分上進行跟蹤。
結果發(fā)現(xiàn)，跟蹤誤差增大部分H不是由地址G的影響產(chǎn)生的，而是與以前在10個軌跡的區(qū)域中存在的地址具有相同的位置關系。離開該區(qū)域的多達10個軌跡的地址則對跟蹤誤差有一些影響。
在跟蹤誤差增大部分H中的跟蹤誤差的增加量達到軌跡跳躍信號E的峰-峰幅值的17％，并且在邊界區(qū)域以外的幾百個軌跡中都有這個現(xiàn)象。結果，驅動器(介質驅動系統(tǒng))認為，這些跟蹤誤差增大區(qū)域為故障區(qū)域，并進行更換處理。因此，介質具有龐大的更換部分。
當不進行整體擦除時，不會產(chǎn)生上述的跟蹤誤差增大現(xiàn)象。但當不進行整體擦除時，在使用者使用介質的期間記錄靈敏度變化，并且不能進行最優(yōu)的記錄/再現(xiàn)，造成誤差。
可以設想，利用驅動器等擦除每一個軌跡的記錄的方法來使靈敏度偏移，但這需要多次擦除同一個軌跡的記錄，占用很多時間，因此是不實際的方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種可以進行磁化或結晶并可通過整體擦除進行預定的靈敏度偏移和減小在邊界區(qū)域附近的跟蹤誤差的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置、光學記錄介質的預熱整體擦除方法和光學記錄介質。
作為考核以努力達到上述目的的結果，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，使介質溫度升高的整體擦除方法是有效的。
整體擦除方法是這樣一種方法，其中通過光學零件(例如透鏡、棱鏡等)將大功率的激光束投射在記錄薄膜表面上的長軸為幾百微米的橢圓形焦點上，給記錄薄膜提供熱能，使靈敏度在寬大的區(qū)域內偏移。
如圖2所示，激光束設計成使激光5的輸出光束通過樹脂基片7聚焦投射在離開轉動介質的閱讀表面6的記錄薄膜8上。
由于激光主要被記錄薄膜8吸收，因此，假定樹脂基片7的溫度升高是由記錄薄膜8的熱傳導引起的。這樣，與記錄薄膜8一樣，樹脂基片7的溫度是這樣改變的，由于激光光束通過，使該基片7迅速地從普通溫度升高至預定的溫度，然后迅速冷卻。
另一方面，樹脂基片具有一個內應力局部較高的地址部分和一個內應力相對較低的數(shù)據(jù)部分(組部分)。假定當將激光束照射在這個樹脂基片上時，在包括地址部分和數(shù)據(jù)部分的激光束照射點上，溫度同時迅速升高和迅速降低，這樣，就加大了內應力的不平衡，由此造成邊界區(qū)域附近的軌跡物理變形，導致跟蹤誤差增大。因此，如果能防止樹脂基片的溫度的迅速變化，則可以減少跟蹤誤差的增加。
因此，通過在比激光照射點寬的區(qū)域上預熱樹脂基片和將激光功率減小一個與樹脂基片溫度升高相應的量，使記錄薄膜保持預定的溫度，就可以緩和因整體擦除引起的樹脂基片溫度的迅速改變。
由于利用預熱整體擦除方法制成的介質的特點是介質被磁化，靈敏度有預定的偏移，跟蹤誤差小，因此可達到本發(fā)明的目的。
本發(fā)明的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置為這樣一種裝置，該裝置通過在磁性-光學記錄介質轉動時，將激光束照射在記錄薄膜上，可以進行記錄薄膜的磁化或退火，其特征在于，該裝置帶有加熱裝置，用于當所述激光束照射時，加熱所述介質。
另外，本發(fā)明的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置為這樣一種裝置，該裝置通過在相位改變式介質轉動時，將激光束照射在記錄薄膜上，對記錄薄膜進行初始化，其特征在于，該裝置帶有加熱裝置，用于在所述激光束照射時，加熱所述介質。
另外，其特征在于，所述加熱裝置將從燈發(fā)出的、最大光發(fā)射波長在紫外線波長和遠紅外線波長之間的光投射至比所述激光束照射點寬的一個區(qū)域上。
其特征還在于，所述加熱裝置將所述介質的溫度升高至比基片軟化點低的溫度。
其特征還在于，所述加熱裝置將所述介質的表面(in-surface)溫度差控制在30℃以內。
其特征還在于，它帶有一個裝置，可使所述介質持續(xù)轉動，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
另外，本發(fā)明的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置的特征在于，它帶有反饋裝置，用于檢測所述介質的溫度和將檢測的溫度反饋給所述加熱裝置，以保持介質溫度恒定。
本發(fā)明的光學記錄介質的預熱整體擦除方法的特征在于，它通過在磁性光學記錄介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和進行加熱過程以便在所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行磁化或退火。
本發(fā)明的光學記錄介質的預熱整體擦除方法的特征在于，它通過在相位改變式介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和進行加熱過程以便在所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行初始化。
其特征還在于，所述加熱過程是通過將從燈發(fā)出的、最大光發(fā)射波長在紫外線波長和遠紅外線波長之間的光投射至比激光束的照射點更寬的區(qū)域上來進行的。
其特征還在于，所述加熱過程包括將所述介質溫度升高至比基片軟化點低的溫度的過程。
其特征還在于，所述加熱過程包括將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內的過程。
其特征還在于，它進行使所述介質持續(xù)轉動的過程，直至在完成所述激光束的照射和加熱后所述介質的溫度達到從普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
其特征還在于，所述加熱過程包括檢測所述介質的溫度并將檢測的溫度反饋至所述加熱裝置以保持介質溫度恒定的過程。
另外，本發(fā)明的光學記錄介質的特征在于，它是通過在磁性光學記錄介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和當所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行磁化或退火而制成的。
另外，本發(fā)明的光學記錄介質的特征在于，它是通過在相位改變式介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和當所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行初始化而制成的。


圖1為在本發(fā)明中使用的光學記錄介質的平面圖；圖2為表示進行整體擦除的裝置結構的說明圖；圖3為表示地址信號和在距離全部整體擦除的介質的邊界區(qū)域第十條軌跡上的跟蹤誤差信號之間的關系的信號波形圖；圖4為表示在本發(fā)明中所用的、使用多層記錄薄膜的光學記錄介質的截面結構的說明圖；圖5為表示本發(fā)明的預熱整體擦除裝置的一個實施例的總體結構圖；圖6為表示本發(fā)明所用的各種基片樣件的特性的表；圖7為表示每一種光學記錄介質的再現(xiàn)信號跳動值和記錄功率之間關系的特性圖；圖8為表示每一個光學介質的跟蹤誤差增大量和離開其邊界區(qū)域的軌跡數(shù)目之間的關系的特性圖；圖9為表示在本發(fā)明中所用的、使用單層記錄薄膜的光學記錄介質的截面結構的說明圖；圖10為表示本發(fā)明所用的各種基片樣件的特性的表；圖11為表示在本發(fā)明中所用的、使用相位改變的記錄薄膜的光學記錄介質的截面結構的說明圖；圖12為表示在本發(fā)明所用的各種基片樣件的特性的表；圖13為在本發(fā)明中使用的卡片式光學記錄介質的平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)參照附圖來說明本發(fā)明的實施例。
(實施例1)首先說明使用一種磁性光學記錄/再現(xiàn)的多層記錄薄膜的實施例。圖4表示所使用的介質的截面。如圖4所示，在具有圖1所示的地址布局的樹脂基片10a-1上，利用濺射方法一個在另一個上面地層疊而形成保護層10b-1；磁性光學記錄層10c-1-1，10c-1-2，10c-1-3；保護層10d-1；和反射層10e-1。
首先，事先對濺射每一層用的腔充分地抽真空，直至真空度低于10-5Pa為止。然后，在1×10-3Pa～6×10-3Pa的氣氛下，利用2～3kw的電能形成每一個薄膜。
在氬和氮的氣氛中，對硅靶進行電抗性濺射，形成80nm厚的氮化硅薄膜作為保護層10b-1。
在氬的氣氛中，對GdFeCoSi靶進行直流濺射，形成膜厚為40nm的薄膜作為磁性光學記錄層10c-1-1。事先調整靶的成分和薄膜形成條件，使過渡金屬豐富的薄膜的居里(Curie)溫度為350℃或更高，室溫下的飽和磁化強度為10emu/cc。
在氬的氣氛中，對GdFeCoSi靶進行直流濺射，形成膜厚為40nm的薄膜作為磁性光學記錄層10c-1-2。事先調整靶的成分和薄膜形成的條件，使富含稀土金屬的薄膜的居里溫度為200℃或更高，室溫下的飽和磁化強度為150emu/cc。
在氬的氣氛中，對TbFeCo靶進行直流濺射，形成膜厚為50nm的薄膜作為磁性光學記錄層10c-1-3。事先調整靶的成分和形成薄膜的條件，使過渡金屬豐富的薄膜的居里溫度為300℃或更高，室溫下的矯磁力為20KOe或更大，室溫下的飽和磁化強度為50emu/cc。
在氬和氮的氣氛中，對硅靶進行電抗性濺射，形成膜厚為20nm的氮化硅薄膜作為保護層10d-1。
在氬的氣氛中，對Al靶進行直流濺射，形成膜厚為10nm的薄膜作為反射薄膜10e-1。
圖5表示對圖4所示結構的光學介質在加熱時進行整體擦除的裝置的一個例子。如圖5所示，傳統(tǒng)的整體擦除裝置包括一個用于轉動介質10的電機11，一個將激光聚焦在介質10的薄膜表面上的作動器12，和一個在介質10的半徑方向移動作動器12的滑塊13。
根據(jù)本發(fā)明，還另外加入了下列零件來構成預熱式整體擦除裝置。具體地說，在介質10以預定的角度接受激光照射的同一側，放置一個反光鏡14。從強大的可見光燈15發(fā)出的光通過透鏡16變成平行光投射至反光鏡14上，從而將反光鏡14反射出來的光投射至介質10上比激光束的照射點更寬的一個區(qū)域上。
標記17為靠近介質10的一個非接觸式溫度傳感器，用于測量被燈照射加熱的基片的溫度。
標記18為控制裝置，用于根據(jù)電機11的轉動狀態(tài)和基片溫度的信息控制強大的可見光燈15的開/關和光的強度，并控制電機11。
作為加熱介質的方法，可以采用升高介質周圍溫度，用紅外線加熱器等進行紅外加熱的方法，而不是如在本實施例中使用可見光燈的方法。
強大的可見光燈15將具有最大光發(fā)射波長在紫外線波長和遠紅外線波長之間的燈發(fā)出的光，發(fā)射至比激光束的照射點寬的一個區(qū)域上。這時，控制裝置18根據(jù)由非接觸式溫度傳感器17檢測的基片溫度信息控制強大的可見光燈15發(fā)出的光的強度，從而將介質10的溫度升高至比基片軟化點低的溫度。
這時，介質10的溫度為滿足充分減小在邊界區(qū)域附近的跟蹤誤差增大的條件的溫度；最好在80℃或更高些至軟化點或更低些的范圍內，以便進行加熱，如圖3所示那樣。
如果介質10的表面溫度差大，則介質會翹曲。這樣，在30℃內進行控制，例如，表面溫度差在不產(chǎn)生由于翹曲的發(fā)生而影響聚焦偏差或不可能聚焦的范圍內。
在完成激光束照射和用強大的可見光燈15加熱之后，介質10馬上處在高溫狀態(tài)并軟化。如果立即停止介質10的轉動，則介質可能變形或從夾緊部分中跳出。
考慮到這點，根據(jù)本發(fā)明，控制裝置18控制電機11持續(xù)轉動介質10，直至在完成激光束的照射和加熱后，介質的溫度到達普通溫度至50℃的范圍內時為止。
另外，控制裝置18根據(jù)從非接觸式溫度傳感器17檢測到的溫度信息，對強大的可見光燈15進行反饋控制，以保持介質10的溫度恒定。
利用圖5所示的裝置考察整體擦除介質的特性。整體擦除是在激光照射部分的線性速度為7.5m/s的條件下進行的。首先，準備四個如圖6的表中所示的樣件，以考察記錄靈敏度的變化。在圖6的表中，樣件1為不進行整體擦除的樣件，樣件2為進行正常的整體擦除的樣件，樣件3為進行正常的整體擦除和加熱的樣件，樣件4為用激光功率從800mW降低至600mW的樣件2所用的激光進行整體擦除和用燈加熱的樣件。
圖7表示樣件的最優(yōu)記錄功率值的測量結果。在圖7中，水平軸表示記錄功率，垂直軸表示再現(xiàn)信號的跳動值，該圖表示，當最小跳動值時的記錄功率較小時，靈敏度最好。
在圖7中，菱形標記表示圖6中的樣件1的數(shù)據(jù)，方形標記表示圖6中的樣件2的數(shù)據(jù)，三角形標記表示圖6中的樣件3的數(shù)據(jù)，圓形標記表示圖6中的樣件4的數(shù)據(jù)。
從圖7中可看出，不進行整體擦除的樣件1的最優(yōu)記錄功率為9.2mW，而進行整體擦除的樣件的靈敏度較高。具體地說，樣件3的最優(yōu)記錄功率為8.9mW，而樣件2和樣件4的最優(yōu)記錄功率均為9.0mW。
這表明，樣件2和4的靈敏度偏移量是相同的。即這表示根據(jù)本發(fā)明，利用燈照射，可將達到相同的靈敏度偏移量的整體擦除用的激光功率從800mW減小至600mW。
圖8表示在各個樣件中，樣件2，3，4的跟蹤誤差增大量。在圖8中，垂直軸表示跟蹤誤差增大量，水平軸表示從邊界區(qū)域計數(shù)的軌跡數(shù)目，而TESNOISE為從跟蹤誤差信號的地址產(chǎn)生的噪聲。
從圖8可看出，跟蹤誤差按照樣件3(三角形標記)→樣件2(方形標記)→樣件4(圓形標記)的順序減小。樣件2(方形標記)和樣件4(圓形標記)的靈敏度偏移量相同。這樣，可以采用任何一個整體擦除條件來達到所期望的靈敏度偏移。特別是，使用綜合利用燈照射進行介質預熱和用低功率的激光照射進行整體擦除(如樣件4那樣(圓形標記))的裝置可以制造跟蹤誤差增大量小的介質。
本發(fā)明的加熱裝置不是僅限于圖5所示的強大的可見光燈15，可以利用空調器提高周圍溫度，或例如利用紅外線加熱器進行紅外線加熱。
當采用這種加熱裝置時，可用上述同樣的方法，將介質溫度升高至比基片軟化點低的溫度，將介質的表面溫度差控制在30℃以內，持續(xù)轉動介質直至在完成激光束照射和加熱后，介質溫度達到普通溫度至50℃的范圍內的一個溫度為止，并通過反饋保持介質溫度恒定。
本發(fā)明的預熱整體擦除方法包括在介質轉動時，將激光束照射在記錄薄膜上，進行記錄薄膜的磁化或退火；并使用例如圖5所示的預熱整體擦除裝置，在激光束照射下進行加熱介質的加熱過程。
在這種情況下，加熱過程包括使介質溫度升高低于基片軟化點，控制介質的表面溫度差在30℃以內，和通過反饋保持介質溫度恒定。另外，它還包括持續(xù)轉動介質，直至在完成加熱過程后介質溫度達到從普通溫度至50℃范圍內的一個溫度為止。
(實施例2)下面，將說明利用磁性光學記錄/再現(xiàn)的單層記錄薄膜的實施例。圖9表示所用介質的截面，例如，在具有圖1所示的地址布局的樹脂基片10a-2上，利用濺射方法一個在另一個上面地層疊形成保護層10b-2、磁性光學記錄層10c-2、保護層10d-2和反射層10e-2。
首先，事先對濺射每一個層用的腔充分地抽真空，直到真空度達到低于10-5Pa為止。
在氬和氮的氣氛中，對硅靶進行電抗性濺射，形成膜厚為100nm的氮化硅薄膜作為保護層10b-2。
在氬的氣氛中，對TbFeCo靶進行直流濺射，形成膜厚為50nm的薄膜作為磁性光學記錄層10c-2。事先調整靶的成分和薄膜形成的條件，使富含過渡金屬的薄膜的居里溫度為300℃，室溫下的矯磁力為20KOe或更大，室溫下的飽和磁化強度為50emu/cc。
在氬和氮的氣氛中，對硅靶進行電抗性濺射，形成30nm厚的氮化硅薄膜作為保護層10d-2。
在氬的氣氛中，對Al靶進行直流濺射，形成50nm厚的薄膜作為反射薄膜10e-2。
利用圖5所示的裝置進行整體擦除，來考察利用上述薄膜結構制造的樣件的特性。整體擦除是在激光照射部分的線性速度為7.5m/s下的條件下進行的。首先，制造如圖10的表中所示的四個樣件，用與實施例1相同的方法考察記錄靈敏度的變化。
從圖10的表所示的結果中可看出，在激光照射和/或燈加熱的情況下，與樣件2-1比較，樣件2-2，2-3，2-4的靈敏度提高。另外，可以看出，樣件2-2，2-4具有相同的最優(yōu)的靈敏度。即是說，激光照射和燈加熱給樣件2-2，2-4的記錄薄膜提供相同的能量。
然后，在地址一側的軌跡上，考察樣件的跟蹤誤差增大量。圖10中的表所示的跟蹤誤差比表示在離地址第一百條軌跡上的跟蹤誤差與軌跡跳躍幅值的比值。這表明，樣件2-4的跟蹤誤差最小。
(實施例3)下面將說明利用相位改變式的記錄薄膜的實施例。圖11表示所用介質的截面。在具有圖1所示的地址布局的樹脂基片10a-3上，利用濺射方法一個在另一個上面地層疊形成保護層10b-3，相位改變式記錄層10c-3，保護層10d-3，和反射層10e-3。
首先，事先對濺射每一個層用的腔充分地抽真空，使其真空度低于10-5Pa。
在氬的氣氛中，對ZnS-SiO2靶進行濺射，形成膜厚為130nm的ZnS-SiO2薄膜作為保護層10b-3。
在氬的氣氛中，對GeSbTe靶進行直流濺射，形成膜厚為15nm的薄膜作為相位改變式記錄層10c-3。事先調整靶的成分和薄膜形成條件，使結晶溫度為500℃，熔化點為700℃。
在氬的氣氛中，對ZnS-SiO2靶進行濺射，形成膜厚為20nm的ZnS-SiO2薄膜作為保護層10d-3。
在氬的氣氛中，對Al靶進行直流濺射，形成膜厚為150nm的薄膜作為反射薄膜10e-3。
利用圖5所示的裝置進行整體擦除，考察利用上述薄膜結構制造的樣件特性。整體擦除是在激光照射部分的線性速度為4m/s的條件下進行的。首先，制造圖12的表所示的四個樣件，用與實施例1相同的方法考察記錄靈敏度的改變。
從圖12的表所示的結果可看出，在激光照射和/或燈加熱下，與樣件3-1比較，樣件3-2，3-3，3-4的靈敏度提高。另外，還看出，樣件3-2，3-4具有相同的最優(yōu)靈敏度。即激光照射和燈加熱給樣件3-2，3-4的記錄薄膜提供相同的能量。
然后，考察在地址一側的軌跡上的樣件的跟蹤誤差增大量。圖12的表中表示了作為離開地址第一百個軌跡的跟蹤誤差與軌跡跳躍幅值的比值的跟蹤誤差比。這表明，樣件3-4的跟蹤誤差最小。
如上所述，利用對本發(fā)明的光學記錄介質進行預熱整體擦除的裝置，可以對光學記錄介質進行磁化、退火和初始化，同時抑制邊界區(qū)域上的跟蹤誤差增加。這可以高速地對介質的整個表面進行磁化、退火和初始化，結果可縮短過程時間和制造更換部分較少的高質量的介質。
根據(jù)權利要求5～8，使介質溫度在80℃或更高一點至軟化點溫度或更低一點的范圍內，可大大減小在邊界區(qū)域附近的跟蹤誤差的增大。
根據(jù)權利要求9～12，將介質的表面溫度差控制在30℃以內，可以防止介質產(chǎn)生翹曲，從而避免焦點偏移或不可能聚焦。
根據(jù)權利要求13～16，介質可以持續(xù)轉動，直至在完成激光束照射和加熱后，介質溫度達到普通溫度至50℃的范圍內的溫度為止；從而可防止在完成整體擦除后，介質變形或從夾緊部分中跳出。
根據(jù)權利要求17～20，介質溫度保持恒定，使該裝置的可靠性提高。
根據(jù)本發(fā)明的光學記錄介質的預熱整體擦除方法，可以用一種簡單的方法進行光學記錄介質的磁化、退火和初始化；并且可抑制邊界區(qū)域上的跟蹤誤差增大。這樣，可以高速地對介質的整個表面進行磁化、退火和初始化，結果可以縮短過程時間，制造更換部分較少的高質量的介質。
根據(jù)權利要求25～28，使介質溫度在80℃或更高一點至基片軟化溫度或更低一點的范圍內，可以大大減小在邊界區(qū)域附近的跟蹤誤差的增大。
根據(jù)權利要求29～32，將介質表面的溫度差控制在30℃以內，可以防止介質產(chǎn)生翹曲，從而避免焦點偏移或不可能聚焦。
根據(jù)權利要求33～36，介質可以持續(xù)轉動，直至在完成激光束照射和加熱后，介質溫度達到普通溫度至50℃的范圍內的溫度為止；從而可防止在完成整體擦除后，介質變形或從夾緊部分中跳出。
根據(jù)權利要求37～40，介質溫度保持恒定，使該裝置的可靠性提高。
利用本發(fā)明的權利要求41和42所述的光學記錄介質，進行整體擦除可以抑制由于使用造成的記錄靈敏度的改變，并不會使邊界區(qū)域附近的跟蹤誤差增大，從而可使介質的性能和質量明顯提高。
工業(yè)適用性本發(fā)明可以用于外形為非圓形的光學記錄介質。
如圖13所示，本發(fā)明還可用于卡片式光學記錄介質中。該介質包括在郵政卡尺寸或商業(yè)卡尺寸大小的卡主體20中的一個數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)區(qū)域20a。
權利要求
1.一種光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，該裝置通過在磁性光學記錄介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上，可以進行記錄薄膜的磁化或退火，其特征在于，該裝置帶有加熱裝置，用于當所述激光束照射時加熱所述介質。
2.一種光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，該裝置通過在相位改變式介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上，對記錄薄膜進行初始化，其特征在于，該裝置帶有加熱裝置，用于在所述激光束照射時加熱所述介質。
3.如權利要求1所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將從燈發(fā)出的、最大光發(fā)射波長在紫外線波長和遠紅外線波長之間的光投射至比所述激光束照射點寬的一個區(qū)域上。
4.如權利要求2所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將從燈發(fā)出的、最大光發(fā)射波長在紫外線波長和遠紅外線波長之間的光投射至比所述激光束照射點寬的一個區(qū)域上。
5.如權利要求1所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的溫度升高至比基片軟化點低的溫度。
6.如權利要求2所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的溫度升高至比基片軟化點低的溫度。
7.如權利要求3所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的溫度升高至比基片軟化點低的溫度。
8.如權利要求4所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的溫度升高至比基片軟化點低的溫度。
9.如權利要求1所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內。
10.如權利要求2所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內。
11.如權利要求3所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內。
12.如權利要求4所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱裝置將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內。
13.如權利要求1所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有一個裝置，用于使所述介質持續(xù)轉動，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
14.如權利要求2所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有一個裝置，用于使所述介質持續(xù)轉動，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
15.如權利要求3所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有一個裝置，用于使所述介質持續(xù)轉動，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
16.如權利要求4所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有一個裝置，用于使所述介質持續(xù)轉動，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
17.如權利要求1所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有反饋裝置，用于檢測所述介質的溫度和將檢測到的溫度反饋給所述加熱裝置，以保持介質溫度恒定。
18.如權利要求2所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有反饋裝置，用于檢測所述介質的溫度和將檢測到的溫度反饋給所述加熱裝置，以保持介質溫度恒定。
19.如權利要求3所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有反饋裝置，用于檢測所述介質的溫度和將檢測到的溫度反饋給所述加熱裝置，以保持介質溫度恒定。
20.如權利要求4所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它帶有反饋裝置，用于檢測所述介質的溫度和將檢測到的溫度反饋給所述加熱裝置，以保持介質溫度恒定。
21.一種光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它通過在磁性光學記錄介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和進行加熱過程以便在所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行磁化或退火。
22.一種光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它通過在相位改變式介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和進行加熱過程以便在所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行初始化。
23.如權利要求21所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程是通過將從燈發(fā)出的、最大光發(fā)射波長在紫外線波長和遠紅外線波長之間的光投射至比所述激光束的照射點更寬的區(qū)域上來進行的。
24.如權利要求22所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程是通過將從燈發(fā)出的、最大光發(fā)射波長的紫外線波長和遠紅外線波長之間的光投射至比所述激光束的照射點更寬的區(qū)域上來進行的。
25.如權利要求21所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質溫度升高至比基片軟化點低的溫度的過程。
26.如權利要求22所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質溫度升高至比基片軟化點低的溫度的過程。
27.如權利要求23所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質溫度升高至比基片軟化點低的溫度的過程。
28.如權利要求24所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質溫度升高至比基片軟化點低的溫度的過程。
29.如權利要求21所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內的過程。
30.如權利要求22所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內的過程。
31.如權利要求23所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內的過程。
32.如權利要求24所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括將所述介質的表面溫度差控制在30℃以內的過程。
33.如權利要求21所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它進行使所述介質持續(xù)轉動的過程，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
34.如權利要求22所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它進行使所述介質持續(xù)轉動的過程，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
35.如權利要求23所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它進行使所述介質持續(xù)轉動的過程，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
36.如權利要求24所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，它進行使所述介質持續(xù)轉動的過程，直至在所述激光束完成照射和加熱后所述介質的溫度達到在普通溫度至50℃范圍內的溫度為止。
37.如權利要求21所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括檢測所述介質的溫度并將檢測到的溫度反饋至所述加熱裝置以保持介質溫度恒定的過程。
38.如權利要求22所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括檢測所述介質的溫度并將檢測到的溫度反饋至所述加熱裝置以保持介質溫度恒定的過程。
39.如權利要求23所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括檢測所述介質的溫度并將檢測到的溫度反饋至所述加熱裝置以保持介質溫度恒定的過程。
40.如權利要求24所述的光學記錄介質的預熱整體擦除裝置，其特征在于，所述加熱過程包括檢測所述介質的溫度并將檢測到的溫度反饋至所述加熱裝置以保持介質溫度恒定的過程。
41.一種光學記錄介質，其特征在于，它是通過在磁性光學記錄介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和當所述激光束照射時加熱所述介質，來對記錄薄膜進行磁化或退火而制成的。
42.一種光學記錄介質，其特征在于，它是通過在相位改變式介質轉動時將激光束照射在記錄薄膜上和當所述激光束照射時加熱所述介質，對記錄薄膜進行初始化而制成的。
全文摘要
當通過由電機(11)使光學記錄介質(10)轉動時將激光束照射在記錄薄膜上而對記錄薄膜進行磁化、退火和初始化時，來自強大的可見射線燈(15)的光通過透鏡(16)投射至反光鏡(14)上成為平行光；由該反光鏡(14)反射的光照射在介質(10)上的比激光束的照射點大的區(qū)域上，以加熱該區(qū)域?？刂蒲b置(18)基于由非接觸式溫度感應器(17)檢測到的基片溫度信息來控制強大的可見射線燈(15)的光強，使得介質(10)的溫度升高至不低于例如80℃，但是低于基片軟化點。
文檔編號G11B7/26GK1465056SQ02802256
公開日2003年12月31日 申請日期2002年7月15日 優(yōu)先權日2001年7月23日
發(fā)明者中山比呂史, 竹內厚, 根本淳一, 三浦博行 申請人:索尼公司