專利名稱：磁光記錄介質(zhì)和它們的擦除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有能重寫其中已記錄信息的兩層記錄層的磁光記錄介質(zhì)和它們的擦除方法。
已開發(fā)出的磁光記錄介質(zhì)是這類典型的光記錄介質(zhì)，它們有能重寫其中已記錄信息的記錄層。
設(shè)計(jì)磁光記錄介質(zhì)，使它通過(guò)光照可在垂直于介質(zhì)表面方向磁化的記錄層而改變記錄層光照部分的磁化方向，從而可能記錄或擦掉信息。
在上述的磁光記錄介質(zhì)產(chǎn)物裝載前，或者在所述的介質(zhì)中通過(guò)光盤啟動(dòng)重新記錄信息前，其中應(yīng)無(wú)信息記錄，因此，這類磁光記錄介質(zhì)需要擦除。
用有效地擦除記錄在磁光介質(zhì)的記錄層里的信息的常規(guī)已知方法時(shí)，以激光的能量來(lái)逐點(diǎn)地照射記錄層的表面，而同時(shí)允許能量束和記錄層作相對(duì)移動(dòng)，從而記錄層的整個(gè)表面用該能量束來(lái)照射，并使記錄層的磁化方向沿著層表面是確定的。
為了在這些記錄層中記錄高密度的信息，人們已開發(fā)出具有兩層記錄層的磁光記錄介質(zhì)。按照常規(guī)方法擦除這類磁光記錄介質(zhì)時(shí)，有如下的不足，即使只清除一層記錄層時(shí)也需要費(fèi)很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)用能量逐點(diǎn)地照射記錄層。
本申請(qǐng)者開發(fā)出一種擦除方法，其中來(lái)自一個(gè)方向的強(qiáng)磁場(chǎng)磁力線作用到已有記錄層在上面形成的磁光記錄介質(zhì)上，使所述的記錄層的磁化方向沿著層的表面是確定的，它可作為在磁光記錄層與時(shí)間內(nèi)擦除記錄信息的方法。
但是，當(dāng)采用上述方法清除具有兩層記錄層的光記錄介質(zhì)時(shí)有這樣的不足，即兩層的磁化方向同時(shí)相同地沿著層表面且只有一層記錄層被消除。此外，在此情況下當(dāng)兩層磁光記錄層的磁化方向指向相同方向時(shí)，剛從相反的方向用激光束照射每層記錄層使之再生。由于那個(gè)原因，為了同時(shí)擦除兩層記錄層，兩層記錄層的磁化方向必須同樣是逆向的方向且都是沿著層表面的相同方向。因此，上述的方法不能滿足該要求。
由于這個(gè)關(guān)系，日本專利特開昭第24410/1988揭示了在磁光記錄介質(zhì)中磁光記錄層的外表面上疊上一層磁屏蔽以屏蔽外界磁化的技術(shù)。但是，該揭示的技術(shù)只能單純屏蔽外界磁場(chǎng)的影響，它全然沒有揭示本發(fā)明的對(duì)磁光記錄介質(zhì)有效擦除的技術(shù)構(gòu)思。
就此而論則產(chǎn)生了本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供磁光記錄介質(zhì)其中能在短時(shí)間里有效地擦除兩層記錄層之一的信息記錄，并提供出它們的擦除方法。
為了實(shí)施上述的發(fā)明目的，本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)包括兩層磁光記錄層，它們的磁化方向垂直于層表面，其特征在于包含抑制磁力線滲入的磁屏蔽材料的磁屏蔽層被插在所述的兩層磁光記錄層中間。
本發(fā)明磁光記錄介質(zhì)的擦除方法包括擦除兩層磁光記錄層之一的記錄的信息，兩層磁光記錄層的磁化方向垂直于磁光記錄介質(zhì)的層表面，該清除方法的特征在于包含磁屏蔽材料的磁屏蔽層被插在所述的兩層磁光記錄介質(zhì)中間，將指向一個(gè)方向的磁力線用在記錄層的表面以從兩層記錄層中的任一層中擦除，從而使所述記錄層的磁化方向都沿著層表面，以致擦除記錄在所述記錄層中的信息。
在本發(fā)明的擦除記錄介質(zhì)和擦除方法中，它具有一層插在兩層記錄層之間的磁屏蔽層，當(dāng)將磁力線從兩層記錄層之一的一面作用于整個(gè)磁光記錄介質(zhì)上時(shí)，磁力線通過(guò)磁屏蔽層而被屏蔽，并且不會(huì)對(duì)介質(zhì)的相對(duì)另一側(cè)造成任何影響。并且施以磁力線的所述記錄層的磁化方向?qū)⒈粡?qiáng)行排列成沿著層表面的相同方向(在層表面中)，且只有這種記錄盡可被擦除。此外，為了將磁力線用于整個(gè)磁光記錄介質(zhì)上可在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行操作，結(jié)果在短時(shí)間內(nèi)也可有效地擦除所述的介質(zhì)。更可取的是使磁力線基本垂直作用于記錄層表面而使之進(jìn)行擦除。此外，將磁力線同時(shí)從這些記錄層的兩面作用，則在信息信息介質(zhì)上形成的兩層記錄層所記錄的信息可同時(shí)被擦除。
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)和它們的擦除方法作詳盡的闡述

圖1是說(shuō)明本發(fā)明磁光記錄介質(zhì)一個(gè)具體實(shí)例的橫截面圖。
圖2是說(shuō)明本發(fā)明擦除方法的一個(gè)具體實(shí)例的示意圖。
圖3是本發(fā)明中用來(lái)產(chǎn)生磁力線的方法的斜剖圖。
圖4是說(shuō)明本發(fā)明擦除方法的一個(gè)具體實(shí)例的示意圖。
如圖1所示，本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)2具有兩層磁光記錄層4和6和一層插在兩層間的磁屏蔽層8。在圖1所示的實(shí)例中，磁光記錄介質(zhì)2由分別在基片10和12上各自形成記錄層4和6的兩層磁光記錄介質(zhì)疊合而成，所述的疊合是使磁屏蔽層8插在磁光記錄層4和6之間。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)例中，磁光記錄介質(zhì)可由兩個(gè)在一個(gè)基片上形成的磁光記錄層以及插在磁光記錄層4和6之間的磁屏蔽層所組成。
雖然對(duì)制備上述基片10和12的材料無(wú)特定的限制，但是這些基片是所需的透明基片，例如，諸如玻璃、鋁等的無(wú)機(jī)材料，諸如聚(甲基甲基丙烯酸酯)、聚碳酸酯、聚碳酸酯和聚苯乙烯酯的聚合物合金，諸如在美國(guó)專利第4，614，778揭示的環(huán)烯烴聚合物，包括乙烯與1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(四環(huán)十二碳烯)的共聚物、乙烯與2-甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(四環(huán)十二碳烯)的共聚物、乙烯與2-甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(甲基四環(huán)十二碳烯)的共聚物，乙烯與2-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘的共聚物、聚-4-甲基-1-戊烯、環(huán)氧樹脂、聚醚砜、聚砜、聚醚亞酰胺等的有機(jī)物質(zhì)。
在上述例舉的這些物質(zhì)中，較好的是聚(甲基甲基丙烯酸酯)、聚碳酸酯及在美國(guó)專利第4，614，778中揭示的環(huán)烯烴聚合物，最好的是美國(guó)專利第4，614，778中揭示的環(huán)烯烴聚合物，因?yàn)樗鼘?duì)記錄層的粘結(jié)良好且具有低的雙折射指數(shù)。
基片10和12可有任何厚度只要它對(duì)整個(gè)記錄介質(zhì)2足以提供適當(dāng)?shù)膱?jiān)韌性，例如，較好的是0.5-2.5毫米，最好是約1-1.5毫米。
對(duì)于用于本發(fā)明中具有垂直于層表面的單軸各向異性磁光記錄層4和6的材料無(wú)特定的限制。但是，這些記錄層較好地包含這類物質(zhì)，例如，包括至少一種選自(ⅰ)3d過(guò)渡金屬和至少一種選自(ⅲ)稀土元素，或者包括至少一種選自(ⅰ)3d過(guò)渡金屬和至少一種選自(ⅱ)耐腐蝕金屬和(ⅲ)稀土元素。
上述的3d過(guò)渡金屬(ⅰ)包括Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn，而擇優(yōu)地選用Fe或Co，或兩種都選用。
當(dāng)在磁光記錄層4中摻入耐腐蝕金屬(ⅱ)時(shí)，則可改善記錄層的抗氧化性。所用的耐腐蝕金屬包括Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Mo、Nb等。在這些金屬中，較好的是Pt、Pd和Ti，最好的是Ft或Pd，或者Pt和Pd同時(shí)用。
所用的稀土元素(ⅲ)包括，例如Gb、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、rb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu。在這些元素中，較好的是Gb、TbDy、Ho、Nd、Sm和Pr。
雖然對(duì)薄膜厚度無(wú)特定的限制，但是本發(fā)明的磁光記錄層每層的厚度較好為50-5000
，最好是100-200
。
用于本發(fā)明的磁屏蔽層是由抑制磁力線滲入的磁屏蔽材料所組成的。有用的磁屏蔽材料包括高導(dǎo)磁材料例如坡莫合金(Permalloy)(Ni-Fr系磁性合金)和Sendust(Si-Al-Fe系磁性合金)以及超導(dǎo)材料。超導(dǎo)材料包括(作為實(shí)例但不受限制)諸如Nb N、Nb3Sn、V3Ga、V3Si、Nb3Al和Nb3Ge的金屬超導(dǎo)材料;諸如Ba(Pb，Bi)O、La-Ba-Cu-0、La-Sr-On-O、Y-Ba-Cu-O、Y-Ba-Ca-O、Y-Ba-Cu-0-F、Bi-Ca-Sr-Cu-O和Tl-Ca-Ba-Cu-O的陶瓷超導(dǎo)材料系列以及諸如TTF(四硫代富瓦烯-X型(其中X是陰離子)、[TMTSF(四甲基四硒代富瓦烯)2]-X型和(BEDT TIF)-X型(BEDT∶雙(亞乙基二硫羥基)四硫代富瓦烯)的有機(jī)超導(dǎo)材料。
雖然對(duì)磁屏蔽層的薄膜厚度無(wú)特別的限定，但是較好的是1000
-0.5mm或在此附近。用本發(fā)明方法擦除的磁光記錄介質(zhì)2可以是任何形狀而無(wú)特別的限制，例如卡片式、片狀、盤狀等。
在本發(fā)明中，用下列擦除所述信息方法可以擦除磁光記錄介質(zhì)2的磁光記錄層中記錄的信息。
例如如圖2所示，磁光記錄介質(zhì)2具有在它上面形成的磁光記錄介質(zhì)4和6，在擦除前，將磁光記錄介質(zhì)2放在傳送帶14上。傳送帶14被設(shè)計(jì)成可按箭頭的方向進(jìn)行傳送。
磁力發(fā)生器18可發(fā)射磁光記錄介質(zhì)2一面表面方向上的磁力線16，該磁力發(fā)生器18直接放在傳送所述磁光記錄介質(zhì)2的傳送帶14上。
從磁力發(fā)生器18中發(fā)射的磁力線16被設(shè)計(jì)成幾乎垂直于A方向移動(dòng)的傳送帶14的表面。
例如所使用的磁力發(fā)生器18包括，電磁體和永磁體，較好的是如圖3所示的電磁體。在圖3所示的電磁體中，線圈22圍繞由導(dǎo)體材料組成的芯部分20繞線。如圖3所示，芯部分20較好地具有扁平板狀形狀，它沿著磁力線的方向放置，而在傳送介質(zhì)的垂直方向上發(fā)射磁力線。磁力發(fā)生器具有上述形狀以使使預(yù)期的擦除在線圈22的匝數(shù)較少且電流耗量較少時(shí)能進(jìn)行。
由磁力發(fā)生器18發(fā)射的磁場(chǎng)可具有任何的強(qiáng)度，只要它的強(qiáng)度足以使磁光記錄介質(zhì)2的一層記錄層4的磁化方向在同一方向上均勻地排列，磁場(chǎng)強(qiáng)度擇優(yōu)地選用5千奧-20千奧(KOe)。由磁力發(fā)生器18發(fā)射的磁力線可如圖2所示從頂部指向底部，或者可從底部指向頂部。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)例的擦除方法，用磁力發(fā)生器18發(fā)射的強(qiáng)磁力線16對(duì)磁光記錄介質(zhì)2的一層記錄層4進(jìn)行照射，并通過(guò)傳送帶14將磁光記錄介質(zhì)2在幾乎垂直于所發(fā)射的磁力線的方向上作相對(duì)運(yùn)動(dòng)。因此，在相對(duì)運(yùn)動(dòng)中，整個(gè)一層記錄層4按一個(gè)方向磁化，從而能在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)記錄層4的擦除。
此外，在這種情況下，因?yàn)榇帕€16被磁屏蔽層8所屏蔽，所以在磁光記錄介質(zhì)2相背對(duì)一面的磁光記錄層6中記錄的信息就不能被擦除。用上述相同的過(guò)程，將磁光記錄介質(zhì)2翻過(guò)來(lái)放在傳送帶14上也可擦除記錄層6。
在本發(fā)明的方法中，磁力線可通過(guò)各種方法作用于磁光記錄介質(zhì)的一面，而不限于上述方法。
例如，當(dāng)擦除如圖4所示盤狀磁光記錄介質(zhì)2a一面上的記錄層時(shí)，可將盤狀磁光記錄介質(zhì)2a放在用作旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)臺(tái)24上，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)24時(shí)，從磁力發(fā)生器18中發(fā)射的磁力線16至少在經(jīng)向上作用于磁光記錄介質(zhì)2一邊的整個(gè)面上。在此情況下，通過(guò)旋轉(zhuǎn)臺(tái)一次旋轉(zhuǎn)，磁光記錄介質(zhì)2a一側(cè)上的記錄層則完全擦除干凈。
就此而論，通過(guò)各種裝置諸如鏈、遙控手、氣缸等，而不僅限于傳送帶14和旋轉(zhuǎn)臺(tái)24，使磁光記錄介質(zhì)2可以幾乎垂直于磁力線16的方向作相對(duì)運(yùn)動(dòng)。磁力發(fā)生器18可以適當(dāng)?shù)姆椒ㄗ飨鄬?duì)運(yùn)動(dòng)而磁光記錄介質(zhì)2則不運(yùn)動(dòng)。此外，可將磁力線同時(shí)作用于所述磁光記錄介質(zhì)的兩側(cè)而使在磁光記錄介質(zhì)上形成的兩層記錄層中記錄的信息同時(shí)擦除。
權(quán)利要求
1.一種磁光記錄介質(zhì)，它具有兩層磁光記錄層，其各自的磁化方向垂直于介質(zhì)表面，其特征在于由抑制磁力線滲入的磁屏蔽材料組成的磁屏蔽層插在所述磁光記錄層的中間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征在于其中的磁屏蔽層由超導(dǎo)材料組成。
3.一種磁光記錄介質(zhì)擦除的方法，它包括擦除記錄在兩層記錄層每層中的信息，該記錄層具有垂直于所述磁光記錄介質(zhì)表面的磁化方向，其特征在于它包括將含有抑制磁力線滲入的磁屏蔽材料的磁屏蔽層插在所述兩層記錄層中，并從兩層記錄層的任一面將一個(gè)方向的磁力線作用上去以擦除記錄層，使其磁化方向都沿著層表面按同一方向均勻排列，從而擦除了記錄的信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁光記錄介質(zhì)的擦除方法，其特征在于其中由產(chǎn)生磁力線的磁力發(fā)生器所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度是5-20KOe。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁光記錄介質(zhì)的擦除方法，其特征在于在旋轉(zhuǎn)磁光記錄介質(zhì)時(shí)將磁力線作用于所述的磁光記錄介質(zhì)的一面。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁光記錄介質(zhì)的擦除方法，其特征在于將磁力線同時(shí)作用于磁光記錄介質(zhì)的兩面，從而在兩面擦除其記錄的信息。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁光記錄介質(zhì)的擦除方法，其特征在于磁力線基本上垂直地作用于磁光記錄介質(zhì)的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種磁光記錄介質(zhì)，它包括一層基片，其磁化方向垂直于層表面的兩層記錄層以及插入所述兩層記錄層中間的一層磁屏蔽層。本發(fā)明也提供了所述磁光記錄介質(zhì)的擦除方法。
文檔編號(hào)G11B5/11GK1046240SQ90101980
公開日1990年10月17日 申請(qǐng)日期1990年4月6日 優(yōu)先權(quán)日1989年4月6日
發(fā)明者山浩二 申請(qǐng)人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社