專利名稱：存儲(chǔ)器件的制作方法
發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器件，特別涉及具有負(fù)微分電阻器件如隧道二極管的存儲(chǔ)器件。
在靜態(tài)RAM(SRAM)中，雖然不需要更新，而且達(dá)到的速度一般高于DRAM的速度，但是SRAM需要觸發(fā)電路，因此使其比DRAM更復(fù)雜，通常采用6個(gè)晶體管或4個(gè)晶體管和2個(gè)多晶硅負(fù)微分電阻構(gòu)成這種存儲(chǔ)器，由此導(dǎo)致集成度比DRAM情況的低。
因此希望得到一種不僅具有與DRAM相同的集成度而且要象SRAM一樣的不需要更新操作的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。
例如在日本未審定專利公報(bào)(KOKAI)No.10-69766中以采用共振隧道二極管(RTD)的SRAM形式公開了這種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。
附圖中的圖8是表示這種常規(guī)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖9是表示在等待條件下圖8的電路操作的示意圖。
如圖8中所示，該存儲(chǔ)單元具有其柵極和漏極分別連接到字線101和位線102的N溝道FET103、連接在N溝道FET 103和單元板CP之間的單元電容器104、和串聯(lián)連接在電源電壓VDD和VSS之間的第一和第二負(fù)微分電阻器件105和106。負(fù)微分電阻器件105和106的單元節(jié)點(diǎn)SN連接到N溝道FET103的源極。
當(dāng)存儲(chǔ)單元處于等待狀態(tài)時(shí)，即當(dāng)字線電位為低和N溝道FET 43處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，該存儲(chǔ)單元通過儲(chǔ)存在單元電容器104中的電荷保存該存儲(chǔ)器的內(nèi)容。在常規(guī)DRAM中，由于漏電流，儲(chǔ)存在存儲(chǔ)單元中的電荷量變化并且不能靜態(tài)地保存信息。另一方面，由負(fù)微分電阻器件105和106形成的串聯(lián)電路具有兩個(gè)穩(wěn)定的操作點(diǎn)，如圖9中所示的111和112。因此，單元節(jié)點(diǎn)SN電壓是作為對(duì)應(yīng)兩個(gè)穩(wěn)定操作點(diǎn)111和112的兩個(gè)電壓之一而建立的，由此可以靜態(tài)保存信息。
然而，在上述常規(guī)存儲(chǔ)單元中，為了驅(qū)動(dòng)負(fù)微分電阻器件，需要具有用于給每個(gè)存儲(chǔ)單元輸送電源電壓VDD和VSS的互連，因此不僅增加了單元的表面面積，而且降低了單元布局中的可能的自由度。
因此，本發(fā)明的目的是通過提供具有小單元表面面積和高單元布局自由度的存儲(chǔ)器件來(lái)解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題。
本發(fā)明的第一方案是具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到字線，漏極連接到位線；電容器，其一端連接到FET的源極，另一端連接到第一電源；設(shè)置在字線和FET的源極之間的第一負(fù)微分電阻器件；和設(shè)置在FET的源極和第二電源之間的第二負(fù)微分電阻器件。
在本發(fā)明的第二方案中，F(xiàn)ET是N溝道FET，第二電源的電壓是大于0V的指定電壓。
在本發(fā)明的第三方案中，F(xiàn)ET是P溝道FET，第二電源的電壓是0V。
在本發(fā)明的第四方案中，負(fù)微分電阻器件是江崎(Esaki)二極管或共振隧道二極管。
本發(fā)明的第五方案是具有設(shè)置在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到字線，漏極連接到位線；電容器，其一端連接到FET的源極，另一端連接到電源；設(shè)置在字線和FET的源極之間的第一負(fù)微分電阻器件；和設(shè)置在FET的源極和電源之間的第二負(fù)微分電阻器件。
本發(fā)明的第六方案是具有設(shè)置在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到字線，漏極連接到位線；電容器，其一端連接到FET的源極，另一端連接到第一電源；設(shè)置在字線和FET的源極之間的電阻元件；和設(shè)置在FET的源極和第二電源之間的負(fù)微分電阻器件。
本發(fā)明的第七方案是具有設(shè)置在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到字線，漏極連接到位線；電容器，其一端連接到FET的源極，另一端連接到電源；設(shè)置在字線和FET的源極之間的電阻元件；和設(shè)置在FET的源極和電源之間的負(fù)微分電阻器件。
本發(fā)明的第八方案是具有設(shè)置在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到字線，漏極連接到位線；電容器，其一端連接到FET的源極，另一端連接到第一電源；設(shè)置在字線和FET的源極之間的負(fù)微分電阻器件；和設(shè)置在FET的源極和第二電源之間的電阻元件。
本發(fā)明的第九方案是具有設(shè)置在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到字線，漏極連接到位線；電容器，其一端連接到FET的源極，另一端連接到電源；設(shè)置在字線和FET的源極之間的負(fù)微分電阻器件；和設(shè)置在FET的源極和電源之間的電阻元件。
圖2是表示用在

圖1A的電路中的負(fù)微分電阻器件的靜態(tài)電壓與電流特性的曲線。
圖3A是在等待狀態(tài)下圖1A的電路的等效電路圖，圖3B是表示其操作的曲線。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)單元的電路圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)單元的電路圖。
圖6是表示圖5電路的操作的示意圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)單元的另一電路圖。
圖8是常規(guī)存儲(chǔ)單元的電路圖。
圖9是表示在等待狀態(tài)下圖8電路的操作的示意圖。
最佳實(shí)施例的詳細(xì)說明下面參照相關(guān)附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例。(第一實(shí)施例)
圖1A和1B是形成根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元的電路圖。圖2是表示用在圖1A電路中的負(fù)微分電阻器件的靜態(tài)電壓與電流特性的曲線。圖3A是在等待狀態(tài)下圖1A電路的等效電路圖，圖3B是表示其操作的曲線。
本例的存儲(chǔ)器件具有如圖1A中所示設(shè)置在位線和字線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)單元。如圖1A所示，這些存儲(chǔ)單元的每個(gè)都具有其柵極和漏極分別連接到字線1和位線2的N溝道FET 3、連接在N溝道FET 3的源極和單元板CP之間的單元電容器4、和一對(duì)負(fù)微分電阻器件15，它們由第一和第二負(fù)微分電阻器件5和6形成，并且串聯(lián)連接在字線1和參考電壓線之間。負(fù)微分電阻器件5和6之間的節(jié)點(diǎn)MN連接到N溝道FET 3的源極和單元電容器4的一端。第一和第二負(fù)微分電阻器件5和6分別具有N型(電壓控制型)負(fù)微分電阻特性，如圖2所示。作為這種負(fù)微分電阻器件可列舉為隧道二極管如江崎(Esaki)二極管和RTD。
上述存儲(chǔ)單元的操作如下。如圖3A所示，當(dāng)存儲(chǔ)單元處于等待狀態(tài)時(shí)，由于N溝道FET 3處于截止?fàn)顟B(tài)，因此字線上的電壓保持在0V。在圖3A中，對(duì)應(yīng)于圖1A中的電路元件的電路元件標(biāo)以與圖1A中相同的參考標(biāo)記。電流源8表示流入存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN的電流或從存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN流出的漏電流。在這種情況下，在第二負(fù)微分電阻器件6與之連接的連接點(diǎn)7的電壓設(shè)定為VDD。當(dāng)負(fù)微分電阻器件5和6之間的存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN的電壓從0V變化到電源電壓VDD時(shí)，由圖2中的曲線9和8表示的電流流進(jìn)負(fù)微分電阻器件5中。表示流進(jìn)負(fù)微分電阻器件5中的電流的曲線9包括給其添加的漏電流IL。由負(fù)微分電阻器件5和6形成的負(fù)微分電阻器件對(duì)15在由曲線9和10的兩個(gè)交叉點(diǎn)11和12表示的電流穩(wěn)定操作。
在常規(guī)DRAM中，對(duì)應(yīng)由電流源8表示的漏電流IL的漏電流引起儲(chǔ)存在單元電容器中的電荷變化，因此不可能靜態(tài)保存信息。
然而，在根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中，即使有漏電流，上述負(fù)微分電阻器件對(duì)15在兩個(gè)穩(wěn)定操作點(diǎn)11和12中的任何一個(gè)穩(wěn)定操作。這樣，存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN的電位固定在作為兩個(gè)穩(wěn)定操作點(diǎn)11和12的電位的VL和VH中的一個(gè)，因此保持一個(gè)相同的狀態(tài)，只要輸送電源電壓即可。為此，儲(chǔ)存在單元電容器4中的電荷量是對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN的穩(wěn)定電位VL和VH的電荷的兩個(gè)水平中的任何一個(gè)，這個(gè)電荷水平保持在一個(gè)相同的狀態(tài)，只要輸送電源電壓即可，因此可以靜態(tài)保存信息。
對(duì)于負(fù)微分電阻器件5和6的電流大小，從功耗方面考慮，希望盡可能低。然而，如果漏電流IL超過負(fù)微分電阻器件的峰值電流值，則穩(wěn)定點(diǎn)12不再存在。因此，需要加大至少除了漏電流IL以外的負(fù)微分電阻器件的峰值電流值，以便保證上述雙穩(wěn)定性。通過采用具有與漏電流值相同水平的谷電流的負(fù)微分電阻器件可以滿足這個(gè)條件。然而，在負(fù)微分電阻器件的峰值電流值和谷電流值之間的比例約為10的情況下，如果考慮到存儲(chǔ)單元之間的漏電流值特性的變化，希望負(fù)微分電阻器件的峰值電流大小設(shè)置為平均漏電流值(約1-10fA)的約50-100倍。負(fù)微分電阻器件對(duì)15的雙穩(wěn)定性不再需要在常規(guī)DRAM中所需要的周期更新操作，并減少了等待狀態(tài)下的功耗。例如，如果VDD為3.3V，位線的寄生電容和單元電容分別為270fF和27fF，則平均電流值為1fA，并且負(fù)微分電阻峰值電流值和峰/谷電流比分別為100fA和10，與具有相同VDD、相同的位線寄生電容、相同的單元電容和相同的平均漏電流值以及每128毫秒進(jìn)行一次更新操作的DRAM相比，使等待狀態(tài)的功耗減少了兩個(gè)數(shù)量級(jí)的水平。
所述存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元讀/寫操作和儲(chǔ)存操作精確地與過去的1T/1C DRAM中的相同。即，在讀操作中，通過位線被預(yù)充電到某一電位，被選擇的字線的電壓升高到VDD，以便使N溝道FET導(dǎo)通。當(dāng)這樣做時(shí)，通過儲(chǔ)存在單元電容器中的電荷，在位線發(fā)生電位變化，這個(gè)電位變化將被設(shè)置在單元外部的差分放大器放大。根據(jù)已經(jīng)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容中的電荷量，被差分放大器放大的位線數(shù)據(jù)作為高電平狀態(tài)或低電平狀態(tài)被讀出到存儲(chǔ)器外部，并且還經(jīng)過N溝道FET返回到單元內(nèi)部，以便進(jìn)行數(shù)據(jù)的再寫入。在寫操作時(shí)，與讀操作時(shí)類似，通過從每個(gè)存儲(chǔ)單元讀出的被保存在位線上的數(shù)據(jù)，只有要被重寫的單元的位線電壓根據(jù)輸入信息被強(qiáng)制改變，由此重寫單元信息。
在讀操作期間和寫操作期間，當(dāng)字線上的電位改變到VDD時(shí)，負(fù)微分電阻器件5、6的一端的每個(gè)電位變?yōu)閂DD，負(fù)微分電阻器件對(duì)15使存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN上的電位升高到VDD。然而，由于負(fù)微分電阻器件中的電流值被選擇得充分小于N溝道FET或讀出放大器驅(qū)動(dòng)電流，因此存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN上的電位升高到VDD的時(shí)間常數(shù)大于存儲(chǔ)單元存取時(shí)間。例如，通過負(fù)微分電阻器件的峰值電流值為100fA和位線寄生電容為270fF，存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN的電位升高到VDD的時(shí)間常數(shù)大于3秒。這充分大于單元的80納秒平均存取時(shí)間，并在這些條件下可以忽略負(fù)微分電阻器件對(duì)15對(duì)存儲(chǔ)單元存取時(shí)間的影響。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中，在不犧牲雙穩(wěn)定性的范圍內(nèi)，負(fù)微分電阻器件的電流大小應(yīng)盡可能的小。結(jié)果是，在根據(jù)本例的存儲(chǔ)器件中，由于可以忽略負(fù)微分電阻器件對(duì)讀和寫操作的影響，不僅使該器件具有與DRAM相等的存取時(shí)間，而且可以實(shí)現(xiàn)比DRAM低的等待狀態(tài)下的功耗。
如上所述，本發(fā)明的存儲(chǔ)器件包括其柵極連接到字線1和漏極連接到位線2的FET 3、一端連接在FET的源極和另一端連接到第一電源31的電容器4、設(shè)置在字線1和FET源極之間的第一負(fù)微分電阻器件、和設(shè)置在FET源極和第二電源32之間的第二負(fù)微分電阻器件6。
該單元板電壓可以設(shè)置為VDD/2，如在常規(guī)DRAM那樣。然而，通過承受VDD或更高電壓的單元電容器，可以將單元板電壓設(shè)置為VDD，如圖1(b)中所示。如果這樣做，由于單元板電位和負(fù)微分電阻器件6與之連接的參考電壓線的電位的值相同，則可以將單元板和參考電壓線組合起來(lái)，這樣的優(yōu)點(diǎn)是不再需要分離的參考電壓線。(第二實(shí)施例)圖4是形成根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元的電路圖。
本例的存儲(chǔ)器件具有如圖4中所示設(shè)置在位線和字線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)單元。如圖4所示，這些存儲(chǔ)單元的每個(gè)都具有其柵極和漏極分別連接到字線21和位線22的P溝道FET 23、連接在P溝道FET 23的源極和單元板CP之間的單元電容器24、和由串聯(lián)連接在字線21和參考電壓線之間的第一和第二負(fù)微分電阻器件25和26形成的負(fù)微分電阻器件對(duì)35。負(fù)微分電阻器件25和26之間的節(jié)點(diǎn)MN連接到P溝道FET 23的源極和單元電容器24的一端。參考電壓線電位設(shè)定為0V。即第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器件構(gòu)成為使得第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的N溝道FET被P溝道FET代替，并且參考電壓線上的電位設(shè)定為0V。在這種情況下，由于P溝道FET在等待狀態(tài)下處于截止?fàn)顟B(tài)，因此字線21上的電位保持為VDD。結(jié)果是，電壓0V和VDD施加到由串聯(lián)第一負(fù)微分電阻器件25和第二負(fù)微分電阻器件26形成的負(fù)微分電阻器件對(duì)35的端子，以便得到與關(guān)于第一實(shí)施例的圖3(b)所示的相同類型的雙穩(wěn)定操作。然而，在這種情況下，第一負(fù)微分電阻器件的操作曲線和第二負(fù)微分電阻器件的操作曲線互換。
在根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中，與第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的情況一樣，負(fù)微分電阻器件的電流大小在不損失雙穩(wěn)定操作的情況下設(shè)定為盡可能的小。結(jié)果是，在第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中，出于和第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的相同原因，不僅該器件具有與DRAM相同的存取時(shí)間，而且可以實(shí)現(xiàn)在等待狀態(tài)下的低于DRAM的功耗。在將單元板電壓設(shè)定為0V的情況下，可以將第二負(fù)微分電阻器件26的一端連接到單元板CP，因此不再需要參考電壓線。(第三實(shí)施例)圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)單元的電路圖，圖6是表示在等待狀態(tài)下的圖5的電路的操作圖。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)器件具有如圖5所示的設(shè)置在位線和字線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)單元。如圖5所示，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有其柵極和漏極分別連接到字線41和位線42的N溝道FET 43、連接在P溝道FET43的源極和單元板CP之間的單元電容器44、和串聯(lián)連接在字線41和參考電壓線之間的電阻元件45和負(fù)微分電阻器件46。串聯(lián)連接的電阻元件45和負(fù)微分電阻器件46之間的節(jié)點(diǎn)MN連接到N溝道FET43的源極和單元電容器44的一端。參考電壓線電位設(shè)定為VDD。即，第三實(shí)施例的存儲(chǔ)單元構(gòu)成為使得第一實(shí)施例的第一負(fù)微分電阻器件由電阻元件代替。
如圖6所示，通過調(diào)整電阻元件45的電阻值，當(dāng)作為電阻元件45和負(fù)微分電阻器件46之間的連接點(diǎn)的存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN上的電位從0V變化到電源電位VDD時(shí)，得到與電阻元件45的電流曲線49和負(fù)微分電阻器件46的電流曲線50的三點(diǎn)交叉點(diǎn)。在這種情況下，漏電流IL添加到電阻元件45的電流曲線49。在該點(diǎn)在電阻元件45的電流曲線49和負(fù)微分電阻器件46的電流曲線50之間有交叉的兩個(gè)點(diǎn)51和52是穩(wěn)定操作點(diǎn)。這樣，存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)MN上的電位固定在電壓VL和VH中的任一個(gè)，這是操作點(diǎn)51和52，并且只要輸送電源電壓就保持相同狀態(tài)。為此，儲(chǔ)存在單元電容器44中的電荷量是對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)的穩(wěn)定電位VL和VH的兩個(gè)電荷量之一，只要輸送電源電壓就保持這個(gè)狀態(tài)，因此可以靜態(tài)地保存信息。即使在負(fù)微分電阻器件46的峰值電流值和谷值電流值之間的比例不那么大的情況下，對(duì)電阻元件45的電阻值進(jìn)行精確控制也可以保證穩(wěn)定操作。這個(gè)實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是與本發(fā)明第一和第二實(shí)施例中所示的電路相比減少了負(fù)微分電阻器件的數(shù)量。
還可以通過用P溝道FET代替N溝道FET 43和將參考電壓線的電位設(shè)定為0V來(lái)實(shí)現(xiàn)上述效果。此外，如圖7所示，還可以用負(fù)微分電阻器件51代替電阻元件45和用電阻元件52代替負(fù)微分電阻器件46。
雖然已經(jīng)借助例子介紹了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，但是應(yīng)該理解這些只是示意性的實(shí)施例，并不限制本發(fā)明，并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以采用其它各種形式。例如，可采用負(fù)微分電阻器件如江崎(Esaki)二極管、共振隧道二極管或其它隧道二極管和N型耿氏二極管。此外，可以采用共振隧道晶體管或共振隧道熱電子晶體管的三端的兩端。還可以將用在存儲(chǔ)單元中的FET制成為雙極晶體管，如果可以給予負(fù)微分電阻器件充分高的電容，還可以省略單元電容器4。
如上面詳細(xì)介紹的，通過在形成常規(guī)1T/1C DRAM的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)和字線之間或在存儲(chǔ)單元節(jié)點(diǎn)和參考電壓線之間提供至少一個(gè)負(fù)微分電阻器件，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容中的電荷的雙穩(wěn)定性，由此可以靜態(tài)保存信息。
此外，通過使單元板和參考電壓線具有相同的電位，本發(fā)明不再需要分開的參考電壓線，由此可以完全在單元內(nèi)進(jìn)行負(fù)微分電阻器件的連接，并且在沒有犧牲單元布局中的自由度的情況下使集成度幾乎與常規(guī)DRAM的相同。
權(quán)利要求
1.一種具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到所述字線，其漏極連接到所述位線；電容器，其一端連接到所述FET的源極，另一端連接到第一電源；提供在所述字線和所述FET的所述源極之間的第一負(fù)微分電阻器件；提供在所述FET的所述源極和第二電源之間的第二負(fù)微分電阻器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中所述FET是N溝道FET，所述第二電源的電位為大于0V的規(guī)定電位。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中所述FET是P溝道FET，所述第二電源的電位是地電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中所述負(fù)微分電阻器件是江崎二極管或共振隧道二極管。
5.一種具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到所述字線，其漏極連接到所述位線；電容器，其一端連接到所述FET的源極，另一端連接到電源；提供在所述字線和所述FET的所述源極之間的第一負(fù)微分電阻器件；提供在所述FET的所述源極和所述電源之間的第二負(fù)微分電阻器件。
6.一種具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到所述字線，其漏極連接到所述位線；電容器，其一端連接到所述FET的源極，另一端連接到第一電源；提供在所述字線和所述FET的所述源極之間的電阻元件；提供在所述FET的所述源極和第二電源之間的負(fù)微分電阻器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲(chǔ)器件，其中所述FET是N溝道FET，所述第二電源的電位為大于0V的規(guī)定電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲(chǔ)器件，其中所述FET是P溝道FET，所述第二電源的電位是地電位。
9.一種具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到所述字線，其漏極連接到所述位線；電容器，其一端連接到所述FET的源極，另一端連接到電源；提供在所述字線和所述FET的所述源極之間的電阻元件；提供在所述FET的所述源極和所述電源之間的負(fù)微分電阻器件。
10.一種具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到所述字線，其漏極連接到所述位線；電容器，其一端連接到所述FET的源極，另一端連接到第一電源；提供在所述字線和所述FET的所述源極之間的負(fù)微分電阻器件；提供在所述FET的所述源極和第二電源之間的電阻元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)器件，其中所述FET是N溝道FET，所述第二電源的電位為大于0V的規(guī)定電位。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)器件，其中所述FET是P溝道FET，所述第二電源的電位是地電位。
13.一種具有提供在字線和位線的交點(diǎn)的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)元件包括FET，其柵極連接到所述字線，其漏極連接到所述位線；電容器，其一端連接到所述FET的源極，另一端連接到電源；提供在所述字線和所述FET的所述源極之間的負(fù)微分電阻器件；提供在所述FET的所述源極和所述電源之間的電阻元件。
全文摘要
一種存儲(chǔ)單元由其柵極連接到字線和其漏極連接到位線的FET、其一端連接到所述FET的源極和另一端連接到第一電源的電容器、提供在字線和FET的源極之間的第一負(fù)微分電阻器件、提供在FET的源極和第二電源之間的第二負(fù)微分電阻器件形成。
文檔編號(hào)G11C11/36GK1402256SQ02127659
公開日2003年3月12日 申請(qǐng)日期2002年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月6日
發(fā)明者植村哲也 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社