專利名稱：記錄擦除模式的功率信息的光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)，更具體地說，涉及一種在其上記錄擦除模式的功率信息的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
記錄數(shù)據(jù)在光盤上，一種光記錄介質(zhì)，意味著在光盤上形成的軌道中作標(biāo)記。目前的可記錄、可擦除以及可再生盤包括650MB的RW-CD、4.7GB的DVD-RAM/R/RW、4.7GB的DVD+RW、仍在研發(fā)中的23GB的HD-DVD等。在可重寫盤中，記錄層被相變層覆蓋，該相變層根據(jù)溫度級從結(jié)晶體變成非晶體，并且通過相變層的相變形成標(biāo)記(根據(jù)需要的數(shù)據(jù))。在這種可重寫介質(zhì)中，記錄策略根據(jù)記錄介質(zhì)的類型被采用，以最優(yōu)化記錄/再現(xiàn)特性。然而，由于記錄狀況從驅(qū)動器到驅(qū)動器可能改變，光記錄介質(zhì)可能不能與驅(qū)動器兼容。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種光記錄介質(zhì)，用于存儲關(guān)于擦除模式開始和最后脈沖的功率電平級的信息，并且當(dāng)與任何類型的驅(qū)動器一同使用時，能夠檢測擦除數(shù)據(jù)所必需的激光光學(xué)功率電平。
因此，為了實現(xiàn)上述目的，提供一種光記錄介質(zhì)，它允許數(shù)據(jù)記錄在其上，并且從其上被擦除和再現(xiàn)。在該光記錄介質(zhì)中，記錄擦除模式信息，該擦除模式信息包括關(guān)于用于擦除數(shù)據(jù)的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的信息。


通過結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點將會變得更加清楚，其中圖1是顯示光記錄介質(zhì)所有區(qū)域的視圖；
圖2是顯示數(shù)據(jù)和四種擦除模式的波形視圖；圖3是用于將數(shù)據(jù)記錄在圖1所示的光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄波形的例子的視圖；圖4是記錄于圖1所示的預(yù)先記錄區(qū)域的數(shù)據(jù)的例子的視圖；圖5是當(dāng)光記錄介質(zhì)是雙層光記錄介質(zhì)時，記錄于圖1所示的預(yù)先記錄區(qū)域的數(shù)據(jù)的例子的視圖。
具體實施例方式
在下文中，通過借助附圖，將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1是顯示光記錄介質(zhì)所有區(qū)域的視圖，包括突發(fā)剪切區(qū)(burst cuttingarea BCA)、預(yù)先記錄區(qū)域、和可重寫區(qū)域。參考圖1，在BCA中，盤自身的信息，例如盤號等以徑向條形碼類型被記錄。在預(yù)先記錄區(qū)域，僅可再現(xiàn)數(shù)據(jù)被記錄成高頻搖擺式(wobble)或凹坑。記錄在預(yù)先記錄區(qū)域的數(shù)據(jù)包括數(shù)據(jù)類型、盤尺寸、信道位長度、盤結(jié)構(gòu)、用于形成記錄和擦除模式所需的時間、記錄功率等。在根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，關(guān)于用于擦除數(shù)據(jù)所需的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的擦除模式信息被記錄在僅可再現(xiàn)的預(yù)先記錄區(qū)域或可重寫區(qū)域，在此處數(shù)據(jù)被重寫或數(shù)據(jù)從此處被再現(xiàn)。在下文中，為了方便，將說明擦除模式信息被存儲在預(yù)先記錄區(qū)域中。
如圖2所示，根據(jù)盤記錄層的種類或盤的種類，擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的組合可以被分成四類，該擦除模式用于擦除記錄在光盤上的數(shù)據(jù)。
參考圖2，擦除模式被分成四類(a)LH、(b)HH、(c)HL、和(d)LL。為了易于識別其差別，每個擦除模式都用圓圈標(biāo)出。(a)LH表示構(gòu)成擦除模式的開始脈沖的功率等于隨后的擦除多脈沖的低功率電平PBE，構(gòu)成擦除模式的最后擦除多脈沖以低功率電平PBE結(jié)束，并且隨后的擦除模式的最后脈沖Tsfp的功率電平等于擦除多脈沖的高功率電平PPE。(b)HH表示構(gòu)成擦除模式的開始脈沖的功率等于隨后的擦除多脈沖的高功率電平PPE，構(gòu)成擦除模式的最后擦除多脈沖以高功率電平PPE結(jié)束，并且隨后的擦除模式的最后脈沖Tsfp的功率電平保持在擦除多脈沖的高功率電平PPE。(c)HL表示構(gòu)成擦除模式的開始脈沖的功率等于隨后的擦除多脈沖的高功率電平PPE，構(gòu)成擦除模式的最后擦除多脈沖以高功率電平PPE結(jié)束，并且隨后的擦除模式的最后脈沖Tsfp的功率電平等于擦除多脈沖的低功率電平PBE。最后，(d)LL表示構(gòu)成擦除模式的開始脈沖的功率等于隨后的擦除多脈沖的低功率電平PBE，構(gòu)成擦除模式的最后擦除多脈沖以低功率電平PBE結(jié)束，并且隨后的擦除模式的最后脈沖Tsfp的功率電平保持在擦除多脈沖的低功率電平PBE。
當(dāng)將光記錄介質(zhì)插入到記錄設(shè)備中時，在該光記錄介質(zhì)中可以根據(jù)盤記錄層的種類、盤的種類或多層記錄層的每一層不同地設(shè)置擦除模式的開始和最后脈沖，并將該開始和最后脈沖記錄在僅可再現(xiàn)區(qū)域中，該記錄設(shè)備不需要執(zhí)行用于選擇最優(yōu)擦除功率的額外測試。因而，確定擦除功率電平所需的時間可以顯著地減少。
圖3是用于將數(shù)據(jù)記錄在圖1所示的光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄波形的例子的視圖。在圖3中，水平量表示記錄和擦除模式的時間，而垂直量表示記錄功率。
圖4是記錄于圖1所示的預(yù)先記錄區(qū)域的數(shù)據(jù)的例子的視圖。參考圖4，在預(yù)先記錄區(qū)域中，除了用于形成圖3所示的記錄和擦除模式波形所需的時間外，記錄功率、盤種類、盤尺寸等可以被記錄。同樣，預(yù)先記錄區(qū)域包括不被分配用于記錄的保留字節(jié)。關(guān)于擦除模式的開始和最后脈沖功率電平的信息可以被記錄在一個保留字節(jié)中。在圖4中，字節(jié)號(BN)N被分配用于記錄關(guān)于擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的信息。具體地說，擦除模式的開始脈沖功率電平可以被定義為高4個比特，并且最后脈沖的功率電平被定義為低4個比特。如果擦除多脈沖的低功率電平PBE被定義為“0001”，并且擦除多脈沖的高功率電平PPE被定義為“0000”，在圖3所示的擦除模式的情況下，“00010000”被記錄在BN N中。記錄設(shè)備讀取記錄在被插入其中的光盤的BN N中的“00010000”，因此可以識別該擦除模式的開始脈沖的功率電平是PBE以及最后脈沖的功率電平是PPE，而不需額外的測試過程。在圖4中，M代表在存儲盤信息的區(qū)域中的最后字節(jié)。
圖5是當(dāng)光記錄介質(zhì)是雙層光記錄介質(zhì)時，記錄于圖1所示的預(yù)先記錄區(qū)域的數(shù)據(jù)的例子的視圖。參考圖5，BN N被分配用于記錄關(guān)于對于第一記錄層L0的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的擦除模式信息。BNN+1被分配用于記錄關(guān)于對于第二記錄層L1的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的擦除模式信息。擦除模式的開始脈沖的功率電平被定義為每個BN N和N+1的高4個比特，并且最后脈沖的功率電平被定義為低4個比特。
在圖5中，盡管兩個記錄層的擦除模式信息被記錄在一個記錄層，對應(yīng)于每個記錄層的擦除模式信息可以被記錄在兩個記錄層中的每一個上。如上所述，在關(guān)于擦除模式的功率的信息被記錄于其上的光記錄介質(zhì)中，將擦除模式的開始和最后脈沖記錄在光記錄介質(zhì)的僅可再現(xiàn)區(qū)域，該開始和最后脈沖可以根據(jù)盤記錄層的種類、盤種類或多層記錄層的每一層被不同地設(shè)置。因此，用于選擇對于插入記錄裝置的光記錄介質(zhì)的光擦除功率所需的時間可以顯著地減少。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，允許數(shù)據(jù)記錄于其上，允許數(shù)據(jù)從其上擦除并從其上再現(xiàn)，在所述光記錄介質(zhì)中，擦除模式信息被記錄，所述擦除模式信息包括關(guān)于用于擦除數(shù)據(jù)的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的信息。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式信息被記錄在記錄層的僅可再現(xiàn)區(qū)域，在該記錄層上數(shù)據(jù)被記錄。
3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式信息被記錄在記錄層的可記錄區(qū)域，在該記錄層上數(shù)據(jù)被記錄。
4.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平。
5.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平。
6.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平。
7.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平。
8.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)允許數(shù)據(jù)記錄其上，允許數(shù)據(jù)從其上擦除以及從其上再現(xiàn)，所述光記錄介質(zhì)包括多個記錄層，其上包括擦除模式信息的數(shù)據(jù)被記錄；其中相應(yīng)于每個記錄層，該擦除模式信息包括關(guān)于用于擦除數(shù)據(jù)的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的信息。
9.如權(quán)利要求8所述的光記錄介質(zhì)，其中關(guān)于多個記錄層中的每一個的擦除模式信息被記錄在從多個記錄層中選出的一層上。
10.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式信息被記錄在選擇的記錄層的僅可再現(xiàn)區(qū)域中。
11.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式信息被記錄在選擇的記錄層的可記錄區(qū)域中。
12.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平，并且該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平。
13.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平，并且該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平。
14.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平，并且該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平。
15.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平，并且該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平。
16.如權(quán)利要求8所述的光記錄介質(zhì)，其中關(guān)于多個記錄層中的每一個的擦除模式信息被分別記錄在每個對應(yīng)的記錄層上。
17.如權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)，其中關(guān)于多個記錄層的擦除模式信息被分別記錄在每個記錄層的僅可再現(xiàn)區(qū)域中。
18.如權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)，其中關(guān)于多個記錄層的擦除模式信息被分別記錄在每個記錄層的可記錄區(qū)域中。
19.如權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平。
20.如權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平。
21.如權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平。
22.如權(quán)利要求16所述的光記錄介質(zhì)，其中該擦除模式的開始脈沖的功率電平是單位脈沖串的低功率電平，以及該擦除模式的最后脈沖的功率電平是單位脈沖串的高功率電平。
全文摘要
提供一種用于存儲關(guān)于擦除脈沖功率的信息的光記錄介質(zhì)。所述光記錄介質(zhì)允許數(shù)據(jù)記錄于其上，允許從其上擦除數(shù)據(jù)并從其上再現(xiàn)數(shù)據(jù)。在所述光記錄介質(zhì)中，記錄擦除模式信息，所述擦除模式信息包括關(guān)于用于擦除數(shù)據(jù)的擦除模式的開始和最后脈沖的功率電平的信息。將擦除模式的開始和最后脈沖記錄在光記錄介質(zhì)的僅可再現(xiàn)區(qū)域，該開始和最后脈沖可以根據(jù)盤記錄層的種類、盤種類或多層記錄層的每一層被不同地設(shè)置。因此，用于選擇對于插入記錄設(shè)備中的光記錄介質(zhì)的最優(yōu)擦除功率所需的時間可以顯著地減少。
文檔編號G11B20/10GK1459786SQ02143278
公開日2003年12月3日 申請日期2002年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月20日
發(fā)明者李坰根, 安龍津, 樸仁植, 金成洙, 尹斗燮 申請人:三星電子株式會社