1.一種感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其應(yīng)用于感應(yīng)鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應(yīng)鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元、高頻發(fā)射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發(fā)射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預設(shè)存儲第一標準磁場強度及第二標準磁場強度；所述感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)包括：
低頻發(fā)射控制模塊，用于控制所述低頻發(fā)射單元依次發(fā)送第一低頻信號及第二低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標準磁場強度值，所述第二低頻信號包含所述第二標準磁場強度值；所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值不相同；所述感應(yīng)鑰匙依次接收所述第一低頻信號及所述第二低頻信號，并識別接收到的所述第一低頻信號的磁場強度為第一接收磁場強度值，且識別接收到的所述第二低頻信號的磁場強度為第二接收磁場強度值；
高頻發(fā)射控制模塊，用于控制所述高頻發(fā)射單元依次發(fā)送第一高頻信號及第二高頻信號，所述第一高頻信號及所述第二高頻信號分別包含所述第一接收磁場強度值及所述第二接收磁場強度值；
分析運算模塊，用于控制所述運算單元依次讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，及所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值；并計算出補償所述低頻接收單元所接收的接收磁場強度值及所述低頻發(fā)射單元所發(fā)射的標準磁場強度值之間的誤差所需要的誤差補償算法；及
校正模塊，用于控制所述傳輸單元向所述感應(yīng)鑰匙發(fā)送所述補償算法，以允許所述感應(yīng)鑰匙在接收到下一低頻信號時運用所述補償算法對其接收到的接收磁場強度值進行補償運算；
其中，所述低頻發(fā)射控制模塊還用于在判斷所述誤差未落入一預設(shè)的誤差范圍時，控制所述低頻發(fā)射單元繼續(xù)發(fā)送另一低頻信號，以允許感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)再次對所述智能鑰匙進行校正，直至所述誤差落入所述預設(shè)的誤差范圍。
2.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其特征在于：所述分析運算模塊還用于在判斷所述誤差落入所述預設(shè)的誤差范圍時，控制所述低頻發(fā)射單元停止發(fā)送低頻信號。
3.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其特征在于：所述分析運算模塊根據(jù)所述第一標準磁場強度值、所述第一接收磁場強度值、所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，建立所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值之間的第一函數(shù)關(guān)系，及建立所述第一接收磁場強度值與所述第二接收磁場強度值之間的第二函數(shù)關(guān)系，并建立所述第一函數(shù)關(guān)系與所述第二函數(shù)關(guān)系之間的映射函數(shù)關(guān)系，所述映射函數(shù)關(guān)系為所述誤差補償算法。
4.如權(quán)利要求3所述的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其特征在于：所述映射函數(shù)關(guān)系由所述第一函數(shù)關(guān)系相對于所述第二函數(shù)關(guān)系的偏移量及斜率差確定。
5.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其特征在于：所述高頻發(fā)射控制模塊及所述校正模塊為存儲在所述第一存儲單元中，并可被所述第一存儲單元執(zhí)行的可程序化的模塊。
6.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其特征在于：所述低頻發(fā)射控制模塊為存儲在所述第二存儲單元中并可被所述第二存儲單元執(zhí)行的可程序化的模塊。
7.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其特征在于：所述分析運算模塊為存儲在所述第三存儲單元中，并可被所述第三存儲單元執(zhí)行的可程序化的模塊。
8.一種感應(yīng)鑰匙校正方法，其應(yīng)用于感應(yīng)鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應(yīng)鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元高頻發(fā)射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發(fā)射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預設(shè)存儲第一標準磁場強度、第二標準磁場強度及第三標準磁場強度；所述感應(yīng)鑰匙校正方法包括步驟：
控制所述低頻發(fā)射單元發(fā)送第一低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標準磁場強度值；所述感應(yīng)鑰匙接收所述第一低頻信號，并識別接收到的所述第一低頻信號的磁場強度為第一接收磁場強度值；
控制所述高頻發(fā)射單元發(fā)送第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強度值；
控制所述通訊單元接收所述第一高頻信號；
控制所述運算單元讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，并計算所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值之間的第一差值；
判斷若所述第一差值若未落入一預設(shè)的誤差范圍，則控制所述低頻發(fā)射單元發(fā)送第二低頻信號，所述第二低頻信號包含所述第二標準磁場強度值；所述第二標準磁場強度值與所述第一標準磁場強度值不相同；所述感應(yīng)鑰匙接收所述第二低頻信號并識別接收到的所述第二低頻信號的磁場強度為第二接收磁場強度值；
控制所述高頻發(fā)射單元發(fā)送第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強度值；
控制所述通訊單元接收所述第二高頻信號；
控制所述運算單元讀取所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，并計算出補償所述低頻接收單元所接收的接收磁場強度值及所述低頻發(fā)射單元所發(fā)射的標準磁場強度值之間的誤差所需要的誤差補償算法；
控制所述傳輸單元向所述感應(yīng)鑰匙發(fā)送所述補償算法;
控制所述低頻發(fā)射單元發(fā)送第三低頻信號，所述第三低頻信號包含所述第三標準磁場強度值；所述感應(yīng)鑰匙接收所述第三低頻信號并識別接收到的所述第三低頻信號的磁場強度為第三接收磁場強度值；
控制所述處理單元運用所述映射函數(shù)關(guān)系將所述第三接收磁場強度值重新計算后，得到一近似標準磁場強度值；
控制所述高頻發(fā)射單元發(fā)射第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述似標標準磁場強度值；
控制所述運算單元讀取所述第三標準磁場強度值及所述近似標準磁場強度值，并計算所述第三標準磁場強度值及所述近似標準磁場強度值之間的第二差值；
判斷若所述第二差值若未落入所述預設(shè)的誤差允許范圍，則繼續(xù)上述校正步驟，直至所述第一差值或所述第二差值落入所述預設(shè)的誤差允許范圍。
9.如權(quán)利要求8所述的感應(yīng)鑰匙校正方法，其特征在于：判斷若所述第一差值或第二差值若落入所述預設(shè)的誤差范圍時，結(jié)束上述校正步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的感應(yīng)鑰匙校正方法，其特征在于：所述分析運算模塊根據(jù)所述第一標準磁場強度值、所述第一接收磁場強度值、所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，建立所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值之間的第一函數(shù)關(guān)系，及建立所述第一接收磁場強度值與所述第二接收磁場強度值之間的第二函數(shù)關(guān)系，并建立所述第一函數(shù)關(guān)系與所述第二函數(shù)關(guān)系之間的映射函數(shù)關(guān)系，所述映射函數(shù)關(guān)系為所述誤差補償算法。