專利名稱：磁疇壁移動型磁光介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種磁記錄介質(zhì)，特別是一種用磁疇壁移動重放系統(tǒng)能夠重放信息信號的光磁記錄介質(zhì)，和制造此介質(zhì)的一種方法。
已知有多種方法重放存儲在磁存儲介質(zhì)上的信息信號。特別是，本申請人在公開號為平6-290496的日本專利中提出的一種磁性壁移動重放系統(tǒng)能夠通過應(yīng)用磁疇壁移動現(xiàn)象使信息信號具有高分辨能力。即使用其中由磁疇壁在帶狀記錄磁道上形成信息信號的磁光介質(zhì)，用重放光束的輻射加熱記錄磁道以形成一可移動區(qū)域，磁疇壁不受限制，因此，由溫度傾斜所形成的驅(qū)動力作用在磁疇壁上，使磁疇壁高速移動，探測此移動，信息信號的重放就實現(xiàn)了。
圖6A和6B是用在此磁疇壁移動重放系統(tǒng)中的常規(guī)的磁光介質(zhì)31構(gòu)造的局部放大視圖。圖6A是縱向截面視圖而圖6B則是平面視圖。在圖中，磁光介質(zhì)31包括襯底32，它是由諸如聚碳酸酯等透明樹脂材料做的，并被構(gòu)造成具有帶狀部分，所以凹槽G和槽脊L平行交替形成，在襯底32形成的由磁性材料組成的磁層33，以及由紫外固化樹脂形成的保護層34。在槽脊L上的磁層33包含一個其上記錄有信息信號的帶狀記錄磁道RT。磁層33通過層壓由磁性材料，例如，諸如Tb、Gd、Dy等過渡金屬材料制成的三個層，即移動層33a，交換層33b，和存儲層33c來形成。在這里，移動層33a是一層垂直的磁化薄膜，它的磁矯頑力要小于存儲層33c的磁矯頑力，而其磁疇壁的靈活性比存儲層33c的強；交換層33b是一層磁性材料的薄膜，它的居里溫度要低于移動層33a和存儲層33c；存儲層33c是一層垂直的磁化薄膜。
另外，在凹槽G的底面和側(cè)面上形成的磁層33是這樣的截面區(qū)S，其中，垂直方向的磁各向異性被弱化了(圖6A和6B的陰影部分)。記錄磁道RT和記錄磁道兩邊的分割區(qū)域S沒有經(jīng)受磁耦合或經(jīng)受磁耦合的程度極其小。通過使用高功率激光束輻射至凹槽加熱，或用干蝕刻的辦法來形成這樣的分割區(qū)域S。
當把信息信號記錄在磁光介質(zhì)31的記錄磁道RT上的時候，分割區(qū)域S已位于記錄磁道RT兩邊，形成了為記錄疇的磁疇壁，使得跨越記錄磁道RT的兩端而沒有閉合。因此，重放光束的輻射使得磁疇壁很容易地移動，由此，磁疇壁移動重放成為可能。
在上面描述的磁光介質(zhì)中，信息信號只是記錄在記錄磁道RT上，并且信息信號不能記錄在包括磁特性差的磁層33的分割區(qū)域S上。因此，為了增加信息信號的記錄密度，通過窄化分割區(qū)域S的寬度以增加磁道密度是很有效的。在傳統(tǒng)的方法中，為了形成分割區(qū)域S，采用的一種方法是通過蝕刻來去除磁本體，另一種方法是使用激光束來使磁本體退火。然而，蝕刻不能阻止發(fā)生在磁光介質(zhì)上的金屬污染。另外，因為匯聚激光的方法和匯聚的條件不是最優(yōu)化的，所以激光退火不能夠窄化分割區(qū)域的寬度。
本發(fā)明的一個目的是提供一種磁疇壁移動重放系統(tǒng)的磁光介質(zhì)，通過在形成分割區(qū)域以窄化分割區(qū)域?qū)挾鹊臅r候最優(yōu)化激光的輻射條件，使得其記錄密度不比傳統(tǒng)的少，同時提供了該介質(zhì)的制造方法。
上面討論的問題通過磁疇壁移動類型磁光介質(zhì)的制造方法來實現(xiàn)步驟(A)，在全部襯底上形成一個磁層；步驟(B)，形成分割區(qū)域，其中，磁層的垂直磁各向異性被減弱，多個帶狀記錄磁道從帶狀記錄磁道的兩側(cè)被夾在分割區(qū)域之間，并且通過用光束或波長不超過550nm的帶電粒子束在從磁層的對側(cè)的方向，面對襯底朝向襯底、并且平行地、等間隔地掃描襯底上的匯聚能量束而磁性地將它們彼此分離。
另外，用上述的制造方法制造的磁疇壁移動類型磁光介質(zhì)也能達到以上所描述的目標。
將用后面的實施例來詳細說明。


圖1A和1B表示本發(fā)明的磁光介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，圖1A是截面視圖而圖1B是平面視圖；圖2A、2B、2C、2D和2E是表示本發(fā)明的制造方法的附圖；圖3是表示在本發(fā)明的制造方法中的能量束的輻射方法的附圖；圖4是表示在本發(fā)明的制造方法中的能量束的輻射方法的附圖；圖5A和5B是描述根據(jù)磁疇壁移動重放系統(tǒng)的一種信息信號的重放方法的附圖；圖6A和6B是表示一種常規(guī)的磁光介質(zhì)結(jié)構(gòu)的附圖。
下面將描述作為本發(fā)明的制造磁記錄介質(zhì)的一種方法。順便提及，在所有的圖中，同樣的符號表示相同的部分。圖1A和1B是作為用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)的磁光介質(zhì)1的結(jié)構(gòu)的局部放大圖，圖1A是縱截面視圖，而圖1B是平面視圖。在這里磁光介質(zhì)1是由一個片狀的襯底2、形成在襯底2上的磁層3、以及形成在磁層3上的保護層4構(gòu)成。
襯底2由一種透明的樹脂材料構(gòu)，如聚碳酸脂成。它的厚度tS為1.2mm，它的表面上有互相平行的帶狀凹槽G和槽脊L。
磁層3包括三個由磁性材料組成的層壓層，它們分別為移動層3a，交換層3b和存儲層3c。磁層3的厚度tM為80nm。像Tb、Gd、Dy這樣的稀土元素和Fe、Co這樣的過渡金屬的合金適合于用作磁性材料。移動層3a是一層垂直的磁化薄膜，它的磁矯頑力要小于存儲層3c的磁矯頑力，而其磁疇壁的移動則大于存儲層33c；交換層3b是一層磁性材料的薄膜，它的居里溫度要低于移動層3a和存儲層3c；存儲層3c是一層垂直的磁化薄膜。
槽脊L上形成的磁層3包括一個帶狀的記錄磁道RT，信息信號就存儲在這里。另外，在記錄磁道RT兩邊的在凹槽G的底面和側(cè)面上生成的磁層3為分割區(qū)域S，其中垂直的磁各向異性被減弱了。記錄磁道RT被分割區(qū)域S彼此磁性地分開。順便提及，在圖1B中，WS是分割區(qū)域S的寬度，而WT是記錄磁道RT的寬度。
關(guān)于本發(fā)明的磁光介質(zhì)的組成不限于以上的實施例，也可以是其它的結(jié)構(gòu)，其中，在槽脊L上形成磁層3作為分割區(qū)域S，而在凹槽G上形成磁層作為記錄磁道RT。
保護層4是一片薄的薄膜，如由紫外固化樹脂薄膜或樹脂材料制成，它的厚度tP最好不小于1μm。當保護層為由SiN、SiO2、石墨和如金剛石的碳等構(gòu)成的硬薄膜的情況下，其厚度最好不大于1μm。
接下來，將敘述以上所描述的磁光介質(zhì)1的制造方法。圖2A，2B，2C，2D和2E是磁光介質(zhì)1的對應(yīng)制造步驟中的局部放大視圖。
首先，產(chǎn)生如圖2A中所示的襯底2。襯底2由聚碳酸脂等樹脂注塑成形來形成，槽脊L和凹槽G在其上平行生成。槽脊的寬度WT是0.65μm，凹槽的寬度WS為0.25μm，凹槽G的深度為0.1μm。另外，在凹槽G中形成的分割區(qū)域S的寬度WS要窄于記錄磁道RT的寬度WT。
順便提及，如圖2A所示，凹槽G的深度為從槽脊L的水平面到凹槽G的水平面的高度QG。
順便提及，這種磁光介質(zhì)的記錄密度的期望值是0.9到1.3GB/cm2。
接下來，如圖2B所示，在形成槽脊L和凹槽G的襯底2的表面上用諸如濺射薄膜的方法按序?qū)訅簽榇判圆牧系谋∧さ囊苿訉?a、交換層3b和存儲層3c，以形成磁層3。
再接下來，如圖2C所示，沿著從磁層3的對側(cè)、面對著襯底2、朝向襯底2的方向輻射凹槽G的磁層3，這樣，能量束11沿著凹槽G掃描而形成分割區(qū)域S。
分割區(qū)域S(凹槽G)和記錄磁道RT(槽脊L)在高度上有所不同。當能量束11掃描時，高度上的結(jié)構(gòu)差別作為尋跡導(dǎo)引而加倍。
圖2D是沿圖2C中的光束的輻射方向看去的平面圖。這就是已經(jīng)經(jīng)過輻射的畫陰影線的那部分，并且磁層3的垂直磁各向異性已經(jīng)降低。輻射匯聚直徑為D的能量束11以經(jīng)過凹槽G。這是因為分割區(qū)域S的寬度是能量束11的匯聚直徑D的40％到80％。
如果能量束11是波長不超過550nm的光束，那么它的匯聚直徑D可以是0.05到0.6μm。另外，如果能量束11是像電子束和離子束這樣的帶電粒子束，那么它的匯聚直徑D可以是0.02到0.2μm。
這樣的能量束11的輻射給在凹槽G中形成的磁層3加熱，使構(gòu)成磁層3的原子之間的耦合狀態(tài)改變，使垂直磁各向異性降低，這樣就形成了分割區(qū)域S。
在離子束輻射的情況下，離子被注入到在凹槽G中形成的磁層3中，或者對構(gòu)成磁層3的原子進行濺射，以改變磁層2中的組成或原子的耦合狀態(tài)，使其垂直磁各向異性降低。這樣便形成了分割區(qū)域S。
雖然沒有闡述，但是如果在磁層3上生成一層絕緣層和/或熱輻射層的話，則在該步驟實現(xiàn)了鍍膜。
再下一步，如圖2E所示，在磁層3上用了一種紫外固化樹脂材料去發(fā)射紫外光，讓樹脂材料固化，或者在磁層3上粘一個由樹脂材料做的薄片以形成保護層4，這樣磁光介質(zhì)1就完成了。
順便提及，為了形成的分割區(qū)域S有足夠窄的寬度WS，能量束11的匯聚直徑D需要變小。特別地，下面將描述用光束來做能量束11時的使匯聚直徑D變小的方法。
圖3是一個光學系統(tǒng)，其中，光束是聚集并輻射到磁層3上的能量束11。在此圖中，標號12表示產(chǎn)生光束的光源，從12產(chǎn)生出來的平行傳播的光束11匯聚到具有聚光器13的磁層3上面。在這里，光束的波長為λ，聚光器13的數(shù)值孔徑為NA，光束的匯聚直徑D和λ/NA成比例，因此當在波長λ變短和數(shù)值孔徑NA變大的情況下，光束的匯聚直徑D會變小。聚光器透鏡的數(shù)值孔徑一般傾向于不超過0.6，為了使分割區(qū)域S的寬度WS不超過0.48μm，光束的波長λ最好不要超過550nm。實際上，半導(dǎo)體激光器、He-Cd激光器(442nm)、氬離子激光器(515或448或458nm)、氪離子激光器(413nm)等都可用作光源12。高的二次諧波或更密級，例如半導(dǎo)體激光器和YGA激光器可用來獲得更短波長的光束。另外，希望使用NA≥0.65的聚光器13。
例如，光束的波長是400nm，聚光器13的NA為0.85，光束的匯聚直徑D可以做到0.42μm。另外，在這時形成的分割區(qū)域S的寬度WS為0.25μm，相當于匯聚直徑D的60％。
如圖4所示，如果一個相鄰場光產(chǎn)生元件14，諸如由高折射率材料做的半球型透鏡的SIL(固體下沉透鏡)，和微孔徑元件放置在襯底2的表面附近，相鄰場光產(chǎn)生元件14產(chǎn)生的相鄰場光作為光束輻射，它的匯聚直徑D可以做的更小，例如，大約在0.05到0.2μm左右。由于分割區(qū)域的寬度WS是匯聚直徑D的40％到80％，吸收相鄰場光能使形成的分割區(qū)域不超過0.1μm。
順便提及，由于當聚光器13的數(shù)字口徑NA越大，它的焦距越短，所以聚光器13必須放置得離磁層3更近。另外，為了使相鄰場光作為一束光束輻射到磁層3上，必須設(shè)置相鄰場光產(chǎn)生元件14，使它與磁層3的間距不超過0.1μm。
假定光束是從不存在磁層3的襯底后表面輻射出來，襯底2的厚度(大約為0.6到1.2mm)使得聚光器13或相鄰場光產(chǎn)生元件14不能夠放得離磁層3足夠近，襯底的光特性偏差受到影響。因此，光束的輻射必須在已形成了磁層3的前表面實現(xiàn)，即沿著面向襯底并對著襯底的磁層的反側(cè)的方向。
另外，如果在磁層3上形成保護層4，光將輻射穿過保護層4，保護層4的厚度(1至30μm)或光特性的不均勻性導(dǎo)致了匯聚到磁層3上的光束強度有變化。另外，當保護層4厚的時候，聚光器13或相鄰場光產(chǎn)生元件14不能夠設(shè)置得離磁層3足夠近。因此，由光束輻射形成的分割區(qū)域S應(yīng)該早于在磁層3上形成保護層4。尤其在保護層4的厚度不下于1μm的情況下，由光束輻射形成的分割區(qū)域S應(yīng)該早于在磁層3上形成保護層4。
另外，在能量束11是帶電粒子束如電子束和離子束的情況下，在磁層3上形成保護層4以形成分割區(qū)域S之前，最好用帶電粒子束沿面對襯底并朝向襯底的磁層的反側(cè)的方向輻射磁層3，以致襯底2或保護層4不會屏蔽帶電粒子束。
另外，在磁層3上有熱輻射層的情況下，為了使作為能量束11的光束或帶電粒子束不被熱輻射層屏蔽掉，在磁層3上形成熱輻射層以形成分割區(qū)域S之前，最好從面對襯底并朝向襯底的磁層的反側(cè)輻射能量束11。
另外，在磁層3上有絕緣層的情況下，由于類似的原因，在磁層3上形成絕緣層以形成分割區(qū)域S之前，最好從面對襯底并朝向襯底的磁層的反側(cè)輻射能量束11。
然而，在制造絕緣層的材料很容易被能量束11穿透并且絕緣層厚度不超過1μm的情況下，由于絕緣層造成的能量束的衰減是有限的。因此，分割區(qū)域S可以在用絕緣層保護磁層3并接著在這種情況下能量束11穿過絕緣層輻射到磁層3上之后形成分割區(qū)域S。
在絕緣層和能量束之間應(yīng)用這項技術(shù)，例如是用SiN和Si3N4作為絕緣層的材料，絕緣層的膜層厚度做的不超過1μm，以及作用波長為400到550nm之間的光束。
至于能量束11的一個掃描方法，用從襯底2來的反射光探測到能量束11的匯聚位置，所以基于探測到的信號，可以實現(xiàn)掃描用的在準確輻射到形成分割區(qū)域S的位置的能量束11的尋跡控制和/或聚焦控制。或與能量束11一起輻射控制用光束，所以通過此來基于深測信號，能夠在掃描用能量束11上實現(xiàn)尋跡控制和/或聚焦控制。
下面將描述重放來自帶有重放設(shè)備的上述的磁光介質(zhì)1的信息信號的一種方法。這種重放設(shè)備包括用于光頭和磁光介質(zhì)1的驅(qū)動裝置。圖5A和5B是磁光介質(zhì)1的局部放大視圖，顯示了通過移動層系統(tǒng)的一個信息信號重放系統(tǒng)，圖5A是一個沿著記錄磁道平行的方向截得的截面圖，而圖5B是一個從低表面截取的平面視圖。在磁層3上形成了記錄磁道RT，具有向上和向下方向磁化的磁化區(qū)域交替形成。在磁化區(qū)域和前面及后面的磁化區(qū)域之間的邊界部分，形成了磁疇壁W1，W2，....W6。這里，在記錄磁道RT的兩邊，形成了分割區(qū)域S，在分割區(qū)域S里垂直磁各向異性被減弱，因而形成的磁疇壁W1，W2，....W6跨越記錄磁道RT的兩端而沒有閉合地形成。
在重放信息信號的時候，穿過襯底2在記錄磁道RT上匯聚重放用低能光束21，光頭實現(xiàn)輻射。同時，(未示出)驅(qū)動裝置驅(qū)動磁光介質(zhì)1，由此重放用的光束21朝著箭頭A指示的方向掃描記錄磁道RT。隨著重放用光束21的輻射，磁層3的溫度升高，在重放用光束21輻射區(qū)域外圍，形成了如圖中等溫線22所示的熱分布。在這些圖中，標號22代表溫度Ts的等溫線，大約和交換層3b的居里溫度相當，當此等溫線越靠近內(nèi)部，所表示的溫度越高，而參考字符Xp表示溫度的峰值位置。如后所述，在記錄磁道RT的移動層3a中，只有在溫度不小于Ts的區(qū)域內(nèi)，即被等溫線22包圍著的一個區(qū)域內(nèi)，磁疇壁才可移動。在另一個區(qū)域內(nèi)，磁疇壁移動是不可能的。
在離重放用光束21的輻射區(qū)域足夠遠的位置，磁層3的溫度較低，在這個位置中，移動層3a、交換層3b和存儲層3c相互經(jīng)歷了交換耦合，磁化及在磁存儲層3c中形成的磁疇壁在交換層3b和移動層3a中轉(zhuǎn)換形成。另外，由于溫度分布大約一致，移動磁疇壁轉(zhuǎn)錄進移動層3a的驅(qū)動力不起作用，因此磁疇壁保持固定。然而，在越靠近重放用光束21輻射區(qū)的位置，磁層3的溫度升高，很容易超過等溫線22的最前面的部分，交換層3b的溫度達到了不低于Ts，能夠消除磁化。因而，由于在被高于TS的等溫線22包圍的區(qū)域中切斷了在移動層3a、交換層3b、以及存儲層3c之間的交換耦合，并且在移動層3a和記錄磁道RT之間的磁耦合及其兩側(cè)的分割區(qū)域S都沒有參與磁耦合或者說磁耦合極其小，所以，在移動層3a中的磁疇壁可無限制地移動。而且，由于周圍的溫度下降，磁疇壁上受到的驅(qū)動力朝著更高溫度和更低能量的方向。因而，已經(jīng)穿過等溫線22最前面部分的磁疇壁(圖5A和5B中的W1)迅速朝達到如在移動層3a中的箭頭B所示的最高溫度的Xp位置移動。順便提及，在圖中，移動前的磁疇壁W1用虛線表示。伴隨著此磁疇壁的移動，在一個方向(在圖例中方向朝下)上有磁化的一磁化區(qū)域Mex延伸并形成。順便提及，存儲層3c是由具有輕微程度的磁疇壁移動材料做成，因而在存儲層3c中，磁疇壁不會移動。
從而，一旦磁疇壁W1，W2....W6相繼穿過等溫線22的最前面部分，它們就朝著Xp位置移動。每次交替形成具有向上和向下并延伸的磁化區(qū)域Mex。由于磁光效應(yīng)(Kerr效應(yīng))，來自本磁化區(qū)域Mex的讀出光束21的反射光的極化方向依磁化區(qū)域Mex的磁化方向而旋轉(zhuǎn)。用光頭探測到此極化方向的旋轉(zhuǎn)。由于被探測到的信號包括對應(yīng)于磁疇壁移動的信號中的變化，磁疇壁作為一個信息信息信號。
下面將描述本發(fā)明的幾個實施例。
(實施例1)現(xiàn)在描述本發(fā)明的磁光介質(zhì)的生產(chǎn)方法。
聚碳酸酯經(jīng)過注塑成型以產(chǎn)生襯底2。順便提及，槽脊L(寬度WT0.53μm)和凹槽G(寬度Ws0.33μm、深度0.07)在注塑時形成。本實施例中，槽脊L將成為記錄磁道RT，凹槽G將成為分割區(qū)域S。
這樣的槽脊寬度和凹槽寬度形成的記錄密度在1到1.4GB/cm2之間。
于是將襯底放到濺射鍍膜的設(shè)備里，這樣就形成了磁層3。順便提及，因為生成磁層3的鍍膜的過程必須十分仔細，不能破壞其真空狀態(tài)，所以用來濺射鍍膜的設(shè)備至少有三種靶。
首先但是相當重要的，厚度為30nm的移動層3a與襯底相連。磁移動層的成分為GdFeCo。緊接著，鍍上一層厚度為10nm的成分為DyFe的交換層3b。最后鍍上一層厚40nm的成分為TbFeCo的存儲層3c。至此，磁層的鍍膜制造結(jié)束了。
以上制造將在整個襯底2上形成磁層。因為凹槽G的傾斜部分傾斜于靶表面傾斜，所以磁層的厚度為20nm，而槽脊L和凹槽G的平坦部分中的磁層厚度保持40nm不變。
形成磁層的襯底從充滿惰性氣體(N2)的氣氛中拿出來，將它放到一個光輻射的設(shè)備里。本實施例中，考慮到分割區(qū)域的寬度WS為0.33μm，所以采用一個光波長為488nm的氬(Ar)離子激光器和一個數(shù)值孔徑NA為0.8的聚光鏡。
從這個光學系統(tǒng)的上述條件所得到的光束的匯聚直徑D為0.55μm。分割區(qū)域的寬度WS相當于匯聚直徑D的60％。
順便提及，光束通過檢測襯底2的折射光線進行跟蹤控制和聚焦控制以決定光束匯聚的位置并掃描凹槽G。
至于匯聚光束輻射的分割區(qū)域，溫度會達到450℃，這個溫度高于磁層的居里點，以及磁疇壁運動開始的溫度，這將導(dǎo)致磁層的結(jié)構(gòu)及組成的變化及垂直磁各向異性的消失。特別是在磁層的薄膜厚度厚的底部，垂直磁各向異性可以保持至微小的程度，但在磁層的薄膜厚度薄的側(cè)壁內(nèi)，垂直磁各向異性消失。這樣相應(yīng)的記錄磁道RT就被彼此磁性地分開了。
分割區(qū)域形成以后，接著要鍍上防護層4。在本實施例中，螺旋型涂層法適用紫外線固化樹脂以提供厚度約為10μm之后，再用一束紫外光束照射整個表面使它變硬。
如上所描述的，給出了本發(fā)明中的磁光介質(zhì)。
盡管用常規(guī)方法的磁疇壁移動重放系統(tǒng)中的磁光介質(zhì)的記錄密度為0.8GB/cm2，但本發(fā)明中的記錄密度被成功地提高到近1.25到1.75倍。(實施例2)除了上面提到的方法，在生產(chǎn)襯底2時，槽脊L的寬度可以是0.53μm，凹槽G的寬可以是0.073μm，其深度為0.06μm，襯底的生成和磁本體的鍍膜與本實施例中，槽脊L為記錄磁道RT，而凹槽G為分割區(qū)域S。由這樣的槽脊寬度和凹槽寬度得到的記錄密度是1.4到1.9GB/cm2。
本實施例中，為了縮短分割區(qū)域的寬度WS到0.073μm，以使其寬度小于實施例1中分割區(qū)域的寬度，用波長為266nm的紫外線固體激光器作為光束，數(shù)值孔徑NA為0.8和SIL聚光鏡作為鄰近場發(fā)光元件。
從這個光學系統(tǒng)的這些條件所得到的光束的匯聚直徑D為0.13μm。分割區(qū)域的寬度WS相當于匯聚直徑D的56％。
在這里，因為導(dǎo)致相鄰場光激活的距離非常小，所以SIL固定在襯底的記錄磁道表面上0.035μm處。
順便提及，本實施例中，為了光束能精確地掃描凹槽G，采用尋跡控制和聚焦控制，其中，同時輻射到槽脊L上的另一光檢測折射光，利用該折射光來決定光束的位置和深度。
當分割區(qū)域形成以后，接著要鍍上防護層4。本發(fā)明中，要將含有TiO2粒子的聚乙烯的薄片(厚度為10μm)和襯底2用一種粘合材料粘合在一起。
如上所描述的，給出了本發(fā)明中的磁光介質(zhì)。
用常規(guī)方法制成的磁疇壁移動重放系統(tǒng)中的磁光介質(zhì)的記錄密度為0.8GB/cm2，而在本實施例中，成功地將記錄密度提高到近1.75到2.38倍。
(例3)在生產(chǎn)襯底2的時候，槽脊L的寬度是0.19μm，凹槽G的寬是0.53μm，襯底的生成和磁性物質(zhì)的鍍膜與實施例中的一樣。然而，在本實施例中，與例1和例2不同，凹槽G為記錄磁道RT，槽脊L為分割區(qū)域S。由這樣的槽脊寬度和凹槽寬度得到的記錄密度為1.2到1.6GB/cm2。
另外，為了使分割區(qū)域的寬度WS為0.19μm，要用到波長為410nm的半導(dǎo)體激光器和一個數(shù)值孔徑NA為0.8的聚光鏡。從這個光學系統(tǒng)的這些條件中得到的光束的匯聚直徑D為0.41μm。分割區(qū)域的寬度WS相當于匯聚直徑D的46％。
順便提及，通過檢測襯底2的折射光線，光束經(jīng)歷了跟蹤控制和聚焦控制，以決定光束的匯聚位置，并且掃描槽脊L，以便形成分割區(qū)域S。另外，用同實施例1中一樣的方法形成防護層。
用常規(guī)方法制成的磁疇壁移動重放系統(tǒng)中的磁光介質(zhì)的記錄密度為0.8GB/cm2，而在本實施例中，成功地將記錄密度提高到近1.5到2.0倍。
權(quán)利要求
1.一種制造磁疇壁移動型磁光介質(zhì)的方法，包括步驟(A)，在整個襯底上形成磁層；和步驟(B)，形成其中磁層的垂直磁各向異性被減弱的分割區(qū)域，和多個帶狀記錄磁道，這些記錄磁道被所述分割區(qū)域從所述帶狀記錄磁道的兩側(cè)夾住，并且通過用波長不超過550nm的光束或帶電粒子束輻射襯底上的磁層并且平行地、等間隔地掃描襯底上光束將它們彼此磁性地分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在上述的步驟(B)中，用所述光束沿著從所述磁層的反側(cè)，通過所述襯底并射向所述襯底的方向照射所述磁層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分割區(qū)域的寬度WS和記錄磁道的寬度WT的比率(WS/WT)為WS/WT＜1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述分割區(qū)域的寬度WS為0.01至0.48μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分割區(qū)域的寬度WS是所述光束匯聚直徑D的40％到80％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分割區(qū)域和記錄磁道之間有高度差，該高度差還作為所述光束掃描時的尋跡用的導(dǎo)引。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述步驟(B)中，所述光束通過一個數(shù)值孔徑NA≥0.65的聚光鏡匯聚。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述光束的匯聚直徑D為0.05到0.6μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括所述步驟(B)完成后，在磁層上形成絕緣層和/或熱輻射層和/或一個防護層的步驟(C)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述步驟(D)開始前，在磁層上形成絕緣層的步驟(D)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的磁層包括至少一個磁疇壁在其內(nèi)移動的移動層，一個存儲信息的存儲層和一個居里溫度低于磁記錄和交換層的交換層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
22.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法制造的一種磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
全文摘要
一種制造磁疇壁移動型磁光介質(zhì)的方法,包括步驟(A),在整個襯底上形成磁層;和步驟(B),形成磁層的垂直磁各向異性被減弱的分割區(qū)域和多個帶狀記錄磁道,這些記錄磁道被分割區(qū)域從帶狀記錄磁道的兩側(cè)被夾層,并且通過用波長不超過550nm的光束或帶電粒子束輻射襯底上的磁層并且平行地、等間隔地掃描襯底上光束將它們彼此磁性地分開。本發(fā)明還涉及用該制造方法制造的磁疇壁移動型磁光介質(zhì)。
文檔編號G11B5/84GK1373472SQ0111734
公開日2002年10月9日 申請日期2001年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月28日
發(fā)明者石井和慶 申請人:佳能株式會社