專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)。
近來(lái)，廣播的數(shù)字化已經(jīng)得到加速，因而數(shù)字高清晰度(HD)廣播已經(jīng)列入計(jì)劃。一般地說(shuō)，數(shù)字高清晰度所需的記錄能力是每小時(shí)11GB。
作為具有一種單層結(jié)構(gòu)的記錄層的CD盤(pán)尺寸的當(dāng)前的光記錄介質(zhì)，已經(jīng)提出了一種具有3.0-5.2(GB)能力的格式。
具有基本上普通的光學(xué)參數(shù)的光記錄介質(zhì)，或者與DVD-ROM(數(shù)字通用盤(pán)-只讀存儲(chǔ)器)相同的系統(tǒng)但根據(jù)槽結(jié)構(gòu)和記錄材料而具有不同格式的光記錄介質(zhì)，現(xiàn)在已經(jīng)是已知的，例如NEC的GIGA-station、先鋒的DVD-R/W、飛利普(Philips)的DVD+R/W、松下的DVD-RAM等等。
然而，在3.0-5.2GB的的記錄能力下，有一個(gè)問(wèn)題，即如果需要以標(biāo)準(zhǔn)的圖像質(zhì)量(SD標(biāo)準(zhǔn)清晰度)記錄兩個(gè)小時(shí)的圖像，則圖像的質(zhì)量比當(dāng)前的VHS有所下降。因此，實(shí)際上，記錄時(shí)間被限制在約一小時(shí)，以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的圖像質(zhì)量。
傳統(tǒng)技術(shù)所提供的記錄能力不能滿足實(shí)際數(shù)字(HD)高清晰度)廣播的要求。
為了在這些實(shí)際條件的基礎(chǔ)上提高光記錄介質(zhì)的記錄能力，需要減小記錄激光的光點(diǎn)尺寸，以提高記錄速度。
更具體地說(shuō)，為了減小記錄激光的光點(diǎn)尺寸，提出了減小激光束的波長(zhǎng)λ的方法和增大把激光束會(huì)聚到光記錄介質(zhì)上的物鏡的數(shù)值孔徑N.A.的方法。
具體地，通過(guò)采用減小激光束的波長(zhǎng)λ的方法和增大物鏡的數(shù)值孔徑N.A.的方法，可以使激光束的光點(diǎn)尺寸比采用這兩種方法中的任何一種時(shí)更小。
例如，通過(guò)采用λ=405nm波長(zhǎng)附近的藍(lán)-紫激光束并采用數(shù)值孔徑N.A.=0.85的物鏡，在理論上可以實(shí)現(xiàn)更高密度的記錄。
為了以此方式來(lái)提高記錄密度，需要減小(λ/N.A.)的值.
如上所述，通過(guò)采用λ=405nm波長(zhǎng)附近的藍(lán)-紫激光束并采用數(shù)值孔徑N.A.=0.85的物鏡，與具有傳統(tǒng)的DVD光學(xué)參數(shù)波長(zhǎng)λ=0.65μm和數(shù)值孔徑N.A.=0.60的格式相比，可實(shí)現(xiàn)更大的記錄能力(0.65/0.405)×(0.85/0.60)2=5.17(倍)。
因此，按照上述的格式，可以實(shí)現(xiàn)15.5-26.9GB的記錄能力而不是3.0-5.2GB。
圖20顯示了傳統(tǒng)的光記錄介質(zhì)100的一個(gè)例子的一個(gè)示意結(jié)構(gòu)圖。
考慮一種當(dāng)前可獲得的、可應(yīng)用于紅激光束至藍(lán)激光束的光記錄介質(zhì)，形成在將要用激光束照射的一側(cè)的表面上的光透射層103的厚度較好地是3-177μm。
圖20所示的光記錄介質(zhì)100包括用例如玻璃、聚碳酸酯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂等制成的非磁性支持基底101，它具有細(xì)小的不平整110，諸如形成在表面上的預(yù)定的坑和/或槽。在基底101上，形成有一個(gè)記錄層102，它對(duì)應(yīng)于各種光記錄介質(zhì)，諸如用例如Al、Ag等制成的金屬反射層、用例如Si3N4等制成的介電層、以及用諸如TbFeCo、GdFeCo的磁材料制成的記錄介質(zhì)層。在記錄層102上形成有用例如紫外線固化樹(shù)脂制成的一個(gè)光透射層103。
如果要在圖20所示的光記錄介質(zhì)100上進(jìn)行信息記錄或再現(xiàn)，一個(gè)預(yù)定的激光束L被一個(gè)物鏡111會(huì)聚并照射到與非磁性支持基底101的一側(cè)相對(duì)或在其中形成有光透射層103的面的一側(cè)的一個(gè)主表面上。
在具有DVD參數(shù)的格式中，覆蓋了信號(hào)區(qū)面或信號(hào)記錄區(qū)的光透射層103被設(shè)定為約0.6mm，因而如果采用高數(shù)值孔徑N.A.(=0.85)以改善記錄密度，球差和慧差就會(huì)成為問(wèn)題。
球差與光透射層103的厚度相關(guān)。如果該厚度相對(duì)于光透射層103的設(shè)定厚度值偏離了Δt，球差與數(shù)值孔徑NA.的四次方成正比地增大。因此，如果物鏡的數(shù)值孔徑N.A.是0.85，并假定DVD的光透射層103的厚度偏離是±30μm，球差由于上述原因而需要被限制在±7.4μm(表達(dá)式1)。
表達(dá)式1±30×(0.60/0.85)4=±7.4(μm)另一方面，慧差與數(shù)值孔徑N.A.的三次方成正比。因此，對(duì)于DVD的0.4°的傾斜標(biāo)準(zhǔn)，它需要被限制在±0.14°，其原因如下(表達(dá)式2)。
(表達(dá)式2)±0.4×(0.60/0.85)3=±0.14°進(jìn)一步地，由于這些象差與波長(zhǎng)成反比，如果所用的激光束的波長(zhǎng)是例如λ=405nm，厚度的偏離需要被限制在±4.6μm，其理由如下(表達(dá)式3)。
(表達(dá)式3)±7.4μm×(0.405/0.650)=±4.6μm進(jìn)一步地，慧差需要被限制在±0.087°，其理由如下(表達(dá)式4)。
(表達(dá)式4)±0.14°×(0.405/0.650)=±0.087°另一方面，慧差可通過(guò)減小光透射層103的厚度而得到校正。例如，通過(guò)把光透射層103的厚度從0.6mm減小至0.1mm，可獲得六倍的傾斜余量。
即，由于以下的理由(表達(dá)式5)，它被允許為±0.552°。
(表達(dá)式5)±0.087°×6=±0.522°然而，光透射層103的厚度的偏離需要被限制在±4.6μm，如上所述。具體地，在能夠記錄和再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)中，記錄和再現(xiàn)都要求預(yù)定的精度。因此，厚度的偏離需要被分布到這些之上，因而厚度偏離需要被限制在±2.3μ，這是上述值的一半。
在具有短波激光和高數(shù)值孔徑N.A.的記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)中，未來(lái)的HD(高清晰度)的記錄和再現(xiàn)，通過(guò)實(shí)現(xiàn)厚度100μm且厚度偏離為±2.3μm的光透射層，而得到實(shí)現(xiàn)。
因?yàn)?，如上所述，在用于高密度記錄的光記錄介質(zhì)中，記錄層102中的信號(hào)坑或槽是細(xì)小的且光透射層103的厚度非常小，因而需要改善記錄層102的耐腐蝕性。
即，在用于高密度記錄的光記錄介質(zhì)的情況下，圖20的光記錄介質(zhì)100的最外周邊部分100a和最內(nèi)部分100b中的記錄層102靠近空氣。因此，這種部分容易發(fā)生腐蝕。例如，如果從光記錄介質(zhì)100再現(xiàn)記錄的信息，這種腐蝕可能引起再現(xiàn)故障，因而光記錄介質(zhì)100的可靠性可能受到不好的影響。
在圖20所示的光記錄介質(zhì)中，由于在光透射層103與最外周邊部分100a和最內(nèi)部分100b中的非磁性支持基底101之間存在有由各種材料構(gòu)成的記錄層102，產(chǎn)生了一個(gè)問(wèn)題，即隨著光透射層103的厚度的減小，在這種部分中發(fā)生了分離。
相應(yīng)地，作為本發(fā)明人持續(xù)累積的研究結(jié)果，提供了一種具有高度可靠性的光記錄介質(zhì)，其中記錄光束或再現(xiàn)光束可從光透射層一側(cè)照射，由大容量光記錄介質(zhì)構(gòu)成的記錄層中的腐蝕的發(fā)生得到了避免，且盤(pán)的最外周邊部分100a和最內(nèi)部分100b中的光透射層的分離得到了抑制。
本發(fā)明提供的光記錄介質(zhì)的特征在于，由信息坑和/或槽構(gòu)成的信號(hào)區(qū)被形成在盤(pán)形的非磁性支持基底的主表面上，且一個(gè)記錄層和一個(gè)反射層和厚度為3-177μm的一個(gè)光透射層被形成在該信號(hào)區(qū)中，從而能夠通過(guò)用激光束照射光透射層一側(cè)而進(jìn)行信息再現(xiàn)和/或記錄，該記錄層或反射層被形成在整個(gè)信號(hào)區(qū)中但不被形成在盤(pán)形非磁性基底的最外周邊部分和最內(nèi)部分中在信號(hào)區(qū)以外的區(qū)中。
由于在本發(fā)明的該光記錄介質(zhì)中，在最外周邊部分與最內(nèi)部分中基底和光透射保護(hù)層彼此直接接觸，附著性得到了改善，因而盤(pán)的牢固性得到了改善。
進(jìn)一步地，最內(nèi)部分與最外周邊部分中的記錄膜的腐蝕的發(fā)生能夠得到避免。


圖1顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)示意截面圖；圖2顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的生產(chǎn)過(guò)程圖；圖3顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖4顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖5顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖6顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖7顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖8顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖9顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖10顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖11顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖12顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖13顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖14顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程圖；圖15顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中誤差率與距盤(pán)的中心的距離之間的關(guān)系；圖16顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中誤差率與距盤(pán)的中心的距離之間的關(guān)系；圖17顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子的一個(gè)示意截面圖；圖18顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子的一個(gè)示意截面圖；圖19顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子的一個(gè)示意截面圖；圖20顯示了傳統(tǒng)的光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的一個(gè)示意截面圖；本發(fā)明的光記錄介質(zhì)包括一個(gè)信號(hào)區(qū)，它包括信息坑和/或槽；一個(gè)記錄層和/或反射層，它們通過(guò)用與一種目標(biāo)記錄介質(zhì)相應(yīng)的材料涂覆該信號(hào)區(qū)而形成；以及，一個(gè)厚度為3-177μm的用紫外線固化樹(shù)脂制成的光透射層，這些層被形成在用例如聚碳酸酯制成的非磁性支持基底的一個(gè)主表面上。通過(guò)用激光束照射該光透射層側(cè)，進(jìn)行信息再現(xiàn)和/或記錄。該記錄層或反射層被形成在非磁性支持基底的整個(gè)信號(hào)區(qū)上。在盤(pán)形的非磁性基底的最外周邊部分和最內(nèi)部分上該信號(hào)區(qū)以外的區(qū)中，沒(méi)有形成膜。在該最外周邊部分和最內(nèi)部分中，在光透射層與非磁性支持基底之間不存在記錄層或反射層。
以下，通過(guò)舉例來(lái)描述本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的實(shí)施例.本發(fā)明的光記錄介質(zhì)不限于以下所述的例子。
圖1顯示了本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10的一個(gè)例子的示意截面圖。
圖1所示的光記錄介質(zhì)10包括用例如聚碳酸酯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂等制成的非磁性支持基底1，它具有細(xì)小的不平整，諸如預(yù)定的坑或槽等；以及，一個(gè)記錄層2，它包括相繼形成的用Al制成的金屬反射層、用ZnS-SiO2制成的介電材料層、用GeSbTe制成的光記錄層、以及用ZnS-SiO2制成的介電材料層。隨后，經(jīng)過(guò)例如紫外線固化樹(shù)脂構(gòu)成的粘合劑層4，在此記錄層2上形成一個(gè)光透射層3。
如果槽被形成在非磁性支持基底1中，激光束可通過(guò)用槽作為引導(dǎo)槽而被移動(dòng)到盤(pán)上的任何地方。坑被用作信息信號(hào)，從而通過(guò)用激光束照射坑而讀出記錄的信息。
這些細(xì)小的不平整，以預(yù)定構(gòu)造的螺旋或共軸的方式，被形成在非磁性支持基底1上。
當(dāng)對(duì)于圖1所示的光記錄介質(zhì)10執(zhí)行信息再現(xiàn)或信息記錄時(shí)，一個(gè)預(yù)定的激光束L被投射和聚焦到與非磁性支持基底1相對(duì)一側(cè)的主表面上，即從圖1中其中形成有光透射層3的一側(cè)投射。
作為用于構(gòu)成非磁性支持基底1的材料，可采用聚碳酸酯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、其他的樹(shù)脂和玻璃。
非磁性支持基底1可用注塑法或光聚合法(2P法)生產(chǎn)。
由于本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10，激光束L從光透射層3一側(cè)上的主表面投射，且非磁性支持基底1可用諸如金屬的不透明材料或?qū)す馐鳯透明的材料制成。
光透射層3較好地是用能夠吸收預(yù)定波長(zhǎng)的激光束的材料制成，以進(jìn)行記錄和再現(xiàn)。更具體地說(shuō)，較好的是對(duì)激光束有90％以上的透射率的材料。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10中，光透射層3的厚度被設(shè)定為3-177μm，以實(shí)現(xiàn)大容量。通過(guò)將其與具有高數(shù)值孔徑N.A.(例如數(shù)值孔徑N.A.=0.85)的物鏡相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了高密度記錄容量的光記錄介質(zhì)。
光透射層3可通過(guò)把具有均勻厚度的熱塑樹(shù)脂膜接合到非磁性支持基底1上而形成。進(jìn)一步地，光透射層3也可通過(guò)在熱塑樹(shù)脂膜與非磁性支持基底1之間加入紫外線固化樹(shù)脂、把這些部分接合并用紫外線進(jìn)行固化，而得到形成。
這種光透射層3也可以通過(guò)把具有附著性的熱塑樹(shù)脂膜接合到非磁性支持基底1上，而得到形成。進(jìn)一步地，光透射層3也可通過(guò)把紫外線固化樹(shù)脂旋涂到非磁性支持基底1的頂面上并隨后把熱塑樹(shù)脂膜接合到該層上，而得到形成。如果該膜是通過(guò)紫外線固化樹(shù)脂而接合的，光透射層3的厚度是熱塑樹(shù)脂膜的厚度與固化之后的紫外線固化樹(shù)脂的厚度之和，且在根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，這是3-177μm。
作為熱塑樹(shù)脂膜的材料，可采用例如聚碳酸酯樹(shù)脂或聚烯烴樹(shù)脂。
聚碳酸酯樹(shù)脂可根據(jù)所需的光氣法，通過(guò)在有諸如氫氧化鈉的酸結(jié)合劑存在的情況下使例如諸如雙酚A的雙酚基材料與光氣發(fā)生反應(yīng)，而制成。
除了通常的聚碳酸酯樹(shù)脂，至可采用具有酚基羥基的支化的聚碳酸酯作為支化劑，且長(zhǎng)鏈烷基酰氯或長(zhǎng)鏈烷基酯取代酚等可被用作封端劑?？刹捎帽挥米髦Щ瘎┖头舛藙┗蜻@些材料的混合物的長(zhǎng)鏈烷基支化聚碳酸酯樹(shù)脂。
隨后，上述的熱塑樹(shù)脂被裝載到傳統(tǒng)上采用的擠出機(jī)中，并借助加熱器而被融化。隨后，它以片的形式被擠出，并利用多個(gè)冷卻輥被制成樹(shù)脂片。
如果本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10是以相改變型光記錄介質(zhì)的形式制成，一種相改變材料被用于構(gòu)成記錄層2的材料層。
該相改變材料是當(dāng)激光束照射時(shí)產(chǎn)生可逆狀態(tài)改變的材料。具體地，產(chǎn)生非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)之間的可逆相改變的材料的材料是較好的，且可采用傳統(tǒng)上眾所周知的材料，諸如硫?qū)僭鼗衔锖蛦渭兊牧驅(qū)僭亍?br> 例如，可提到的有包含Te、Se、Ge-Sb-Te、Ge-Te、Sb-Te、In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Au-In-Sb-Te、Ge-Sb-Te-Pb、Ge-Sb-Te-Se、In-Sn-Se、Bi-Te、Bi-Se、Sb-Se、Ge-Sb-Te-Bi、Ge-Sb-Te-Co、Ge-Sb-Te-Au或進(jìn)一步包含諸如氮、氧的氣體添加劑的這些系統(tǒng)。在這些系統(tǒng)中，主要包含Sb-Te系統(tǒng)的材料是特別好的。可以把例如Se、Pd或In的元素添加到這種材料中，作為可適用的材料。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可被應(yīng)用于磁一光記錄介質(zhì)以及相改變型光記錄介質(zhì)。
在此情況下，作為圖1的記錄層2，形成了一層磁-光材料。例如，可采用傳統(tǒng)上眾所周知的磁-光記錄材料，諸如Tb-Fe系統(tǒng)、Tb-Fe-Co系統(tǒng)、Gd-Fe系統(tǒng)和Gd-Fe-Co系統(tǒng)。
如果本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10是以ROM(只讀盤(pán))式光盤(pán)的形式形成的，與構(gòu)成記錄層2的材料層一樣，通過(guò)采用諸如Al和Ag的眾所周知的金屬材料，形成了一個(gè)反射層。
以下描述本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10的生產(chǎn)過(guò)程。
首先，其表面被充分拋光的一個(gè)玻璃基底10得到制備，如圖2所示。這種玻璃基底10被置于一個(gè)旋轉(zhuǎn)基座(未顯示)上，且隨后通過(guò)以一個(gè)預(yù)定轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)它，光刻膠21以相等的厚度得到涂布，如圖3所示。
隨后，如圖4所示，光刻膠21被記錄激光束L曝光成預(yù)定的圖案。在這種曝光時(shí)，在旋轉(zhuǎn)玻璃基底20的同時(shí)，記錄激光束L沿著玻璃基底20的徑向方向以每圈轉(zhuǎn)動(dòng)相等的距離被送進(jìn)，從而以一個(gè)預(yù)定的間隔在光刻膠21上產(chǎn)生例如螺旋形的槽的潛象。
由于本發(fā)明的目的是獲得能夠?qū)崿F(xiàn)與22GB的大容量相對(duì)應(yīng)的高密度記錄的光記錄介質(zhì)，所以需要在上述曝光過(guò)程中形成一種高密度的引導(dǎo)槽和地址。隨后，在切割節(jié)距被設(shè)定為約0.6μm的情況下，進(jìn)行曝光。由于在后面的過(guò)程中產(chǎn)生的記錄層和材料層被埋置在在此切割過(guò)程中形成的槽之下，曝光區(qū)需要作得比較寬。
例如，更具體地說(shuō)，可形成0.37±0.01μm的槽。
例如在直徑為120mm(半徑60mm)的光記錄介質(zhì)中，其信號(hào)區(qū)是24-58mm半徑。如果記錄是以上述節(jié)距和0.13μm/位的線密度進(jìn)行的，假定信號(hào)有效率為80％，最終能夠獲得具有22GB的大容量的光記錄介質(zhì)。
隨后，如圖5所示，玻璃基底20用堿性顯影溶液進(jìn)行顯影，以除去曝光的部分。因此，在玻璃基底20上形成了預(yù)定圖案的細(xì)小的不平整21a。
隨后，如圖6所示，通過(guò)無(wú)電鍍進(jìn)行表面導(dǎo)電處理，從而在細(xì)小的不平整21a上形成厚度約100nm的NiP的無(wú)電鍍層22。
如圖7所示，通過(guò)進(jìn)行電澆鍍(electrocast plating)或電鍍，在無(wú)電鍍層22上形成了厚度為例如0.3mm的金屬鍍層23。
隨后，從玻璃基底20上除去無(wú)電鍍層22和金屬鍍層23，從而產(chǎn)生圖8所示的金屬主盤(pán)24。
隨后，這種金屬主盤(pán)24受到高溫?zé)崽幚怼＿@種熱處理是在200°以上的溫度下在例如常壓的空氣中進(jìn)行約30分鐘。雖然這種熱處理可用自然對(duì)流高溫干燥機(jī)進(jìn)行，不僅可以采用借助遠(yuǎn)紅外輻射和熱板加熱，而且可以采用其他各種加熱方法。
通過(guò)這種加熱處理，可以除去附著在金屬主盤(pán)24的表面上的雜質(zhì)，從而改善其可釋放性。
進(jìn)一步地，通過(guò)用遠(yuǎn)紅外射線照射金屬主盤(pán)24，可以使表面純化，且通過(guò)進(jìn)行等離子體照射可改善可釋放性。
隨后，如圖9所示，金屬主盤(pán)24受到電鍍處理，從而形成金屬鍍層25。隨后，金屬鍍層25如圖10所示地與金屬主盤(pán)24相分離，從而產(chǎn)生一個(gè)壓模復(fù)制盤(pán)26。
隨后，在此壓模復(fù)制盤(pán)26上形成并分離出例如Ni金屬的鍍層，如圖11所示，從而獲得用于把信息信號(hào)轉(zhuǎn)移到一種光盤(pán)基底上的壓模28。
通過(guò)采用以上述方式產(chǎn)生的壓模28，如圖12所示，具有預(yù)定圖案的細(xì)小的不平整通過(guò)例如注塑而得到轉(zhuǎn)移，從而產(chǎn)生圖13所示的非磁性支持基底1。
同時(shí)，非磁性支持基底1的細(xì)小的不平整所轉(zhuǎn)移到的一個(gè)區(qū)被用作一個(gè)信號(hào)區(qū)30。
隨后，該記錄層2被形成在這種非磁性支持基底1上。
這種記錄層2是用與諸如例如ROM型盤(pán)、相改變型光盤(pán)等的各種光記錄介質(zhì)相應(yīng)的材料制成的。
例如，在非磁性支持基底1上順次地形成了Al的金屬層、用ZnS-SiO2制成的介電材料層、用GeSbTe制成的光記錄層、以及用ZnS-SiO2制成的介電材料層，從而形成記錄層2。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，記錄層2不形成在非磁性支持基底1的表面的整個(gè)區(qū)域上。雖然記錄層2被形成在圖13所示的信號(hào)區(qū)30的整個(gè)表面上，它不被形成在盤(pán)的最外周邊部分和最內(nèi)周邊部分上的在信號(hào)區(qū)以外的區(qū)中。
即，如圖14所示，在半徑a是60mm的盤(pán)的情況下，記錄層2不被形成在距盤(pán)中心bmm(例如22mm)的區(qū)中和距盤(pán)的外緣cmm(例如1.5mm)的區(qū)中。
即，在其半徑a=60mm的盤(pán)的情況下，在上述例子中，記錄層2被形成在距中心22mm至58.5mm的區(qū)d(mm)中。
隨后，如圖1所示，在其上形成有記錄層2的、距非磁性支持基底1的中心20-60mm的區(qū)中，涂覆了厚度為例如30μm的紫外線固化樹(shù)脂，從而產(chǎn)生粘合劑層4。在此之后，通過(guò)加壓和用紫外線固化而接合了例如直徑119.5mm且厚度為70μm的透明熱塑樹(shù)脂膜。
因此，可以形成厚度為100μm且偏離為±2μm的光透射層3，從而能夠產(chǎn)生本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10。
如上所述，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10中，非磁性支持基底1和光透射層3借助粘合劑層4而在非磁性支持基底1的最外周邊部分1a和最內(nèi)部分1b內(nèi)彼此接觸，從而在其中不存在用于形成記錄層2的材料層。因此，在此部分的粘合可得到改善，從而使光透射層3的分離能夠有效地得到避免，從而改善盤(pán)的牢固強(qiáng)度。
進(jìn)一步地，由于記錄層2未被形成在非磁性支持基底1的最外周邊部分1a與最內(nèi)部分中的信號(hào)區(qū)以外的區(qū)中，可防止記錄層2的材料在盤(pán)的邊緣處與空氣相接觸，從而有效地避免了通過(guò)此部分的記錄層2腐蝕。結(jié)果，能夠獲得具有優(yōu)異的耐腐蝕性的光記錄介質(zhì)。
隨后，通過(guò)采用具有圖20所示的眾所周知形成傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)和圖1所示的本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10，在預(yù)定的條件下進(jìn)行的存儲(chǔ)之前和之后進(jìn)行錯(cuò)誤率測(cè)量，使這些光記錄介質(zhì)的記錄層102和2的腐蝕程度能夠得到檢驗(yàn)。
存儲(chǔ)條件是在80℃和80％濕度下進(jìn)行1000小時(shí)。
圖15顯示了在圖1所示的本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10中的錯(cuò)誤率的測(cè)量結(jié)果?？v坐標(biāo)軸表示了錯(cuò)誤率且橫坐標(biāo)軸表示了距光記錄介質(zhì)10的中心的距離。
在圖15中，線71表示了在上述條件下的存儲(chǔ)之前的錯(cuò)誤率的情況，且線72表示了在上述條件下的存儲(chǔ)之后的錯(cuò)誤率的情況。
如圖15所示，可以看出，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10中，在光記錄介質(zhì)的每一個(gè)位置處，錯(cuò)誤率的上升非常小，表明記錄層2的腐蝕非常小。
另一方面，圖16顯示了對(duì)具有圖20所示的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)100的錯(cuò)誤率測(cè)量結(jié)果。在此情況下，縱坐標(biāo)軸表示了錯(cuò)誤率且橫坐標(biāo)軸表示了距光記錄介質(zhì)100的中心的距離。
在圖16中，線81表示在上述條件下的存儲(chǔ)之前的錯(cuò)誤率的情況，且線82表示在上述條件下的存儲(chǔ)之后的錯(cuò)誤率的情況。
如圖16所示，顯然的是，在傳統(tǒng)的光記錄介質(zhì)100中，在上述條件下的存儲(chǔ)之后錯(cuò)誤率的上升很大，尤其是在盤(pán)的中心附近即最內(nèi)部分和在盤(pán)的邊緣即最外周邊部分，這表明記錄層102的腐蝕發(fā)展得很顯著。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，如圖17所示，在非磁性支持基底1的一個(gè)中心孔1h附近的部分是突出的，從而使該部分比周?chē)牟糠趾瘛?br> 通過(guò)在中心孔1h周?chē)纬稍撦^厚的部分，距中心孔1h的記錄層2的腐蝕可有效地得到避免，從而使中心孔附近的光透射層3的分離能夠得到避免，從而改善盤(pán)的強(qiáng)度。
進(jìn)一步地，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，通過(guò)如圖18所示地用紫外線固化樹(shù)脂對(duì)記錄層2進(jìn)行旋涂，并通過(guò)紫外線照射將其固化，可形成例如100μm厚的光透射層3。
進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明，如圖19所示，可以在形成光透射層3的熱塑樹(shù)脂膜的表面上初步形成諸如坑和槽的細(xì)小的不平整，以通過(guò)采用預(yù)定的材料層而形成一個(gè)記錄層40，并隨后通過(guò)粘合劑層4將其接合到記錄層2上，從而產(chǎn)生具有多個(gè)記錄層的一種光記錄介質(zhì)。
在此情況下，雖然形成在光透射層3的與非磁性支持基底1接合的一側(cè)上的記錄層40被形成在光透射層3的表面上的整個(gè)信號(hào)區(qū)上，它未被形成在光記錄介質(zhì)的最外周邊部分3a和最內(nèi)周邊部分3b中的在信號(hào)區(qū)以外的區(qū)上。
因此，在記錄層2和記錄層40中都可有效地避免腐蝕的發(fā)生。
同時(shí)，為了在熱塑樹(shù)脂片中初步形成坑或槽，可采用一種傳統(tǒng)的眾所周知的方法，即注塑法或光聚合法。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10中，用于形成記錄層2的材料層(反射層)不存在于在非磁性支持基底1的最外周邊部分1a與最內(nèi)周邊部分1b中非磁性支持基底1與光透射層3的邊界上。因此，在這種部分中在非磁性支持基底1與光透射層3之間的粘合得到了改善，從而能夠有效地避免光透射層4的分離，從而改善了光盤(pán)的強(qiáng)度和耐久性。
進(jìn)一步地，由于記錄層2未被形成在非磁性支持基底1的最外周邊部分1a與最內(nèi)部分1b中在信號(hào)區(qū)以外的區(qū)中，在盤(pán)的端部部分中用于構(gòu)成記錄層2的材料與空氣的接觸能夠得到避免，從而使這些部分中記錄層2的腐蝕的發(fā)生能夠得到避免。結(jié)果，能夠獲得具有優(yōu)異的光學(xué)耐腐蝕和特性的光記錄介質(zhì)。
雖然以上結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，且在不脫離所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的精神或范圍的前提下本領(lǐng)域的技術(shù)人員可進(jìn)行各種改變和修正。
權(quán)利要求
1．一種光記錄介質(zhì)，包括由信息坑行和/或槽構(gòu)成的信號(hào)區(qū)，該信號(hào)區(qū)被形成在一個(gè)盤(pán)形的非磁性支持基底的一個(gè)主表面上，一個(gè)記錄層和/或一個(gè)反射層以及一個(gè)厚度為3至177μm的光透射層被形成在該信號(hào)區(qū)中，從而能夠通過(guò)用藍(lán)-紫激光束照射光透射層的這一側(cè)而進(jìn)行信息再現(xiàn)和/或記錄，其特征在于記錄層或反射層被形成在整個(gè)信號(hào)區(qū)中但未被形成在該支持基底的一個(gè)最外周邊部分和一個(gè)最內(nèi)部分中在該信號(hào)區(qū)之外的區(qū)中。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其特征在于該光透射層是用熱塑樹(shù)脂膜形成的。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其特征在于該光透射層是用熱塑樹(shù)脂膜和粘合劑層形成的。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其特征在于該光透射層是用熱塑樹(shù)脂膜形成的，且由信息坑行和/或槽構(gòu)成的一個(gè)信號(hào)區(qū)被形成在與支持基底接合的一側(cè)上的熱塑樹(shù)脂膜中，且一個(gè)記錄層和/或一個(gè)反射層被形成在該信號(hào)區(qū)中，在與熱塑樹(shù)脂膜接合的該側(cè)上的該記錄層或該反射層被形成在熱塑樹(shù)脂膜的整個(gè)信號(hào)區(qū)中但不被形成在熱塑樹(shù)脂膜的一個(gè)最外周邊部分和一個(gè)最內(nèi)部分中在該信號(hào)區(qū)以外的區(qū)中。
5．根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其特征在于該支持基底具有一個(gè)突出部分，該突出部分被形成在支持基底的激光照射側(cè)上的中心孔周?chē)⒕哂写笥谄渲車(chē)糠值暮穸鹊暮穸取?br> 全文摘要
為了抑制由一種光記錄介質(zhì)構(gòu)成的一個(gè)記錄層中的腐蝕并避免光透射層的分離,在一個(gè)非磁性支持基底1上形成了由坑和/或槽、一個(gè)記錄層和一個(gè)光透射層構(gòu)成的一個(gè)信號(hào)區(qū)。該記錄層被形成在整個(gè)信號(hào)區(qū)上且不被形成在非磁性支持基底的一個(gè)最外周邊部分和一個(gè)最內(nèi)周邊部分中在該信號(hào)區(qū)以外的部分上。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1324074SQ0111708
公開(kāi)日2001年11月28日 申請(qǐng)日期2001年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月24日
發(fā)明者行本智美, 山崎剛, 柏木俊行 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社